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      電路板及其制作方法

      文檔序號:8123634閱讀:124來源:國知局
      專利名稱:電路板及其制作方法
      技術(shù)領(lǐng)域
      本發(fā)明涉及電路板技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種電路板及其制作方法。
      背景技術(shù)
      隨著科學(xué)技術(shù)的不斷發(fā)展,超小型移動電話、便攜式計算器及汽車用電子產(chǎn)品等都對產(chǎn) 品的小型化、輕型化提出了更高的要求。為了適應(yīng)這一需求,電子產(chǎn)品中的電路集成度不斷 提高,印刷電路板的線路也日趨高密度化,線路的寬度、相鄰線路的間距、導(dǎo)電通孔的尺寸 等也隨之日趨細(xì)小。因此,柔性印刷電路板(FPCB)以其輕薄、韌性及可撓性、線路可微細(xì)性 等優(yōu)良性能而逐漸替代硬性電路板,越來越多地應(yīng)用于各類電子元件間的電性連接。
      印刷電路板的導(dǎo)電線路制作通常采用光阻曝光蝕刻法。光阻曝光蝕刻法通常包括涂布光 阻、曝光、顯影、蝕刻線路以及去除光阻等多個步驟。參見文獻(xiàn),Moon-Youn Jung, Won Ick Jang, Chang Auck Choi, Myung Rae Lee, Chi Hoon Jun, Youn Tae Kim; Novel lithography process for extreme deep trench by using laminated negative dry film resist; 2004: 685-688; 2004. 17th IEEE International Conference on Micro Electro Mechanical Systems。然而,光阻曝光蝕刻法制程冗長、耗費(fèi)大量化學(xué)藥品、產(chǎn)生大量化學(xué) 廢棄物、浪費(fèi)大量的銅,因此,不利于工藝的簡化以及原材料的節(jié)省,并且不利于環(huán)境優(yōu)化

      發(fā)明內(nèi)容
      有鑒于此,有必要提供一種制程簡單且不會對環(huán)境造成危害的電路板的制作方法,并提 供一種由此方法所得到的電路板。
      以下以實(shí)施例說明 一種電路板及其制作方法。
      一種電路板的制作方法,包括步驟提供一絕緣基底;于該絕緣基底至少一表面形成圖 案化的光阻層,使得絕緣基底部分表面未被圖案化的光阻層所覆蓋;于絕緣基底的未被圖案 化的光阻層所覆蓋的表面沉積導(dǎo)電金屬層;去除圖案化的光阻層,從而得到待制作的電路板
      一種電路板,其包括基底及形成于基底表面的導(dǎo)電線路,所述導(dǎo)電線路采用沉積法形成
      利用所述沉積法形成的導(dǎo)電線路的厚度遠(yuǎn)遠(yuǎn)小于現(xiàn)有技術(shù)中采用化學(xué)蝕刻法所形成的導(dǎo)電線路的厚度。另外,采用化學(xué)蝕刻法制作線路過程中,大量的銅需要被蝕刻掉,而造成銅 材料的大量浪費(fèi),而本實(shí)施例中,可根據(jù)所要制作線路的厚度沉積相應(yīng)量的銅,從而可以大 幅度減少了銅材料的浪費(fèi)。


      圖1是本技術(shù)方案第一實(shí)施例絕緣基底的示意圖。
      圖2是在圖1中的絕緣基底的表面形成圖案化的光阻層的示意圖。
      圖3是在圖2的絕緣基底以及圖案化的光阻層表面進(jìn)行沉積生長層的示意圖。
      圖4是在圖3的生長層表面進(jìn)行沉積導(dǎo)電金屬層的示意圖。
      圖5是去除圖4中圖案化的光阻層后所得到的電路板的示意圖。
      具體實(shí)施例方式
      下面將結(jié)合附圖及實(shí)施例對本技術(shù)方案的電路板及其制作方法作進(jìn)一步的詳細(xì)說明。 本實(shí)施例提供一種電路板的制作方法,旨在利用沉積法在絕緣基材的表面形成線路。所
      述沉積法包括化學(xué)氣相沉積法(CVD)以及物理氣相沉積法(PVD)。其中,物理氣相沉積法包括
      熱蒸鍍法及濺鍍法。
      以下,結(jié)合圖1至圖5具體說明本技術(shù)方案第一實(shí)施例電路板的制作方法。所述待制作的 電路板100可以為硬性電路板、軟性電路板以及軟硬結(jié)合板。本實(shí)施例中,以制作軟性電路 板100為例,具體說明利用沉積法在軟性絕緣基材表面形成線路的方法。
      第一步,如圖1所示,提供一絕緣基底iio。
      該絕緣基底110采用用于制作軟性電路板的基材,該基材通常為軟性樹脂材料,其包括 聚酰亞胺(PI)、聚對苯二甲酸乙烯酯(PET)、聚二甲酸乙二酯(PEN)等。
      根據(jù)所要制作的電路板的結(jié)構(gòu)可以選擇不同結(jié)構(gòu)的絕緣基底110,例如,當(dāng)待制作的電 路板為單層板時,所述絕緣基底110為一層絕緣層;當(dāng)待制作的電路板為多層電路板時,所 述絕緣基底110為一由多層板和一絕緣層壓合后所形成的結(jié)構(gòu)。
      第二步,如圖2所示,在所述絕緣基底110的至少一表面形成圖案化的光阻層120。
      本實(shí)施例中,在絕緣基底110的一個表面形成圖案化的光阻層120。所述圖案化的光阻層 120的形成方法包括首先,在所述絕緣基底110的一個表面形成光阻層121,然后,對該光 阻層121進(jìn)行曝光、顯影,從而得到所需圖案化的光阻層120。當(dāng)然,若需要制作雙面電路板 ,可以在絕緣基底110的兩個相對的表面上形成光阻層121,經(jīng)曝光、顯影在絕緣基底110的 兩個相對的表面形成圖案化的光阻層120。
      所述光阻層121可以為干膜光阻,采用壓合的方式結(jié)合在絕緣基底110的表面;所述光阻層121也可以為液態(tài)光阻經(jīng)固化后形成的薄膜,所述液態(tài)光阻可以采用涂布或印刷的方式形 成在絕緣基底110的表面。所述涂布方式包括噴涂、旋轉(zhuǎn)涂布等。所述光阻層121的材料通常 為有機(jī)樹脂,例如本實(shí)施例中,利用壓合方式將干膜狀的亞克力(Acrylic)樹脂壓合在絕緣 基底110的一個表面。
      由于所述絕緣基底110的表面形成有圖案化的光阻層120,因此,所述絕緣基底110的表 面分為兩部分,S卩,第一部分表面111未被圖案化的光阻層120所覆蓋,第二部分表面112被 圖案化的光阻層120所覆蓋。
      第三步,如圖3及圖4所示,利用沉積法在絕緣基底110未被圖案化的光阻層120所覆蓋的 表面形成導(dǎo)電金屬層130, g卩,得到導(dǎo)電線路。
      為了使得導(dǎo)電金屬層130能夠較好的附著于絕緣基底110未被圖案化的光阻層120所覆蓋 的表面,S卩,第一部分表面lll,最好預(yù)先在第一部分表面111形成生長層131,如圖3所示。 所述生長層131的材料采用可以與導(dǎo)電金屬層130能夠較好結(jié)合的材料,例如可以為鎳、銀或 鈀等,其可以通過沉積法形成在第一部分表面lll 。所述沉積法為化學(xué)氣相沉積法或物理氣 相沉積法。其中,物理氣相沉積法包括熱蒸鍍法及濺鍍法。本實(shí)施例中,生長層131為采用 熱蒸鍍法沉積的鎳金屬層。
      然后,利用沉積法于生長層131的表面沉積導(dǎo)電金屬層130,所述沉積法同樣可以為化學(xué) 氣相沉積法或物理氣相沉積法。其中,物理氣相沉積法包括熱蒸鍍法及濺鍍法。所述導(dǎo)電金 屬層130的材料可以為銅、銀、鋁、上述各種金屬的合金或其他合適的金屬或合金。本實(shí)施 例中,導(dǎo)電金屬層130為采用熱蒸鍍法沉積的銅層。
      由于在熱蒸鍍過程中,所述具有圖案化的光阻層120的絕緣基底110整體放置在蒸鍍室中 進(jìn)行,因此,除未被圖案化的光阻層120所覆蓋的第一部分表面111沉積有生長層131之外, 所述光阻層120的表面也會不可避免的沉積有生長層131。同理,在沉積導(dǎo)電金屬層130過程 中,所述導(dǎo)電金屬層130也會不可避免的沉積在形成在光阻層120表面的生長層131的表面。
      由于絕緣基底110的第一部分表面111用于與形成的導(dǎo)電線路結(jié)合,因此,所述第一部分 表面lll所具有的圖案形狀與待制作的導(dǎo)電線路的形狀相同。因此,當(dāng)導(dǎo)電金屬層130形成于 第一部分表面lll,所述導(dǎo)電金屬層130便可構(gòu)成與第一部分表面111相同的圖案,g卩,導(dǎo)電 金屬層130為所要制作的導(dǎo)電線路,如圖4所示。
      根據(jù)電路板結(jié)構(gòu)的需要,導(dǎo)電線路的線路形狀、線路厚度、線寬均可以在上述制作過程 中得以控制。例如,可以通過設(shè)定不同圖案化的光阻層120可以,形成不同形狀的第一部分 表面lll,從而得到不同線路形狀的導(dǎo)電線路。類似地,可以通過改變圖案化的光阻層120的
      6結(jié)構(gòu),增大或縮小第一部分表面lll的寬度,從而得到不同線寬的導(dǎo)電線路。另外,可以通 過控制沉積的時間,使得導(dǎo)電金屬層l30在第一部分表面11 l沉積不同的厚度,從而得到不同 線路厚度的導(dǎo)電線路。
      利用所述沉積法所形成的導(dǎo)電金屬層130的厚度遠(yuǎn)遠(yuǎn)小于目前采用化學(xué)蝕刻法所形成的 線路厚度。目前采用化學(xué)蝕刻法所形成的線路厚度等于或大于8微米,而沉積法所形成的導(dǎo) 電金屬層130的厚度可以小于1微米。本實(shí)施例中,為了得到厚度較小的電路板,所述導(dǎo)電金 屬層130的厚度可控制在0. l微米 0. 15微米之間。
      最后,如圖5所示,去除圖案化的光阻層120,從而得到待制作的電路板IOO,形成在絕 緣基底11 O表面的導(dǎo)電金屬層130即為電路板100的導(dǎo)電線路。
      選用適當(dāng)?shù)膭冸x液,將結(jié)合有圖案化的光阻層120以及導(dǎo)電金屬層130的絕緣基底110設(shè) 置在所述剝離液中,并輔以攪拌或震蕩,以加速圖案化的光阻層120溶解。待圖案化的光阻 層120完全溶解后,將結(jié)合有導(dǎo)電金屬層130的絕緣基底110設(shè)置在清洗劑中清洗,并經(jīng)晾干 或烘干后,使得得到形成在絕緣基底110表面的導(dǎo)電線路。所述剝離液為可以使光阻層層 120溶解的有機(jī)溶劑或堿液。本實(shí)施例中,剝離液為NaOH溶液。
      在上述光阻層120溶解過程中,所述形成在光阻層120表面的生長層131以及導(dǎo)電金屬層 130也會隨之脫落于剝離液中。因此,在最終的電路板100結(jié)構(gòu)中,形成在光阻層120表面的 生長層131以及導(dǎo)電金屬層130不會影響最終的導(dǎo)電線路結(jié)構(gòu)。
      采用上述方法制作的電路板100為軟性電路板,由于其導(dǎo)電線路采用沉積法制作,其導(dǎo) 電線路的厚度可以小于8微米,甚至達(dá)到l微米以下,例如導(dǎo)電線路的厚度可控制在O. l微米 0. 15微米之間。
      本技術(shù)方案第二實(shí)施例提供一種硬性電路板的制作方法,該方法與上述第一實(shí)施例相似 。具體步驟為首先,提供絕緣基底。該絕緣基底采用用于制作硬性電路板的基材,該基材 通常為半固化膠片,其包括玻纖布基環(huán)氧樹脂、玻纖布基酚醛樹脂、紙基環(huán)氧樹脂、紙基酚 醛樹脂等。其次,在絕緣基底表面形成圖案化的光阻層。所述光阻層最好選用液態(tài)光阻經(jīng)固 化后形成的薄膜,所述液態(tài)光阻可以為液態(tài)感光綠漆,其主要成分為壓克力樹脂。由于液態(tài) 光阻可以均勻的涂布于絕緣基底的表面,且與絕緣基底的表面緊密結(jié)合。圖案化的光阻層使 得絕緣基底部分表面被圖案化的光阻層所覆蓋,另一部分表面未被圖案化的光阻層所覆蓋。 再次,在絕緣基底未被圖案化的光阻層所覆蓋的表面沉積導(dǎo)電金屬層。最后,去除圖案化的 光阻層,沉積在絕緣基底表面的導(dǎo)電金屬層形成導(dǎo)電線路,從而得到待制作的硬性電路板。 由液態(tài)感光綠漆所形成的圖案化的光阻層,可以采用NaOH溶液為剝離液而去除。
      7綜上所述,上述實(shí)施例的各種電路板結(jié)構(gòu)中,利用所述沉積法形成的導(dǎo)電線路的厚度遠(yuǎn) 遠(yuǎn)小于現(xiàn)有技術(shù)中采用化學(xué)蝕刻法所形成的導(dǎo)電線路的厚度,采用化學(xué)蝕刻法形成的導(dǎo)電線 路的厚度一般大于或等于8微米,而本實(shí)施例中沉積法形成的導(dǎo)電線路(即導(dǎo)電金屬層130)的 厚度可以遠(yuǎn)遠(yuǎn)小于8微米。例如,本實(shí)施例中導(dǎo)電金屬層130的厚度為0. l微米 0. 15微米。由 于線路厚度大大減小,這樣,可促進(jìn)電路板結(jié)構(gòu)的薄型化發(fā)展。另外,目前采用化學(xué)蝕刻法 制作線路過程中,大量的銅需要被蝕刻掉,而造成銅材料的大量浪費(fèi),而本實(shí)施例中,可根 據(jù)所要制作線路的厚度沉積相應(yīng)量的銅,從而可以大幅度減少了銅材料的浪費(fèi)。
      可以理解的是,對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說,可以根據(jù)本發(fā)明的技術(shù)構(gòu)思做出其它 各種相應(yīng)的改變與變形,而所有這些改變與變形都應(yīng)屬于本發(fā)明權(quán)利要求的保護(hù)范圍。
      權(quán)利要求
      權(quán)利要求1一種電路板的制作方法,包括步驟提供一絕緣基底;于該絕緣基底至少一表面形成圖案化的光阻層,使得絕緣基底部分表面被圖案化的光阻層所覆蓋;于絕緣基底的未被圖案化的光阻層所覆蓋的表面沉積導(dǎo)電金屬層;去除圖案化的光阻層,從而得到待制作的電路板。
      2.如權(quán)利要求l所述的電路板的制作方法,其特征在于,所述采用 物理氣相沉積法或化學(xué)氣相沉積法形成導(dǎo)電金屬層。
      3.如權(quán)利要求l所述的電路板的制作方法,其特征在于,沉積導(dǎo)電 金屬層之前,先于絕緣基底的未被圖案化的光阻層所覆蓋的表面沉積一生長層。
      4.如權(quán)利要求3所述的電路板的制作方法,其特征在于,所述采用 物理氣相沉積法或化學(xué)氣相沉積法形成生長層。
      5.如權(quán)利要求4所述的電路板的制作方法,其特征在于,所述生長 層的材料為鎳、銀或鈀。
      6.如權(quán)利要求l所述的電路板的制作方法,其特征在于,所述導(dǎo)電 金屬層的材料為銅、銀、鋁或所述金屬的合金。
      7. 一種電路板,其包括基底及形成于基底表面的導(dǎo)電線路,其特征 在于,所述導(dǎo)電線路采用沉積法形成。
      8.如權(quán)利要求7所述的電路板,其特征在于,所述導(dǎo)電線路與基底之 間具有通過沉積法形成的生長層。
      9.如權(quán)利要求8所述的電路板,其特征在于,所述生長層的材料為 鎳、銀或鈀。
      10.如權(quán)利要求7所述的電路板,其特征在于,所述導(dǎo)電線路的厚度小于8微米。
      11 如權(quán)利要求7所述的電路板,其特征在于,所述基底為軟性絕緣 基底或硬性絕緣基底。
      12 如權(quán)利要求ll所述的電路板,其特征在于,所述軟性絕緣基底 的材料為聚酰亞胺、聚對苯二甲酸乙烯酯或聚二甲酸乙二酯。
      13 如權(quán)利要求ll所述的電路板,其特征在于,所述硬性絕緣基底 的材料為玻纖布基環(huán)氧樹脂、玻纖布基酚醛樹脂、紙基環(huán)氧樹脂或紙基酚醛樹脂。
      全文摘要
      本發(fā)明提供一種電路板的制作方法,包括步驟提供一絕緣基底;于該絕緣基底至少一表面形成圖案化的光阻層,使得絕緣基底部分表面未被圖案化的光阻層所覆蓋;于絕緣基底的未被圖案化的光阻層所覆蓋的表面沉積導(dǎo)電金屬層;去除圖案化的光阻層,從而得到待制作的電路板。另外,提供一種由上述方法所制得的電路板。
      文檔編號H05K3/18GK101489356SQ20081030012
      公開日2009年7月22日 申請日期2008年1月16日 優(yōu)先權(quán)日2008年1月16日
      發(fā)明者劉興澤, 賴永偉, 黃鳳艷 申請人:富葵精密組件(深圳)有限公司;鴻勝科技股份有限公司
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