專(zhuān)利名稱(chēng)：摻釹鋁酸釔和鋁酸釔復(fù)合激光晶體的制備方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是關(guān)于摻釹鋁酸釔(NdYAP)和鋁酸釔(YAP)復(fù)合激光晶體的制備方法。具體地涉及到在摻釹鋁酸釔單晶的兩端面生長(zhǎng)純的鋁酸釔，組合成摻釹鋁酸釔和鋁酸釔的復(fù)合激光晶體材料YAP/NdYAP/YAP。
背景技術(shù)：
摻釹鋁酸釔(NdYAP)激光晶體是70年代初期問(wèn)世的新型激光晶體。除了與NdYAG激光晶體具有相似的熱力學(xué)性能外，NdYAP還具有熒光線寬寬儲(chǔ)能大、能輸出偏振激光、且激光波長(zhǎng)隨結(jié)晶軸向不同而不同等特點(diǎn)。尤其是，NdYAP能輸出1.34um的激光，該波長(zhǎng)激光兼具1.06um止血效果好和10.6um激光切割快的優(yōu)點(diǎn).在內(nèi)窺手術(shù)中安全可靠，可以廣泛應(yīng)用于激光醫(yī)療治療儀中(參見(jiàn)中科院福建物質(zhì)結(jié)構(gòu)研究所沈鴻元等人的專(zhuān)利，“一種激光治療機(jī)”，公告號(hào)為1335117)。同時(shí)利用b軸的NdYAP晶體輸出的偏振光1.079um可以做成有一定特色的眼科激光治療儀。
由于Nd離子具有較多的激發(fā)態(tài)，量子效率小，無(wú)輻射躍遷幾率大，電子從高激發(fā)態(tài)躍遷至激光上能級(jí)將產(chǎn)生大量的熱量，因此在Nd激活的增益介質(zhì)往往會(huì)出現(xiàn)熱透鏡效應(yīng)而影響激光的效率和光束質(zhì)量。同樣，在NdYAP晶體中也存在這樣的問(wèn)題。人們通常采用光膠粘接或采用改進(jìn)的提拉法等在激光增益介質(zhì)的兩端粘接或生長(zhǎng)純激光基質(zhì)材料以提高激光特性，例如，在1998年R..Weber等人提出在NdYAG激光棒兩端光膠純YAG晶體的復(fù)合結(jié)構(gòu)，一方面，純YAG晶體不吸收泵浦光或振蕩光，可以有效冷卻增益介質(zhì)，減少熱效應(yīng)和熱透鏡效應(yīng)；另一方面，在純YAG棒兩端鍍膜，對(duì)提高膜層的激光損傷閾值有明顯效果，從而大大提高了NdYAG的激光性能，降低了激光閾值(參見(jiàn)IEEE Journal of Quantum Electronics，第6期，第34卷，1998年第1046頁(yè))。2002年D.Ehrentraut等人報(bào)道了用改進(jìn)的提拉法在純的YAG管內(nèi)部生長(zhǎng)Yb摻雜的YAG(Journal of Crystal Growth第242期，2002年第375頁(yè))等。采用這些方法可以生長(zhǎng)YAG/NdYAG/YAG的復(fù)合激光材料。
然而，采用上述現(xiàn)有技術(shù)制備的復(fù)合激光材料，有明顯的缺點(diǎn)(1)通過(guò)光學(xué)耦合劑或直接疊合光膠而成的復(fù)合激光材料，由于光學(xué)耦合劑與單晶體的失配，且純晶體與摻雜晶體間存在明顯的分界，光損耗大；(2)用改進(jìn)了的提拉法等生長(zhǎng)的復(fù)合單晶，設(shè)備復(fù)雜控制困難，晶體質(zhì)量差，存在大量氣泡和包裹物等缺陷，重復(fù)性低，至今未在器件中獲得實(shí)際應(yīng)用。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明要解決的問(wèn)題在于克服現(xiàn)有技術(shù)制備復(fù)合激光晶體材料的光損耗大、質(zhì)量差、重復(fù)性低等缺點(diǎn)，提出一種YAP/NdYAP/YAP復(fù)合激光晶體材料的制備方法，以提高生產(chǎn)效率，滿足日益發(fā)展的激光器件制造技術(shù)的需要。
本發(fā)明的技術(shù)解決方案如下一種摻釹鋁酸釔和鋁酸釔復(fù)合激光晶體的制備方法，其基本點(diǎn)是將晶面方向?yàn)?010)或(100)或(001)的NdYAP單晶襯底作大面積籽晶，在YAP單晶的結(jié)晶溫度下，在電阻加熱液相外延爐中與含有YAP多晶料的助熔劑飽和溶液接觸的兩個(gè)界面上生長(zhǎng)等厚的YAP單晶。
該即YAP/NdYAP/YAP復(fù)合激光晶體的制備采用電阻加熱液相外延爐進(jìn)行，其結(jié)構(gòu)主要包括爐體，爐體下部是主爐體，爐體上部是退火爐體，在爐體內(nèi)中央置有坩堝，坩堝與爐體同軸，主爐體中相對(duì)坩堝周?chē)O(shè)有側(cè)面發(fā)熱體，側(cè)面發(fā)熱體的外圍為絕熱層，坩堝底下有絕熱層和能夠調(diào)節(jié)坩堝高低的底托，退火爐內(nèi)有上側(cè)發(fā)熱體(，主爐體還設(shè)有中測(cè)溫?zé)犭娕迹嘶馉t設(shè)有上測(cè)溫?zé)犭娕?，從爐體的上頂蓋中央向下延伸有一旋轉(zhuǎn)提拉桿，該旋轉(zhuǎn)提拉桿的下端為襯底夾具，旋轉(zhuǎn)提拉桿與爐體同軸。
所述的含有YAP多晶料助熔劑飽和溶液的原料配比如下①助熔劑溶液的組分配比為10-13mol的PbO和lmol B2O3，或8-12molBi2O3和1-3mol的B2O3；②YAP多晶與助熔劑的重量百分比為YAP/助熔劑溶液＝10wt％-50wt％摻釹鋁酸釔和鋁酸釔復(fù)合激光晶體的制備方法包括下列具體步驟<1>根據(jù)選定的YAP多晶與助熔劑的配比稱(chēng)量原料，充分混合均勻后裝入坩堝中并裝入爐體中；<2>將晶面方向?yàn)?100)或(010)或(001)的NdYAP的襯底晶片置入襯底夾具內(nèi)，調(diào)整旋轉(zhuǎn)提拉桿，使之處于坩堝的同軸位置上；<3>以100℃/Hr的升溫速度升溫至1000～1150℃，熔融原料YAP與助熔劑PbO-B2O3或Bi2O3-B2O3，使其成為飽和溶液，待全部溶解后，在1050～1150℃恒溫5小時(shí)；<4>逐漸下降旋轉(zhuǎn)提拉桿使襯底晶片下降到離飽和助熔劑液面3～5mm處，再在YAP結(jié)晶溫度范圍900～1050℃條件下恒溫2～4小時(shí)；<5>下降旋轉(zhuǎn)提拉桿使襯底晶片完全浸入恒溫的飽和溶液內(nèi)，旋轉(zhuǎn)提拉桿以100～250r/min速度旋轉(zhuǎn)，根據(jù)所需生長(zhǎng)YAP晶面厚度調(diào)節(jié)相應(yīng)的生長(zhǎng)時(shí)間，生長(zhǎng)時(shí)間結(jié)束后，立即提起旋轉(zhuǎn)提拉桿，使襯底使其脫離液面；<6>退火，將繼續(xù)提起旋轉(zhuǎn)提拉桿，使襯底晶片及其沉析在其上的等厚YAP單晶進(jìn)入退火爐內(nèi)的上側(cè)發(fā)熱體區(qū)間，調(diào)整上發(fā)熱體的功率使其溫度在900℃恒溫5小時(shí)后，然后以50℃/Hr速度降溫至室溫，完成YAP/NdYAP/YAP復(fù)合激光材料的制備。
本發(fā)明的技術(shù)效果如下
本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比，一方面，與現(xiàn)有光學(xué)耦合劑直接疊合(光膠)相比，NdYAP與YAP直接生長(zhǎng)在一起，不存在晶格失配、沒(méi)有明顯的界面、光損耗很??；另一方面，與現(xiàn)有改進(jìn)提拉法等生長(zhǎng)的復(fù)合單晶相比，液相外延法生長(zhǎng)的YAP/NdYAP/YAP兩種晶體間無(wú)明顯分界、晶體完整性好、重復(fù)性好。本發(fā)明適宜批量生產(chǎn)，能夠滿足激光器件制造上的市場(chǎng)需求，具有良好的經(jīng)濟(jì)效益。


圖1是本發(fā)明制備YAP/NdYAP/YAP復(fù)合激光晶體材料所用的生長(zhǎng)裝置剖面圖。
具體實(shí)施例方式一種摻釹鋁酸釔和鋁酸釔復(fù)合激光晶體的制備方法，其特點(diǎn)是將晶面方向?yàn)?010)或(100)或(001)的NdYAP單晶襯底作大面積籽晶，在YAP單晶的結(jié)晶溫度下，與含有YAP多晶料的助熔劑飽和溶液接觸的兩個(gè)界面上生長(zhǎng)等厚的YAP單晶。
制備YAP/NdYAP/YAP復(fù)合激光晶體是在電阻加熱液相外延爐中進(jìn)行的，該爐的結(jié)構(gòu)主要包括爐體1，爐體1下部是主爐體101，爐體1上部是退火爐體102。在爐體101內(nèi)，中央置有坩堝9，坩堝9與爐體1同軸，主爐體101中相對(duì)坩堝9周?chē)O(shè)有側(cè)面發(fā)熱體2，側(cè)面發(fā)熱體2的外圍為絕熱層11，坩堝9底下有絕熱層13和能夠調(diào)節(jié)坩堝9高低的底托12，退火爐102內(nèi)有上側(cè)發(fā)熱體5，主爐體101還設(shè)有中測(cè)溫?zé)犭娕?，退火爐102設(shè)有上測(cè)溫?zé)犭娕?，從爐體1的上頂蓋中央向下延伸有一旋轉(zhuǎn)提拉桿6，該旋轉(zhuǎn)提拉桿6的下端為襯底夾具7，旋轉(zhuǎn)提拉桿6與爐體1同軸。
所述的含有YAP多晶料助熔劑飽和溶液的原料配比如下①助熔劑溶液的組分配比為10-13mol的PbO和lmol B2O3，或8-12molBi2O3和1-3mol的B2O3；②YAP多晶與助熔劑的重量百分比為YAP/助熔劑溶液＝10wt％-50wt％本發(fā)明YAP/NdYAP/YAP復(fù)合激光晶體材料的制備方法主要有以下兩種一種方法可稱(chēng)為“雙面浸漬法”，也就是在NdYAP晶體的兩端面同時(shí)生長(zhǎng)純YAP單晶的方法；另一種方法可以稱(chēng)為“單面浸漬法”，也就是先在NdYAP晶體的一個(gè)端面上生長(zhǎng)純的YAP單晶，然后再在其另一對(duì)應(yīng)的端面上生長(zhǎng)等厚度的YAP單晶的方法。
本發(fā)明方法，包括下列具體步驟<1>根據(jù)選定的YAP多晶與助熔劑的配比稱(chēng)量原料，充分混合均勻后裝入坩堝9中并裝入爐體1中；<2>將晶面方向?yàn)?100)或(010)或(001)的NdYAP的襯底晶片8置入襯底夾具7內(nèi)，調(diào)整旋轉(zhuǎn)提拉桿6，使之處于坩堝9的同軸位置上；
<3>以100℃/Hr的升溫速度升溫至1000～1150℃，熔融原料YAP與助熔劑PbO-B2O3或Bi2O3-B2O3；使其成為飽和溶液10，待全部溶解后，在1050～1150℃恒溫5小時(shí)；<4>逐漸下降旋轉(zhuǎn)提拉桿6使襯底晶片8下降到離飽和助熔劑液面3～5mm處，再在YAP結(jié)晶溫度范圍900～1050℃條件下恒溫2～4小時(shí)；<5>下降旋轉(zhuǎn)提拉桿6使襯底晶片8完全浸入恒溫的飽和溶液10內(nèi)，旋轉(zhuǎn)提拉桿6以100～250r/min速度旋轉(zhuǎn)，根據(jù)所需生長(zhǎng)YAP晶面厚度調(diào)節(jié)相應(yīng)的生長(zhǎng)時(shí)間，生長(zhǎng)時(shí)間結(jié)束后，立即提起旋轉(zhuǎn)提拉桿6，使襯底8使其脫離液面；<6>退火，將繼續(xù)提起旋轉(zhuǎn)提拉桿6，使襯底晶片8及其沉析在其上的等厚YAP單晶進(jìn)入退火爐102內(nèi)的上側(cè)發(fā)熱體5區(qū)間，調(diào)整上發(fā)熱體5的功率使其溫度在900℃恒溫5小時(shí)后，然后以50℃/Hr速度降溫至室溫，完成YAP/NdYAP/YAP復(fù)合激光材料的制備。
制備YAP/NdYAP/YAP復(fù)合激光晶體，也可以采用單面浸漬法，即先按上述方法的<1>、<2>、<3>、<4>步進(jìn)行，而步驟<5>為調(diào)整主爐體101的側(cè)發(fā)熱體2的發(fā)熱功率，使中測(cè)溫?zé)犭娕?指示為900～1050℃，再恒溫1～2h，然后下降旋轉(zhuǎn)提拉桿6，使襯底晶片8的下端面與恒溫的飽和溶液10接觸，該旋轉(zhuǎn)提拉桿6以100～250r/min的速度旋轉(zhuǎn)，根據(jù)所需生長(zhǎng)的YAP晶面的厚度調(diào)節(jié)相應(yīng)的生長(zhǎng)時(shí)間，生長(zhǎng)時(shí)間結(jié)束，立即提起旋轉(zhuǎn)提拉桿6，使襯底晶片8脫離液面；<6>退火后獲得單端具有YAP晶層的YAP/NdYAP晶體材料；<7>將所制備的襯底晶片8翻面后再次置入襯底夾具7內(nèi)，調(diào)整旋轉(zhuǎn)提拉桿6使之處于坩堝9的同軸位置上；<8>經(jīng)過(guò)步驟<3><4><5><6>后完成YAP/NdYAP/YAP復(fù)合激光晶體材料的制備。
實(shí)施例1“雙面浸漬法”制備YAP/NdYAP/YAP復(fù)合激光晶體材料的具體步驟如下所選用的電阻加熱液相外延爐如圖1所示的裝置，主體爐101內(nèi)的坩堝9為鉑金坩堝。按照上述的制備工藝步驟<1>將多晶原料YAG與助溶劑(PbO∶B2O3＝10mol∶1mol)按重量百分比為YAP/(PbO+B2O3)＝0.20的配比進(jìn)行稱(chēng)量共1000g，混合均勻后裝入φ80×80mm的鉑金坩堝9內(nèi)；按工藝步驟<2>將尺寸為φ30×0.5mm，晶面方向?yàn)?010)的NdYAP襯底8置于夾具7內(nèi)，并將夾具7裝入旋轉(zhuǎn)提拉桿6底端，調(diào)整坩堝9與襯底晶片8的位置使其同軸，并且都處于主爐體101的中央；按上述步驟<.3>將爐體101升溫至1150℃，使原料與助熔劑熔融成飽和溶液10，并在1150℃恒溫5小時(shí)后，按步驟<4>逐漸下降旋轉(zhuǎn)提拉桿6，使襯底晶片8距飽和液面4mm，再在YAP結(jié)晶溫度范圍的950℃溫度下恒溫3小時(shí)；按上述工藝步驟<5>下降旋轉(zhuǎn)提拉桿6使襯底晶片8完全浸入飽和溶液10內(nèi)，并使旋轉(zhuǎn)提拉桿6以200r/min速度旋轉(zhuǎn)，在950℃溫度下恒溫生長(zhǎng)5小時(shí)后，迅速提離旋轉(zhuǎn)提拉桿6使襯底晶片及其上的單晶脫離液面，至此結(jié)晶完成；按上述工藝步驟<6>進(jìn)行退火，將生長(zhǎng)的YAP單晶同襯底晶片8一起提拉至爐體1上方退火爐102的發(fā)熱體5區(qū)間內(nèi)，在900℃溫度下恒溫5小時(shí)后，以50℃/Hr速度降溫至室溫，退火完畢，YAP/NdYAP/YAP復(fù)合激光晶體材料制備完畢。
實(shí)施例2“單面浸漬法”生長(zhǎng)YAP/NdYAP/YAP復(fù)合激光晶體材料的步驟如下按照上述實(shí)施例1中步驟<1>將YAP多晶料與助溶劑(Bi2O3∶B2O3＝8mol∶2mol)按重量百分比為YAG/(Bi2O3+B2O3)＝0.40的配比進(jìn)行稱(chēng)量共1000g，重復(fù)上述實(shí)施例1中步驟<2>，按上述實(shí)施例1中<.3>將爐體101升溫至1100℃，使原料與助熔劑熔融成飽和溶液10，并在1100℃恒溫5小時(shí)后，按上述實(shí)施例1中<4>逐漸下降旋轉(zhuǎn)提拉桿6，使襯底晶片8距飽和液面4mm，再在YAP結(jié)晶溫度范圍的1000℃溫度下恒溫3小時(shí)，按上述實(shí)施例1中<5>下降旋轉(zhuǎn)提拉桿6使襯底晶片8的一端面與飽和溶液10液面接觸，并使旋轉(zhuǎn)提拉桿6以200r/min速度旋轉(zhuǎn)，在1000℃溫度下恒溫生長(zhǎng)5小時(shí)后，迅速提離旋轉(zhuǎn)提拉桿6使襯底晶片及其上的單晶脫離液面，至此結(jié)晶完成；按上述實(shí)施例1的步驟<6>進(jìn)行退火，即將生長(zhǎng)的YAP單晶同襯底晶片8一起提拉至爐體1上方退火爐102的發(fā)熱區(qū)內(nèi)，在900℃溫度下恒溫5小時(shí)后，以50℃/Hr速度降溫至室溫，退火完畢；獲得單端具有YAG晶層的YAP/NdYAP，將所制備的襯底材料連同單晶翻面后再次置入襯底夾具7內(nèi)，調(diào)整旋轉(zhuǎn)提拉桿6，使之處于坩堝9的同軸位置，重復(fù)以上<3>～<6>步驟(其中生長(zhǎng)時(shí)間與上述<5>生長(zhǎng)時(shí)間相同)，得到等厚YAP單晶，完成YAP/NdYAP/YAP復(fù)合激光材料的制備。
將上述方法生長(zhǎng)的YAP/NdYAP/YAP復(fù)合激光晶體材料切割、滾圓、加工、鍍膜后，制成全固態(tài)連續(xù)激光器，激光器具有好的激光性能、低的激光閾值。該復(fù)合激光晶體在高功率激光系統(tǒng)等領(lǐng)域有著廣闊的應(yīng)用背景。
權(quán)利要求
1.一種摻釹鋁酸釔(以下簡(jiǎn)稱(chēng)NdYAP)和鋁酸釔(以下簡(jiǎn)稱(chēng)YAP)復(fù)合激光晶體的制備方法，其特征在于它是將晶面方向?yàn)?010)或(100)或(001)的NdYAP單晶襯底作大面積籽晶，在YAP單晶的結(jié)晶溫度下，在電阻加熱液相外延爐中與含有YAP多晶料的助熔劑飽和溶液接觸的兩個(gè)界面上生長(zhǎng)等厚的YAP單晶。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的NdYAP和YAP復(fù)合激光晶體的制備方法，其特征在于制備YAP/NdYAP/YAP復(fù)合激光晶體所采用的電阻加熱液相外延爐的結(jié)構(gòu)主要包括爐體(1)，爐體(1)下部是主爐體(101)，爐體(1)上部是退火爐體(102)，在爐體(101)內(nèi)中央置有坩堝(9)，坩堝(9)與爐體(1)同軸，主爐體(101)中相對(duì)坩堝(9)周?chē)O(shè)有側(cè)面發(fā)熱體(2)，側(cè)面發(fā)熱體(2)的外圍為絕熱層(11)，坩堝(9)底下有絕熱層(13)和能夠調(diào)節(jié)坩堝(9)高低的底托(12)，退火爐(102)內(nèi)有上側(cè)發(fā)熱體(5)，主爐體(101)還設(shè)有中測(cè)溫?zé)犭娕?3)，退火爐(102)設(shè)有上測(cè)溫?zé)犭娕?，從爐體(1)的上頂蓋中央向下延伸有一旋轉(zhuǎn)提拉桿(6)，該旋轉(zhuǎn)提拉桿(6)的下端為襯底夾具(7)，旋轉(zhuǎn)提拉桿(6)與爐體(1)同軸。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的NdYAP和YAP復(fù)合激光晶體的制備方法，其特征在于所述的含有YAP多晶料助熔劑飽和溶液的原料配比如下①助熔劑溶液的組分配比為10-13mol的PbO和lmol B2O3，或8-12molBi2O3和1-3mol的B2O3；②YAP多晶與助熔劑的重量百分比為YAP/助熔劑溶液＝10wt％-50wt％
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的NdYAP和YAP復(fù)合激光晶體的制備方法，其特征在于該方法包括下列步驟<1>根據(jù)選定的YAP多晶與助熔劑的配比稱(chēng)量原料，充分混合均勻后裝入坩堝(9)中并裝入爐體(1)中；<2>將晶面方向?yàn)?100)或(010)或(001)的NdYAP的襯底晶片(8)置入襯底夾具(7)內(nèi)，調(diào)整旋轉(zhuǎn)提拉桿(6)，使之處于坩堝(9)的同軸位置上；<3>以100℃/Hr的升溫速度升溫至1000～1150℃，熔融原料YAP與助熔劑PbO-B2O3或Bi2O3-B2O3，使其成為飽和溶液(10)，待全部溶解后，在1050～1150℃恒溫5小時(shí)；<4>逐漸下降旋轉(zhuǎn)提拉桿(6)使襯底晶片(8)下降到離飽和助熔劑液面3～5mm處，再在YAP結(jié)晶溫度范圍900～1050℃條件下恒溫2～4小時(shí)；<5>下降旋轉(zhuǎn)提拉桿(6)使襯底晶片(8)完全浸入恒溫的飽和溶液(10)內(nèi)，旋轉(zhuǎn)提拉桿(6)以100～250r/min速度旋轉(zhuǎn)，根據(jù)所需生長(zhǎng)YAP晶面厚度調(diào)節(jié)相應(yīng)的生長(zhǎng)時(shí)間，生長(zhǎng)時(shí)間結(jié)束后，立即提起旋轉(zhuǎn)提拉桿(6)，使襯底(8)使其脫離液面；<6>退火，將繼續(xù)提起旋轉(zhuǎn)提拉桿(6)，使襯底晶片(8)及其沉析在其上的等厚YAP單晶進(jìn)入退火爐(102)內(nèi)的上側(cè)發(fā)熱體(5)區(qū)間，調(diào)整上發(fā)熱體(5)的功率使其溫度在900℃恒溫5小時(shí)后，然后以50℃/Hr速度降溫至室溫，完成YAP/NdYAP/YAP復(fù)合激光材料的制備。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的NdYAP和YAP復(fù)合激光晶體的制備方法，其特征在于所述的步驟<5>為調(diào)整主爐體(101)的側(cè)發(fā)熱體(2)的發(fā)熱功率，使中測(cè)溫?zé)犭娕?3)指示為900～1050℃，再恒溫1～2h，然后下降旋轉(zhuǎn)提拉桿(6)，使襯底晶片(8)的下端面與恒溫的飽和溶液(10)接觸，該旋轉(zhuǎn)提拉桿(6)以100～250r/min的速度旋轉(zhuǎn)，根據(jù)所需生長(zhǎng)的YAP晶面的厚度調(diào)節(jié)相應(yīng)的生長(zhǎng)時(shí)間，生長(zhǎng)時(shí)間結(jié)束，立即提起旋轉(zhuǎn)提拉桿(6)，使襯底晶片(8)脫離液面；<6>退火后獲得單端具有YAP晶層的YAP/NdYAP晶體材料；<7>將所制備的襯底晶片(8)翻面后再次置入襯底夾具(7)內(nèi)，調(diào)整旋轉(zhuǎn)提拉桿(6)使之處于坩堝(9)的同軸位置上；<8>經(jīng)過(guò)步驟<3><4><5><6>后完成YAP/NdYAP/YAP復(fù)合激光晶體材料的制備。
全文摘要
一種摻釹鋁酸釔和鋁酸釔復(fù)合激光晶體的制備方法，其特征在于它是將晶面方向?yàn)?010)或(100)或(001)的NdYAP單晶襯底作大面積籽晶，在YAP單晶的結(jié)晶溫度下，在電阻加熱液相外延爐中與含有YAP多晶料的助熔劑飽和溶液接觸的兩個(gè)界面上生長(zhǎng)等厚的YAP單晶，形成YAP/NdYAP/YAP復(fù)合激光晶體，該晶體的兩種晶體間無(wú)明顯分界、晶體完整性好、重復(fù)性好。本發(fā)明適宜批量生產(chǎn)，能夠滿足激光器件制造上的市場(chǎng)需求，具有良好的經(jīng)濟(jì)效益。
文檔編號(hào)C30B29/10GK1445388SQ0311663
公開(kāi)日2003年10月1日 申請(qǐng)日期2003年4月25日 優(yōu)先權(quán)日2003年4月25日
發(fā)明者趙廣軍, 徐軍, 曾雄輝, 王海麗, 劉軍芳 申請(qǐng)人:中國(guó)科學(xué)院上海光學(xué)精密機(jī)械研究所