專利名稱：電子元件、顯示裝置、密封結(jié)構(gòu)及制作電子元件的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種用于諸如顯示元件、半導(dǎo)體電路元件等電子元件部分 的密封結(jié)構(gòu)，更確切地說(shuō)，本發(fā)明涉及一種具有阻擋隔膜的顯示裝置、電 子設(shè)備和電子元件部分密封結(jié)構(gòu)及制作電子元件的方法。特別地，在本發(fā)明中的描述尤其適用于作為優(yōu)選應(yīng)用實(shí)例例的有機(jī)EL顯示裝置；但本發(fā)明并不限于有機(jī)EL顯示裝置。
技術(shù)背景近年來(lái)，包含有多個(gè)顯示元件的彩色顯示裝置得到了發(fā)展，其中每一 個(gè)顯示元件包括一對(duì)電極和夾在這對(duì)電極之間的諸如空穴注入層/遷移 層、發(fā)光層等有源層，特別是其中將有機(jī)發(fā)光材料用作發(fā)光層的有機(jī)EL (電致發(fā)光)顯示裝置有了很大發(fā)展。有機(jī)EL顯示裝置包括形成于由例 如玻璃、塑料等制成的基底上的有源矩陣電路、以矩陣模式形成在有源矩 陣電路上的電子元件部分以及用于覆蓋和密封電子元件部分的"密封殼"。該盒狀"密封殼"由玻璃、金屬等制成。構(gòu)造這種使用"密封殼"的 密封結(jié)構(gòu)，利用粘合劑將"密封殼"與基底外圍粘接，同時(shí)將顯示元件包 含在其中。"密封殼"還以密封形式包含了諸如氮?dú)狻鍤庵惖亩栊詺?體以及用于吸收水和氧氣的吸氣物質(zhì)，這樣可以避免水和氧氣滲入顯示元 件中并避免損壞發(fā)光層。常規(guī)的顯示裝置的整體厚度一般為2到5毫米，其中"密封殼"占了 至少大約1.5毫米。由于必須將顯示元件容納于"密封殼"中而不與殼接觸，而且必須在"密封殼"中提供足夠的空間用于容納吸氣物質(zhì)，隨著顯 示元件尺寸的增大，則必須增大密封結(jié)構(gòu)的厚度以保證足夠的強(qiáng)度。此外，由于是使用粘合劑將"密封殼"與基底粘接在一起，而沿著基 底的外圍使用粘合劑要占用一定的區(qū)域，結(jié)果是，相對(duì)整個(gè)顯示裝置的范 圍而言，減小了的其中放置顯示元件的用于顯示的區(qū)域范圍，由此遇到的 問(wèn)題是，當(dāng)將顯示裝置用于諸如便攜式電話之類的電子設(shè)備顯示部分時(shí)， 顯示裝置的外型設(shè)計(jì)受到了限制。此外，由于粘合劑可能會(huì)擴(kuò)展，所以將 只得在用來(lái)放置粘合劑的區(qū)域和用于顯示的區(qū)域之間留出允許的空間，這 又在傳統(tǒng)顯示裝置中導(dǎo)致了另一個(gè)問(wèn)題，即不能減小由可允許空間形成的 所謂框架區(qū)和粘合劑所占的區(qū)域。此外，如果為了增大用于顯示的空間而 減小用于使用粘合劑的區(qū)域大小，可能會(huì)使顯示裝置抵御水和氧氣的阻擋 特性退化，結(jié)果可能會(huì)破壞發(fā)光層(即可能會(huì)減小發(fā)光層的操作有效性)。此外，由于可能沒(méi)有將粘合劑統(tǒng)一地用于基底，或者粘合劑沒(méi)有充分 地作用，則不能以希望的方式限定用于使用粘合劑的區(qū)域和用于顯示的區(qū) 域，而且顯示裝置的阻擋特性會(huì)根據(jù)位置而變化，這進(jìn)一步導(dǎo)致了顯示裝 置可靠性退化的問(wèn)題。此外，當(dāng)使用這種"密封殼"結(jié)構(gòu)時(shí)，因?yàn)闃?gòu)成"密封殼"的吸氣物 質(zhì)或材料不允許顯示光通過(guò)，所以不可能生產(chǎn)頂部發(fā)光型顯示裝置，與常 規(guī)裝置相比，這種裝置從反方向發(fā)射顯示光，這樣可以獲取更高的孔徑比。發(fā)明內(nèi)容基于上述情況，本發(fā)明的目的是提供一種帶有阻擋隔膜的顯示裝置密 封結(jié)構(gòu)，利用該結(jié)構(gòu)可以減少顯示裝置的厚度，同時(shí)保證足夠的抵御水和 氧氣阻擋特性以避免發(fā)光層的損壞，并提供一種具有使用了這種密封結(jié)構(gòu) 的顯示裝置的電子設(shè)備，并提供一種制作這種顯示裝置的方法。為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明使用了如下的構(gòu)造。根據(jù)本發(fā)明， 一種帶有阻擋隔膜的用于在基底上形成或安裝的電子元 件部分的密封結(jié)構(gòu)包括沉積于電子元件部分上的多層的密封隔膜，由覆蓋至少一個(gè)平化樹脂層和至少一個(gè)阻擋層構(gòu)成；在基底上形成的閉環(huán)阻斷區(qū)以圍繞整個(gè)電子元件部分或部分電子元件部分，同時(shí)還圍繞平化樹脂 層。最好是將平化層中距離基底最近的平化樹脂層設(shè)置在緊鄰基底中沒(méi) 有形成電子元件部分的區(qū)域。更確切地說(shuō)，電子元件部分為EL (電致發(fā)光)顯示元件、半導(dǎo)體電路元件或其它形成于基底上的電路及類似元件。根據(jù)上述帶有阻擋隔膜的用于電子元件部分的密封結(jié)構(gòu)，由于覆蓋至 少一個(gè)平化樹脂層和至少一個(gè)阻擋層形成的多層的密封隔膜密封了該電 子元件部分，所以可以使該多層的密封隔膜比常規(guī)密封結(jié)構(gòu)中使用的"密封殼"更薄；因此，與常規(guī)密封結(jié)構(gòu)的情況相比，可以減小密封結(jié)構(gòu)的整 體厚度。此外，由于形成了平化樹脂層，可以使形成于平化樹脂層上的阻擋層 變平，結(jié)果提供了帶有薄隔膜并具有足夠阻擋特性的密封結(jié)構(gòu)，即可以避 免阻擋層中的破裂和針孔以及阻擋層厚度的不均勻，這樣就提供了具有高 可靠性和長(zhǎng)操作壽命的密封結(jié)構(gòu)。此外，由于該平化樹脂層形成于阻斷區(qū)內(nèi)部，利用阻斷區(qū)可以限定形 成平化樹脂層的區(qū)域；因此利用阻斷區(qū)的位置可以調(diào)整所謂框架區(qū)的范 圍。結(jié)果，可以使該框架區(qū)域窄于常規(guī)密封結(jié)構(gòu)中的框架區(qū)以增大顯示區(qū) 的大小。通過(guò)限定形成平化樹脂層的區(qū)域，可以減小依賴于位置的阻擋特 性變化并提高了密封的可靠性。此外，如圖21所示，在用于同時(shí)制作多 個(gè)顯示元件的母基底制作步驟中以及將母基底分成獨(dú)立顯示元件的步驟 中，當(dāng)制作多個(gè)顯示元件時(shí)，可以避免將密封隔膜沉積到沿著此區(qū)域母基 底被切開(kāi)的區(qū)域，結(jié)果能夠避免由于諸如在切割操作中密封隔膜從基底上 脫落之類問(wèn)題對(duì)密封隔膜的破壞導(dǎo)致的阻擋特性退化。此外，如果將平化層中距離基底最近的平化樹脂層放置在緊鄰沒(méi)有形 成電子元件部分的基底區(qū)域，可以增大基底和多層的密封隔膜之間的接 觸，由此可以進(jìn)一步提高電子元件部分抵御水和氧氣的阻擋特性。在根據(jù)本發(fā)明帶有阻擋隔膜的用于電子元件部分的密封結(jié)構(gòu)中，可以 形成阻擋層以使其延伸到阻斷區(qū)之外。根據(jù)上述帶有阻擋隔膜的用于電子元件部分的密封結(jié)構(gòu)，由于形成阻 擋層以使其延伸到阻斷區(qū)之外，可以確保形成阻擋層的寬闊區(qū)域，由此可 以進(jìn)一步提高多層的密封隔膜的阻擋性質(zhì)，并更有效地避免水、氧氣及類 似滲入電子元件部分內(nèi)。根據(jù)本發(fā)明帶有阻擋隔膜的用于電子元件部分的密封結(jié)構(gòu)進(jìn)一步包括 置于主阻斷區(qū)之外的另一個(gè)阻斷區(qū)或另外多個(gè)阻斷區(qū)。根據(jù)上述帶有阻擋隔膜的用于電子元件部分的密封結(jié)構(gòu)，由于形成了 包括置于主阻斷區(qū)之外的另一個(gè)阻斷區(qū)或另外多個(gè)阻斷區(qū)的多個(gè)阻斷區(qū)， 即使在平化樹脂層厚的情況下，仍然可以可靠地阻斷該平化樹脂層，由此 可以進(jìn)一步提高多層的密封隔膜的阻擋特性。結(jié)果利用交替地沉積平化樹 脂層和阻擋層，可以容易地形成多層的密封隔膜，這樣可以進(jìn)一步提高抵 御水、氧氣及類似的阻擋特性。根據(jù)本發(fā)明帶有阻擋隔膜的用于電子元件部分的密封結(jié)構(gòu)可以包括多 個(gè)平化樹脂層，且每一個(gè)平化樹脂層形成于阻斷區(qū)之一的內(nèi)部。根據(jù)上述帶有阻擋隔膜的用于電子元件部分的密封結(jié)構(gòu)，由于在阻斷 區(qū)之一的內(nèi)部形成多個(gè)平化樹脂層中的每一個(gè)，所以即使在使用了多個(gè)平 化樹脂層的情況下，阻斷區(qū)也可以可靠地阻斷這些平化樹脂層。根據(jù)本發(fā)明帶有阻擋隔膜的用于電子元件部分的密封結(jié)構(gòu)可以包括多 個(gè)阻擋層，且使形成的每一個(gè)阻擋層都延伸到每一阻斷區(qū)的之外。根據(jù)上述帶有阻擋隔膜的用于電子元件部分的密封結(jié)構(gòu)，由于形成的 每一個(gè)阻擋層都使其延伸到每一阻斷區(qū)的之外，所以可以確保用于每一個(gè) 阻擋層的寬闊區(qū)域，由此可以進(jìn)一步提高多層的密封隔膜的阻擋性質(zhì)，并 更有效地避免水、氧氣及類似滲入電子元件部分。在根據(jù)本發(fā)明帶有阻擋隔膜的用于電子元件部分的密封結(jié)構(gòu)中，可以 利用有機(jī)材料制成且表面具有液體排斥性的外圍堤壁層形成阻斷區(qū)。根據(jù)上述帶有阻擋隔膜的用于電子元件部分的密封結(jié)構(gòu)，由于表面具 有液體排斥性的外圍堤壁區(qū)形成了阻斷區(qū)，平化樹脂層不能流到該阻斷區(qū) 之外，由此提高了密封結(jié)構(gòu)的可靠性。在根據(jù)本發(fā)明的帶有阻擋隔膜的用于電子元件部分的密封結(jié)構(gòu)中，利用延伸在基底上的閉環(huán)液體排斥區(qū)形成阻斷區(qū)。根據(jù)上述帶有阻擋隔膜的用于電子元件部分的密封結(jié)構(gòu)，由于阻斷區(qū) 為形成于基底上的閉環(huán)液體排斥區(qū)，平化樹脂層不能流到該阻斷區(qū)之外， 由此提高了密封結(jié)構(gòu)的可靠性。在根據(jù)本發(fā)明的帶有阻擋隔膜的用于電子元件部分的密封結(jié)構(gòu)中，至 少在基底上的阻斷區(qū)之內(nèi)形成液體親和性處理的隔膜。根據(jù)上述帶有阻擋隔膜的用于電子元件部分的密封結(jié)構(gòu)，由于在基底 上阻斷區(qū)內(nèi)形成了液體親和性處理隔膜，能夠提高沉積于液體親和性處理 隔膜上的平化樹脂層和基底之間的粘附力，也提高了阻擋特性。在根據(jù)本發(fā)明的帶有阻擋隔膜的用于電子元件部分的密封結(jié)構(gòu)中，利 用處理部分液體親和性處理的隔膜以使其具有液體排斥性^S形成液體排 斥區(qū)域。根據(jù)上述帶有阻擋隔膜的用于電子元件部分的密封結(jié)構(gòu)，由于利用處 理部分液體親和性處理的隔膜以使其具有液體排斥性而形成液體排斥區(qū) 域，可以容易地使液體排斥區(qū)位于預(yù)定位置，由此提高了密封結(jié)構(gòu)的可靠 性。另外， 一種根據(jù)本發(fā)明的顯示裝置包括形成于或安裝于基底上的顯 示元件、在基底上形成的閉環(huán)阻斷區(qū)以使其圍繞整個(gè)電子元件或該電子元 件的部分，以及通過(guò)將至少一個(gè)平化樹脂層和至少一個(gè)阻擋層沉積于顯示 元件上形成的多層密封結(jié)構(gòu)，其中該平化樹脂層形成于阻斷區(qū)之內(nèi)。根據(jù)上述顯示裝置，由于通過(guò)沉積至少一個(gè)平化樹脂層和至少一個(gè)阻 擋層形成的多層密封結(jié)構(gòu)將顯示元件密封，可以使制作的該多層的密封隔 膜比常規(guī)密封結(jié)構(gòu)中使用的"密封殼"更薄。所以，與常規(guī)顯示元件的情 況相比，可以減少顯示元件的整體厚度。此外，由于形成了平化樹脂層，可以使形成于平化樹脂層上的阻擋層 變平，結(jié)果提供了具有足夠阻擋特性的密封結(jié)構(gòu)，即可以避免其中阻擋層 的破裂和針孔。此外，由于該平化樹脂層形成于阻斷區(qū)內(nèi)部，利用阻斷區(qū)可以限定形 成平化樹脂層的區(qū)域；因此利用阻斷區(qū)的位置可以調(diào)整所謂框架區(qū)的范圍。結(jié)果，可以使該框架區(qū)域窄于常規(guī)密封結(jié)構(gòu)中的框架區(qū)域，增大了顯 示區(qū)的大小。通過(guò)限定形成平化樹脂層的區(qū)域，可以減小依賴于位置的阻 擋特性變化并提高了密封的可靠性。此外，如果將平化層中距離基底最近的平化樹脂層放置在緊鄰沒(méi)有形 成電子元件部分的基底區(qū)域，可以增大基底和多層的密封隔膜之間的接 觸，由此可以進(jìn)一步提高電子元件部分抵御水和氧氣的阻擋特性。在根據(jù)本發(fā)明的顯示裝置中，可以形成阻擋層以使其延伸到阻斷區(qū)之外。根據(jù)上述顯示裝置，由于形成阻擋層以使其延伸到阻斷區(qū)之外，可以 提供具有較寬闊區(qū)域的阻擋層，由此可以進(jìn)一步提高多層的密封隔膜的阻 擋性質(zhì)，并更有效地避免水、氧氣及類似滲入電子元件部分內(nèi)。根據(jù)本發(fā)明的顯示裝置進(jìn)一步包括置于主阻斷區(qū)之外的另一個(gè)阻斷區(qū) 或另外多個(gè)阻斷區(qū)。根據(jù)上述顯示裝置，由于形成了包括置于主阻斷區(qū)之外的另一個(gè)阻斷 區(qū)或另外多個(gè)阻斷區(qū)阻斷，所以即使在平化樹脂層做得比較厚的情況下， 仍然可以可靠地阻斷該平化樹脂層，由此可以進(jìn)一步提高多層的密封隔膜 的阻擋特性。結(jié)果利用交替地沉積平化樹脂層和阻擋層，可以容易地形成 多層的密封隔膜，進(jìn)一步提高抵御水、氧氣之類的阻擋特性。根據(jù)本發(fā)明的顯示裝置可以包括多個(gè)平化樹脂層，且每一個(gè)平化樹脂 層形成于阻斷區(qū)之一的內(nèi)部。根據(jù)上述顯示裝置，由于在阻斷區(qū)之一的內(nèi)部形成多個(gè)平化樹脂層中 的每一個(gè)，所以即使在使用了多個(gè)平化樹脂層的情況下，阻斷區(qū)也可以可 靠地阻斷這些平化樹脂層，由此進(jìn)一步提高了多層的密封隔膜的阻擋特 性。根據(jù)本發(fā)明的顯示裝置可以包括多個(gè)阻擋層，且形成每一個(gè)阻擋層以 使其延伸到每一阻斷區(qū)的之外。根據(jù)上述顯示裝置，由于形成的每一個(gè)阻擋層都延伸到每一阻斷區(qū)的 之外，可以確保用于每一個(gè)阻擋層的寬闊區(qū)域，由此可以進(jìn)一步提高多層 的密封隔膜的阻擋性質(zhì)，并更有效地避免水、氧氣及類似滲入電子元件部分內(nèi)。在根據(jù)本發(fā)明的顯示裝置中，可以利用由有機(jī)材料制成且表面具有液 體排斥性的外圍堤壁層形成阻斷區(qū)。根據(jù)上述顯示裝置，由于利用表面具有液體排斥性的外圍堤壁區(qū)形成 了阻斷區(qū)，平化樹脂層不能流到該阻斷區(qū)之外，由此提高'了密封結(jié)構(gòu)的可 靠性。在根據(jù)本發(fā)明的顯示裝置中，利用延伸在基底上的閉環(huán)液體排斥區(qū)形 成阻斷區(qū)。根據(jù)上述顯示裝置，由于阻斷區(qū)為形成于基底上的閉環(huán)液體排斥區(qū)， 平化樹脂層不能流到該阻斷區(qū)之外，由此提高了密封結(jié)構(gòu)的可靠性。在根據(jù)本發(fā)明的顯示裝置中，至少在基底上的阻斷區(qū)之內(nèi)形成液體親 和性處理的隔膜。根據(jù)上述顯示裝置，由于在基底上阻斷區(qū)內(nèi)側(cè)形成了液體親和性處理 隔膜，能夠提高沉積于液體親和性處理隔膜上的平化樹脂層和基底之間的 粘附力，也提高了阻擋特性。在根據(jù)本發(fā)明的顯示裝置中，利用處理部分液體親和性處理的隔膜以 使其具有液體排斥性而形成液體排斥區(qū)域。根據(jù)上述顯示裝置，由于利用處理部分液體親和性處理的隔膜以使其 具有液體排斥性而形成液體排斥區(qū)域，可以容易地使液體排斥區(qū)位于預(yù)定 位置，由此提高了密封結(jié)構(gòu)的可靠性。在根據(jù)本發(fā)明的顯示裝置中，顯示元件最好包括多個(gè)由堤壁限定的發(fā) 光元件，且每一個(gè)發(fā)光元件包括電極、緊鄰電極的有源層以及與緊鄰有源 層的反向電極。根據(jù)本發(fā)明的顯示裝置進(jìn)一步包括用于驅(qū)動(dòng)顯示元件的驅(qū)動(dòng)電路，且 該驅(qū)動(dòng)電路被至少一個(gè)平化樹脂層和至少一個(gè)阻擋層封裝。根據(jù)上述顯示裝置，由于該驅(qū)動(dòng)電路被至少一個(gè)平化樹脂層和至少一 個(gè)阻擋層封裝，可以避免水、氧氣或類似滲入驅(qū)動(dòng)電路內(nèi)，由此進(jìn)一步提 高了顯示元件的可靠性。根據(jù)本發(fā)明， 一種電子設(shè)備包括根據(jù)本發(fā)明的顯示裝置其中之一。根據(jù)上述電子設(shè)備，由于該電子設(shè)備包括根據(jù)本發(fā)明的顯示裝置其中 之一，可以使電子設(shè)備的整體厚度更薄，同時(shí)保證抵御水、氧氣及類似滲 入的可靠性。另外，根據(jù)本發(fā)明， 一種用于制作一種電子元件部分的方法包括步驟: 提供一個(gè)基底；在基底上形成閉環(huán)阻斷區(qū)；在阻斷區(qū)內(nèi)部涂上一層包含樹 脂單體或樹脂低聚體的樹脂涂層物質(zhì)；在涂層之后使樹脂涂層物質(zhì)聚合以 形成平化樹脂層；以及形成阻擋層以覆蓋至少平化樹脂層和阻斷區(qū)。該電子元件部分可以為EL (電致發(fā)光)顯示元件、半導(dǎo)體電路元件或 各種形成于基底上的各種電路。根據(jù)上述用于制作電子元件部分的方法，由于閉環(huán)阻斷區(qū)形成于基底 上，而將樹脂涂層物質(zhì)涂于阻斷區(qū)內(nèi)部，所以阻斷區(qū)限制了樹脂涂層物質(zhì) 的流動(dòng)，由此可以自由地確定密封區(qū)域并制作出實(shí)質(zhì)上在基底的任意位置 阻擋特性均一致的電子元件部分。此外，由于在形成平化樹脂層之后形成阻擋層，可以避免阻擋層的破 裂和針孔，由此提高抵御水和氧氣的阻擋特性。根據(jù)本發(fā)明，在用于制作電子元件部分的方法中，在多個(gè)時(shí)刻交替重 復(fù)進(jìn)行形成平化樹脂層的步驟和形成阻擋層的步驟以形成平化樹脂層和 阻擋層交替覆蓋的多層的密封隔膜。根據(jù)上述制作電子元件部分的方法，由于可以利用考慮到彼此而校準(zhǔn) 被交替沉積的平化樹脂層和阻擋層邊緣的方式形成多層的密封隔膜的邊 緣，可以提高多層的密封隔膜抵御水和氧氣的防滲入性能，并制作出具有 足夠阻擋特性的電子元件部分。


圖1所示為根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的顯示裝置布線結(jié)構(gòu)平面示意圖； 圖2所示為根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例顯示裝置的平面示意圖； 圖3所示為沿著圖2中直線A-A'的橫截面圖； 圖4所示為沿著圖2中直線B-B'的橫截面圖；圖5所示為用于制作根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例顯示裝置方法的流程圖；圖6所示為另一個(gè)用于制作根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例顯示裝置方法的流程圖；圖7所示為另一個(gè)用于制作根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例顯示裝置方法的流 程圖；圖8所示為另一個(gè)用于制作根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例顯示裝置方法的流 程圖；圖9所示為另一個(gè)用于制作根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例顯示裝置方法的流 程圖；圖10所示為另一個(gè)用于制作根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例顯示裝置方法的 流程圖；圖11所示為另一個(gè)用于制作根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例顯示裝置方法的 流程圖；圖12所示為另一個(gè)用于制作根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例顯示裝置方法的 流程圖；圖13所示為根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例顯示裝置中密封結(jié)構(gòu)主要部分的 橫截面圖；圖14A和14B分別表示了一種用于制作根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例顯示裝 置的方法的流程圖；圖15A、 15B和15C分別表示了一種用于制作根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例 顯示裝置的方法的流程圖；圖16所示為根據(jù)本發(fā)明第三實(shí)施例顯示裝置中密封結(jié)構(gòu)主要部分的 橫截面圖；圖17所示為根據(jù)本發(fā)明第四實(shí)施例顯示裝置的平面圖； 圖18所示為沿著圖17中直線A-A'的橫截面圖； 圖19所示為沿著圖17中直線B-B'的橫截面圖；圖20A、 20B和20C分別表示了根據(jù)本發(fā)明第五實(shí)施例的電子設(shè)備的 透視圖；圖21所示為應(yīng)用樹脂涂層物質(zhì)時(shí)使用的掩膜和母基底之間的位置關(guān)系平面圖。
具體實(shí)施方式
第一實(shí)施例參照附圖，下面將對(duì)作為本發(fā)明第一實(shí)施例例子進(jìn)行說(shuō)明，其中將一種用于有機(jī)EL顯示裝置(一種顯示裝置)的顯示元件應(yīng)用于電子元件部 分。本實(shí)施例僅為本發(fā)明的一個(gè)例子，且本發(fā)明并不限于此實(shí)施例，在本 發(fā)明的范圍內(nèi)可以進(jìn)行各種修改。在參考的附圖中，為了便于理解圖中的 不同層和每一單元，為不同層和不同單元設(shè)置了不同的尺度因數(shù)。圖1所示為一種根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的顯示裝置(有機(jī)EL顯示裝 置)布線結(jié)構(gòu)平面示意圖。圖I中所示的顯示裝置1為有源矩陣類型的有 機(jī)EL顯示裝置，其中的薄膜晶體管(TFT)用作直接驅(qū)動(dòng)單元。圖1所示的顯示裝置1包括掃描線101、垂直于掃描線101延伸的信 號(hào)線102、與信號(hào)線102延伸平行的發(fā)光源線103以及象素A，每一個(gè)象 素由每一個(gè)掃描線101和信號(hào)線102交叉點(diǎn)附近給出。包括移位寄存器、電平移位器以及視頻線的數(shù)據(jù)側(cè)驅(qū)動(dòng)電路104與每 一信號(hào)線102相連。包括移位寄存器和電平移位器的掃描線驅(qū)動(dòng)電路105 與每一掃描線101相連。此外，對(duì)于每一個(gè)象素A，均提供了經(jīng)掃描線向其柵電極提供掃描信 號(hào)的開(kāi)關(guān)TFT142;用于保持信號(hào)線102經(jīng)開(kāi)關(guān)TFT142提供的圖像信號(hào) 的保持電容器Cap;向其柵極提供保持電容器Cap保持的圖像信號(hào)的電流 TFT123;象素電極111 (第一電極)，當(dāng)該象素電極111與發(fā)光源線103 電連接時(shí)，驅(qū)動(dòng)電流從發(fā)光源線103加入該電極；夾于象素電極111和陰 極電極12 (第二電極)之間的有源層110。陰極電極12與陰極源電路131 相連。此外，有源層110包括包含有空穴注入/傳輸層和緊鄰空穴注入/傳輸層 形成于的有機(jī)電致發(fā)光層的發(fā)光層。該發(fā)光層包括三種類型的發(fā)光層，即 以條狀模式排列的發(fā)射紅光的發(fā)光層UOR、發(fā)射綠光的發(fā)光層110G以及 發(fā)射藍(lán)光的發(fā)光層IIOB。此外，分別經(jīng)電流TFT123與發(fā)光層110R、 110G和110B相連的發(fā)光 源線103R、 103G和103B與發(fā)光源電路132相連。由于可以根據(jù)顏色設(shè) 置不同的驅(qū)動(dòng)電壓，即根據(jù)發(fā)光層IIOR、 IIOG禾卩IIOB，則可以分別向 發(fā)光源線103R、 103G和103B提供顏色。在顯示裝置1中，當(dāng)掃描線101的驅(qū)動(dòng)打開(kāi)開(kāi)關(guān)TFT142時(shí)，同時(shí)將 信號(hào)線102中的電勢(shì)保持在保持電容器Cap中，且根據(jù)保持電容器Cap 的狀態(tài)，電流TFT123為開(kāi)或關(guān)。驅(qū)動(dòng)電流從發(fā)光源線103R、103G和103B 經(jīng)電流TFT123的溝道區(qū)流向象素電極111，且電流經(jīng)發(fā)光層IIOR、 110G 和IIOB流向陰極電極(第二電極)。每一有源層IIO發(fā)射由流經(jīng)其中的電 流大小確定的光。隨后將參照?qǐng)D2至圖4對(duì)根據(jù)本實(shí)施例顯示裝置的指定結(jié)構(gòu)進(jìn)行說(shuō)明。 圖2所示為根據(jù)本實(shí)施例顯示裝置的平面示意圖，圖3為沿著圖2中直線 A-A'的橫截面圖，且圖4為沿著圖2中直線B-B'的橫截面圖。如圖2、 3及4所示，在根據(jù)本實(shí)施例的顯示裝置l中，在由玻璃、塑 料及類似材料制成的透明基底上提供了其中與電流TFT (圖中未示出)相 連的象素電極(電極)被排列為矩陣模式的顯示部分lla和放置于顯示部 分lla四周的非顯示部分llb。非顯示部分lib包括分別與象素電極相連 的發(fā)光源線103 (103R、 103G和103B)和掃描驅(qū)動(dòng)電路105。在顯示部 分lla中，提供了具有在平面圖中實(shí)質(zhì)上為矩形的顯示元件部分3 (電子 元件部分)。如圖2所示，非顯示部分llb提供的發(fā)光源線103R、 103G和103B從 基底的底部沿著掃描線驅(qū)動(dòng)電路105向基底頂部延伸，如圖2所示，在掃 描線驅(qū)動(dòng)電路的末端向左轉(zhuǎn)，沿著顯示元件部分3延伸并與顯示元件部分 3提供的象素電極(圖中未示出)相連。此外，如圖2和4所示，將基材由聚酰亞胺或聚酯制成的彈性帶130 與基底2的一端粘附在一起，該彈性帶上捆有控制IC130a。該控制IC130a 在這里包括如圖1所示的數(shù)據(jù)側(cè)驅(qū)動(dòng)電路104、陰極源電路131以及發(fā)光 源電路132。在彈性帶130上提供了多個(gè)從控制IC130a引出的外接線端 130b，且這些外接線端沿著彈性帶130的一側(cè)排列。隨后如圖3和4所示，在基底2上形成了電路部分11，且顯示元件部 分3形成于電路部分11上。顯示部分lla位于電路部分ll的正中。在顯 示部分lla中包含的部分電路部分ll中，提供了電流TFT123以及與電流 TFT123相連的象素電極111。將電流TFT123嵌入基底保護(hù)層281、第二 夾層絕緣層283和第一夾層絕緣層284之間。在第一夾層絕緣層284上形 成象素電極。在電路部分11中，還提供了保持電容器Cap和開(kāi)關(guān)TFT142; 不過(guò)在圖3和4中未示出。在象素電極111之間提供了堤壁112。堤壁112包括形成于第一夾層絕 緣層284之上的無(wú)機(jī)堤壁層112a和形成于無(wú)機(jī)堤壁層112a之上的有機(jī)堤 壁層112b。形成無(wú)機(jī)堤壁層112a以使其不僅覆蓋了顯示部分lla，還實(shí) 質(zhì)上覆蓋了非顯示部分。使無(wú)機(jī)堤壁層112a的表面具有液體親和性，而 另一方面使有機(jī)堤壁層112b的表面具有液體排斥性。此外，在每一象素 電極111上形成了有源層110，且陰極電極12形成于有源層110和有機(jī)堤 壁層112b之上。形成無(wú)機(jī)堤壁層112a和有機(jī)堤壁層112b以使其部分地 覆蓋象素電極111，更具體地，與有機(jī)堤壁層112b相比，無(wú)機(jī)堤壁層112a 向象素電極111的中部延伸地更近一些。注意到在無(wú)機(jī)堤壁層112a和有 機(jī)堤壁層112b之間提供有陰影層。有機(jī)堤壁層112b由諸如丙烯酸樹脂、聚酰亞胺樹脂之類普通抗蝕劑制 成。最好是將有機(jī)堤壁層112b的厚度設(shè)為0.1至3.5微米，尤其是設(shè)為2 微米。如果其厚度小于0.1微米，則有機(jī)堤壁層112b的厚度可能會(huì)小于 空穴注入/傳輸層和發(fā)光層的總厚度，結(jié)果液體狀態(tài)的發(fā)光層會(huì)溢到上部 開(kāi)口 112d之外，這是不應(yīng)該的。另一方面，如果其厚度大于3.5微米， 上部開(kāi)口 112d引起的梯級(jí)會(huì)過(guò)大，結(jié)果不能夠充分地保證形成于有機(jī)堤 壁層112b上的陰極電極12的梯級(jí)范圍，這也是不應(yīng)該的。將有機(jī)堤壁層 112b的厚度設(shè)為大于2微米更為恰當(dāng)，這是因?yàn)檫@樣可以加強(qiáng)陰極電極 12和象素電極111之間的電絕緣性能。在堤壁112四周上提供了具有液體親和性和液體排斥性的部分。具有 液體親和性的部分包括無(wú)機(jī)堤壁層112a和象素電極111，以氧氣為反應(yīng)氣 體，利用等離子體處理將諸如羥基之類液體親和基滲透到該液體親和性部分中。具有液體排斥性的部分包括無(wú)機(jī)堤壁層112b，以四氟化甲烷為反 應(yīng)氣體，利用等離子體處理將諸如氟之類液體排斥基滲透到該液體排斥性 部分中。如圖3和4所示，有源層110分別位于象素電極111之上。在象素電 極111之間和有源層110之間分別提供了堤壁112以分開(kāi)有源層110。每 一有源層110均包括沉積于象素電極111之上的空穴注入/傳輸層(圖中 未示出)和緊鄰空穴注入/傳輸層形成的發(fā)光層(圖中未示出)。在發(fā)光層 中，將從空穴注入/傳輸層注入的空穴和陰極電極發(fā)射的電子相結(jié)合以發(fā) 出亮光。發(fā)光層包括三種類型的發(fā)光層，即例如以條狀模式排列的發(fā)射紅 光的發(fā)光層110R、發(fā)射綠光的發(fā)光層110G以及發(fā)射藍(lán)光的發(fā)光層110B。 注意到不必將發(fā)光層排列為條狀模式，但必須排列為鑲嵌模式或三角模 式。陰極12包括由氟化鋰或鈣分層產(chǎn)品制成的第一陰極層12b和由Al (鋁)、Ag (銀)或Mg/Ag (鎂/銀)分層產(chǎn)品制成的第二陰極層12c。僅 在有機(jī)堤壁層112b上提供第一陰極層12b，而另一方面，第二陰極層12c 形成于有機(jī)堤壁層112b以及非顯示部分llb之上，并與陰極線12a相連。 作為象素電極111反向電極的陰極電極12用于實(shí)現(xiàn)向有源層110供電的 功能。隨后，如圖2和3所示，在位于顯示元件部分3任意一側(cè)的非顯示部 分提供了掃描驅(qū)動(dòng)電路105。該掃描驅(qū)動(dòng)電路105包括構(gòu)成移位寄存器中 反相器的N-溝道類型或P-溝道類型TFT105c。實(shí)質(zhì)上除了沒(méi)有與象素電 極111相連之外，該TFT105c與電流TFT123具有相同結(jié)構(gòu)。如圖3所示，在位于掃描驅(qū)動(dòng)電路附近的部分基底保護(hù)層281上形成 了掃描電路信號(hào)線105a。此外，在位于掃描電路信號(hào)線105a附近的部分 第二夾層絕緣層283上提供了掃描電路信號(hào)線105b。此外，如圖3所示，在掃描電路信號(hào)線105b附近提供了發(fā)光源線103R、 103G和103B。此外，如圖3所示，與陰極電極12相連的陰極線12a形成于位于表面 上與發(fā)光源線103R、 103G和103B相對(duì)的部分非顯示部分llb之上。在平面圖中該陰極線實(shí)質(zhì)上為U型以使其圍繞發(fā)光源線103R、 103G和 103B。隨后，將對(duì)本實(shí)施例用于顯示裝置1的密封結(jié)構(gòu)進(jìn)行說(shuō)明。如圖2、 3和4所示，在基底2上形成了圍繞顯示元件部分3的閉環(huán)外 圍堤壁層14a (阻斷區(qū))。如圖3和4所示，多層的密封隔膜沉積于顯示 元件部分3之上。該多層的密封隔膜由交替沉積的兩個(gè)平化樹脂層14c(即 14cl和14c2)和兩個(gè)阻擋層14d (14dl和14d2)形成。平化樹脂層14cl 和14c2形成于閉環(huán)外圍堤壁層14a之內(nèi)，同時(shí)被外圍堤壁層14a阻斷。 阻擋層14dl和14d2形成于平化樹脂層14cl和14c2之上(在外圍堤壁層 14a之內(nèi))，且其邊緣部分(即14el和14e2)延伸到外圍堤壁層14a上。 可以自由地選擇平化樹脂層14c和阻擋層14d的數(shù)目為一個(gè)或更多；不過(guò) 優(yōu)選為兩個(gè)或四個(gè)。將外圍堤壁層14a的厚度設(shè)為1至3微米，且與有機(jī)堤壁層112b的情 .況相同，使外圍堤壁層14a的表面具有液體排斥性。平化樹脂層14c由例如聚丙烯酸樹脂或類似材料制成。利用填充非顯 示部分llb和顯示部分lla之間(即在非顯示部分llb上形成的無(wú)機(jī)堤壁 層112a和顯示元件部分3之間)的梯級(jí)(例如1至3微米)形成平化樹 脂層14c以使顯示裝置的表面變平，并使其具有使形成于平化樹脂層14c 上阻擋層14d的梯級(jí)范圍盡可能小的功能，這樣可以避免阻擋層14d的破 裂和針孔以及阻擋層14d厚度的不均勻。阻擋層14d由諸如SiCb之類無(wú) 機(jī)隔膜制成，且抵御水和氧氣的性能優(yōu)良。多層的密封隔膜由覆蓋平化樹 脂層14c和阻擋層14d形成，且具有通過(guò)抑制水、氧氣、雜質(zhì)離子及類似 物滲入到顯示元件部分3中而避免陰極電極12和有源層110退化的功能。下面將更具體地對(duì)該密封結(jié)構(gòu)進(jìn)行說(shuō)明。如圖3和4所示，在平化樹 脂層14c中最低的平化樹脂層14cl形成于非顯示部分lib中無(wú)機(jī)堤壁層 112a和顯示元件部分3之上，同時(shí)被外圍堤壁層14a的內(nèi)側(cè)阻斷。形成的 平化樹脂層14cl比外圍堤壁層14a薄。由于無(wú)機(jī)堤壁層112a的表面具有 液體親和性，所以很容易將由聚丙烯酸樹脂或制成的平化樹脂層14cl置 于無(wú)機(jī)堤壁層112a之上，這樣能夠充分保證無(wú)機(jī)堤壁層112a和平化樹脂層14cl之間的粘附力。另一方面，由于外圍堤壁層14a的表面具有液體 排斥性，外圍堤壁層14a不會(huì)接受平化樹脂層14cl，結(jié)果外圍堤壁層14a 可靠地阻斷了平化樹脂層14cl。隨后，阻擋層14dl形成于平化樹脂層14cl之上。形成阻擋層14dl以 使其覆蓋外圍堤壁層14a并從外圍堤壁層14a上延伸到外圍堤壁層14a之 外，這樣阻擋層14dl的邊緣部分14el位于第一夾層絕緣層284。在外圍 堤壁層14a附近，由于平化樹脂層14cl和外圍堤壁層14a之間厚度的差 異形成了梯級(jí)14f。阻擋層14dl從梯級(jí)14f上延伸到外圍堤壁層14a之外。此外，另一個(gè)平化樹脂層14c2形成于阻擋層14dl之上。外圍堤壁層 14a的平化樹脂層14cl之間的梯級(jí)14f阻斷了同時(shí)被置于外圍堤壁層14a 內(nèi)部的平化樹脂層14c2。如圖3和4所示，在此實(shí)施例中實(shí)質(zhì)上將平化 樹脂層14c2上表面的水平設(shè)為與外圍堤壁層14a上表面的水平一致；不 過(guò)，平化樹脂層14c2上表面的水平可以低于外圍堤壁層14a上表面的水 平。此外，另一個(gè)阻擋層14d2形成于平化樹脂層14c2之上。與阻擋層14dl 的情況相同，形成阻擋層14d2使其蓋住外圍堤壁層14a并從外圍堤壁層 14a上延伸到外圍堤壁層14a之外，這樣阻擋層14d2的邊緣部分14e2位 于第一夾層絕緣層284。由于外圍堤壁層14a的內(nèi)表面阻斷了阻擋層14d2 下面的平化樹脂層14cl，則在外圍堤壁層14a之外阻擋層14dl和14d2 直接彼此接觸。如上所述，外圍堤壁層14a由具有抗熱性和抗溶解性的抗蝕劑制成， 諸如丙烯酸樹脂、聚酰亞胺樹脂及類似材料并具有液體排斥性。最好是將 外圍堤壁層14a的厚度設(shè)為0.1至3.5微米，尤其是設(shè)為2微米。如果其 厚度小于0.1微米，不能阻斷平化樹脂層14c，這是不應(yīng)該的。另一方面， 如果其厚度大于3.5微米，由于斷面型比例過(guò)大導(dǎo)致制作變得不穩(wěn)定，這 也是不應(yīng)該的。平化樹脂層14cl和14c2均由丙烯酸樹脂制成。最好是將平化樹脂層 14cl和14c2的厚度設(shè)為0.05至3微米，尤其是將其設(shè)為近似0.1到1微 米。如果其厚度小于0.05微米，則會(huì)使其平展性退化，這是不應(yīng)該的。另一方面，如果其厚度大于3微米，會(huì)將該平化樹脂層14c沉積到外圍堤壁層14a，這也是不應(yīng)該的。彼此考慮，可以將平化樹脂層14cl和14c2 的厚度設(shè)為相同或不同。此外，阻擋層14dl和14d2由Si02、八1203及類似物質(zhì)制成。最好是 將阻擋層14dl和14d2的厚度設(shè)為5至500納米，尤其是將其設(shè)為近似 30到300納米。如果其厚度小于5納米，則不能避免水和氧氣的滲入， 這是不應(yīng)該的。另一方面，如果其厚度大于500納米，由于熱壓力或機(jī)械 壓力，會(huì)很容易使阻擋層14dl和14d2破裂，這也是不應(yīng)該的。彼此考慮， 可以將阻擋層14dl和14d2的厚度設(shè)為相同或不同通過(guò)使用上述構(gòu)造，可以將多層密封隔膜14b的厚度設(shè)為1至3微米。 此外，可以將顯示裝置中密封結(jié)構(gòu)和上述第一夾層絕緣層284的厚度設(shè)為 l至3微米。通過(guò)使用上述密封結(jié)構(gòu)，可以形成薄多層密封隔膜14b，這樣與使用 常規(guī)"密封殼"的顯示裝置相比，可以極大地減小顯示裝置1的整個(gè)厚度。 由于提供了平化樹脂層14c，可以使形成于平化樹脂層14c上的阻擋層14d 變平，結(jié)果避免了阻擋層14d上的破裂和針孔，由此可以提供具有優(yōu)異阻 擋特性的密封隔膜。此外，由于平化樹脂層14c形成于外圍堤壁層14a內(nèi)部，利用外圍堤 壁層14a可以限定形成平化樹脂層14c的區(qū)域；因此利用外圍堤壁層14a 的位置可以調(diào)整所謂框架區(qū)的范圍。結(jié)果，可以使該框架區(qū)域窄于常規(guī)密 封結(jié)構(gòu)中的框架區(qū)域，增大了顯示部分lla的大小。通過(guò)限定形成平化樹 脂層14c的區(qū)域，可以減小依賴于位置的阻擋特性變化并提高了密封的可 靠性。此外，如果將平化層中距離基底2最近的平化樹脂層Mcl放置在緊鄰 基底2的沒(méi)有形成顯示元件部分3的非顯示部分llb，可以增大基底2和 多層的密封隔膜14b之間的接觸，由此可以進(jìn)一步提高隔膜邊界抵御水和 氧氣的電子元件部分的阻擋特性。隨后，利用附圖，同時(shí)參照作為例子的圖1至4所示的顯示裝置，對(duì) 用于制作根據(jù)本實(shí)施例電子元件部分的方法進(jìn)行說(shuō)明。該用于制作顯示裝置的方法包括步驟在基底2上形成閉環(huán)阻斷區(qū)；在阻斷區(qū)內(nèi)部涂上一層 包含樹脂單體或樹脂低聚體的樹脂涂層物質(zhì)；在涂層之后使樹脂涂層物質(zhì)聚合以形成平化樹脂層；以及形成阻擋層以覆蓋至少平化樹脂層和阻斷 區(qū)。在上述方法中，在多個(gè)時(shí)刻交替重復(fù)進(jìn)行形成平化樹脂層的步驟和形 成阻擋層的步驟以形成平化樹脂層和阻擋層交替覆蓋的多層的密封隔膜。下面將參考圖5至12對(duì)用于制作基底2上電路11的顯示元件部分3 (電子元件部分)和用于制作密封顯示元件部分3的密封結(jié)構(gòu)的方法進(jìn)行 說(shuō)明。圖5至12為圖2中沿直線A-A'得到的橫截面圖。如圖5所示，電路11形成于基底2之上，且形成了諸如ITO (氧化鋅 錫)之類透明電極材料制成的隔膜以覆蓋電路11，其后，利用對(duì)隔膜進(jìn) 行形成圖案處理在第一夾層絕緣層284上形成象素電極111。僅在形成電 流TFT123的區(qū)域形成象素電極111，且該電極經(jīng)接觸孔llla與電流 TFT123相連。隨后如圖6所示，在第一夾層絕緣層284和象素電極111之上形成無(wú) 機(jī)堤壁層112a。形成無(wú)機(jī)堤壁層112a以使其分別暴露于部分象素電極 111。無(wú)機(jī)堤壁層H2a不但形成于顯示部分lla，還形成于基底2上的非 顯示部分。通過(guò)執(zhí)行以下步驟形成堤壁層112a:在整個(gè)第一夾層絕緣層 284的表面形成由諸如Si02、Ti02和SiN制成的無(wú)機(jī)隔膜；利用例如CVD 處理、TEOS處理、濺射處理、蒸汽沉積處理及類似處理形成象素電極111 以及將形成圖案處理應(yīng)用于無(wú)機(jī)隔膜。此外，如圖6所示，有機(jī)堤壁層112b形成于無(wú)機(jī)堤壁層112a之上。 形成有機(jī)堤壁層U2b使其分別通過(guò)無(wú)機(jī)堤壁層112a暴露于部分象素電極 111。在這種方式中，堤壁112形成于第一夾層絕緣層284之上。此外，在形成阻斷區(qū)的步驟中，在有機(jī)堤壁層112b形成處理的同時(shí)， 將外圍堤壁層14a形成于非顯示部分lib內(nèi)無(wú)機(jī)堤壁層112a之上。隨后，將顯示出液體親和性的區(qū)域和顯示出液體排斥性的區(qū)域形成于 堤壁112的表面上。在此實(shí)施例中，這兩個(gè)區(qū)域均利用等離子體處理過(guò)程 制成。具體地，該等離子體處理過(guò)程包括使象素電極111和無(wú)機(jī)堤壁層112a具有液體親和性的液體親和性處理以及使有機(jī)堤壁層112b和外圍堤 壁層14a具有液體排斥性的液體排斥處理。更具體地，在預(yù)定溫度(例如70'C至8(TC)加熱堤壁112并隨后在大 氣條件下將作為液體親和性處理的等離子體處理(02等離子體處理)應(yīng) 用于堤壁112，其中氧氣被用作反應(yīng)氣體。隨后，在大氣條件下將作為液 體排斥性處理的另一種等離子體處理(CF4等離子體處理)應(yīng)用于堤壁 112，其中四氟化甲烷被用作反應(yīng)氣體，隨后將被加熱以用于等離子處理 的堤壁112冷卻到室溫以得到顯示出偏愛(ài)液體的區(qū)域和顯示出液體排斥 性的區(qū)域。在圖7中，具有液體親和性的象素電極111和無(wú)機(jī)堤壁層112a 用實(shí)線表示，而具有液體排斥性的有機(jī)堤壁層112b和外圍堤壁層14a用 長(zhǎng)短交替的虛線表示。隨后，如圖8所示，利用噴墨法在象素電極111上形成有源層110 。 通過(guò)噴射和烘干包含有用于空穴注入/傳輸層材料的合成墨水步驟以及噴 射和烘干包含有另一種用于發(fā)光層材料的合成墨水步驟形成有源層110。下一步如圖9所示，形成覆蓋了堤壁112和有源層110的陰極電極12。 該陰極電極12可以通過(guò)下述步驟得到在堤壁112和有源層110上形成 第一陰極層12b;形成覆蓋了第一陰極層12b的第二陰極層12c，且該陰 極層與放置于基底2上的陰極線12a相連。隨后如圖IO所示，作為制作平化樹脂層的步驟，在真空條件下加熱并 蒸發(fā)包含有樹脂單體或樹脂低聚體或樹脂硅化物(例如TEOS，(四乙基 原硅酸鹽)，Si3N4)的樹脂涂層物質(zhì)，將蒸發(fā)物質(zhì)噴射到放置于顯示元件 部分3上、非顯示部分內(nèi)和外圍堤壁層14a內(nèi)部的無(wú)機(jī)堤壁層112a上， 并在真空條件下利用諸如水銀燈、金屬鹵化物燈及類似的紫外光燈，用紫 外光照射噴射的物質(zhì)以使包含于樹脂涂層材料中的樹脂單體或樹脂低聚 體聚合并形成平化樹脂層14cl。當(dāng)噴射樹脂涂層物質(zhì)時(shí)，將具有開(kāi)口ml 的掩膜Ml放置于并同時(shí)定位于基底2上，這樣利用形成于基底2上外圍 堤壁層14a內(nèi)側(cè)部分校準(zhǔn)開(kāi)口 ml，并且最好是通過(guò)開(kāi)口 ml噴射樹脂涂 層材料。通過(guò)使用掩膜Ml,避免將該樹脂涂層材料沉積到外圍堤壁層14a 之外。可以將等離子體輻射用作樹脂單體或樹脂低聚體的聚合。在室溫下，樹脂涂層物質(zhì)表示出的粘滯度小于500cP，優(yōu)選地小于 100cP，這意味著該樹脂涂層物質(zhì)實(shí)質(zhì)上具有可流動(dòng)性；不過(guò)，由于在噴 射之后外圍堤壁層14a阻斷了樹脂涂層物質(zhì)，此樹脂涂層物質(zhì)不能流到外 圍堤壁層14a之外。在這種方式中，平化樹脂層14cl形成于外圍堤壁層 14a之內(nèi)。注意到可以通過(guò)噴射樹脂的量來(lái)調(diào)整平化樹脂層14cl的厚度， 優(yōu)選地將其厚度設(shè)為0.1至1微米。本實(shí)施例中的樹脂涂層物質(zhì)包括基本成分，即樹脂成分，該成分可 以從乙烯基樹脂單體中選擇，諸如丙烯酸樹脂單體、甲基丙酸烯樹脂單體、 聚酯樹脂單體、PET樹脂單體、聚丙烯樹脂單體及類似物質(zhì)，或從乙烯基 樹脂低聚體中選擇，諸如丙烯酸樹脂低聚體、甲基丙酸烯樹脂低聚體、聚 酯樹脂低聚體、PET樹脂低聚體、聚丙烯樹脂低聚體及類似物質(zhì)；以及由 光致聚合引發(fā)劑組成的第二成分。更具體地，可以從具有可聚合雙結(jié)合的 乙烯基樹脂單體或乙烯基樹脂低聚體中選擇基本成分，諸如醇酸樹脂、聚 酯丙烯酸脂、聚醚丙烯酸脂、乙烯基丙烯酸脂、聚氨酯丙烯酸脂、環(huán)氧丙 烯酸脂、硅樹脂丙烯酸脂、聚縮醛丙烯酸脂、聚丁二烯丙烯酸脂、三聚氰 胺丙烯酸脂及類似物質(zhì)。此外，可以根據(jù)包含乙烯基的數(shù)目，從各種化合 物中選擇樹脂單體或低聚體，諸如單功能化合物、雙功能化合物、三功能 化合物以及多功能化合物?？梢詫煞N或多種乙烯基樹脂單體和乙烯基樹 脂低聚體混合以用于使用。此外，優(yōu)選地使用的乙烯基樹脂單體和乙烯基 樹脂低聚體的分子重量小于10， 000，尤其是小于2， 000，且更優(yōu)選地是 從100到600?？梢詮陌蚕⑾忝?、苯甲酮、噸酮以及苯乙酮衍生物中選擇作為第二成 分的光致聚合引發(fā)劑。優(yōu)選地該光致聚合引發(fā)劑的重量為0.01到10份，尤其是當(dāng)作為基本成分的乙烯基樹脂單體或乙烯基樹脂低聚體的重量為100份時(shí)，該光致聚合引發(fā)劑的重量為O.l到2引發(fā)劑。可以通過(guò)混合由乙烯基樹脂單體或乙烯基樹脂低聚體組成的基本成分 和由光致聚合弓I發(fā)劑組成的第二成分準(zhǔn)備本實(shí)施例的樹脂涂層物質(zhì)。最好 是在室溫下將樹脂涂層物質(zhì)的粘滯度設(shè)為小于500cP，更優(yōu)選地將其設(shè)為 小于100cP，這樣可以可靠地使顯示部分的不規(guī)則變平。隨后，如圖11所示，作為制作阻擋層的步驟，利用蒸發(fā)沉積處理在平 化樹脂層14Cl上形成阻擋層14dl?？梢詫⒅T如鋁、硅、鎂、鈦、銦、錫 之類的金屬或金屬氧化物(Si20或Al203及類似物質(zhì))用作蒸發(fā)沉積材料
來(lái)形成阻擋層14dl?？梢詮恼婵照舭l(fā)沉積處理、濺射處理、離子電鍍處
理及類似處理中選擇蒸發(fā)沉積處理。
當(dāng)執(zhí)行蒸發(fā)沉積處理時(shí)，將具有開(kāi)口 m2的掩膜M2放置于并同時(shí)定 位于基底2上，這樣利用形成于基底2上的外圍堤壁層14a外部外圍部分 校準(zhǔn)開(kāi)口 m2的外圍部分，并且最好是通過(guò)開(kāi)口 m2加入并沉積蒸發(fā)物質(zhì)。 通過(guò)使用掩膜M2，避免將阻擋層14dl形成于基底的側(cè)邊上。優(yōu)選地可以 將阻擋層14dl的厚度設(shè)為5至500納米。
由于實(shí)質(zhì)上平化樹脂層14cl使阻擋層14dl變平，因此可以得到緊密 而沒(méi)有諸如針孔或破裂之類缺陷的阻擋層14dl。
此外，由于阻擋層14dl形成于平化樹脂層14cl上，平化樹脂層14cl 的固著效果提高了平化樹脂層14cl和阻擋層14dl之間的粘附力，則提高 了抵御水和氧氣的阻擋特性。
隨后如圖12所示，利用重復(fù)上述平化樹脂層形成步驟和阻擋層形成步 驟，可以相繼將平化樹脂層14c2和阻擋層14d2形成于阻擋層14dl，這 樣就得到了多層的密封隔膜14b。
通過(guò)上述步驟可以得到如圖1至4所示的顯示裝置1。
第二實(shí)施例
隨后，下面將參照?qǐng)D13對(duì)第二實(shí)施例進(jìn)行說(shuō)明。圖13所示為根據(jù)顯 示裝置201中密封結(jié)構(gòu)的主要部分的橫截面圖。
圖13中顯示裝置201與圖1至4所示的第一實(shí)施例中顯示裝置1相同 的要素用相同的參考符號(hào)表示，且簡(jiǎn)化或省略對(duì)其說(shuō)明。
如圖13所示，本實(shí)施例的顯示裝置201配有多個(gè)外圍堤壁層(阻斷區(qū)) 214al、 213a2以及214a3。其中參考符號(hào)214al表示最內(nèi)側(cè)的外圍堤壁層， 參考號(hào)214a2表示的另一個(gè)外圍堤壁層形成于外圍堤壁層214al之外，且 又一個(gè)外圍堤壁層214a3形成于外圍堤壁層214a2之外。最好是將外圍堤壁層214al和外圍堤壁層214a2之間以及外圍堤壁層 214a2和外圍堤壁層214a3之間的距離"d"設(shè)為10至300微米。實(shí)質(zhì)上 每一外圍堤壁層214al、 214a2以及214a3的材料和厚度與第一實(shí)施例中 外圍堤壁層14a的相同。外圍堤壁層214al、 214a2以及214a3彼此的厚 度可以相同，也可以不同。
在顯示裝置201上形成了用參考符號(hào)214b表示的多層的密封隔膜。該 多層的密封隔膜214b包括交替沉積形成的三個(gè)平化樹脂層214cl、 214c2 和214c3以及三個(gè)阻擋層214dl、 214d2和214d3。
在三個(gè)平化樹脂層214cl、214c2和214c3中，最低的平化樹脂層214cl 形成于非顯示部分lib中的無(wú)機(jī)堤壁層112a (液體親和性隔膜)和顯示元 件部分(圖中未示出)之上，同時(shí)被最內(nèi)側(cè)外圍堤壁層214a的內(nèi)表面(圖 13中的左側(cè)表面)阻斷。最低平化樹脂層214cl比最內(nèi)側(cè)外圍堤壁層214al 的厚度薄。由于無(wú)機(jī)堤壁層112a的表面具有液體親和性(即覆蓋有氧化 物)，所以很容易將由聚丙烯酸樹脂或類似物質(zhì)制成的平化樹脂層214cl 置于無(wú)機(jī)堤壁層112a之上，這樣能夠充分保證無(wú)機(jī)堤壁層112a和平化樹 脂層214cl之間的粘附力。另一方面，由于外圍堤壁層214al的表面具有 液體排斥性，外圍堤壁層214al不會(huì)接受平化樹脂層214cl，結(jié)果外圍堤 壁層214al可靠地阻斷了平化樹脂層214cl。
隨后，阻擋層214dl形成于平化樹脂層214cl之上。形成阻擋層214dl 以使其覆蓋住個(gè)外圍堤壁層214al、 214a2和214a3，并從整個(gè)外圍堤壁層 214al、 214a2和214a3上延伸到最外側(cè)外圍堤壁層214a3之外，這樣阻擋 層214dl的邊緣部分214el位于無(wú)機(jī)堤壁層112a。在最內(nèi)側(cè)外圍堤壁層 214al附近，由于平化樹脂層214cl和外圍堤壁層214al之間厚度的差異 形成了梯級(jí)214fl。阻擋層214dl從梯級(jí)214fl上延伸到最外側(cè)外圍堤壁 層214a3之外。
此外，另一個(gè)平化樹脂層214c2形成于阻擋層214dl之上。平化樹脂 層214c2形成于阻擋層214dl之上，從最內(nèi)側(cè)外圍堤壁層214al之上延伸 并被緊鄰的外圍堤壁層214a2阻斷。由于之前形成的阻擋層214dl由Si02 及類似物質(zhì)制成，即其表面具有液體親和性，所以可以容易地將聚丙烯酸樹脂或類似物質(zhì)制成的平化樹脂層214c2置于阻擋層214dl之上，結(jié)果平 化樹脂層214c2從梯級(jí)214fl上延伸到了緊鄰的外圍堤壁層214a2的內(nèi)側(cè) 表面。隨后，另一個(gè)阻擋層214d2形成于平化樹脂層214c2之上。形成阻擋 層214d2使其蓋住兩個(gè)外圍堤壁層214a2和214a3并延伸到最外側(cè)外圍堤 壁層214a3之外，這樣阻擋層214d2的邊緣部分214e2位于無(wú)機(jī)堤壁層 112a。在外圍堤壁層214a2附近，由于平化樹脂層214c2和外圍堤壁層 214a2之間厚度的差異形成了梯級(jí)214f2。阻擋層214d2從梯級(jí)214G上延 伸到最外側(cè)外圍堤壁層214a3之外。此外，又一個(gè)平化樹脂層214c3形成于阻擋層214d2之上。該平化樹 脂層214c3形成于阻擋層214d2之上，從兩個(gè)外圍堤壁層214al和214a2 之上延伸并被最外側(cè)外圍堤壁層214a3的內(nèi)表面阻斷。由于之前形成的阻 擋層214d2由Si02及類似物質(zhì)制成，即其表面具有液體親和性，所以可 以容易地將聚丙烯酸樹脂或類似物質(zhì)制成的平化樹脂層214c3置于阻擋 層214d2之上，結(jié)果平化樹脂層214c3從兩個(gè)外圍堤壁層214al和214a2 和梯級(jí)上延伸到了緊鄰的外圍堤壁層214a3的內(nèi)側(cè)表面。隨后，又一個(gè)阻擋層214d3形成于平化樹脂層214c3之上。形成阻擋 層214d3以使其覆蓋最外側(cè)外圍堤壁層214a3并延伸到最外側(cè)外圍堤壁層 214a3之外，這樣阻擋層214d3的邊緣部分214e3位于無(wú)機(jī)堤壁層112a。在這種方式下，本實(shí)施例的顯示裝置201中形成了多個(gè)外圍堤壁層 214al、 214a2和214a3，并分別在外圍堤壁層214al、 214a2和214a3的 內(nèi)部形成了平化樹脂層214cl、 214c2以及214c3，且阻擋層214dl、 214d2 和214d3延伸到了外圍堤壁層214al、 214a2和214a3之外，由此形成了 多層的密封隔膜214b。根據(jù)本實(shí)施例中顯示裝置201的密封結(jié)構(gòu)，由于以將外圍堤壁層214a2 和214a3放置于214al之外的方式來(lái)形成多個(gè)外圍堤壁層214al、 214a2 和214a3，即使當(dāng)平化樹脂層214cl、214c2和214c3做得比較薄的情況下， 也可以可靠地阻斷平化樹脂層214cl、 214c2和214c3，由此可以進(jìn)一步提 高多層的密封隔膜214b的阻擋特性。結(jié)果，通過(guò)交替地沉積平化樹脂層214cl、 214c2和214c3以及阻擋層214dl、 214d2和214d3，可以容易地 形成多層的密封隔膜214b，這樣就進(jìn)一步提高了抵御水、氧氣及類似物 的阻擋特性。此外，由于每一平化樹脂層214cl、 214c2和214c3形成于每一外圍堤 壁層214al、 214a2和214a3的內(nèi)部，即使在使用多個(gè)平化樹脂層的情況 下，也可以可靠地利用阻斷區(qū)來(lái)阻斷平化樹脂層，由此能夠進(jìn)一步提高多 層的密封隔膜的阻擋特性。此外，根據(jù)本實(shí)施例中顯示裝置201的密封結(jié)構(gòu)，由于形成每一阻擋 層214dl、 214d2和214d3以使其延伸到每一外圍堤壁層214al、 214a2和 214a3之外，所以可以保證用于每一阻擋層的寬闊區(qū)域，由此可以進(jìn)一步 提高多層的密封隔膜214b、基底2之間的粘附力以及多層的密封隔膜214b 的阻擋特性，并更有效地避免水、氧氣及類似物滲入到電子元件部分中。隨后，參考附圖14A、 14B、 15A、 15B以及15C，對(duì)制作根據(jù)本實(shí)施 例的顯示裝置201的方法進(jìn)行說(shuō)明。實(shí)質(zhì)上，利用與用于實(shí)施例中顯示裝 置1的相同的方法制作本實(shí)施例的顯示裝置201。注意到由于制作本實(shí)施 例顯示裝置中顯示元件利用了與制作第一實(shí)施例顯示裝置1中顯示元件 部分3相同的方法，下面將對(duì)制作顯示元件部件之后的制作步驟進(jìn)行說(shuō) 明。圖14所示為形成于無(wú)機(jī)堤壁層112a上的三個(gè)外圍堤壁層214al、214a2 和214a3的狀態(tài)。無(wú)機(jī)堤壁層112a的表面具有液體親和性，而外圍堤壁 層214al、 214a2和214a3的表面具有液體排斥性。如圖14A所示，作為制作平化樹脂層的步驟，在真空條件下加熱并蒸 發(fā)包含有樹脂單體或樹脂低聚體的樹脂涂層物質(zhì)，將蒸發(fā)物質(zhì)噴射到放置 于顯示元件部分3上、非顯示部分內(nèi)和外圍堤壁層14a內(nèi)部的無(wú)機(jī)堤壁層 112a上，并在真空條件下利用諸如水銀燈、金屬鹵化物燈及類似的紫外 光燈，用紫外光照射噴射的物質(zhì)以使包含于樹脂涂層材料中的樹脂單體或 樹脂低聚體聚合并形成平化樹脂層214cl。當(dāng)噴射樹脂涂層物質(zhì)時(shí)，將具 有開(kāi)口 m3的掩膜M3放置于并同時(shí)定位于基底2上，這樣利用形成于基 底2上外圍堤壁層214a內(nèi)部部分校準(zhǔn)開(kāi)口 m3，并且最好是通過(guò)開(kāi)口 m3噴射樹脂涂層材料。通過(guò)使用掩膜M3，避免將該樹脂涂層材料沉積到外圍堤壁層214al之外?？梢詫⒌入x子體輻射用作樹脂單體或樹脂低聚體的麥入沐a o與第一實(shí)施例中使用的樹脂涂層物質(zhì)相同，此步驟使用的樹脂涂層物質(zhì)實(shí)質(zhì)上具有可流動(dòng)性；不過(guò)，由于在噴射之后外圍堤壁層214al阻斷了 該樹脂涂層物質(zhì)，此樹脂涂層物質(zhì)不能流到外圍堤壁層214al之外。在這 種方式中，平化樹脂層214cl形成于外圍堤壁層214al之內(nèi)。注意到可以 通過(guò)噴射樹脂的量來(lái)調(diào)整平化樹脂層214cl的厚度，優(yōu)選地將其厚度設(shè)為 例如外圍堤壁層214al高度的1/3至2/3。隨后，如圖14B所示，作為制作阻擋層的步驟，利用蒸發(fā)沉積處理在 平化樹脂層214cl上形成阻擋層214dl?？梢詫⒗鏢i20、 Als03及類似 物質(zhì)用作蒸發(fā)沉積材料來(lái)形成阻擋層214dl。該蒸發(fā)沉積處理可以與第一 實(shí)施例中使用的相同。當(dāng)執(zhí)行蒸發(fā)沉積處理時(shí)，優(yōu)選地將另一個(gè)具有開(kāi)口 m4的掩膜M4放置于并同時(shí)定位于基底2上，這樣利用形成于基底2上 的外圍堤壁層214a3外部外圍部分校準(zhǔn)開(kāi)口 m4的外圍部分，并且最好是 通過(guò)開(kāi)口 m4加入并沉積蒸發(fā)物質(zhì)。通過(guò)使用掩膜M4，避免將阻擋層 214dl形成于基底2的側(cè)邊上。優(yōu)選地可以將阻擋層214dl的厚度設(shè)為5 至500納米。下一步，如圖15A所示，作為制作另一個(gè)平化樹脂層的步驟，在真空 條件下加熱并蒸發(fā)樹脂涂層物質(zhì)，將蒸發(fā)物質(zhì)噴射到之前形成的阻擋層 214dl上和外圍堤壁層214al和214a2內(nèi)，并在真空條件下用紫外光照射 噴射的物質(zhì)以使樹脂涂層材料聚合并形成平化樹脂層214c2。當(dāng)噴射樹脂 涂層物質(zhì)時(shí)，與前述步驟相同，優(yōu)選地在基底2上放置掩膜M3，并且最 好是通過(guò)開(kāi)口 m3噴射樹脂涂層材料。噴射的樹脂涂層材料流過(guò)外圍堤壁 層214al上的阻擋層214d2，并被外圍堤壁層214a2阻斷；所以，該樹脂 涂層材料不能流到外圍堤壁層214a2之外。在這種方式中，平化樹脂層 214c2形成于外圍堤壁層214al和214a2內(nèi)。注意到可以通過(guò)噴射樹脂的 量來(lái)調(diào)整平化樹脂層214c2的厚度，優(yōu)選地將其厚度設(shè)為例如外圍堤壁層 214a2高度的1/3至2/3隨后，如圖15B所示，作為制作另一個(gè)阻擋層的步驟，利用蒸發(fā)沉積 處理在平化樹脂層214c2上形成阻擋層214d2?？梢詫⒗鏢i20、 A1203 及類似物質(zhì)用作蒸發(fā)沉積材料來(lái)形成阻擋層214d2。該蒸發(fā)沉積處理可以 與第一實(shí)施例中使用的相同。當(dāng)執(zhí)行蒸發(fā)沉積處理時(shí)，優(yōu)選地將另一個(gè)具 有開(kāi)口 m6的掩膜M6放置于并同時(shí)定位于基底2上，這樣利用形成于基 底2上的外圍堤壁層214a3外部外圍部分校準(zhǔn)開(kāi)口 m6的外圍部分，并且 最好是通過(guò)開(kāi)口 m6加入并沉積蒸發(fā)物質(zhì)。通過(guò)使用掩膜M6，避免將阻 擋層214d2形成于基底2的側(cè)邊上。優(yōu)選地可以將阻擋層214d2的厚度設(shè) 為5至500納米。隨后如圖15C所示，利用重復(fù)上述平化樹脂層形成步驟和阻擋層形成 步驟，可以相繼將平化樹脂層214c3和阻擋層214d3形成于阻擋層214d2， 這樣就得到了多層的密封隔膜214b。當(dāng)噴射樹脂涂層物質(zhì)用于形成平化 樹脂層214c3時(shí)，與前述步驟相同，優(yōu)選地在基底2上放置掩膜M3。噴 射的樹脂涂層材料流過(guò)外圍堤壁層214al和214a2上的阻擋層214d2，并 被外圍堤壁層214a3阻斷；所以，該樹脂涂層材料不能流到外圍堤壁層 214a3之外。此外，當(dāng)執(zhí)行蒸發(fā)沉積處理用于形成阻擋層213d3時(shí)，最好是將另一 個(gè)具有開(kāi)口 m6的掩膜M6放置于于基底2上，并同時(shí)被定位而使得該掩 膜M6的開(kāi)口 m6的邊緣部分與形成于基底2上的最外側(cè)外圍堤壁層214a3 外圍部分外部對(duì)準(zhǔn)，并且最好是通過(guò)開(kāi)口加入并沉積蒸發(fā)物質(zhì)。以這種方 式執(zhí)行蒸發(fā)沉積處理，由此可以避免將阻擋層214d3形成于基底2的側(cè)邊 上。通過(guò)上述步驟可以得到如圖13所示的顯示裝置201。 由于實(shí)質(zhì)上提供了平化樹脂層214cl、 214c2和214c3,可以使阻擋層214dl、 214d2和214d3變平，結(jié)果可以形成沒(méi)有諸如針孔或破裂之類缺陷的阻擋層214dl、 214d2和214d3。此外，由于阻擋層214dl、 214d2和214d3形成于平化樹脂層214cl、214c2和214c3上，平化樹脂層214cl、 214c2和214c3的固著效果提高了平化樹脂層214cl、 214c2和214c3和阻擋層214dl、 214d2和214d3之間的粘附力，則提高了抵御水和氧氣的阻擋特性。 第三實(shí)施例隨后，下面將參照?qǐng)D16對(duì)第三實(shí)施例進(jìn)行說(shuō)明。圖16所示為根據(jù)顯 示裝置301中密封結(jié)構(gòu)的主要部分的橫截面圖。圖16中顯示裝置301與圖1至4所示的第一實(shí)施例中顯示裝置1相同 的要素用相同的參考符號(hào)表示，且簡(jiǎn)化或省略對(duì)其說(shuō)明。如圖16所示，在本實(shí)施例的顯示裝置301中，在(基底2的)無(wú)機(jī)堤 壁層112a的外圍區(qū)域形成了多個(gè)液體排斥區(qū)(阻斷區(qū))314al、 314a2和 314a3 。更具體地，參考符號(hào)314al表示最內(nèi)側(cè)的液體排斥區(qū)，參考號(hào)314a2 表示的另一個(gè)液體排斥區(qū)形成于液體排斥區(qū)314al之外，且又一個(gè)液體排 斥區(qū)314a3形成于液體排斥區(qū)314a2之外。最好是將液體排斥區(qū)314al和 液體排斥區(qū)314a2之間以及液體排斥區(qū)314a2和液體排斥區(qū)314a3之間的 距離"d"設(shè)為30至400微米。與第一實(shí)施例中有機(jī)堤壁層112b的情況相同，通過(guò)以四氟化甲垸為反 應(yīng)氣體的等離子體處理將諸如氟基之類液體排斥基滲透到有機(jī)堤壁層 112a的表面中來(lái)制作液體排斥區(qū)314al、 314a2和314a3。結(jié)果，液體排 斥區(qū)314al、 314a2和314a3行使排斥形成平化樹脂層的樹脂涂層物質(zhì)的 功能，并與第一和第二實(shí)施例中的外圍堤壁層14a和214al等的功能相同， 用于阻斷平化樹脂層。此外，在此顯示裝置中形成了用參考符號(hào)314b表示的多層的密封隔 膜。該多層的密封隔膜314b由交替沉積三個(gè)平化樹脂層314cl、 314c2和 314c3以及三個(gè)阻擋層314dl、 314d2和314d3而形成。在三個(gè)平化樹脂層314cl、314c2和314c3中，最低的平化樹脂層314cl 形成于非顯示部分lib中的無(wú)機(jī)堤壁層112a (液體親和性隔膜)和顯示元 件部分(圖中未示出)之上，同時(shí)被最內(nèi)側(cè)的液體排斥區(qū)314al的內(nèi)表面 (圖13中的左側(cè)表面)阻斷。由于無(wú)機(jī)堤壁層112a的表面具有液體親和 性(即覆蓋有氧化物)，所以很容易將由聚丙烯酸樹脂或類似物質(zhì)制成的 平化樹脂層314cl置于無(wú)機(jī)堤壁層112a之上，這樣能夠充分保證無(wú)機(jī)堤 壁層112a和平化樹脂層3Mcl之間的粘附性。另一方面，由于液體排斥區(qū)314al中無(wú)機(jī)堤壁層112a的表面具有液體排斥性，液體排斥區(qū)314al 不會(huì)接受平化樹脂層314cl，結(jié)果液體排斥區(qū)314al阻斷了平化樹脂層 314cl。隨后，阻擋層3I4dl形成于平化樹脂層314cl之上。形成阻擋層314dl 以使其蓋住液體排斥區(qū)314al，并從液體排斥區(qū)314al上延伸到液體排斥 區(qū)314al之外，這樣阻擋層314dl的邊緣部分314el位于無(wú)機(jī)堤壁層112a。 在最內(nèi)側(cè)的液體排斥區(qū)314al附近，液體排斥區(qū)314al阻斷了平化樹脂層 314cl。阻擋層314dl從平化樹脂層314cl上延伸到液體排斥區(qū)314al之 外。此外，另一個(gè)平化樹脂層314c2形成于阻擋層314dl之上。平化樹脂 層314c2形成于阻擋層314dl之上，從最內(nèi)側(cè)液體排斥區(qū)314al之上延伸 并被緊鄰的液體排斥區(qū)314al的內(nèi)側(cè)阻斷。由于之前形成的阻擋層314dl 由Si02及類似物質(zhì)制成，即其表面具有液體親和性，而且阻擋層314dl 覆蓋了最內(nèi)側(cè)的液體排斥區(qū)314al，所以可以容易地將聚丙烯酸樹脂或類 似物質(zhì)制成的平化樹脂層314c2置于阻擋層314dl之上，且平化樹脂層 314c2從液體排斥區(qū)314al延伸到了緊鄰的液體排斥區(qū)314a2的內(nèi)側(cè)。隨后，另一個(gè)阻擋層314d2形成于平化樹脂層314c2之上。形成阻擋 層314d2使其蓋住液體排斥區(qū)314al和314a2，并從液體排斥區(qū)314al上 延伸到液體排斥區(qū)314a2之外，這樣阻擋層314d2的邊緣部分314e2位于 無(wú)機(jī)堤壁層112a。在液體排斥區(qū)314a2附近，液體排斥區(qū)314a2阻斷了平 化樹脂層314c2。阻擋層314d2從平化樹脂層314c2上延伸到液體排斥區(qū) 314a2之外。此外，又一個(gè)平化樹脂層314c3形成于阻擋層314d2之上。該平化樹 脂層314c3形成于阻擋層314d2之上，從液體排斥區(qū)314al和314a2之上 延伸并被最外側(cè)液體排斥區(qū)314a3的內(nèi)表面阻斷。由于之前形成的阻擋層 314d2由Si02及類似物質(zhì)制成，即其表面具有液體親和性，而且阻擋層 314d2覆蓋了最內(nèi)側(cè)的液體排斥區(qū)314a2，所以可以容易地將聚丙烯酸樹 脂或類似物質(zhì)制成的平化樹脂層314c3置于阻擋層314d2之上，結(jié)果平化 樹脂層314c3從液體排斥區(qū)314a2上延伸到了緊鄰的液體排斥區(qū)314a3的隨后，又一個(gè)阻擋層314d3形成于平化樹脂層314c3之上。形成阻擋 層314d3以使其蓋住最外側(cè)的液體排斥區(qū)314a3并延伸到最外側(cè)液體排斥 區(qū)314a3之夕卜，這樣阻擋層314d3的邊緣部分314e3位于無(wú)機(jī)堤壁層112a。在這種方式下，本實(shí)施例的顯示裝置201中，形成了多個(gè)液體排斥區(qū) 314al、 314a2和314a3，并分別在液體排斥區(qū)314al、 314a2和314a3的 內(nèi)部形成了平化樹脂層314cl、 314c2以及314c3，且阻擋層314dl、 314d2 和314d3分別延伸到了液體排斥區(qū)314al、 314a2和314a3之外，由此形 成了多層的密封隔膜314b。根據(jù)本實(shí)施例中顯示裝置301的密封結(jié)構(gòu)，由于以將液體排斥區(qū)314a2 和314a3放置于液體排斥區(qū)314al之外的方式來(lái)形成多個(gè)液體排斥區(qū) 314al、 314a2和314a3，可以增大形成阻擋層314dl、 314d2和314d3的 區(qū)域，由此可以進(jìn)一步提高多層的密封隔膜314b的阻擋特性，并更有效 地避免水、氧氣及類似物滲入到顯示裝置301中。特別地，由于通過(guò)交替 地沉積平化樹脂層314cl、 314c2和314c3以及阻擋層314dl、 314d2和 314d3形成多層的密封隔膜314b，可以進(jìn)一步提高抵御水、氧氣及類似物 的阻擋特性。此外，由于每一平化樹脂層314cl、 314c2和314c3形成于每一液體排 斥區(qū)314al、 314a2和314a3的內(nèi)部，即使交替沉積方式下，使用多個(gè)平 化樹脂層和阻擋層的情況下，也可以進(jìn)一步提高抵御水、氧氣及類似物的 阻擋特性。此外，根據(jù)本實(shí)施例中顯示裝置301的密封結(jié)構(gòu)，由于形成每一阻擋 層314dl、 314d2和314d3使其分別延伸到液體排斥區(qū)314al、 314a2和 314a3之外，并通過(guò)交替地沉積平化樹脂層314cl、 314c2和314c3和阻擋 層314dl、 314d2和314d3形成多層的密封隔膜314b;所以可以進(jìn)一步提高抵御水、氧氣及類似物的阻擋特性。此外，由于每一液體排斥區(qū)314al、 314a2和314a3形成為環(huán)型，并分 別將平化樹脂層314cl、 314c2和314c3約束在液體排斥區(qū)314al、 314a2 和314a3之內(nèi)；所以可以減小依賴于位置的阻擋特性變化，則提高了密封的可靠性。除了利用等離子體處理在無(wú)機(jī)堤壁層的外圍部分上提供液體排斥區(qū)314al、 314a2和314a3來(lái)代替提供外圍堤壁層之外，本實(shí)施例的顯示裝置 301的制作方式與第二實(shí)施例中顯示裝置201的制作方式相同。注意到可 以同時(shí)執(zhí)行用于無(wú)機(jī)堤壁層U2a的等離子體處理和用于有機(jī)堤壁層的 CF4等離子體處理。第四實(shí)施例隨后，下面將參照?qǐng)D17至19對(duì)第四實(shí)施例進(jìn)行說(shuō)明。圖17所示為根 據(jù)本實(shí)施例顯示裝置401的平面示意圖，圖18為沿著圖17中直線A-A' 的橫截面圖，且圖19為沿著圖17中直線B-B'的橫截面圖。圖17至19中顯示裝置401與圖1至4所示的第一實(shí)施例中顯示裝置 1相同的要素用相同的參考符號(hào)表示，且簡(jiǎn)化或省略對(duì)其說(shuō)明。如圖17至19所示，圍繞放置于基底2上的顯示元件部分形成了閉環(huán) 外圍堤壁區(qū)14a (阻斷區(qū))。此外，阻斷堤壁層414a形成于粘附在基底2 末端上的彈性帶130之上。如圖17至19所示，阻斷堤壁層414a分別形 成于彈性帶130的兩側(cè)，同時(shí)被放置于控制IC 130a和外部接線端130b 之間。此外，在顯示裝置3上形成了多層的密封隔膜414b。該多層的密封隔 膜414b通過(guò)交替沉積三個(gè)平化樹脂層14cl、 14c2和14c3以及三個(gè)阻擋 層14dl、 14b2和414b3而形成。在三個(gè)平化樹脂層中，兩個(gè)平化樹脂層 14cl和14c2形成于閉環(huán)外圍堤壁層14a之內(nèi)，即被閉環(huán)外圍堤壁層14a 阻斷。在三個(gè)阻擋層中，兩個(gè)阻擋層14dl和14b2分別形成于平化樹脂層 14cl和14c2之上(即外圍堤壁層14a之內(nèi))，且其邊緣部分14e (即14el 和14e2)從外圍堤壁層14a上延伸。形成保持平化樹脂層414c3使其覆蓋基底2、阻擋層14d2、部分彈性 帶130以及控制IC130a，這樣將其放置在距離基底2比距離阻斷堤壁層 414a更近的位置。這樣阻斷堤壁層414a阻斷了平化樹脂層414c3以使其 不與外部接線端130b接觸。實(shí)際中，平化樹脂層414c3延伸到基底2的底部表面，這在圖18和19中未示出。此外，在保持阻擋層414d3形成于平化樹脂層414c3之上，且其邊緣 部分414e3從阻斷堤壁層414a上延伸。最好是將阻斷堤壁層414a的厚度設(shè)為2至500微米。與有機(jī)堤壁層 112b或外圍堤壁層14a的情況相同，最好是使阻斷堤壁層414a的表面具 有液體排斥性。與其它平化樹脂層14cl和14c2相同，平化樹脂層414c3由聚丙烯酸 樹脂或類似物質(zhì)制成以保護(hù)彈性帶130、基底2和控制IC130a之間的連 接區(qū)。此外，平化樹脂層414c3用作減小形成于其上的阻擋層414d3的梯 級(jí)范圍以避免在阻擋層414d3產(chǎn)生針孔或破裂。與其它阻擋層14dl和14d2 相同，阻擋層414d3由諸如Si02及類似的無(wú)機(jī)隔膜組成以使其具有阻斷 水或氧氣的優(yōu)勢(shì)。為了保護(hù)顯示元件部分3、彈性帶130和基底2以及控 制IC130a之間的連接區(qū)使其免受水或氧氣的滲入，通過(guò)交替地沉積平化 樹脂層14cl、 14c2和414c3以及阻擋層14dl、 14b2和414b3形成多層的 密封隔膜414b。下面將對(duì)此密封結(jié)構(gòu)進(jìn)行更具體地說(shuō)明。如圖18和19所示，平化樹 脂層414c3形成于阻擋層14d2、基底2、彈性帶130的兩側(cè)以及控制IC130a 上，并被阻斷堤壁層414a阻斷。換句話說(shuō)，將平化樹脂層414c3的厚度 設(shè)為等于或小于阻斷堤壁層414a的厚度。將阻擋層414d3放置于平化樹脂層414c3之上。形成阻擋層414d3使 其覆蓋阻斷堤壁層414a并從阻斷堤壁層414a上延伸到緊鄰?fù)獠拷泳€端 130b的位置。如上所述，阻斷堤壁層414a由具有抗熱性和抗溶解性的抗蝕劑制成， 諸如丙烯酸樹脂、聚酰亞胺樹脂及類似物質(zhì)。最好是將阻斷堤壁層414a 的厚度設(shè)為2至600微米。當(dāng)將該層用作阻斷堤壁層414a時(shí)，阻斷堤壁 層414a的厚度取決于用于形成彈性帶、布線圖案、標(biāo)記及類似物的抗蝕 劑層的厚度?？蛇x地，可以利用噴墨法形成具有預(yù)定厚度的阻斷堤壁層 414a。平化樹脂層414c3由丙烯酸樹脂及類似物質(zhì)制成。最好是將平化樹脂層414c3的厚度設(shè)為0.1至10微米。最好是依賴彈性帶的不規(guī)則性來(lái)調(diào) 整平化樹脂層414c3的厚度。阻擋層414d3由諸如鋁、鈦之類金屬或諸如Si02、八1203之類氧化物 制成。優(yōu)選地將阻擋層414d3的厚度設(shè)為10至1000納米。最好是根據(jù)使 用或阻擋特性的需要調(diào)整阻擋層414d3的厚度。通過(guò)使用這種密封結(jié)構(gòu)，平化樹脂層414c3和阻擋層414d3密封了包 括驅(qū)動(dòng)IC130a在內(nèi)的整個(gè)驅(qū)動(dòng)電路；所以，可以避免水或氧氣滲入到驅(qū) 動(dòng)電路和顯示部分之間容易受潮的連接部分，并進(jìn)一步提高了整個(gè)顯示裝 置的可靠性。第五實(shí)施例隨后，下面將對(duì)包括根據(jù)第一至第四實(shí)施例其中之一的顯示裝置的特 定電子設(shè)備例子進(jìn)行說(shuō)明。圖20A為便攜式電話或遙控器例子的透視圖。在圖20A中，參考號(hào) 600表示便攜式電話的主體，參考號(hào)601表示包括如上所述的顯示裝置1、 201、 301以及401其中之一的顯示部分。圖20B為諸如PDA或個(gè)人計(jì)算機(jī)之類便攜式信息處理器例子的透視 圖。在圖20B中，參考號(hào)700表示信息處理器，參考號(hào)701表示諸如鍵 盤之類的輸入裝置，參考號(hào)703表示信息處理器的主體，以及參考號(hào)702 表示包括如上所述的顯示裝置1、201、301以及401其中之一的顯示部分。圖20C為鐘表例子的透視圖。在圖20C中，參考號(hào)800表示鐘表的主 體，參考號(hào)801表示包括如上所述的顯示裝置1、 201、 301以及401其中 之一的顯示部分。圖20A至20C所示的每一電子設(shè)備均包括如上所述的顯示裝置1 、201 、 301以及401其中之一的顯示部分，且具有根據(jù)第一至第五實(shí)施例顯示裝 置相同的優(yōu)點(diǎn)；所以，在薄的同時(shí)，這些電子設(shè)備還顯示出了優(yōu)異的顯示 性能。與用于第一至第五實(shí)施例的方式相同，可以通過(guò)制作包括如圖2所示 驅(qū)動(dòng)IC130a的顯示裝置1、 201、 301以及401其中之一來(lái)制作采用了顯 示裝置1、 201、 301以及401其中之一的諸如便攜式電話、信息處理器或鐘表之類的電子設(shè)備。本發(fā)明并不限于上述實(shí)施例，可以在不離開(kāi)本發(fā)明的范圍內(nèi)進(jìn)行各種 改進(jìn)。例如，可以利用將多個(gè)顯示元件部分3形成于母基底2A上并將該母基底2A分成顯示元件部分3的方式來(lái)制作本發(fā)明的顯示裝置，由此可以 同時(shí)得到多個(gè)顯示裝置。在這種情況下，如圖21所示，當(dāng)噴射樹脂涂層 物質(zhì)時(shí)，優(yōu)選地使用具有多個(gè)對(duì)應(yīng)顯示裝置3的開(kāi)口 "m"的掩膜M。形 成掩膜M的開(kāi)口 "m"使不會(huì)暴露出用于每一顯示裝置的畫在母基底2A 上的切割線2B。結(jié)果，不會(huì)使平化樹脂層和阻擋層形成于切割線2B上； 所以，當(dāng)切割母基底2A時(shí)，不會(huì)使平化樹脂層裂開(kāi)。在上述說(shuō)明中，阻斷區(qū)和有機(jī)堤壁區(qū)由相同材料制成且在相同制作步 驟中形成；不過(guò)，在無(wú)源有機(jī)EL裝置的情況下，最好是將陰極隔離物上 的抗蝕劑或標(biāo)記或?qū)?yīng)阻斷區(qū)的電路板用作阻斷區(qū)，這些元素在現(xiàn)有制作 步驟中形成且具有阻斷功能。工業(yè)適用性如上詳細(xì)說(shuō)明，根據(jù)本發(fā)明顯示裝置的密封結(jié)構(gòu)，通過(guò)沉積平化樹脂 層和阻擋層形成多層密封結(jié)構(gòu)，能夠選擇性地、可靠地密封包括顯示元件 部分的指定部分，且即使在密封區(qū)域較大的情況下，與常規(guī)密封結(jié)構(gòu)相比， 可以使此多層密封結(jié)構(gòu)更?。凰?，與常規(guī)顯示裝置相比可以極大地減小 顯示裝置的整體厚度。此外，阻斷區(qū)可以準(zhǔn)確地確定由沒(méi)有平化樹脂層導(dǎo)致的針孔、破裂和 厚度變化的平化樹脂層和阻擋層形成的多層密封結(jié)構(gòu)的邊緣位置。此外， 通過(guò)保證了表面具有液體親和性的基底和多層密封結(jié)構(gòu)之間的大面積接 觸區(qū)域，提高了多層密封結(jié)構(gòu)邊緣的粘附力，由于阻斷區(qū)的不規(guī)則性，可 以長(zhǎng)期抵御水、氧氣、雜質(zhì)離子及類似物滲入通過(guò)；所以，即使該阻斷區(qū) 較窄，也可以在長(zhǎng)時(shí)期內(nèi)保持優(yōu)異的密封結(jié)構(gòu)阻擋特性和可靠性。結(jié)果，在減小顯示裝置厚度和重量的同時(shí)，可以使有機(jī)EL顯示裝置 或LCD的框架區(qū)窄于常規(guī)顯示裝置的框架區(qū)，由此可以得到增強(qiáng)了外型 設(shè)計(jì)的自由度并有效地利用空間的電子設(shè)備。此外，由于減少了框架區(qū)引起的未使用區(qū)域，可以增加從母基底得到的顯示裝置的數(shù)目，并提高生產(chǎn)率。此外，作為薄而重量輕且具有完整結(jié)構(gòu)和靈活性的密封裝置，本密封 結(jié)構(gòu)可以廣泛地應(yīng)用于電子設(shè)備、電設(shè)備、模塊以及諸如具有多個(gè)元件、 電光模塊、IC卡及類似的電路之類的元件。
權(quán)利要求
1.一種用于在基底上形成或安裝的電子元件部分的帶有阻擋隔膜的密封結(jié)構(gòu)，包括沉積于電子元件部分上的多層的密封隔膜，由覆蓋至少一個(gè)平化樹脂層和至少一個(gè)阻擋層構(gòu)成；在基底上形成的閉環(huán)阻斷區(qū)以圍繞整個(gè)電子元件部分或部分電子元件部分，同時(shí)圍繞平化樹脂層。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的帶有阻擋隔膜用于電子元件部分的密封結(jié) 構(gòu)，其特征在于形成阻擋層以使其延伸到阻斷區(qū)之外。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的帶有阻擋隔膜的用于電子元件部分的密封 結(jié)構(gòu)，其特征在于進(jìn)一步包括置于主阻斷區(qū)之外的另一個(gè)阻斷區(qū)或另外多 個(gè)阻斷區(qū)。
4. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的帶有阻擋隔膜的用于電子元件部分的密封結(jié) 構(gòu)，包括多個(gè)平化樹脂層，其特征在于每一個(gè)平化樹脂層形成于阻斷區(qū)之 一的內(nèi)部。
5. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的帶有阻擋隔膜的用于電子元件部分的密封結(jié) 構(gòu)，包括多個(gè)阻擋層，其特征在于形成每一個(gè)阻擋層以使其延伸到每一阻 斷區(qū)的之外。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的帶有阻擋隔膜的用于電子元件部分的密封結(jié) 構(gòu)，其特征在于利用有機(jī)材料制成且表面具有液體排斥性的外圍堤壁層形 成阻斷區(qū)。
7. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的帶有阻擋隔膜的用于電子元件部分的密封結(jié) 構(gòu)，其特征在于利用延伸在基底上的閉環(huán)液體排斥區(qū)形成阻斷區(qū)。
8. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的帶有阻擋隔膜的用于電子元件部分的密封結(jié) 構(gòu)，其特征在于至少在基底上的阻斷區(qū)之內(nèi)形成液體親和性處理的隔膜。
9. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的帶有阻擋隔膜的用于電子元件部分的密封結(jié) 構(gòu)，其特征在于利用處理部分液體親和性處理的隔膜以使其具有液體排斥 性而形成液體排斥區(qū)域。
10. —種顯示裝置包括 形成于或安裝于基底上的顯示元件；形成于基底上的閉環(huán)阻斷區(qū)，以使其圍繞整個(gè)顯示元件或該顯示元件的部分；以及通過(guò)將至少一個(gè)平化樹脂層和至少一個(gè)阻擋層沉積于顯示元件上形成 的多層密封結(jié)構(gòu)，其特征在于平化樹脂層形成于阻斷區(qū)之內(nèi)。
11. 根據(jù)權(quán)利要求IO所述的顯示裝置，其特征在于形成阻擋層以使其 延伸到阻斷區(qū)之外。
12. 根據(jù)權(quán)利要求10所述的顯示裝置，其特征在于進(jìn)一步包括置于主 阻斷區(qū)之外的另一個(gè)阻斷區(qū)或另外多個(gè)阻斷區(qū)。
13. 根據(jù)權(quán)利要求12所述的顯示裝置，包括多個(gè)平化樹脂層，其特征 在于每一個(gè)平化樹脂層形成于阻斷區(qū)之一的內(nèi)部。
14. 根據(jù)權(quán)利要求12所述的顯示裝置，包括多個(gè)阻擋層，其特征在于 形成每一個(gè)阻擋層以使其延伸到每一阻斷區(qū)的之外。
15. 根據(jù)權(quán)利要求10所述的顯示裝置，其特征在于利用由有機(jī)材料制 成且表面具有液體排斥性的外圍堤壁層形成阻斷區(qū)。
16. 根據(jù)權(quán)利要求10所述的顯示裝置，其特征在于利用延伸在基底上 的閉環(huán)液體排斥區(qū)形成阻斷區(qū)。
17. 根據(jù)權(quán)利要求10所述的顯示裝置，其特征在于，至少在基底上的 阻斷區(qū)之內(nèi)形成液體親和性處理的隔膜。
18. 根據(jù)權(quán)利要求16所述的顯示裝置，其特征在于，利用處理部分液 體親和性處理的隔膜以使其具有液體排斥性而形成液體排斥區(qū)域。
19. 根據(jù)權(quán)利要求10所述的顯示裝置，其特征在于， 顯示元件包括多個(gè)發(fā)光元件，以及限定這些發(fā)光元件的堤壁，以及 每一個(gè)發(fā)光元件包括電極、緊鄰電極放置的有源層以及與緊鄰有源層放置的反向電極。
20. 根據(jù)權(quán)利要求10所述的顯示裝置，進(jìn)一步包括用于驅(qū)動(dòng)顯示元件 的驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于該驅(qū)動(dòng)電路被至少一個(gè)平化樹脂層和至少一個(gè)阻擋層封裝。
21. —種包括根據(jù)權(quán)利要求IO所述的顯示裝置的電子設(shè)備。
22. —種用于制作電子元件的方法，該方法包括步驟提供一個(gè)基底； 在基底上形成閉環(huán)阻斷區(qū)；在阻斷區(qū)內(nèi)部涂上一層包含樹脂單體或樹脂低聚體的樹脂涂層物質(zhì)； 在進(jìn)行涂層之后使樹脂涂層物質(zhì)聚合以形成平化樹脂層；以及 形成阻擋層以覆蓋至少平化樹脂層和阻斷區(qū)。
23. 根據(jù)權(quán)利要求22所述的制作電子元件的方法，其特征在于在形成 平化樹脂層的步驟和形成阻擋層的步驟被交替地重復(fù)多次，以形成平化樹 脂層和阻擋層交替覆蓋的多層的密封隔膜。
全文摘要
本發(fā)明涉及電子元件、顯示裝置、密封結(jié)構(gòu)及制作電子元件的方法。其中所述密封結(jié)構(gòu)具有阻擋隔膜，采用這種密封結(jié)構(gòu)，可以在保證足以抵御水和氧氣的阻擋特性以避免對(duì)發(fā)光層損壞的同時(shí)，減小顯示裝置的整體厚度。該密封結(jié)構(gòu)包括，用于密封基底2上電子元件部分3的多層樹脂隔膜14b，該隔膜由交替地在基底2上沉積平化樹脂層14c和阻擋層14d形成。平化樹脂層形成于圍繞電子元件部分3的阻斷區(qū)14a之內(nèi)。還公開(kāi)了一種具有該密封結(jié)構(gòu)的顯示裝置、一種具有該密封結(jié)構(gòu)的電子設(shè)備以及一種用于該顯示裝置的制作方法。
文檔編號(hào)H05B33/10GK101257096SQ20081008180
公開(kāi)日2008年9月3日 申請(qǐng)日期2003年1月15日 優(yōu)先權(quán)日2002年1月15日
發(fā)明者今村陽(yáng)一 申請(qǐng)人:精工愛(ài)普生株式會(huì)社