本公開(kāi)涉及一種半導(dǎo)體器件和包括該半導(dǎo)體器件的電子系統(tǒng)。

背景技術(shù)：

1、需要一種在要求數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的電子系統(tǒng)中能夠存儲(chǔ)大容量數(shù)據(jù)的半導(dǎo)體器件。因此，正在研究可以增加半導(dǎo)體器件的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)容量的技術(shù)。例如，作為用于增加半導(dǎo)體器件的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)容量的方法之一，已經(jīng)提出了包括三維布置的存儲(chǔ)單元而不是二維布置的存儲(chǔ)單元的半導(dǎo)體器件。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、一些示例實(shí)施例提供了一種具有提高的可靠性和集成度的半導(dǎo)體器件。

2、一些示例實(shí)施例提供了一種包括半導(dǎo)體器件在內(nèi)的電子系統(tǒng)。

3、本公開(kāi)不限于上述問(wèn)題，并且本領(lǐng)域技術(shù)人員根據(jù)下面的描述將清楚地理解未提及的其他問(wèn)題。

4、根據(jù)示例實(shí)施例，一種半導(dǎo)體器件可以包括：襯底，包括連接區(qū)域；堆疊結(jié)構(gòu)，包括堆疊在襯底上的導(dǎo)電圖案；內(nèi)部支撐件，在連接區(qū)域中延伸到堆疊結(jié)構(gòu)中；接觸插塞，延伸到堆疊結(jié)構(gòu)中并且電連接到導(dǎo)電圖案之一，并且在平面圖中至少部分地圍繞內(nèi)部支撐件延伸；絕緣間隔物，在接觸插塞和堆疊結(jié)構(gòu)之間，并且在平面圖中至少部分地圍繞接觸插塞延伸；以及外部支撐件，在連接區(qū)域中與接觸插塞間隔開(kāi)，并且延伸到堆疊結(jié)構(gòu)中。

5、根據(jù)示例實(shí)施例，一種半導(dǎo)體器件可以包括：襯底，包括單元陣列區(qū)域和連接區(qū)域；堆疊結(jié)構(gòu)，包括堆疊在襯底上的導(dǎo)電圖案；豎直溝道，在單元陣列區(qū)域上延伸到堆疊結(jié)構(gòu)中；第一接觸插塞，在連接區(qū)域中延伸到堆疊結(jié)構(gòu)中，并且電連接到導(dǎo)電圖案之中的第一導(dǎo)電圖案；第二接觸插塞，在連接區(qū)域中延伸到堆疊結(jié)構(gòu)中，并且電連接到導(dǎo)電圖案之中的第二導(dǎo)電圖案；第一內(nèi)部支撐件，延伸到第一接觸插塞中；第二內(nèi)部支撐件，延伸到第二接觸插塞中；第一絕緣間隔物，在第一接觸插塞和堆疊結(jié)構(gòu)之間，并且在平面圖中至少部分地圍繞第一接觸插塞延伸；第二絕緣間隔物，在第二接觸插塞和堆疊結(jié)構(gòu)之間，并且至少部分地圍繞第二接觸插塞延伸；以及多個(gè)外部支撐件，延伸到堆疊結(jié)構(gòu)中，并且在連接區(qū)域中與第一接觸插塞和第二接觸插塞間隔開(kāi)。

6、根據(jù)示例實(shí)施例，一種電子系統(tǒng)可以包括：半導(dǎo)體器件，包括襯底，該襯底包括連接區(qū)域；堆疊結(jié)構(gòu)，包括堆疊在襯底上的導(dǎo)電圖案；內(nèi)部支撐件，在連接區(qū)域中延伸到堆疊結(jié)構(gòu)中；接觸插塞，延伸到堆疊結(jié)構(gòu)的一部分中并且電連接到導(dǎo)電圖案之一，并且至少部分地圍繞內(nèi)部支撐件延伸；絕緣間隔物，在接觸插塞和堆疊結(jié)構(gòu)之間，并且至少部分地圍繞接觸插塞延伸；外部支撐件，延伸到堆疊結(jié)構(gòu)中，并且與接觸插塞間隔開(kāi)；輸入/輸出焊盤，電連接到外圍電路；以及控制器，通過(guò)輸入/輸出焊盤電連接到半導(dǎo)體器件，并且被配置為控制半導(dǎo)體器件。

7、其他實(shí)施例的細(xì)節(jié)包括在詳細(xì)描述和附圖中。

技術(shù)特征：

1.一種半導(dǎo)體器件，包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述內(nèi)部支撐件包括第一絕緣柱，并且所述外部支撐件包括各自的第二絕緣柱。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述內(nèi)部支撐件包括：貫通導(dǎo)電插塞，延伸到所述堆疊結(jié)構(gòu)中；以及貫通絕緣間隔物，在所述平面圖中至少部分地圍繞所述貫通導(dǎo)電插塞延伸。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述接觸插塞和所述絕緣間隔物與所述導(dǎo)電圖案之一的上表面接觸。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述接觸插塞在所述內(nèi)部支撐件與所述外部支撐件中的相鄰?fù)獠恐渭g。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述內(nèi)部支撐件與所述外部支撐件中的相鄰?fù)獠恐渭g的距離小于所述接觸插塞的最大直徑。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述內(nèi)部支撐件的寬度大于所述外部支撐件各自的寬度。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述內(nèi)部支撐件的下部的寬度小于所述內(nèi)部支撐件的上部的寬度。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述接觸插塞在所述絕緣間隔物的側(cè)壁與所述內(nèi)部支撐件的側(cè)壁之間具有第一厚度，并且

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述襯底還包括單元陣列區(qū)域，所述半導(dǎo)體器件還包括：

11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，在所述平面圖中，所述堆疊結(jié)構(gòu)至少部分地圍繞所述內(nèi)部支撐件和所述外部支撐件延伸。

12.一種半導(dǎo)體器件，包括：

13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述第一接觸插塞和所述第二接觸插塞的上表面距所述襯底的距離實(shí)質(zhì)上相同。

14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述第一接觸插塞和所述第二接觸插塞的上表面以及所述第一內(nèi)部支撐件和所述第二內(nèi)部支撐件的上表面距所述襯底的距離實(shí)質(zhì)上相同。

15.根據(jù)權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述第一內(nèi)部支撐件和所述第二內(nèi)部支撐件在與所述襯底的上表面垂直的方向上具有實(shí)質(zhì)上相同的長(zhǎng)度。

16.根據(jù)權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述第一內(nèi)部支撐件和所述第二內(nèi)部支撐件中的每一個(gè)包括：貫通導(dǎo)電插塞，延伸到所述堆疊結(jié)構(gòu)中；以及貫通絕緣間隔物，在所述平面圖中至少部分地圍繞所述貫通導(dǎo)電插塞延伸。

17.根據(jù)權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述第一內(nèi)部支撐件和所述第二內(nèi)部支撐件包括各自的第一絕緣柱，并且所述外部支撐件包括各自的第二絕緣柱。

18.根據(jù)權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述第一接觸插塞的直徑不同于所述第二接觸插塞的直徑。

19.根據(jù)權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體器件，其中，在所述平面圖中，所述導(dǎo)電圖案中的每一個(gè)至少部分地圍繞所述第一內(nèi)部支撐件、所述第二內(nèi)部支撐件以及所述外部支撐件延伸。

20.一種電子系統(tǒng)，包括：

技術(shù)總結(jié)
提供了一種半導(dǎo)體器件和電子系統(tǒng)。該半導(dǎo)體器件可以包括：襯底，包括單元陣列區(qū)域和連接區(qū)域；堆疊結(jié)構(gòu)，包括堆疊在襯底上的導(dǎo)電圖案；內(nèi)部支撐件，在連接區(qū)域中延伸到堆疊結(jié)構(gòu)中；接觸插塞，延伸到堆疊結(jié)構(gòu)的一部分中并且電連接到導(dǎo)電圖案之一，并且在平面圖中至少部分地圍繞內(nèi)部支撐件延伸；絕緣間隔物，在接觸插塞和堆疊結(jié)構(gòu)之間，并且至少部分地圍繞接觸插塞延伸；以及外部支撐件，在連接區(qū)域中與接觸插塞間隔開(kāi)，并且延伸到堆疊結(jié)構(gòu)中。

技術(shù)研發(fā)人員：金森宏治,姜書(shū)求,李承炫,韓智勛
受保護(hù)的技術(shù)使用者：三星電子株式會(huì)社
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/12/19