一種復(fù)合型高分子熱敏電阻的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本實用新型涉及一種熱敏電阻，尤其是一種使用TiC/Ni復(fù)合鍍銅箔制成的復(fù)合 型高分子熱敏電阻。
【背景技術(shù)】
[0002] TIC粉末填充型高分子基PTC復(fù)合材料已成為開發(fā)超低阻渦流保護組件基礎(chǔ)材料 的優(yōu)選之一，原因是它的較低的阻抗，耐高溫能力和優(yōu)異的耐老化性能。
[0003] 但是該復(fù)合型熱敏電阻材料受接口電阻影響較大，需要進一步降低電極與PTC復(fù) 合材料之間的接口電阻，可有效降低產(chǎn)品整體阻值。 【實用新型內(nèi)容】
[0004] 本實用新型要解決的技術(shù)問題是：提供一種復(fù)合型高分子熱敏電阻，能夠有效降 低產(chǎn)品整體阻值。
[0005] 本實用新型解決其技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是：一種復(fù)合型高分子熱敏電阻， 包括作為中間層的高分子復(fù)合材料層；所述的高分子復(fù)合材料層表面包覆有銅箔；所述的 銅箔為單面粗糙銅箔，其表面涂覆有鍍鎳層；所述的銅箔的粗糙面與高分子復(fù)合材料層的 結(jié)合面之間設(shè)置有導(dǎo)電層；所述的導(dǎo)電層為Tic顆粒導(dǎo)電層。
[0006] 進一步的說，本實用新型所述的導(dǎo)電層中的TiC顆粒均勻粘附在銅箔的粗糙面 上；戶斤述的TiC顆粒的粒徑為0. 01 y m?10 y m，優(yōu)選為0. 1?1 y m。
[0007] 本實用新型所述的銅箔的單面粗糙度為Ra :1?10 ym，Rz :5?30 ym。優(yōu)選為 Ra :3?5 y m，Rz : 15?20 y m ;所述的鍍鎳層的厚度為0. 3?0. 7 y m。
[0008] 本實用新型的有益效果是，解決了【背景技術(shù)】中存在的缺陷，將普通銅箔經(jīng)過加工 后制的熱敏電阻具有更低界面阻抗的電極材料，能有效降低熱敏電阻的整體阻值。
【附圖說明】
[0009] 下面結(jié)合附圖和實施例對本實用新型進一步說明。
[0010] 圖1是本實用新型的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0011] 圖中：1、高分子復(fù)合材料層；2、銅箔；3、TiC顆粒導(dǎo)電層。
【具體實施方式】
[0012] 現(xiàn)在結(jié)合附圖和優(yōu)選實施例對本實用新型作進一步詳細的說明。這些附圖均為簡 化的示意圖，僅以示意方式說明本實用新型的基本結(jié)構(gòu)，因此其僅顯示與本實用新型有關(guān) 的構(gòu)成。
[0013] 如圖1所示的一種復(fù)合型高分子熱敏電阻，包括作為中間層的高分子復(fù)合材料層 1 ;高分子復(fù)合材料層表面包覆有銅箔2 ;銅箔的粗糙面與高分子復(fù)合材料層的結(jié)合面之間 設(shè)置有導(dǎo)電層；導(dǎo)電層為TiC顆粒導(dǎo)電層3。
[0014] 銅箔為單面粗糙銅箔，表面鍍鎳且噴涂有TiC顆粒。銅箔單面粗糙度為Ral? 10um，Rz 5?30um之銅箔，更優(yōu)選Ra 3?5um，Rz 15?20um之銅箔。先使用派鍍機對其 鍍鎳，鍍鎳厚度為〇? 1?lum，優(yōu)選鍍鎳厚度為0? 3?0? 7um〇
[0015] 同時選用一種TiC粉末，其粒徑為0.01?10um，優(yōu)選0? 1?lum，先使用丙酮與之 混合，混合體積比為1:5,并加入少量的分散劑，一并倒入球磨機中進行混合1?5小時。將 混合好的溶液撞入噴涂機器中。
[0016] 使用噴涂機對鍍鎳的銅箔進行均勻噴涂，然后使用風(fēng)干的方法除去丙酮后即制得 附有碳化鈦粒子之鍍鎳銅箔。
[0017] 實施例
[0018] 將PE/碳化鈦復(fù)合PTC材料使用模具制得100*80*0. 3mm膠板，然后使用本實驗之 銅箔進行熱壓成型，并使用沖床沖切為5*7芯片尺寸，測試其阻值及回流焊變化率。
[0019] 對比例
[0020] 使用相同之PTC復(fù)合材料，但是使用普通鍍鎳銅箔進行行熱壓成型，并使用沖床 沖切為5*7芯片尺寸，測試其阻值及回流焊變化率。
[0021] 下面結(jié)合表1做進一步的說明：
[0022]
【主權(quán)項】
1. 一種復(fù)合型高分子熱敏電阻，其特征在于：包括作為中間層的高分子復(fù)合材料層； 所述的高分子復(fù)合材料層表面包覆有銅箔；所述的銅箔為單面粗糙銅箔，其表面涂覆有鍍 鎳層；所述的銅箔的粗糙面與高分子復(fù)合材料層的結(jié)合面之間設(shè)置有導(dǎo)電層；所述的導(dǎo)電 層為TiC顆粒導(dǎo)電層。
2. 如權(quán)利要求1所述的一種復(fù)合型高分子熱敏電阻，其特征在于：所述的導(dǎo)電層中的 TiC顆粒均勻粘附在銅箔的粗糙面上。
3. 如權(quán)利要求1所述的一種復(fù)合型高分子熱敏電阻，其特征在于：所述的銅箔的單面 粗糙度為 Ra :1 ?10 μπι，Rz :5 ?30 μπι。
4. 如權(quán)利要求1所述的一種復(fù)合型高分子熱敏電阻，其特征在于：所述的鍍鎳層的厚 度為 0· 3 ?0· 7 μπι。
5. 如權(quán)利要求1所述的一種復(fù)合型高分子熱敏電阻，其特征在于：所述的TiC顆粒的 粒徑為〇· 01 U m?10 μ m。
【專利摘要】本實用新型涉及一種復(fù)合型高分子熱敏電阻，包括作為中間層的高分子復(fù)合材料層；所述的高分子復(fù)合材料層表面包覆有銅箔；所述的銅箔為單面粗糙銅箔，其表面涂覆有鍍鎳層；所述的銅箔的粗糙面與高分子復(fù)合材料層的結(jié)合面之間設(shè)置有導(dǎo)電層；所述的導(dǎo)電層為TiC顆粒導(dǎo)電層。本實用新型將普通銅箔經(jīng)過加工后制的熱敏電阻具有更低界面阻抗的電極材料，能有效降低熱敏電阻的整體阻值。
【IPC分類】H01C7-02, H01C1-14
【公開號】CN204270765
【申請?zhí)枴緾N201420535988
【發(fā)明人】王海峰
【申請人】興勤（常州）電子有限公司
【公開日】2015年4月15日
【申請日】2014年9月18日