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      一種超薄的封裝元件的制作方法

      文檔序號(hào):8640429閱讀:260來源:國知局
      一種超薄的封裝元件的制作方法
      【技術(shù)領(lǐng)域】
      [0001]本實(shí)用新型屬于集成電路封裝技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種超薄的封裝元件。
      【背景技術(shù)】
      [0002]集成電路的QFN(Quad Flat No-leadPackage,方形扁平無引腳封裝)和DFN(DualFlat Package,雙側(cè)引腳扁平封裝)近幾年隨著通訊設(shè)備(如基站、交換機(jī))、智能手機(jī)、便攜式設(shè)備(如平板電腦)、可穿戴設(shè)備(如智能手表、智能眼鏡、智能手環(huán)等)的普及而迅速發(fā)展,特別適用于有高頻、高帶寬、低噪聲、高導(dǎo)熱、小體積、高速度等電性需求的大規(guī)模集成電路的封裝。
      [0003]QFN/DFN有效地利用了引線腳的封裝空間,從而大幅度地提高了封裝效率。該封裝由于引線短小、塑封體尺寸小、封裝體薄,可以使CPU體積縮小30%-50%,同時(shí)具有良好的散熱性能。
      [0004]傳統(tǒng)的QFN/DFN主要存在以下不足:一是設(shè)計(jì)及制作周期長,成本比較高;二是凸點(diǎn)的排布以及I/o的密集程度受到框架設(shè)計(jì)及框架制造工藝的限制;三是框架在腐蝕變薄后,在模具內(nèi)有滑動(dòng)的風(fēng)險(xiǎn),封裝可靠性得不到保障;四是傳統(tǒng)的QFN/DFN產(chǎn)品厚度仍然比較大,無法滿足當(dāng)前的便攜式設(shè)備對(duì)小體積、高密度封裝的需求。
      【實(shí)用新型內(nèi)容】
      [0005]本實(shí)用新型的目的之一是針對(duì)上述現(xiàn)有技術(shù)的不足,一種基于Flip-chip連接的免貼膜、免電鍍的超薄的封裝元件。
      [0006]本實(shí)用新型解決其技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是:一種超薄的封裝元件,包括塑封體以及封裝在塑封體內(nèi)的芯片、金屬凸點(diǎn)、鍍銀層、鍍NiPdAu層和銅連接層,芯片、金屬凸點(diǎn)、鍍銀層、銅連接層和鍍NiPdAu層構(gòu)成了電路的電源和信號(hào)通道,所述的銅連接層有多個(gè),每個(gè)銅連接層的上表面和下表面分別設(shè)置有鍍銀層和鍍NiPdAu層,所述的多個(gè)鍍銀層相互獨(dú)立,所述的芯片焊接面設(shè)置有多個(gè)金屬凸點(diǎn),芯片通過金屬凸點(diǎn)與多個(gè)鍍銀層同時(shí)連接。
      [0007]所述的一種超薄的封裝元件,其鍍銀層和鍍NiPdAu層的厚度為3 — 5um。
      [0008]所述的一種超薄的封裝元件,其塑封體的厚度小于0.35mm。
      [0009]所述的一種超薄的封裝元件,其銅連接層下端的一組相對(duì)邊設(shè)置有倒角。
      [0010]所述的一種超薄的封裝元件,其倒角為直角倒角。
      [0011]本實(shí)用新型的有益效果是:封裝元件將鍍NiPdAu層作為與外部電路的信號(hào)連接通道,相當(dāng)于普通封裝的“管腳”,可以省去電鍍環(huán)節(jié),在金屬凸點(diǎn)排布及I/o數(shù)不受框架設(shè)計(jì)及制作限制的前提下,實(shí)現(xiàn)了金屬凸點(diǎn)排布可任意定義,更好地實(shí)現(xiàn)芯片與載體的互連。
      【附圖說明】
      [0012]圖1為實(shí)用新型的剖面圖。
      [0013]各附圖標(biāo)記為:2—金屬凸點(diǎn),3—芯片,4一塑封體,5—鍛銀層,6—鍛NiPdAu層,7—銅連接層。
      【具體實(shí)施方式】
      [0014]下面結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步詳細(xì)說明。
      [0015]參照?qǐng)D1所示,本實(shí)用新型公開了一種超薄的封裝元件,包括塑封體4以及封裝在塑封體4內(nèi)的芯片3、金屬凸點(diǎn)2、鍍銀層5、鍍NiPdAu層6和銅連接層7,芯片3、金屬凸點(diǎn)
      2、鍍銀層5、銅連接層7和鍍NiPdAu層6構(gòu)成了電路的電源和信號(hào)通道,所述的銅連接層7有多個(gè),每個(gè)銅連接層7的上表面和下表面分別設(shè)置有鍍銀層5和鍍NiPdAu層6,所述的多個(gè)鍍銀層5相互獨(dú)立,所述的芯片3焊接面設(shè)置有多個(gè)金屬凸點(diǎn)2,芯片3通過金屬凸點(diǎn)2與多個(gè)鍍銀層5同時(shí)連接,由于將鍍NiPdAu層6作為與外部電路的信號(hào)連接通道,相當(dāng)于普通封裝的“管腳”,可以省去電鍍環(huán)節(jié),在金屬凸點(diǎn)排布及I/O數(shù)不受框架設(shè)計(jì)及制作限制的前提下,實(shí)現(xiàn)了金屬凸點(diǎn)排布可任意定義,更好地實(shí)現(xiàn)芯片與載體的互連。
      [0016]進(jìn)一步,所述的鍍銀層5和鍍NiPdAu層6的厚度為3 — 5um,大大降低了 QFN/DFN封裝產(chǎn)品的厚度,可將塑封體4的厚度設(shè)置為小于0.35mm,而傳統(tǒng)的QFN/DFN封裝體厚度在0.7mm以上,這樣可使封裝體厚度減小100%。
      [0017]更進(jìn)一步,銅連接層7下端的一組相對(duì)邊設(shè)置有倒角,作為一種優(yōu)選的實(shí)施例,還可以將倒角設(shè)置成直角倒角,不僅形成有效的防拖拉結(jié)構(gòu),塑封之后塑封料填充滿銅倒角層的凹槽,形成有效的防拖拉結(jié)構(gòu),極大地降低了框架在腐蝕變薄后,在模具內(nèi)滑動(dòng)的風(fēng)險(xiǎn),還大大方便了銅連接層7的加工,同時(shí),降低了塑封料壓力,增加了塑封料與金屬框架的接合面積,封裝可靠性大幅提升。
      [0018]本實(shí)用新型采用普通框架即可進(jìn)行產(chǎn)品制作流程,無需過多加工框架載體,縮短設(shè)計(jì)周期,降低成本,更好地實(shí)現(xiàn)芯片與載體的互聯(lián),使I/o更加密集。
      [0019]傳統(tǒng)的QFN/DFN框架,為了防止塑封時(shí)發(fā)生“溢膠”,在框架背面貼有一層膜;而本實(shí)用新型由于框架上面鍍了一層NiPdAu,可以起到隔離塑封料的作用,塑封后腐蝕掉框架,同樣可以起到防止“溢膠”的作用,這樣就可以省去框架廠商“貼膜”的過程。
      [0020]由于本實(shí)用新型提供的封裝元件可以免電鍍、免貼膜,制作周期短、I/O的密集程度和封裝可靠性高,生產(chǎn)成本大幅降低,產(chǎn)品更有競(jìng)爭(zhēng)力。
      [0021]上述實(shí)施例僅例示性說明本實(shí)用新型的原理及其功效,以及部分運(yùn)用的實(shí)施例,對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說,在不脫離本實(shí)用新型創(chuàng)造構(gòu)思的前提下,還可以做出若干變形和改進(jìn),這些都屬于本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。
      【主權(quán)項(xiàng)】
      1.一種超薄的封裝元件,其特征在于:包括塑封體(4)以及封裝在塑封體(4)內(nèi)的芯片(3)、金屬凸點(diǎn)(2)、鍍銀層(5)、鍍NiPdAu層(6)和銅連接層(7),芯片(3)、金屬凸點(diǎn)(2)、鍍銀層(5)、銅連接層(7)和鍍NiPdAu層(6)構(gòu)成了電路的電源和信號(hào)通道,所述的銅連接層(7)有多個(gè),每個(gè)銅連接層(7)的上表面和下表面分別設(shè)置有鍍銀層(5)和鍍NiPdAu層(6),所述的多個(gè)鍍銀層(5)相互獨(dú)立,所述的芯片(3)焊接面設(shè)置有多個(gè)金屬凸點(diǎn)(2),芯片(3)通過金屬凸點(diǎn)(2)與多個(gè)鍍銀層(5)同時(shí)連接。
      2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種超薄的封裝元件,其特征在于,所述的鍍銀層(5)和鍍NiPdAu層(6)的厚度為3—5um。
      3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種超薄的封裝元件,其特征在于,所述的塑封體(4)的厚度小于 0.35mm。
      4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種超薄的封裝元件,其特征在于,所述的銅連接層(7)下端的一組相對(duì)邊設(shè)置有倒角。
      5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種超薄的封裝元件,其特征在于,所述的倒角為直角倒角。
      【專利摘要】本實(shí)用新型公開了一種超薄的封裝元件,包括塑封體以及封裝在塑封體內(nèi)的芯片、金屬凸點(diǎn)、鍍銀層、鍍NiPdAu層和銅連接層,芯片、金屬凸點(diǎn)、鍍銀層、銅連接層和鍍NiPdAu層構(gòu)成了電路的電源和信號(hào)通道,所述的銅連接層有多個(gè),每個(gè)銅連接層的上表面和下表面分別設(shè)置有鍍銀層和鍍NiPdAu層,所述的多個(gè)鍍銀層相互獨(dú)立,所述的芯片焊接面設(shè)置有多個(gè)金屬凸點(diǎn),芯片通過金屬凸點(diǎn)與多個(gè)鍍銀層同時(shí)連接;本實(shí)用新型封裝元件將鍍NiPdAu層作為與外部電路的信號(hào)連接通道,可以省去電鍍環(huán)節(jié),在金屬凸點(diǎn)排布及I/O數(shù)不受框架設(shè)計(jì)及制作限制的前提下,實(shí)現(xiàn)了金屬凸點(diǎn)排布可任意定義,更好地實(shí)現(xiàn)芯片與載體的互連。
      【IPC分類】H01L23-485, H01L23-488
      【公開號(hào)】CN204348707
      【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201520003374
      【發(fā)明人】宋波, 梁大鐘, 施保球, 劉興波
      【申請(qǐng)人】廣東氣派科技有限公司
      【公開日】2015年5月20日
      【申請(qǐng)日】2015年1月5日
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