一的弧狀線路212、215,使凸部 2122、2152外露于圍繞壁8外側(cè)。借由將凸部2122、2152外露于圍繞壁8的外側(cè)，可確保弧 狀線路212、215的平整度，也同時(shí)減少因線路不平整而導(dǎo)致導(dǎo)線5易斷線的機(jī)率。此外，將 各齊納二極管4內(nèi)埋在圍繞壁8內(nèi)，可使多個(gè)LED芯片3不因齊納二極管4而產(chǎn)生遮光問 題，可提高發(fā)光裝置100的發(fā)光效率。圍繞壁8與基板1的頂面11共同界定出一容置空間 80。熒光層9容置于該容置空間80內(nèi)并覆蓋所述LED芯片3,同樣的，圍繞壁8和熒光層9 也受封裝體6覆蓋。相較于使用噴涂技術(shù)（Spray Coating)產(chǎn)生突光層9,本實(shí)施例通過 圍繞壁8而能使用點(diǎn)膠制程形成熒光層9,借此能有效減少熒光粉的用量，從而降低生產(chǎn)成 本。如圖9所示，本實(shí)施例的圍繞壁8的厚度A3為0.3mm，高度A4為0.4mm。圍繞壁8外 表面與封裝體6外表面的距離A5最小為0. 15mm，但不以此限。在其他實(shí)施例中，圍繞壁8 的厚度A3可介于0. 3-0. 7mm間，高度可介于0. 3-0. 8mm間。
[0056] 第二實(shí)施例發(fā)光裝置100的下金屬層22與第一實(shí)施例相同，可具有八個(gè)焊接墊 222 (如圖3所示）或兩個(gè)焊接墊222 (如圖4所示），第一導(dǎo)接墊211及第二導(dǎo)接墊214和 焊接墊222的連接關(guān)系也與第一實(shí)施例相同，在此不再贅述。
[0057] [第三實(shí)施例]
[0058] 參閱圖10及圖11，本發(fā)明發(fā)光裝置100的第三實(shí)施例與第一實(shí)施例相近，其差異 說明如下。在本實(shí)施例中，上金屬層21還包括一覆蓋于圓形固晶區(qū)111及至少一多邊形延 伸區(qū)112的固晶墊217。固晶墊217用于承載所述LED芯片3及至少一齊納二極管4。在 此實(shí)施例中，固晶墊217的形狀為圓形疊加矩形，固晶墊217與所有的第一導(dǎo)接墊211 (包 含圖11左上的一字型線路213、左一的弧狀線路212、左二的弧狀線路212和左下的一字型 線路213)和第二導(dǎo)接墊214 (包含圖11右上的一字型線路216、右一的弧狀線路215、右二 的弧狀線路215和右下的一字型線路216)相隔一距離。當(dāng)發(fā)光裝置100加入固晶墊217 時(shí)，多個(gè)LED芯片3可通過固晶墊217進(jìn)行散熱。
[0059] 第三實(shí)施例發(fā)光裝置100的下金屬層22與第一實(shí)施例相同，可具有八個(gè)焊接墊 222 (如圖3所示）或兩個(gè)焊接墊222 (如圖4所示），第一導(dǎo)接墊211及第二導(dǎo)接墊214和 焊接墊222的連接關(guān)系也與第一實(shí)施例相同，在此不再贅述。
[0060] [第四實(shí)施例]
[0061] 參閱圖12及圖13,本發(fā)明發(fā)光裝置100的第四實(shí)施例與第二實(shí)施例相近，其差異 說明如下。在本實(shí)施例中，上金屬層21還包括一覆蓋于圓形固晶區(qū)111及至少一多邊形延 伸區(qū)112的固晶墊217。固晶墊217用于承載所述LED芯片3及至少一齊納二極管4。因 此圍繞壁8除了設(shè)置在第一導(dǎo)接墊211 (包含圖13左上的一字型線路213、左一的弧狀線路 212、左二的弧狀線路212和左下的一字型線路213)和第二導(dǎo)接墊214上（包含圖13右上 的一字型線路216、右一的弧狀線路215、右二的弧狀線路215和右下的一字型線路216)，也 設(shè)置在固晶墊217上。值得注意的是，位于多邊形延伸區(qū)112的固晶墊217部分外露于圍 繞壁8外側(cè)。
[0062] 第四實(shí)施例發(fā)光裝置100的下金屬層22與第一實(shí)施例相同，可具有八個(gè)焊接墊 222 (如圖3所示）或兩個(gè)焊接墊222 (如圖4所示），第一導(dǎo)接墊211及第二導(dǎo)接墊214和 焊接墊222的連接關(guān)系也與第一實(shí)施例相同，在此不再贅述。
[0063] 參閱圖14至圖19,本發(fā)明發(fā)光裝置100的LED芯片3的布局不以前述實(shí)施例的實(shí) 施態(tài)樣為限，圖14至圖19繪示了六種不同的LED芯片3的布局，同時(shí)搭配導(dǎo)線5不同的連 接方式，能形成多種不同串聯(lián)、并聯(lián)的實(shí)施態(tài)樣。
[0064] 圖14說明本發(fā)明LED芯片3排列組合的第二種實(shí)施態(tài)樣。圖14的實(shí)施態(tài)樣中， 采用的是22mil X 35mil的芯片，形成上下兩條串聯(lián)回路，各串聯(lián)回路具有八個(gè)LED芯片3， 16個(gè)LED芯片3水平排列在圓形固晶區(qū)111內(nèi)，第一條串聯(lián)回路設(shè)置在第一象限1111和第 二象限1112,排列成一歐姆（Ω)形狀，且借由導(dǎo)線5以連接第一導(dǎo)接墊211的其中之一弧 狀線路212 (左邊第一個(gè)弧狀線路212)和第二導(dǎo)接墊214的其中之一弧狀線路215 (右邊 第一個(gè)弧狀線路215)。第二條串聯(lián)回路設(shè)置在第三象限1113和第四象限1114,也排列成 一歐姆形狀，且借由導(dǎo)線5以連接第一導(dǎo)接墊211的其中之一弧狀線路212 (左邊第二個(gè)弧 狀線路212)和第二導(dǎo)接墊214的其中之一弧狀線路215 (右邊第二個(gè)弧狀線路215)。第 一條串聯(lián)回路的歐姆形狀恰與第二條串聯(lián)回路的歐姆形狀成鏡像關(guān)系。相鄰的象限（如第 一象限1111和第二象限1112,第二象限1112和第三象限1113,第三象限1113和第四象限 1114,第四象限1114和第一象限1111)的LED芯片3皆呈鏡像設(shè)置。
[0065] 另外，圓形固晶區(qū)111的直徑為5. 2mm，因此可推算出圓形固晶區(qū)111的面積為 21. 2372mm2。因此可推算出多個(gè)LED芯片3占用圓形固晶區(qū)111的37. 4%。在此實(shí)施例中， 下金屬層22的焊接墊222可以是兩個(gè)，如圖4所示。第一導(dǎo)接墊211及第二導(dǎo)接墊214和 焊接墊222的連接關(guān)系也可與第一實(shí)施例相同，在此不再贅述。
[0066] 圖15說明本發(fā)明LED芯片3排列組合的第三種實(shí)施態(tài)樣。圖15的實(shí)施態(tài)樣中， 采用的是26mil X 30mil的芯片，形成上下兩條串聯(lián)回路，各串聯(lián)回路具有九個(gè)LED芯片3， 18個(gè)LED芯片3水平排列在圓形固晶區(qū)111內(nèi)。第一條串聯(lián)回路設(shè)置在第一象限1111和 第二象限1112,且借由導(dǎo)線5以連接第一導(dǎo)接墊211的其中之一弧狀線路212 (左邊第一 個(gè)弧狀線路212)和第二導(dǎo)接墊214的其中之一弧狀線路215 (右邊第一個(gè)弧狀線路215)。 第二條串聯(lián)回路設(shè)置在第三象限1113和第四象限1114,且借由導(dǎo)線5以連接第一導(dǎo)接墊 211的其中之一弧狀線路212 (左邊第二個(gè)弧狀線路212)和第二導(dǎo)接墊214的其中之一弧 狀線路215 (右邊第二個(gè)弧狀線路215)。相鄰的象限（如第一象限1111和第二象限1112， 第二象限1112和第三象限1113,第三象限1113和第四象限1114,第四象限1114和第一象 限1111)的LED芯片3實(shí)質(zhì)上呈鏡像設(shè)置。
[0067] 另外，圓形固晶區(qū)111的直徑為5. 2mm，因此可推算出圓形固晶區(qū)111的面積為 21.2372mm2。因此可推算出多個(gè)LED芯片3占用圓形固晶區(qū)111的42. 6%，此排列方式可 把圓形固晶區(qū)111的利用率最大化。在此實(shí)施例中，下金屬層22的焊接墊222可以是兩個(gè)， 如圖4所示。第一導(dǎo)接墊211及第二導(dǎo)接墊214和焊接墊222的連接關(guān)系也可與第一實(shí)施 例相同，在此不再贅述。
[0068] 圖16說明本發(fā)明LED芯片3排列組合的第四種實(shí)施態(tài)樣。圖16的實(shí)施態(tài)樣中，采 用的是20mil X 40mil的芯片，形成上中下三條串聯(lián)回路，各串聯(lián)回路具有四個(gè)LED芯片3， 12個(gè)LED芯片3以4X3的矩陣形式垂直排列于圓形固晶區(qū)111內(nèi)。第一條串聯(lián)回路借由 導(dǎo)線5以連接第一導(dǎo)接墊211中其中之一的一字型線路213 (左上的一字型線路213)和第 二導(dǎo)接墊214中其中之一的弧狀線路215 (右邊第一個(gè)弧狀線路215)。第二條串聯(lián)回路借 由導(dǎo)線5以連接第一導(dǎo)接墊211中其中之一的弧狀線路212 (左邊第一個(gè)弧狀線路212)和 第二導(dǎo)接墊214中其中之一的弧狀線路215 (右邊第二個(gè)弧狀線路215)。第三條串聯(lián)回路 借由導(dǎo)線5以連接第一導(dǎo)接墊211中其中之一的弧狀線路212 (左邊第二個(gè)弧狀線路212) 和第二導(dǎo)接墊214中其中之一的一字型線路216 (右下的一字型線路216)。
[0069] 另外，圓形固晶區(qū)111的直徑為5. 2mm，因此可推算出圓形固晶區(qū)111的面積為 21.2372mm2。因此可推算出多個(gè)LED芯片3占用圓形固晶區(qū)111的29. 2%。在此實(shí)施例 中，焊接墊222可以是兩個(gè)，如圖4所示。第一導(dǎo)接墊211及第二導(dǎo)接墊214和焊接墊222 的連接關(guān)系也可與第一實(shí)施例相同，在此不再贅述。
[0070] 圖17說明本發(fā)明LED芯片3排列組合的第五種實(shí)施態(tài)樣。圖17的實(shí)施態(tài)樣中， 采用的是20milX40mil的芯片，形成一條具有十六個(gè)LED芯片3的串聯(lián)回路。16個(gè)LED芯 片3以垂直排列和水平排列一起采用的排列于圓形固晶區(qū)111中，第一列為垂直排列的5 個(gè)LED芯片3,第二列和第三列分別為3個(gè)水平排列的LED芯片3,第四列為5個(gè)垂直排列 的LED芯片3。此條串聯(lián)回路借由導(dǎo)線5以連接第一導(dǎo)接墊211的其中之一的一字型線路 213 (左上的一字型線路213)和第二導(dǎo)接墊214的其中之一的一字型線路216 (右下的一字 型線路216)。相鄰的象限（如第一象限1111和第二象限1112,第二象限1112和第三象限 1113,第三象限1113和第四象限1114,第四象限1114和第一象限1111)的LED芯片3實(shí)質(zhì) 上呈鏡像設(shè)置。
[0071] 另外，圓形固晶區(qū)111的直徑為5. 2mm，因此可推算出圓形固晶區(qū)111的面積為 21.2372mm2。因此可推算出多個(gè)LED芯片3占用圓形固晶區(qū)111的38. 9%，可使圓形固晶 區(qū)111置放較多數(shù)量且較大尺寸的LED芯片3。在此實(shí)施例中