部空間的原始襯底100表面上的第一光刻膠將被去除，暴露出第一圖形結(jié)構(gòu)101內(nèi)部空間的原始襯底表面；接著，在第一圖形結(jié)構(gòu)101內(nèi)部空間的原始襯底表面上形成第二光刻膠，所述第二光刻膠的厚度比第一光刻膠的厚度薄/?。唤又?，使用均勻平行照明光束透過(guò)納米窗口陣列光刻板后垂直照射第一圖形結(jié)構(gòu)101內(nèi)部空間的原始襯底表面上的第二光刻膠，對(duì)所述第二光刻膠顯影后，在所述第二光刻膠中形成納米窗口陣列；接下來(lái)，以第二光刻膠為掩膜刻蝕第二掩膜層，由此便可在第一圖形結(jié)構(gòu)101內(nèi)部空間的原始襯底表面上形成圖形化的第二掩膜層130’。
[0067]如圖8所示，執(zhí)行步驟S17,以圖形化的第二掩膜層130’為掩膜，對(duì)第一圖形結(jié)構(gòu)101內(nèi)部空間的原始襯底100進(jìn)行刻蝕，并去除圖形化的第二掩膜層130’，從而在第一圖形結(jié)構(gòu)101內(nèi)部空間的原始襯底100表面形成若干第二圖形結(jié)構(gòu)102。具體地說(shuō)，所述第二圖形結(jié)構(gòu)102與原始襯底100表面無(wú)縫連接，更具體地說(shuō)，所述第二圖形結(jié)構(gòu)102為臺(tái)狀結(jié)構(gòu)。優(yōu)選方案中，形成若干第二圖形結(jié)構(gòu)102之后，采用帶終點(diǎn)探測(cè)的干法刻蝕工藝去除圖形化的第二掩膜層130’，因此，在去除圖形化的第二掩膜層130’過(guò)程中第一圖形結(jié)構(gòu)101和第三圖形結(jié)構(gòu)103損失很小，能夠較好的保持第一圖形結(jié)構(gòu)101和第三圖形結(jié)構(gòu)103的形貌。
[0068]本實(shí)施例還提供一種圖形化襯底，參考圖8，所述圖形化襯底包括:
[0069]原始襯底100 ；
[0070]形成于原始襯底100上的若干周期性陣列排布的第一圖形結(jié)構(gòu)101，所述第一圖形結(jié)構(gòu)101為環(huán)狀結(jié)構(gòu)，所述環(huán)狀結(jié)構(gòu)平行于原始襯底100表面的截面的面積由下至上逐漸減小，即，第一圖形結(jié)構(gòu)101的內(nèi)部空間呈倒臺(tái)狀；
[0071]形成于第一圖形結(jié)構(gòu)101內(nèi)部空間的原始襯底100上的若干周期性陣列排布的第二圖形結(jié)構(gòu)102 ;以及
[0072]形成于所述第一圖形結(jié)構(gòu)101上的第三圖形結(jié)構(gòu)103。
[0073]如圖8和圖10，所述第一圖形結(jié)構(gòu)101為矩形環(huán)狀結(jié)構(gòu)，所述第一圖形結(jié)構(gòu)101沿其每條邊的寬度方向的縱截面(垂直于原始襯底表面的截面)為下寬上窄的梯形，相應(yīng)的，所述矩形結(jié)構(gòu)內(nèi)部空間100’呈倒矩形臺(tái)狀。所述第二圖形結(jié)構(gòu)102為臺(tái)狀結(jié)構(gòu)。所述第三圖形結(jié)構(gòu)103為矩形環(huán)狀結(jié)構(gòu)，本實(shí)施例中，所述第三圖形結(jié)構(gòu)103沿其每條邊的寬度方向的縱截面(垂直于原始襯底表面的截面)為三角形。
[0074]其中，第一圖形結(jié)構(gòu)101的高度是第二圖形結(jié)構(gòu)102的高度的3?4倍，第二圖形結(jié)構(gòu)102的數(shù)量是第一圖形結(jié)構(gòu)101數(shù)量的1500?5000倍，第三圖形結(jié)構(gòu)103的高度是第一圖形結(jié)構(gòu)101高度的1/2?1/3倍。
[0075]本實(shí)施例中，所述第一圖形結(jié)構(gòu)101和第二圖形結(jié)構(gòu)102通過(guò)刻蝕原始襯底100形成，所述第三圖形結(jié)構(gòu)103則是由刻蝕形成第一圖形結(jié)構(gòu)101所用的圖形化的第一掩膜層110’形成，故而，所述原始襯底100、第一圖形結(jié)構(gòu)101和第二圖形結(jié)構(gòu)102的材質(zhì)相同，例如均為碳化硅、藍(lán)寶石或者硅，所述第三圖形結(jié)構(gòu)103的材料即為第一掩膜層的材料例如是二氧化硅。
[0076]實(shí)施例二
[0077]如圖9所示，本實(shí)施例所提供的圖形化襯底與實(shí)施例一所提供的圖形化襯底的不同之處在于，第二圖形結(jié)構(gòu)102為錐狀結(jié)構(gòu)。
[0078]在本實(shí)施例所提供的LED結(jié)構(gòu)的圖形化襯底的制作方法中，在實(shí)施例一的基礎(chǔ)上再額外進(jìn)行預(yù)定時(shí)間的刻蝕(或者直接將步驟S17的刻蝕時(shí)間延長(zhǎng)一些)，即可將第二圖形結(jié)構(gòu)102由臺(tái)狀結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)變?yōu)殄F狀結(jié)構(gòu)。具體的工藝參數(shù)可以依據(jù)機(jī)臺(tái)特點(diǎn)以及要形成的二氧化硅的厚度及抗腐蝕能力等要求通過(guò)有限次的實(shí)驗(yàn)獲得。
[0079]其中，原始襯底100與第一圖形結(jié)構(gòu)101、第二圖形結(jié)構(gòu)102、第三圖形結(jié)構(gòu)103之間的位置關(guān)系與實(shí)施實(shí)例一相同，在此不再贅述。
[0080]實(shí)施例三
[0081]如圖11所示，本實(shí)施例所提供的圖形化襯底與實(shí)施例一和二所提供的圖形化襯底的不同之處在于，第一圖形結(jié)構(gòu)101為矩形環(huán)狀結(jié)構(gòu)并且所述矩形環(huán)狀結(jié)構(gòu)沿其每條邊的寬度方向的縱截面(垂直于原始襯底表面的截面)為三角形，且并不形成若干第二圖形結(jié)構(gòu)102和第三圖形結(jié)構(gòu)103。
[0082]如圖18所示，本實(shí)施例提供的LED結(jié)構(gòu)的圖形化襯底的制作方法，包括如下步驟:
[0083]步驟S31，提供一原始襯底100 ；
[0084]步驟S32，在所述原始襯底100上形成第一掩膜層110 ；
[0085]步驟S33，通過(guò)光刻工藝在所述第一掩膜層110上形成圖形化的光刻膠層120，并以圖形化的光刻膠層120為掩膜，對(duì)所述第一掩膜層110進(jìn)行刻蝕，然后去除圖形化的光刻膠層120，形成圖形化的第一掩膜層110’ ；
[0086]步驟S34，以圖形化的第一掩膜層110’為掩膜，對(duì)所述原始襯底100進(jìn)行刻蝕，在原始襯底100表面形成若干周期性陣列排布的第一圖形結(jié)構(gòu)101，所述第一圖形結(jié)構(gòu)101為環(huán)狀結(jié)構(gòu)；
[0087]步驟S35，去除圖形化的第一掩膜層110’ ；
[0088]步驟S36，繼續(xù)對(duì)所述原始襯底100和第一圖形結(jié)構(gòu)101進(jìn)行刻蝕(無(wú)掩膜刻蝕)，使矩形環(huán)狀結(jié)構(gòu)沿其每條邊的寬度方向的縱截面為三角形，如此，如圖11所示的圖形化襯底僅包括第一圖形結(jié)構(gòu)101。
[0089]本實(shí)施例中步驟S31?S34與實(shí)施例一中Sll?S14相同(具體可參見(jiàn)圖1至圖5)，區(qū)別在于，本實(shí)施例中形成圖5所示結(jié)構(gòu)后直接去除圖形化的第一掩膜層110’，然后繼續(xù)刻蝕，從而形成如圖11所示結(jié)構(gòu)。
[0090]實(shí)施例四
[0091]如圖12所示，本實(shí)施例在實(shí)施例三的基礎(chǔ)上，形成若干第二圖形結(jié)構(gòu)102，所述第二圖形結(jié)構(gòu)102為臺(tái)狀結(jié)構(gòu)。
[0092]如圖19所示，本實(shí)施例提供的LED結(jié)構(gòu)的圖形化襯底的制作方法，包括如下步驟:
[0093]步驟S41，提供一原始襯底100 ；
[0094]步驟S42，在所述原始襯底100上形成第一掩膜層110 ；
[0095]步驟S43，通過(guò)光刻工藝在所述第一掩膜層110上形成圖形化的光刻膠層120，并以圖形化的光刻膠層120為掩膜，對(duì)所述第一掩膜層110進(jìn)行刻蝕，然后去除圖形化的光刻膠層120，形成圖形化的第一掩膜層110’ ；
[0096]步驟S44，以圖形化的第一掩膜層110’為掩膜，對(duì)所述原始襯底100進(jìn)行刻蝕，在原始襯底100表面形成若干周期性陣列排布的第一圖形結(jié)構(gòu)101，所述第一圖形結(jié)構(gòu)101為矩形環(huán)狀結(jié)構(gòu)；
[0097]步驟S45，去除圖形化的第一掩膜層110’ ；
[0098]步驟S46，繼續(xù)對(duì)所述原始襯底100和第一圖形結(jié)構(gòu)101進(jìn)行刻蝕，使矩形環(huán)狀結(jié)構(gòu)沿其每條邊的寬度方向的縱截面為三角形；
[0099]步驟S47，在原始襯底100以及第一圖形結(jié)構(gòu)101表面形成第二掩膜層；
[0100]步驟S48，對(duì)所述第二掩膜層進(jìn)行刻蝕，在第一圖形結(jié)構(gòu)101內(nèi)部空間的原始襯底100表面形成圖形化的第二掩膜層；
[0101]步驟S49，以圖形化的第二掩膜層為掩膜，對(duì)如圖11所示原始襯底100進(jìn)一步刻蝕，并去除圖形化的第二掩膜層，在第一圖形結(jié)構(gòu)101內(nèi)部空間的原始襯底100表面形成若干第二圖形結(jié)構(gòu)102。
[0102]具體的，本實(shí)施例中步驟S41?S46與實(shí)施例三中S31?S36相同，區(qū)別在于，本實(shí)施例中形成圖11所示結(jié)構(gòu)后，還繼續(xù)執(zhí)行步驟S47?S49，從而形成若干第二圖形結(jié)構(gòu)102，本實(shí)施例中步驟S47?S49與實(shí)施例一中步驟S15?S17類(lèi)似，在此不再贅述。
[0103]實(shí)施例五
[0104]如圖13所示，本實(shí)施例所提供的圖形化襯底與實(shí)施例四所提供的圖形化襯底的不同之處在于，第二圖形結(jié)構(gòu)102為錐狀結(jié)構(gòu)。
[0105]在本實(shí)施例所提供的LED結(jié)構(gòu)的圖形化襯底的制作方法中，在實(shí)施例四的基礎(chǔ)上再額外進(jìn)行預(yù)定時(shí)間的刻蝕(或者直接將步驟S49的刻蝕時(shí)間延長(zhǎng)一些)，即可將第二圖形結(jié)構(gòu)102由臺(tái)狀結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)變?yōu)殄F狀結(jié)構(gòu)。具體的工藝參數(shù)可以依據(jù)機(jī)臺(tái)特點(diǎn)以及要形成的二氧化硅的厚度及抗腐蝕能力等要求通過(guò)有限次的實(shí)驗(yàn)獲得。
[0106]實(shí)施例六
[0107]如圖14所示，本實(shí)施例與其它實(shí)施例的區(qū)別在于，所述第一圖形結(jié)構(gòu)101的材料與原始襯底100的材料不同，即，本實(shí)施例中