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      集成電路、基于集成電路的半導(dǎo)體裝置和標(biāo)準(zhǔn)單元庫(kù)的制作方法_5

      文檔序號(hào):9549510閱讀:來(lái)源:國(guó)知局
      光學(xué)記錄介質(zhì)(CD-ROM、DVD-ROM、CD-R、CD-RW、DVD-R和DVD-RW)、易失性或非易失性存儲(chǔ)器(例如,RAM、ROM或閃速存儲(chǔ)器)、可通過(guò)USB接口存取的非易失性存儲(chǔ)器以及微電子機(jī)械系統(tǒng)(MEMS)。計(jì)算機(jī)可讀記錄介質(zhì)可插入到計(jì)算機(jī)中、集成到計(jì)算機(jī)中或者通過(guò)諸如網(wǎng)絡(luò)和/或無(wú)線鏈路的通信介質(zhì)與計(jì)算機(jī)結(jié)合。
      [0158]如圖23所示,計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)500可已經(jīng)在其中存儲(chǔ)位置和布線程序510、庫(kù)520、分析程序530和數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)540。位置和布線程序510可根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的示例實(shí)施例存儲(chǔ)用于執(zhí)行使用標(biāo)準(zhǔn)單元庫(kù)的方法或設(shè)計(jì)1C的方法的多個(gè)指令。例如,計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)500可存儲(chǔ)包括用于執(zhí)行上面參照附圖描述的方法的全部或一部分的任意指令的位置和布線程序510。庫(kù)520可包括與作為包括在1C中的單元的標(biāo)準(zhǔn)單元有關(guān)的信息。
      [0159]分析程序530可包括用于基于限定1C的數(shù)據(jù)而執(zhí)行分析1C的方法的多個(gè)指令。數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)540可包括用于管理在使用庫(kù)520中的標(biāo)準(zhǔn)單元庫(kù)、從在庫(kù)520中的一般標(biāo)準(zhǔn)單元庫(kù)中提取標(biāo)記信息或者分析通過(guò)分析程序530執(zhí)行的1C的時(shí)序特性的過(guò)程期間產(chǎn)生的數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)空間。
      [0160]圖24是示出根據(jù)一些示例實(shí)施例的包括1C的存儲(chǔ)卡1000的框圖。
      [0161]參照?qǐng)D24,在存儲(chǔ)卡1000中,控制器1100和存儲(chǔ)器1200可設(shè)置成例如通過(guò)總線來(lái)交換電信號(hào)。例如,當(dāng)控制器1100指示時(shí),存儲(chǔ)器1200可傳輸數(shù)據(jù)。
      [0162]控制器1100和存儲(chǔ)器1200可包括根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的示例實(shí)施例的1C。具體地,在控制器1100和存儲(chǔ)器1200中的多個(gè)半導(dǎo)體裝置當(dāng)中的至少一個(gè)半導(dǎo)體裝置中,可通過(guò)形成單個(gè)節(jié)點(diǎn)來(lái)跳過(guò)至少一條導(dǎo)線。可通過(guò)使沿第一方向(例如,Y方向)延伸的至少兩個(gè)第一接觸件、沿與第一方向垂直的第二方向(例如,X方向)延伸的第二接觸件以及沿第一方向延伸的至少一條導(dǎo)線電連接來(lái)形成單個(gè)節(jié)點(diǎn)。
      [0163]存儲(chǔ)卡1000可以是從各種類(lèi)型的存儲(chǔ)卡例如記憶棒卡、智能媒體(smart media)(SM)卡、安全數(shù)字(SD)卡、迷你型SD卡和多媒體卡(NMC)中選擇的一種。
      [0164]圖25是示出根據(jù)一些示例實(shí)施例的包括1C的計(jì)算系統(tǒng)2000的框圖。
      [0165]參照?qǐng)D25,計(jì)算系統(tǒng)2000可包括處理器2100、存儲(chǔ)器件2200、存儲(chǔ)裝置2300、電源2400和輸入/輸出(I/O)裝置2500。雖然未在圖25中示出,但計(jì)算系統(tǒng)2000可另外包括用于與視頻卡、聲音卡、存儲(chǔ)卡、USB裝置或其他電子裝置通信的端口。
      [0166]包括在計(jì)算系統(tǒng)2000中的處理器2100、存儲(chǔ)器件2200、存儲(chǔ)裝置2300、電源2400和I/o裝置2500可包括根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的示例實(shí)施例的1C。具體地,在處理器2100、存儲(chǔ)器件2200、存儲(chǔ)裝置2300、電源2400和I/O裝置2500中的多個(gè)半導(dǎo)體裝置當(dāng)中的至少一個(gè)半導(dǎo)體裝置中,可通過(guò)形成單個(gè)節(jié)點(diǎn)來(lái)跳過(guò)至少一條導(dǎo)線。可通過(guò)使沿第一方向(例如,Y方向)延伸的的至少兩個(gè)第一接觸件、沿與第一方向垂直的第二方向(例如,X方向)延伸的第二接觸件以及沿第一方向延伸的至少一條導(dǎo)線電連接來(lái)形成單個(gè)節(jié)點(diǎn)。
      [0167]處理器2100可執(zhí)行期望的(或者,可選地,預(yù)定的)計(jì)算或任務(wù)。根據(jù)示例實(shí)施例,處理器2100可以是微處理器或中央處理單元(CPU)。處理器2100可通過(guò)諸如地址總線、控制總線和數(shù)據(jù)總線的總線2600而與存儲(chǔ)器件2200、存儲(chǔ)裝置2300和I/O裝置2500進(jìn)行通信。根據(jù)一些示例實(shí)施例,處理器2100可連接到諸如外圍組件互連(PCI)總線的擴(kuò)展總線。
      [0168]存儲(chǔ)裝置2200可存儲(chǔ)計(jì)算系統(tǒng)2000的操作所必需的數(shù)據(jù)。例如,存儲(chǔ)器件2200可以是動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)、移動(dòng)DRAM、靜態(tài)RAM (SRAM)、相變RAM (PRAM)、鐵電RAM(FRAM)、電阻RAM(RRAM)和/或磁阻RAM(MRAM)。存儲(chǔ)裝置2300可包括固態(tài)驅(qū)動(dòng)器(SSD)、硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器(HDD)和CD-ROM。
      [0169]I/O裝置2500可包括諸如鍵盤(pán)、小型鍵盤(pán)和鼠標(biāo)的輸入裝置以及諸如打印機(jī)和顯示器的輸出裝置。電源2400可提供計(jì)算系統(tǒng)2000的操作所需的操作電壓。
      [0170]根據(jù)示例實(shí)施例的1C可組裝成各種類(lèi)型的封裝件。例如,可通過(guò)使用諸如層疊封裝件(PoP)、球柵陣列(BGA)、芯片級(jí)封裝件(CSP)、塑料引線芯片載體(PLCC)、塑料雙列直插式封裝件(PDIP)、華夫包中芯片(Die in Waffle Pack)、晶圓形式芯片(Die inWafer Form)、板上芯片(COB)、陶瓷雙列直插式封裝件(CERDIP)、塑料公制四方扁平封裝件(MQFP)、薄型四方扁平封裝件(TQFP)、小外形集成電路(S0IC)、收縮型小外形封裝件(SS0P)、薄型小外形封裝件(TS0P)、系統(tǒng)級(jí)封裝件(SIP)、多芯片封裝件(MCP)、晶圓級(jí)制備封裝件(WFP)以及晶圓級(jí)堆疊工藝封裝件(WSP)的封裝件來(lái)安裝1C的至少一些組件。
      [0171]盡管已經(jīng)參照發(fā)明構(gòu)思的一些示例實(shí)施例具體地示出并描述了發(fā)明構(gòu)思的示例實(shí)施例,但是將理解的是,在不脫離權(quán)利要求的精神和范圍的情況下,可在這里作出形式和細(xì)節(jié)上的各種改變。
      【主權(quán)項(xiàng)】
      1.一種包括至少一個(gè)單元的集成電路,對(duì)于所述至少一個(gè)單元中的每個(gè),所述集成電路包括: 多條導(dǎo)線,沿第一方向延伸并且沿第二方向彼此平行,第二方向與第一方向垂直; 第一接觸件,在所述多條導(dǎo)線中的至少一條導(dǎo)線的兩側(cè)中的相應(yīng)的一側(cè)處;以及第二接觸件,在所述至少一條導(dǎo)線和第一接觸件上,第二接觸件電連接到所述至少一條導(dǎo)線和第一接觸件,從而第二接觸件、所述至少一條導(dǎo)線和第一接觸件形成單個(gè)節(jié)點(diǎn)。2.如權(quán)利要求1所述的集成電路,其中,第一接觸件沿第一方向延伸,第二接觸件沿第二方向延伸。3.如權(quán)利要求1所述的集成電路,其中,第二接觸件沿與第一接觸件垂直的方向延伸。4.如權(quán)利要求1所述的集成電路,其中, 所述至少一個(gè)單元還包括具有不同的導(dǎo)電類(lèi)型的第一有源區(qū)和第二有源區(qū),其中, 第二接觸件至少在第一有源區(qū)和第二有源區(qū)中的選擇的一個(gè)上。5.如權(quán)利要求4所述的集成電路,其中, 所述多條導(dǎo)線分別與多個(gè)柵電極對(duì)應(yīng), 第一有源區(qū)中的第一晶體管的數(shù)量小于第二有源區(qū)中的第二晶體管的數(shù)量。6.如權(quán)利要求4所述的集成電路,其中, 所述多條導(dǎo)線分別與多個(gè)柵電極對(duì)應(yīng), 第一有源區(qū)中的第一晶體管的數(shù)量等于或大于第二有源區(qū)中的第二晶體管的數(shù)量。7.如權(quán)利要求4所述的集成電路,其中, 所述至少一個(gè)單元還包括在第一有源區(qū)和第二有源區(qū)中的沿第二方向延伸的多個(gè)鰭,所述多個(gè)鰭沿第一方向彼此平行。8.如權(quán)利要求7所述的集成電路,其中, 所述多條導(dǎo)線分別與多個(gè)柵電極對(duì)應(yīng), 所述多個(gè)鰭分別與多個(gè)鰭式晶體管對(duì)應(yīng), 所述多個(gè)鰭式晶體管的在第一有源區(qū)中的第一數(shù)量小于所述多個(gè)鰭式晶體管的在第二有源區(qū)中的第二數(shù)量。9.如權(quán)利要求7所述的集成電路,其中, 所述多條導(dǎo)線分別與多個(gè)柵電極對(duì)應(yīng), 所述多個(gè)鰭分別與多個(gè)鰭式晶體管對(duì)應(yīng), 所述多個(gè)鰭式晶體管的在第一有源區(qū)中的第一數(shù)量等于或大于所述多個(gè)鰭式晶體管的在第二有源區(qū)中的第二數(shù)量。10.如權(quán)利要求4所述的集成電路,所述集成電路還包括: 切割區(qū),在第一有源區(qū)與第二有源區(qū)之間,切割區(qū)被構(gòu)造成在第二有源區(qū)中使所述至少一條導(dǎo)線與單個(gè)節(jié)點(diǎn)絕緣。11.如權(quán)利要求1所述的集成電路,其中, 所述至少一條導(dǎo)線包括第一導(dǎo)線和第二導(dǎo)線,第二導(dǎo)線在第一導(dǎo)線的第一側(cè)處,第一接觸件包括第一左接觸件和第一右接觸件,第一左接觸件在第一導(dǎo)線的第二側(cè)處,第一右接觸件在第二導(dǎo)線的第二側(cè)處。12.如權(quán)利要求11所述的集成電路,其中,第二接觸件在第一左接觸件、第一右接觸件、第一導(dǎo)線和第二導(dǎo)線上并且電連接到第一左接觸件、第一右接觸件、第一導(dǎo)線和第二導(dǎo)線。13.如權(quán)利要求11所述的集成電路,其中,第一接觸件還包括: 第一中心接觸件,在第一導(dǎo)線與第二導(dǎo)線之間。14.如權(quán)利要求13所述的集成電路,其中,第二接觸件在第一左接觸件、第一右接觸件、第一中心接觸件、第一導(dǎo)線和第二導(dǎo)線上并且電連接到第一左接觸件、第一右接觸件、第一中心接觸件、第一導(dǎo)線和第二導(dǎo)線。15.如權(quán)利要求1所述的集成電路,其中, 所述多條導(dǎo)線包括第一導(dǎo)線至第三導(dǎo)線,第一導(dǎo)線至第三導(dǎo)線彼此相鄰, 第一接觸件包括第一左接觸件和第一右接觸件,第一左接觸件在第一導(dǎo)線與第二導(dǎo)線之間,第一右接觸件在第二導(dǎo)線與第三導(dǎo)線之間, 第二接觸件的沿第二方向的長(zhǎng)度大于第一左接觸件與第一右接觸件之間的距離且小于第一導(dǎo)線與第三導(dǎo)線之間的距離。16.如權(quán)利要求1所述的集成電路,其中,第一接觸件的沿第二方向的相應(yīng)的長(zhǎng)度小于所述多條導(dǎo)線中的兩條相鄰的導(dǎo)線之間的空間。17.如權(quán)利要求1所述的集成電路,其中, 第一接觸件沿第一方向具有相同的長(zhǎng)度, 第一接觸件和第二接觸件形成Η形跨接線。18.如權(quán)利要求1所述的集成電路,其中, 第一接觸件沿第一方向具有不同的長(zhǎng)度, 第一接觸件和第二接觸件形成L形跨接線。19.一種半導(dǎo)體裝置,所述半導(dǎo)體裝置包括: 基板,包括第一有源區(qū)和第二有源區(qū),第一有源區(qū)和第二有源區(qū)具有不同的導(dǎo)電類(lèi)型; 多條導(dǎo)線,沿第一方向延伸并且沿第二方向彼此平行,第二方向與第一方向垂直; 第一接觸件,在所述多條導(dǎo)線中的至少一條導(dǎo)線的兩側(cè)中的相應(yīng)的一側(cè)處;以及第二接觸件,在所述至少一條導(dǎo)線上且在第一有源區(qū)和第二有源區(qū)中的至少一個(gè)中的第一接觸件上,第二接觸件電連接到所述至少一條導(dǎo)線和第一接觸件,從而第二接觸件、所述至少一條導(dǎo)線和第一接觸件形成單個(gè)節(jié)點(diǎn)。20.如權(quán)利要求19所述的半導(dǎo)體裝置,其中, 所述多條導(dǎo)線分別與多個(gè)柵電極對(duì)應(yīng), 第一有源區(qū)中的晶體管的第一數(shù)量小于第二有源區(qū)中的晶體管的第二數(shù)量。21.如權(quán)利要求19所述的半導(dǎo)體裝置,其中, 所述多條導(dǎo)線分別與多個(gè)柵電極對(duì)應(yīng), 第一有源區(qū)中的晶體管的第一數(shù)量等于或大于第二有源區(qū)中的晶體管的第二數(shù)量。22.—種存儲(chǔ)在非暫時(shí)性計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)中的標(biāo)準(zhǔn)單元庫(kù),所述標(biāo)準(zhǔn)單元庫(kù)包括與至少一個(gè)標(biāo)準(zhǔn)單元相關(guān)的信息,所述至少一個(gè)標(biāo)準(zhǔn)單元包括: 第一有源區(qū)和第二有源區(qū),第一有源區(qū)和第二有源區(qū)具有不同的導(dǎo)電類(lèi)型, 多個(gè)鰭,在第一有源區(qū)和第二有源區(qū)中彼此平行; 多條導(dǎo)線,在所述多個(gè)鰭上方,所述多條導(dǎo)線沿第一方向延伸并且沿第二方向彼此平行,第二方向與第一方向垂直; 第一接觸件,在所述多條導(dǎo)線中的至少一條導(dǎo)線的兩側(cè)中的相應(yīng)的一側(cè)處;以及 第二接觸件,電連接到所述至少一條導(dǎo)線和位于第一有源區(qū)和第二有源區(qū)中的至少一個(gè)中的第一接觸件,從而第二接觸件、所述至少一條導(dǎo)線和第一接觸件在第一有源區(qū)和第二有源區(qū)中的至少一個(gè)中形成單個(gè)節(jié)點(diǎn)。23.如權(quán)利要求22所述的標(biāo)準(zhǔn)單元庫(kù),其中,所述多個(gè)鰭沿第二方向延伸。24.一種半導(dǎo)體裝置,所述半導(dǎo)體裝置包括: 基板,包括具有第一導(dǎo)電類(lèi)型的第一有源區(qū)和具有與第一導(dǎo)電類(lèi)型不同的第二導(dǎo)電類(lèi)型的第二有源區(qū); 多個(gè)柵電極,沿第一方向延伸,從而所述多個(gè)柵電極沿第二方向彼此平行,第二方向與第一方向垂直; 第一接觸件,在所述多個(gè)柵電極中的被跳過(guò)的柵電極的兩側(cè)中的相應(yīng)的一側(cè)處,被跳過(guò)的柵電極是所述多個(gè)柵電極中的連接到第一接觸件的柵電極;以及 第二接觸件,電連接到被跳過(guò)的柵電極和第一有源區(qū)中的第一接觸件,從而第二接觸件、被跳過(guò)的柵電極和第一接觸件在第一有源區(qū)中形成單個(gè)節(jié)點(diǎn)。25.如權(quán)利要求24所述的半導(dǎo)體裝置,其中,半導(dǎo)體裝置包括至少一個(gè)非對(duì)稱(chēng)柵極的集成電路,與在第一有源區(qū)中相比,非對(duì)稱(chēng)柵極的集成電路在第二有源區(qū)中包括更多數(shù)量的晶體管。
      【專(zhuān)利摘要】提供了一種集成電路(IC)、一種半導(dǎo)體裝置和一種標(biāo)準(zhǔn)單元庫(kù)。集成電路(IC)可包括至少一個(gè)單元,所述至少一個(gè)單元包括:多條導(dǎo)線,沿第一方向延伸并且沿與第一方向垂直的第二方向彼此平行;第一接觸件,分別設(shè)置在所述多條導(dǎo)線中的至少一條導(dǎo)線的兩側(cè)處;以及第二接觸件,設(shè)置在所述至少一條導(dǎo)線和第一接觸件上并通過(guò)電連接到所述至少一條導(dǎo)線和第一接觸件而形成單個(gè)節(jié)點(diǎn)。
      【IPC分類(lèi)】H01L27/02, G06F17/50
      【公開(kāi)號(hào)】CN105304624
      【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201510434904
      【發(fā)明人】白尚訓(xùn), 吳祥奎, 都楨湖, 樸善暎, 李昇映, 元孝植
      【申請(qǐng)人】三星電子株式會(huì)社
      【公開(kāi)日】2016年2月3日
      【申請(qǐng)日】2015年7月22日
      【公告號(hào)】US20160027769
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