聚酰亞胺薄膜是采用聯(lián)苯四羧酸二酐(BPDA)、苯二胺(PDA)和二胺基二苯醚(ODA)來加以合成，且此三者較佳的莫耳分率比，較佳可為1:0.5:0.5、1:0.7:0.3 或 1:0.3:0.7。
[0034]之后，于第一絕緣基材101的第二表面1lb上形成第一粘膠層103。再于第一粘膠層103的一側(cè)，形成第一金屬層102，使該第一粘膠層103位于第一絕緣基材101的第二表面1lb與第一金屬層102之間，構(gòu)成一三層的復(fù)合結(jié)構(gòu)(如圖1B所繪示)。
[0035]在本發(fā)明的一些實施例之中，第一金屬層102包含銅(Cu)、鋁(Al)、金(Au)、銀(Ag)、錫(Sn)、鉛(Pb)、鉛錫合金(Sn-Pb Alloy)、鐵(Fe)、鈀(Pd)、鎳(Ni)、鉻(Cr)、鑰(Mo)、鶴(W)、鋅(Zn)、猛(Mn)、鈷(Co)、不銹鋼(stainless steel)或上述的任意組合。例如，在本實施例之中，第一金屬層102可以是厚度實質(zhì)介于3μπι至210μπι之間的銅箔層。其是通過熱壓法，利用熱可塑性的第一粘膠層103，以高溫高壓將第一金屬層102貼附于第一絕緣基材101的第二表面1lb上。其中，第一粘膠層103包含由環(huán)氧樹月旨(Epoxy Resins)、苯氧基樹脂(Phenoxy Resin)、丙烯酸樹脂(Acrylic Resin)、胺基甲酸乙酯樹脂(Polyurethane Resin)、娃橡膠(Silicone Rubber)系樹脂、聚對環(huán)二甲苯(Poly-para-xylylene ；Parylene)系樹脂、雙馬來酰亞胺系樹脂(Bimaleimide Resin)、聚酰亞胺樹脂(Polyimide Resin)或其混合物。
[0036]接著，于第一絕緣基材101的第一表面1la進行一個改質(zhì)制程104，借以形成一改質(zhì)表面101c，從而完成一個有膠系的單面板結(jié)構(gòu)的金屬基板10的制備(如圖1C所繪示)。在本發(fā)明的一些實施例之中，改質(zhì)制程104可以是一種等離子處理制程。例如，采用氬氣(Ar)和氮氣(N2)的反應(yīng)氣氛，對第一絕緣基材101的第一表面1la進行改質(zhì)。其中，氣體流量實質(zhì)介于50公升/分鐘(L/min)至100公升/分鐘之間；氬氣和氮氣二者的含量比，實質(zhì)介于1:1至1:20之間；操作電壓實質(zhì)介于300伏特(V)至600伏特之間；操作時間實質(zhì)介于10秒至50秒之間。在本發(fā)明的一較佳實施例之中，改質(zhì)制程104的氣體流量，實質(zhì)為70公升/分鐘；氬氣和氮氣二者的含量比，實質(zhì)為3:8 ;操作電壓實質(zhì)為500伏特；操作時間為20秒。
[0037]在本發(fā)明的另外一些實施例之中，改質(zhì)制程104可以是一種紫外光照射制程。例如，在真空度實質(zhì)為2torr的條件下,采用波長實質(zhì)介于180nm至270nm之間的紫外光,對第一絕緣基材101的第一表面1la進行照射，照射時間實質(zhì)介于20秒至80秒之間。在本發(fā)明的一些實施例之中，較佳是以波長為182nm、184nm或254nm的紫外光，對第一絕緣基材101的第一表面1la照射60秒。其中，又以波長為182nm的紫外光效果尤佳。
[0038]在本發(fā)明的又一些實施例之中，改質(zhì)制程104可以是一種堿性溶液浸潤制程。例如，采用重量百分濃度(％ )實質(zhì)大于5的聯(lián)胺(Hydrazine, N2H4)、氫氧化鉀(PotassiumHydroxide, KOH)、氫氧化鈉(Sodium Hydroxide, NaOH)水溶液或其組合,對第一絕緣基材101的第一表面1la進行浸潤，反應(yīng)時間實質(zhì)介于20秒至80秒之間。
[0039]經(jīng)過改質(zhì)制程104處理過后的改質(zhì)表面101c，相對于導(dǎo)電率約0.055 μ S/cm(25°C )，比阻抗值(Resistivity)實質(zhì)為18ΜΩ.cm(25°C )的去離子純水,具有實質(zhì)介于3達因/公分至30達因/公分之間的表面位能，較佳實質(zhì)介于15達因/公分至25達因/公分之間。且改質(zhì)表面1lc的粗糙度實質(zhì)小于3 μ m。
[0040]接著，將第一絕緣基材101的改質(zhì)表面1lc上，貼附一個至少包含有第二絕緣基材106和第二金屬層107的單面板結(jié)構(gòu)的金屬基板11。并通過一熱壓合制程109，使單面板結(jié)構(gòu)的金屬基板11的第二絕緣基材106與單面板結(jié)構(gòu)的金屬基板10的改質(zhì)表面1lc緊密貼合，完成雙面板結(jié)構(gòu)的金屬基板100，使第二絕緣基材106位于第一絕緣基材101的改質(zhì)表面1lc與第二金屬層107之間(如圖1D所繪示)。
[0041]在本實施例中，單面板結(jié)構(gòu)的金屬基板11與單面板結(jié)構(gòu)的金屬基板10—樣，皆為有膠系的單面板結(jié)構(gòu)的金屬基板。其中，單面板結(jié)構(gòu)的金屬基板11，還包含一個第二粘膠層108，位于第二絕緣基材106與第二金屬層107之間，用來將第二金屬層107與第二絕緣基材106貝占合。
[0042]在本發(fā)明的一些實施例之中，熱壓合制程109可以示一種熱板壓合制程，其壓合溫度實質(zhì)大于50°C，較佳介于120°C至500°C之間，又以250°C為更佳。壓合壓力實質(zhì)大于0.3公斤/平方公分(Kg/cm2)，較佳實質(zhì)介于15公斤/平方公分至90公斤/平方公分之間，又以20公斤/平方公分為更佳。而在本發(fā)明的一些實施例之中，熱壓合制程109可以示一種熱滾壓合制程，壓合溫度實質(zhì)大于50°C，較佳介于150°C至380°C之間，又以250°C為更佳。壓合壓力實質(zhì)大于3KN/cm，較佳實質(zhì)介于3KN/cm至30KN/cm之間，又以20KN/cm為更佳。壓合張力實質(zhì)大于0.5Kg。
[0043]值得注意的是，貼附于第一絕緣基材101的第一改質(zhì)表面1lc的單面板結(jié)構(gòu)的金屬基板，也可具有與第一絕緣基材101的第一改質(zhì)表面1lc相同的第二改質(zhì)表面。例如請參照圖2，圖2是根據(jù)本發(fā)明的另一實施例所繪示的雙面板結(jié)構(gòu)的金屬基板200的結(jié)構(gòu)剖面圖。其中，雙面板結(jié)構(gòu)的金屬基板200與圖1D的雙面板結(jié)構(gòu)的金屬基板100結(jié)構(gòu)類似，皆是由兩個有膠系的單面板結(jié)構(gòu)的金屬基板10和21 (包含第二絕緣基材206、第二粘膠層208和第二金屬層207)所構(gòu)成。差別僅在于，單面板結(jié)構(gòu)的金屬基板21的第二絕緣基材206貼附第一改質(zhì)表面1lc的一側(cè)，具有與第一絕緣基材101的第一改質(zhì)表面1lc相同的第二改質(zhì)表面206c。由于單面板結(jié)構(gòu)的金屬基板10的結(jié)構(gòu)與制作方法已詳述如前，故詳細流程不在此贅述，相同的元件將以相同的元件符號加以描述。
[0044]另外值得注意的是，雖然上述實施例中，雙面板結(jié)構(gòu)的金屬基板皆是以兩個有膠系的單面板結(jié)構(gòu)的金屬基板所構(gòu)成。但在本發(fā)明的一些實施例之中，雙面板結(jié)構(gòu)的金屬基板其中的一者或二者都可以是無膠系的單面板結(jié)構(gòu)的金屬基板。
[0045]例如請參照圖3，圖3是根據(jù)本發(fā)明的又一實施例所繪示的雙面板結(jié)構(gòu)的金屬基板300的結(jié)構(gòu)剖面圖。其中，雙面板結(jié)構(gòu)的金屬基板300與圖1D的雙面板結(jié)構(gòu)的金屬基板100結(jié)構(gòu)類似，皆是由兩個單面板結(jié)構(gòu)的金屬基板10和30所構(gòu)成。差別僅在于，貼附于第一絕緣基材101的第一改質(zhì)表面1lc的單面板結(jié)構(gòu)的金屬基板30，為無膠系的單面板結(jié)構(gòu)的金屬基板。其中，單面板結(jié)構(gòu)的金屬基板30包含第二絕緣基材306以及直接貼附于第二絕緣基材306面的一側(cè)的第二金屬層307,且第二絕緣基材306位于第二金屬層307和第一絕緣基材101的第一改質(zhì)表面1lc之間。由于單面板結(jié)構(gòu)的金屬基板10的結(jié)構(gòu)與制作方法已詳述如前，故詳細流程不在此贅述，相同的元件將以相同的元件符號加以描述。
[0046]例如請參照圖4，圖4是根據(jù)本發(fā)明的再另一實施例所繪示的雙面板結(jié)構(gòu)的金屬基板400的結(jié)構(gòu)剖面圖。其中，雙面板結(jié)構(gòu)的金屬基板400與圖1D的雙面板結(jié)構(gòu)的金屬基板100結(jié)構(gòu)類似，皆是由兩個單面板結(jié)構(gòu)的金屬基板40和41所構(gòu)成。差別僅在于，構(gòu)成雙面板結(jié)構(gòu)的金屬基板400的兩個單面板結(jié)構(gòu)的金屬基板40和41。都是無膠系的單面板結(jié)構(gòu)的金屬基板。其中，單面板結(jié)構(gòu)的金屬基板40包含第一絕緣基材401以及直接貼附于第一絕緣基材401相對于第一改質(zhì)表面401c的一側(cè)的第一金屬層402 ;而單面板結(jié)構(gòu)的金屬基板41包含第二絕緣基材406以及直接貼附于第二絕緣基材406的一側(cè)的第二金屬層407，且第二絕緣基材406位于第二金屬層407和第一絕緣基材401的第一改質(zhì)表面1lc之間。
[0047]請再參照圖1D，后續(xù)將具有兩個有膠系單面板結(jié)構(gòu)的金屬基板10和11的雙面板結(jié)構(gòu)的金屬基板100，進行軟性印刷電路板的全制程加工，包括濕制程加工，例如曝光、顯影、蝕刻、去膜、及電鍍加工，以及高溫段之后續(xù)加工后形