專利名稱：內(nèi)埋式線路板及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種線路板及其制造方法，特別是涉及一種內(nèi)埋式線路板及其制造方法。
背景技術(shù)：
現(xiàn)今的線路板技術(shù)已經(jīng)發(fā)展出一種內(nèi)埋式線路板(embedded circuitboard)，而 這種線路板在其表面的線路是埋入于介電層(dielectric layer)中，并非凸出于介電層的表面。圖1是現(xiàn)有的一種內(nèi)埋式線路板的剖面示意圖。請參閱圖1所示，現(xiàn)有習(xí)知的內(nèi) 埋式線路板100包括一介電層110、二線路層120a、120b以及一導(dǎo)電柱130。介電層110具 有互為相對的上表面112與下表面114、一盲孔Tl以及一位于上表面112的凹槽Si，而這 些線路層120a、120b分別埋設(shè)于上表面112與下表面114。線路層120a包括至少一接墊(pad) 122a以及多條走線(trace) 124a,而線路層 120b包括至少一接墊12 以及多條走線124b，其中接墊12 配置于凹槽Sl中，而導(dǎo)電柱 130配置于盲孔Tl中，并連接于接墊12 與接墊122b之間。如此，線路層120a、120b可以 彼此電性連接。接墊12 與導(dǎo)電柱130 二者通常是由一金屬層102以及一電鍍沉積物104所構(gòu) 成，而走線12 則是由金屬層106與電鍍沉積層108所構(gòu)成。金屬層102覆蓋凹槽Sl與 盲孔Tl 二者的所有表面，而電鍍沉積物104位于金屬層102上，其中金屬層102與電鍍沉 積物104填滿凹槽Sl與盲孔Tl，以形成接墊12 以及導(dǎo)電柱130。一般而言，金屬層102、106大多是以無電電鍍(electroless plating)方式而形 成，而電鍍沉積物104與電鍍沉積層108通常是以有電電鍍(electroplating)方式而形 成。詳細(xì)而言，在形成金屬層102、106的過程中，并沒有施加任何外部電流，而電鍍沉積物 104,108則是需要外部電流的施加才能形成。承上所述，由于金屬層102、106的形成方式不同于電鍍沉積物104、108的形成方 式，因此金屬層102與電鍍沉積物104之間存在有一交界面(interface) Fl，而金屬層106 與電鍍沉積層108之間存在有一交界面F2。將內(nèi)埋式線路板100切片之后，利用光學(xué)顯微 鏡，可以看見交界面F1、F2。為了形成金屬層102、106，在介電層110的上表面112上、凹槽Sl內(nèi)以及盲孔Tl 內(nèi)通常須要先形成種子層(seed layer，圖1未繪示)，而種子層通常為活化鈀層。種子層 會與用來形成金屬層102、106所采用的化學(xué)藥液發(fā)生氧化還原反應(yīng)，以還原化學(xué)藥液內(nèi)的 金屬離子，進(jìn)而形成金屬層102、106。如此，內(nèi)埋式線路板100可以制造完成。由此可見，上述現(xiàn)有的內(nèi)埋式線路板及其制造方法在產(chǎn)品結(jié)構(gòu)、方法與使用上，顯 然仍存在有不便與缺陷，而亟待加以進(jìn)一步改進(jìn)。為了解決上述存在的問題，相關(guān)廠商莫不 費(fèi)盡心思來謀求解決之道，但長久以來一直未見適用的設(shè)計(jì)被發(fā)展完成，而一般產(chǎn)品及方 法又沒有適切的結(jié)構(gòu)及方法能夠解決上述問題，此顯然是相關(guān)業(yè)者急欲解決的問題。因此如何能創(chuàng)設(shè)一種新的內(nèi)埋式線路板及其制造方法，實(shí)屬當(dāng)前重要研發(fā)課題之一，亦成為當(dāng) 前業(yè)界極需改進(jìn)的目標(biāo)。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種內(nèi)埋式線路板的制造方法，其能在未采用有電電鍍方式的條件 下，以無電電鍍方式形成至少一根實(shí)心導(dǎo)電柱。本發(fā)明另提供一種內(nèi)埋式線路板，其利用上述制造方法來制造。本發(fā)明是采用以下技術(shù)方案來實(shí)現(xiàn)的。依據(jù)本發(fā)明提出的一種內(nèi)埋式線路板的制 造方法。首先，形成一活化絕緣層，其中活化絕緣層包括多顆觸媒顆粒，并覆蓋一第一線路 層。；在活化絕緣層上形成一凹刻圖案(intaglio pattern)以及至少一局部暴露第一線路 層的盲孔，其中一些觸媒顆粒活化并裸露于凹刻圖案內(nèi)與盲孔內(nèi)。將活化絕緣層浸泡于一 第一化鍍藥液(first chemical plating solution)中，并以無電電鍍方式在盲孔內(nèi)形成 一實(shí)心導(dǎo)電柱。在形成實(shí)心導(dǎo)電柱之后，將活化絕緣層浸泡于一第二化鍍藥液中，并以無電 電鍍方式在凹刻圖案內(nèi)形成一第二線路層，其中第一化鍍藥液與第二化鍍藥液二者的成分 相異。前述的內(nèi)埋式線路板的制造方法，其中形成凹刻圖案與盲孔的方法以及活化 (activating)裸露于凹刻圖案內(nèi)與盲孔內(nèi)的這些觸媒顆粒的方法皆包括一激光燒蝕 (laser ablation)、一等離子體蝕刻(plasma etching)或一機(jī)械加工法。前述的內(nèi)埋式線路板的制造方法，其中所述的活化絕緣層形成于一內(nèi)層線路基板 上，而第一線路層位于內(nèi)層線路基板上，并電性連接內(nèi)層線路基板。前述的內(nèi)埋式線路板的制造方法，其中所述的第一化鍍藥液的抑制劑(carrier) 濃度高于第二化鍍藥液的抑制劑濃度。前述的內(nèi)埋式線路板的制造方法，其中所述的第一化鍍藥液的陰離子與第二化鍍 藥液的陰離子二者種類相異。前述的內(nèi)埋式線路板的制造方法，其中在形成實(shí)心導(dǎo)電柱之前，形成凹刻圖案。前述的內(nèi)埋式線路板的制造方法，其中當(dāng)凹刻圖案是在形成實(shí)心導(dǎo)電柱之前而形 成時(shí)，本發(fā)明更包括，當(dāng)活化絕緣層浸泡于第一化鍍藥液時(shí)，以無電電鍍方式在凹刻圖案內(nèi) 形成多個金屬沉積層。此時(shí)這些金屬沉積層未填滿凹刻圖案。之后，當(dāng)活化絕緣層浸泡于 第二化鍍藥液時(shí)，形成第二線路層于這些金屬沉積層上，其中這些金屬沉積層、第二線路層 以及實(shí)心導(dǎo)電柱填滿凹刻圖案。前述的內(nèi)埋式線路板的制造方法，其中在形成實(shí)心導(dǎo)電柱之后，形成凹刻圖案。前述的內(nèi)埋式線路板的制造方法，其中當(dāng)凹刻圖案是在形成實(shí)心導(dǎo)電柱之后而形 成時(shí)，本發(fā)明更包括，在形成凹刻圖案之前，降低實(shí)心導(dǎo)電柱相對于第一線路層的高度，其 中在降低實(shí)心導(dǎo)電柱相對于第一線路層的高度之后，以及形成第二線路層以前，實(shí)心導(dǎo)電 柱未填滿盲孔。降低實(shí)心導(dǎo)電柱相對于第一線路層的高度的方法包括蝕刻實(shí)心導(dǎo)電柱。本發(fā)明另提出的一種內(nèi)埋式線路板，包括一活化絕緣層、一第一線路層、一第二線 路層以及一實(shí)心導(dǎo)電柱。活化絕緣層具有一上表面與一相對上表面的下表面，并包括多個 觸媒顆粒。第一線路層位于下表面，并包括至少一埋設(shè)于下表面的第一接墊。第二線路層 位于上表面，并包括至少一埋設(shè)于上表面的第二接墊。實(shí)心導(dǎo)電柱配置于活化絕緣層中，并接觸一些觸媒顆粒。實(shí)心導(dǎo)電柱連接于第一接墊與第二接墊之間，其中實(shí)心導(dǎo)電柱與第二 接墊之間存在有一上交界平面(upper interface plane)，而上交界平面劃分實(shí)心導(dǎo)電柱 與第二接墊。上交界平面與上表面之間的距離不大于上交界平面與下表面之間的距離。前述的內(nèi)埋式線路板，其中所述的上交界平面至第一線路層的距離與上表面至第 一線路層的距離的比值介于50%至90%之間。前述的內(nèi)埋式線路板，其中所述的實(shí)心導(dǎo)電柱與第一接墊之間存在有一下交界平前述的內(nèi)埋式線路板，更包括一內(nèi)層線路基板?；罨^緣層與第一線路層皆配置 于內(nèi)層線路基板上，且第一線路層電性連接內(nèi)層線路基板。前述的內(nèi)埋式線路板，其中所述的活化絕緣層具有一位于上表面的凹刻圖案，第 二線路層位于凹刻圖案內(nèi)。凹刻圖案包括至少一凹槽，而第二接墊位于凹槽中。所述的活 化絕緣層更具有一位于凹槽下方的盲孔，而實(shí)心導(dǎo)電柱配置于盲孔內(nèi)，其中所述的上交界 平面位于凹槽的底面的上方。前述的內(nèi)埋式線路板，其中所述的上交界平面的寬度大于盲孔的孔徑。前述的內(nèi)埋式線路板，其中所述的實(shí)心導(dǎo)電柱包括一槽體以及一連接槽體的實(shí)心 柱體，而槽體位于凹槽內(nèi)。實(shí)心柱體位于盲孔內(nèi)，而第二接墊位于槽體內(nèi)。前述的內(nèi)埋式線路板，其中所述的槽體與實(shí)心柱體為一體成型。前述的內(nèi)埋式線路板，其中所述的第二接墊接觸另一些觸媒顆粒。前述的內(nèi)埋式線路板，其中所述的上交界平面位于凹槽的底面的下方，所述的上 交界平面至該第一線路層的距離與該上表面至該第一線路層的距離的比值介于50%至 90%之間。前述的內(nèi)埋式線路板，其中所述的上交界平面實(shí)質(zhì)上與凹槽的底面切齊。前述的內(nèi)埋式線路板，其中所述的活化絕緣層更包括一高分子量化合物，而這些 觸媒顆粒分布于高分子量化合物中?；谏鲜觯景l(fā)明利用活化絕緣層與二成分相異的第一化鍍藥液與第二化鍍藥 液，并且在沒有施加任何外部電流的條件下，經(jīng)由化學(xué)反應(yīng)而形成至少一實(shí)心導(dǎo)電柱。由此 可知，本發(fā)明是以無電電鍍方式來形成實(shí)心導(dǎo)電柱。上述說明僅是本發(fā)明技術(shù)方案的概述，為了能夠更清楚了解本發(fā)明的技術(shù)手段， 而可依照說明書的內(nèi)容予以實(shí)施，并且為了讓本發(fā)明的上述和其他目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠 更明顯易懂，以下特舉實(shí)施例，并配合附圖，詳細(xì)說明如下。


圖1是的一種內(nèi)埋式線路板的剖面示意圖。圖2A至圖2D是本發(fā)明一實(shí)施例的內(nèi)埋式線路板的制造方法的流程的剖面示意 圖。圖3A至圖3E是本發(fā)明另一實(shí)施例的內(nèi)埋式線路板的制造方法的流程的剖面示意 圖。圖4A至圖4C是本發(fā)明又一實(shí)施例的內(nèi)埋式線路板的制造方法的流程的剖面示意 圖。
100、200、300、400 內(nèi)埋式線路板 102、106 金屬層
104、108 電鍍沉積物110 介電層
112,212a 上表面114,212b 下表面
120a、120b 線路層122a、122b 接墊
124a、124b、224、234、334走線 130:導(dǎo)電柱
210 活化絕緣層214 凹刻圖案
214a、Sl 凹槽214b 溝渠
216 觸媒顆粒218 高分子量化合物
220 第一線路層220a、230a、330a 表面
222 第一接墊230,330,430 第二線路層
232、332、432 第二接墊240、340、340’、440 實(shí)心導(dǎo)電柱
242 槽體244 實(shí)心柱體
250 金屬沉積層260:內(nèi)層線路基板
Bl 底面D1、D2、D3、D4、D7、D8 距離
D5、D5，、D6 高度F1、F2、F5 交界面
F3、F6、F8 上交界平面F4、F7 下交界平面
Rl 孔徑T1、T2、T2，盲孔
Wl 寬度
具體實(shí)施例方式為更進(jìn)一步闡述本發(fā)明為達(dá)成預(yù)定發(fā)明目的所采取的技術(shù)手段及功效，以下結(jié)合 附圖及實(shí)施例，對依據(jù)本發(fā)明提出的內(nèi)埋式線路板及其制造方法其具體實(shí)施方式
、結(jié)構(gòu)、方 法、步驟、特征及其功效，詳細(xì)說明如后。有關(guān)本發(fā)明的前述及其他技術(shù)內(nèi)容、特點(diǎn)及功效，在以下配合參考圖式的實(shí)施例 的詳細(xì)說明中將可清楚呈現(xiàn)。通過具體實(shí)施方式
的說明，當(dāng)可對本發(fā)明為達(dá)成預(yù)定目的所 采取的技術(shù)手段及功效獲得一更加深入且具體的了解，然而所附圖式僅是提供參考與說明 之用，并非用來對本發(fā)明加以限制。圖2A至圖2D是本發(fā)明一實(shí)施例的內(nèi)埋式線路板的制造方法的流程的剖面示意 圖。請先參閱圖2D所示，在此先介紹本實(shí)施例的內(nèi)埋式線路板200的結(jié)構(gòu)。內(nèi)埋式線路板 200包括一活化絕緣層210、一第一線路層220、一第二線路層230以及至少一實(shí)心導(dǎo)電柱 M0，其中第一線路層220與第二線路層230分別配置于活化絕緣層210的相對二面。詳細(xì)而言，活化絕緣層210具有一上表面21 以及一相對上表面21 的下表面 21 ，其中第一線路層220位于下表面212b，而第二線路層230位于上表面21加。第一線 路層220與第二線路層230分別埋設(shè)于下表面212b與上表面21加，而且第一線路層220的 表面220a可以實(shí)質(zhì)上與下表面212b切齊，第二線路層230的表面230a可以實(shí)質(zhì)上與上表 面21 切齊。 第一線路層220包括至少一第一接墊222以及多條走線224，而第一接墊222與這 些走線224皆埋設(shè)于活化絕緣層210的下表面212b。第二線路層230包括至少一第二接墊 232以及多條走線234，而第二接墊232與這些走線234皆埋設(shè)于活化絕緣層210的上表面21加。實(shí)心導(dǎo)電柱240配置于活化絕緣層210中，并且連接于第一接墊222與第二接墊232 之間?；罨^緣層210具有一盲孔T2以及一位于上表面21 的凹刻圖案214，其中凹刻 圖案214包括至少一凹槽21 以及多條溝渠(trench) 214b，而盲孔T2位于凹槽21 的下 方。實(shí)心導(dǎo)電柱240配置于盲孔T2內(nèi)，而第二線路層230位于凹刻圖案214內(nèi)。第二接墊 232位于凹槽21 中，且這些走線234分別位于這些溝渠214b中。實(shí)心導(dǎo)電柱240與第二接墊232之間存在有一上交界平面F3，而實(shí)心導(dǎo)電柱240 與第一接墊222之間存在有一下交界平面F4。上交界平面F3劃分實(shí)心導(dǎo)電柱240與第二 接墊232，而下交界平面F4劃分實(shí)心導(dǎo)電柱240與第一接墊222。因此，上交界平面F3可 視為實(shí)心導(dǎo)電柱240與第二接墊232之間的邊界(boundary)，而下交界平面F4可視為實(shí)心 導(dǎo)電柱240與第一接墊222之間的邊界。此外，利用光學(xué)顯微鏡，可以看見上交界平面F3 與下交界平面F4。上交界平面F3至第一線路層220的距離Dl小于上表面21 至第一線路層220 的距離D2，且距離Dl與距離D2的比值可以介于50%至90%之間。換句話說，上表面21 比下表面212b較為接近上交界平面F3。另外，上交界平面F3位于凹槽21 的底面Bl的 上方，而上交界平面F3的寬度Wl大于盲孔T2的孔徑Rl。內(nèi)埋式線路板200可以更包括多個金屬沉積層250，而這些金屬沉積層250位于凹 刻圖案214的這些溝渠214b內(nèi)，并且可以共形地(conformally)覆蓋這些溝渠214b。第二 線路層230配置于這些金屬沉積層250上，并連接金屬沉積層250，而這些金屬沉積層250、 第二線路層230以及實(shí)心導(dǎo)電柱240填滿凹刻圖案214。此外，這些走線234與這些金屬沉 積層250之間存在有多個交界面F5，而這些交界面F5可以利用光學(xué)顯微鏡而被看見。實(shí)心導(dǎo)電柱240包括一槽體M2以及一連接槽體242的實(shí)心柱體M4，其中槽體 242位于凹槽214a內(nèi)，而實(shí)心柱體244則位于盲孔T2內(nèi)。第二接墊232位于槽體M2內(nèi)， 并連接槽體對2，而上交界平面F3位于槽體242與第二接墊232之間。槽體242與實(shí)心柱體244為一體成型。詳細(xì)而言，實(shí)心導(dǎo)電柱240的結(jié)構(gòu)致密，且 槽體242與實(shí)心柱體244之間未存在有任何交界面。換句話說，就結(jié)構(gòu)而言，槽體242與實(shí) 心柱體244彼此沒有分離，且槽體242與實(shí)心柱體244之間并未存在有任何將槽體242與 實(shí)心柱體244劃分開來的邊界，如圖2D所示?；罨^緣層210包括多個觸媒顆粒216以及一高分子量化合物218，其中這些觸媒 顆粒216分布于高分子量化合物218中。實(shí)心導(dǎo)電柱240與金屬沉積層250均接觸一些觸 媒顆粒216，而第二線路層230未接觸這些觸媒顆粒216。詳細(xì)而言，實(shí)心導(dǎo)電柱MO的槽 體242接觸位于凹槽21 中的觸媒顆粒216，實(shí)心柱體244接觸位于盲孔T2中的觸媒顆粒 216，而這些金屬沉積層250則接觸位于這些溝渠214b中的觸媒顆粒216。這些觸媒顆粒216可以是多個納米顆粒，并可具有金屬成分。詳細(xì)而言，這些納米 顆粒的成分含有金屬原子或金屬離子，而這些觸媒顆粒216的材料包括一種金屬配位化合 物。此金屬配位化合物例如是金屬氧化物、金屬氮化物、金屬錯合物或金屬螯合物，而金屬 配位化合物的材料例如是選自于鋅、銅、銀、金、鎳、鋁、鈀、鉬、鈷、銠、銥、銦、鐵、錳、鉻、鉬、 鎢、釩、鉭、鈦或這些金屬的任意組合。因此，觸媒顆粒216例如可為氮化鋁、氧化銅、氮化 鈦、鈷鉬雙金屬氮化物(Co2Mo3Nx)顆粒或鈀金屬顆粒。
另外，觸媒顆粒216的材料可以包括多種金屬配位化合物。詳細(xì)而言，觸媒顆粒 216的材料可以是選自于金屬氧化物、金屬氮化物、金屬錯合物、金屬螯合物或這些化合物 的任意組合。舉例而言，這些觸媒顆粒216可以同時(shí)包括金屬氧化物與金屬錯合物，或是同 時(shí)包括金屬氮化物、金屬錯合物與金屬螯合物。高分子量化合物218的材料例如是選自于環(huán)氧樹脂、改質(zhì)的環(huán)氧樹脂、聚脂 (polyester)、丙烯酸酯、氟素聚合物(fluoro-polymer)、聚亞苯基氧化物(polyphenylene oxide)、聚酰亞胺(polyimide)、酚醛樹脂(phenolicresin)、聚砜(polysulfone)、 硅素聚合物(silicon印olymer)、雙順丁烯二酸-三氮雜苯樹脂(bismaleimide triazinemodified epoxy,即所謂的 BT 樹脂)、氰酸聚酯(cyanate ester)、聚乙 烯(polyethylene)、聚碳酸酯樹脂(polycarbonate, PC)、丙烯腈-丁二烯-苯乙烯 共聚合物(aeryIonitrile-butadiene-styrenecopolymer, ABS copolymer)> 聚對苯 二甲酸乙二酯樹脂(polyethyleneter印hthalate，PET)、聚對苯二甲酸丁二酯樹脂 (polybutyleneterephthalate, PBT)、液晶高分子(liquid crystal polymers, LCP) ,MM 胺 6(polyamide 6，PA6)、尼龍(Nylon)、共聚聚甲醛(polyoxyme thylene，POM)、聚苯硫醚 (polyphenylene sulfide, PPS)以及環(huán)狀烯烴共聚高分子(cyclic olefin copolymer, COC)或這些材料的任意組合。這些觸媒顆粒216在內(nèi)埋式線路板200的制造過程中，能促使金屬沉積層250與 實(shí)心導(dǎo)電柱MO的形成，而有關(guān)觸媒顆粒216的作用，將會在后續(xù)內(nèi)容中說明。另外，內(nèi)埋式線路板200可以更包括一內(nèi)層線路基板沈0，其中活化絕緣層210與 第一線路層220皆配置于內(nèi)層線路基板260上，而第一線路層220電性連接內(nèi)層線路基板 260，其中內(nèi)層線路基板260包括至少一導(dǎo)電柱(未繪示)，而利用此導(dǎo)電柱，第一線路層 220可以電性連接內(nèi)層線路基板沈0。內(nèi)層線路基板260具有至少一層線路層(未繪示)，因此內(nèi)埋式線路板200可包括 至少三層線路層(包括第一線路層220與第二線路層230)。換句話說，內(nèi)埋式線路板200 可以是一種具有至少三層線路層的多層線路板(multilayer wiring board)。然而，在其他未繪示的實(shí)施例中，內(nèi)埋式線路板200可以是一種雙面線路板 (double-side wiring board)，且不需要內(nèi)層線路基板沈0，即內(nèi)埋式線路板200可以不包 括內(nèi)層線路基板沈0。因此，內(nèi)層線路基板260并非內(nèi)埋式線路板200的必要元件，而圖2D 所示的內(nèi)層線路基板260僅為舉例說明，并非限定本發(fā)明。必須說明的是，內(nèi)層線路基板260所包括的導(dǎo)電柱與線路層皆為現(xiàn)今線路基板的 常見結(jié)構(gòu)，因此即使圖式未繪示內(nèi)層線路基板沈0的導(dǎo)電柱與線路層，一般線路板技術(shù)領(lǐng) 域中的技術(shù)人員仍可以根據(jù)以上內(nèi)容以及目前線路板技術(shù)，得知內(nèi)層線路基板260的導(dǎo)電 柱與線路層二者的結(jié)構(gòu)與形成方法。以上僅介紹內(nèi)埋式線路板200的結(jié)構(gòu)。接下來，后續(xù)內(nèi)容將搭配圖2A至圖2D，對 內(nèi)埋式線路板200的制造方法進(jìn)行詳細(xì)的說明。請參閱圖2A所示，關(guān)于內(nèi)埋式線路板200的制造方法，首先，形成活化絕緣層210， 而活化絕緣層210覆蓋第一線路層220，其中活化絕緣層210可利用壓合或涂布的方式來形 成。詳細(xì)而言，活化絕緣層210可以是液態(tài)材料或是具粘性的固態(tài)膜層。當(dāng)活化絕緣層210 為液態(tài)材料時(shí)，活化絕緣層210可經(jīng)由涂布的方式而形成。當(dāng)活化絕緣層210為固態(tài)膜層時(shí)，活化絕緣層210可經(jīng)由壓合的方式而形成。另外，當(dāng)制造多層線路板類型的內(nèi)埋式線路板200時(shí)，活化絕緣層210可以形成于 內(nèi)層線路基板260上，其中第一線路層220位于內(nèi)層線路基板260上，并電性連接內(nèi)層線路 基板沈0。當(dāng)制造雙面線路板類型的內(nèi)埋式線路板200時(shí)，活化絕緣層210不必形成于內(nèi)層 線路基板260上。因此，圖2A至圖2D所示的內(nèi)層線路基板260僅為舉例說明，并非限定本 發(fā)明。請參閱圖2B所示，接著，在活化絕緣層210上形成凹刻圖案214以及至少一盲孔 T2，其中盲孔T2局部暴露第一線路層220，且盲孔T2暴露第一線路層220的第一接墊222。 活化絕緣層210包括高分子量化合物218以及這些分布于高分子量化合物218中的觸媒顆 粒216，而一些觸媒顆粒216活化并裸露于凹刻圖案214內(nèi)與盲孔T2內(nèi)。形成凹刻圖案214與盲孔T2的方法，以及活化裸露于凹刻圖案214內(nèi)與盲孔T2 內(nèi)的觸媒顆粒216的方法皆包括激光燒蝕、等離子體蝕刻或機(jī)械加工法，其中上述激光燒 蝕所采用的激光光源，其所發(fā)出的激光光束(Iaserbeam)的波長可以是在可見光、紅外光 或紫外光的范圍內(nèi)。承上所述，激光燒蝕所采用的激光光源可以是紅外線激光、紫外線激光、石榴石激 光(Yttrium Aluminum Garnet, YAG laser)、二氧化碳激光、準(zhǔn)分子激光(excimer laser) 或遠(yuǎn)紅外線激光。此外，機(jī)械加工法可包括水刀切割、噴砂或外型切割，而這里所述的外型 切割可以是V型切割(V-cut)或銑割(routing)。在進(jìn)行上述激光燒蝕或等離子體蝕刻的過程中，激光光束或等離子體不僅能移除 部分活化絕緣層210，以形成凹刻圖案214與盲孔T2，同時(shí)更可以打斷裸露于凹刻圖案214 內(nèi)與盲孔T2內(nèi)的這些觸媒顆粒216的化學(xué)鍵(Chemical bond)，以活化這些觸媒顆粒216。請參閱圖2C所示，接著，將活化絕緣層210浸泡于第一化鍍藥液(未繪示)中，并 以無電電鍍方式在盲孔T2內(nèi)形成實(shí)心導(dǎo)電柱M0，其中實(shí)心導(dǎo)電柱240填滿盲孔T2，并連 接第一線路層220的第一接墊222。此外，第一化鍍藥液可為含有金屬離子的液體，例如是 硫酸銅溶液、氯化銅溶液或硝酸銅溶液等銅離子溶液。當(dāng)活化絕緣層210浸泡于第一化鍍藥液時(shí)，同時(shí)以無電電鍍方式在凹刻圖案214 內(nèi)形成這些金屬沉積層250，而這些金屬沉積層250形成于凹刻圖案214的這些溝渠214b 內(nèi)。此時(shí)，這些金屬沉積層250未填滿凹刻圖案214，如圖2C所示。由此可知，在形成實(shí)心 導(dǎo)電柱240與金屬沉積層250的過程中，并沒有施加任何外部電流。實(shí)心導(dǎo)電柱240包括槽體242與實(shí)心柱體M4。當(dāng)活化絕緣層210浸泡于第一化鍍 藥液時(shí)，在盲孔T2內(nèi)形成實(shí)心柱體M4，同時(shí)在凹刻圖案214的凹槽21 內(nèi)形成槽體M2。 因此，槽體242與實(shí)心柱體244 二者是在同一種化鍍藥液(即第一化鍍藥液)中同時(shí)形成， 所以槽體242與實(shí)心柱體244為一體成型，而二者之間未存在有任何交界面。另外，由于裸露于凹刻圖案214內(nèi)與盲孔T2內(nèi)的觸媒顆粒216被活化，因此當(dāng)活 化絕緣層210浸泡于第一化鍍藥液中時(shí)，第一化鍍藥液能直接與這些已活化的觸媒顆粒 216產(chǎn)生化學(xué)反應(yīng)(例如氧化還原反應(yīng))，進(jìn)而在凹刻圖案214內(nèi)與盲孔T2內(nèi)沉積金屬。如 此，實(shí)心導(dǎo)電柱240得以形成。比較現(xiàn)有技術(shù)而言，本實(shí)施例不需要在凹刻圖案214內(nèi)與盲 孔T2內(nèi)形成種子層，即可直接形成實(shí)心導(dǎo)電柱240與這些金屬沉積層250。請參閱圖2D所示，在形成實(shí)心導(dǎo)電柱240之后，將活化絕緣層210浸泡于第二化鍍藥液(未繪示)中，并以無電電鍍方式在凹刻圖案214內(nèi)形成第二線路層230。至此，內(nèi) 埋式線路板200基本上已制造完成。當(dāng)活化絕緣層210浸泡于第二化鍍藥液時(shí)，形成第二線路層230于這些金屬沉積 層250上，以及形成第二接墊232于實(shí)心導(dǎo)電柱MO的槽體M2內(nèi)。這些金屬沉積層250、 第二線路層230以及實(shí)心導(dǎo)電柱240填滿凹刻圖案214，其中槽體242與第二接墊232填滿 凹槽2Ha。第一化鍍藥液與第二化鍍藥液二者的成分相異。詳細(xì)而言，第二化鍍藥液也可以 是含有金屬離子的液體，且第一化鍍藥液與第二化鍍藥液二者的種類可以相同，但二者的 濃度卻不相同，例如第一化鍍藥液與第二化鍍藥液二者可為種類一樣但濃度卻不相同的銅 離子溶液，以使實(shí)心導(dǎo)電柱240與第二線路層230 二者的材料相同。不過，在本實(shí)施例中， 即使第一化鍍藥液與第二化鍍藥液二者的種類相異，實(shí)心導(dǎo)電柱240與第二線路層230 二 者的材料仍可以相同。舉例而言，第一化鍍藥液例如是硫酸銅溶液，而第二化鍍藥液例如是氯化銅溶液 或硝酸銅溶液。也就是說，第一化鍍藥液的陰離子與第二化鍍藥液的陰離子二者種類可以 相異，但是第一化鍍藥液的金屬離子與第二化鍍藥液的金屬離子二者種類卻可以相同。因 此，盡管實(shí)心導(dǎo)電柱240與第二線路層230 二者是由不同種類的第一化鍍藥液與第二化鍍 藥液所形成，但是實(shí)心導(dǎo)電柱240與第二線路層230 二者材料同樣可為相同的導(dǎo)體材料，例 如銅金屬。另外，不論第一化鍍藥液與第二化鍍藥液二者為種類相同的或相異的液體，二者 都可以包含抑制劑，其中第一化鍍藥液的抑制劑濃度高于第二化鍍藥液的抑制劑濃度。抑 制劑能降低反應(yīng)后所產(chǎn)生的生成物在凹槽21 與溝渠214b內(nèi)的沉積速率(exposition rate)，同時(shí)促使此生成物填滿盲孔T2。詳細(xì)而言，抑制劑含有大量的高分子基團(tuán)，而這些高分子基團(tuán)皆具有極性端，并容 易沉積在活化絕緣層210的上表面21 上，但是卻不易進(jìn)入至盲孔T2、凹槽21 以及溝 渠214b內(nèi)。抑制劑濃度越高，生成物在凹槽21 與溝渠214b內(nèi)的沉積速率會越慢，而對 盲孔T2的填洞能力越佳。因此，當(dāng)活化絕緣層210浸泡于第一化鍍藥液中時(shí)，生成物能填 滿盲孔T2，以形成實(shí)心柱體244與槽體M2，同時(shí)也形成未填滿凹刻圖案214的金屬沉積層 250。圖3A至圖3E是本發(fā)明另一實(shí)施例的內(nèi)埋式線路板的制造方法的流程的剖面示意 圖。請先參閱圖3E所示，在此先介紹本實(shí)施例的內(nèi)埋式線路板300的結(jié)構(gòu)，而內(nèi)埋式線路 板300與前述實(shí)施例的內(nèi)埋式線路板200 二者相似，因此以下主要介紹二者在結(jié)構(gòu)上的差
已內(nèi)埋式線路板300包括一活化絕緣層210、一第一線路層220、一內(nèi)層線路基板 沈0、一第二線路層330以及一實(shí)心導(dǎo)電柱340?；罨^緣層210、第一線路層220以及內(nèi)層 線路基板260三者之間的相對關(guān)系、連接關(guān)系以及結(jié)構(gòu)皆與前述實(shí)施例相同，并且均已揭 露在前述實(shí)施例的內(nèi)容中，故不再贅述。內(nèi)埋式線路板300可以是多層線路板或雙面線路板，而當(dāng)內(nèi)埋式線路板300為雙 面線路板時(shí)，內(nèi)埋式線路板300可不需要內(nèi)層線路基板沈0，即內(nèi)埋式線路板300可以不包 括內(nèi)層線路基板沈0。因此，圖3E所示的內(nèi)層線路基板260僅為舉例說明，并非限定本發(fā)明。內(nèi)埋式線路板300、200 二者在結(jié)構(gòu)上的差異包括本實(shí)施例的第二線路層330與 實(shí)心導(dǎo)電柱340不同于前述實(shí)施例的第二線路層230與實(shí)心導(dǎo)電柱M0，而且內(nèi)埋式線路 板300未包括這些金屬沉積層250，而第二線路層330接觸活化絕緣層210的一些觸媒顆粒 216。承上所述，第二線路層330包括至少一第二接墊332以及多條走線334，而第二接 墊332與這些走線334皆埋設(shè)于活化絕緣層210的上表面212a?；罨^緣層210具有盲孔 T2與凹刻圖案214，而第二線路層330位于凹刻圖案214內(nèi)，并接觸凹刻圖案214內(nèi)的觸媒 顆粒216。詳細(xì)而言，凹刻圖案214包括凹槽21 與這些溝渠214b。第二接墊332位于凹槽 214a中，而這些走線334分別位于這些溝渠214b中，其中第二接墊332與這些走線334接 觸一些觸媒顆粒216，如圖3E所示。此外，第二線路層330的表面330a可以實(shí)質(zhì)上與上表 面212a切齊。實(shí)心導(dǎo)電柱340配置于活化絕緣層210中，且更配置于盲孔T2內(nèi)，而第二接墊332 連接實(shí)心導(dǎo)電柱340。實(shí)心導(dǎo)電柱340與第二接墊332之間存在有一上交界平面F6，而實(shí) 心導(dǎo)電柱340與第一接墊222之間存在有一下交界平面F7，其中利用光學(xué)顯微鏡，可以看見 上交界平面F6與下交界平面F7。 上交界平面F6劃分實(shí)心導(dǎo)電柱340與第二接墊332，而下交界平面F7劃分實(shí)心導(dǎo) 電柱340與第一接墊222。因此，上交界平面F6可視為實(shí)心導(dǎo)電柱340與第二接墊332之 間的邊界，而下交界平面F7可視為實(shí)心導(dǎo)電柱340與第一接墊222之間的邊界。在本實(shí)施例中，上交界平面F6是位于凹槽21 的底面Bl的下方，如圖3E所示。 此外，上交界平面F6至第一線路層220的距離D3小于上表面21 至第一線路層220的距 離D4，且距離D3與距離D4的比值可介于50%至90%之間，因此上表面21 比下表面212b 較為接近上交界平面F6。以上僅介紹內(nèi)埋式線路板300的結(jié)構(gòu)。接下來，后續(xù)內(nèi)容將搭配圖3A至圖3E，對 內(nèi)埋式線路板300的制造方法進(jìn)行詳細(xì)的說明。由于內(nèi)埋式線路板300的制造方法與前述 實(shí)施例的內(nèi)埋式線路板200的制造方法相似，因此以下將主要介紹二者的差異。請參閱圖3A所示，關(guān)于內(nèi)埋式線路板300的制造方法，在形成覆蓋第一線路層220 的活化絕緣層210后，隨即在活化絕緣層210上形成至少一盲孔T2’。盲孔T2’局部暴露第 一線路層220，并且是暴露第一線路層220的第一接墊222，而一些觸媒顆粒216活化并裸 露于盲孔T2’內(nèi)。形成活化絕緣層210的方法，以及活化觸媒顆粒216的方法皆已揭露在前述實(shí)施 例的內(nèi)容中，而盲孔T2’的形成方法與前述實(shí)施例的盲孔T2的形成方法相同，因此對于活 化絕緣層210與盲孔T2’ 二者的形成方法，以及活化觸媒顆粒216的方法皆不再贅述。另外，在本實(shí)施例中，活化絕緣層210可以形成于內(nèi)層線路基板260上，但在其他 未繪示的實(shí)施例中，活化絕緣層210也可以不必形成于內(nèi)層線路基板260上，以制造雙面線 路板類型的內(nèi)埋式線路板300。因此，圖3A至圖3E所示的內(nèi)層線路基板260僅為舉例說 明，并非限定本發(fā)明。請參閱圖:3B所示，接著，將活化絕緣層210浸泡于第一化鍍藥液(未繪示)中，并以無電電鍍方式在盲孔T2’內(nèi)形成一實(shí)心導(dǎo)電柱340’，其中實(shí)心導(dǎo)電柱340’填滿盲孔 T2’，并連接第一接墊222，且實(shí)心導(dǎo)電柱340’可以凸出于活化絕緣層210的上表面212a。 另外，本實(shí)施例的第一化鍍藥液與前述實(shí)施例的第一化鍍藥液相同，故不再贅述。請參閱圖:3B與圖3C所示，在形成實(shí)心導(dǎo)電柱340，之后，可降低實(shí)心導(dǎo)電柱340， 相對于第一線路層220的高度D5，，以使高度D5，降低為高度D5 (高度D5也等于圖3E所示 的距離D3)，并形成實(shí)心導(dǎo)電柱340，其中實(shí)心導(dǎo)電柱340并未填滿盲孔T2’，如圖3C所示。 降低高度D5’為高度D5的方法包括蝕刻實(shí)心導(dǎo)電柱340’，而此蝕刻的方法可以是濕式蝕刻 技術(shù)。請參閱圖3C與圖3D所示，在形成實(shí)心導(dǎo)電柱340之后，形成凹刻圖案214，并活化 裸露于凹刻圖案214內(nèi)的觸媒顆粒216。凹刻圖案214的凹槽21 形成于盲孔T2’的開 口處，以至于盲孔T2’的外型改變而形成盲孔T2，如圖3D所示，其中盲孔T2位于凹槽21 的下方。形成凹刻圖案214以及活化裸露于凹刻圖案214內(nèi)的觸媒顆粒216的方法皆與前 述實(shí)施例相同，故不再贅述。請參閱圖3E所示，接著，將活化絕緣層210浸泡于第二化鍍藥液(未繪示)中，并 以無電電鍍方式在凹刻圖案214內(nèi)形成第二線路層330。至此，內(nèi)埋式線路板300基本上已 制造完成。在本實(shí)施例中，第二化鍍藥液與第一化鍍藥液二者的成分相異，例如第一化鍍藥 液的抑制劑濃度高于第二化鍍藥液的抑制劑濃度。另外，本實(shí)施例的第二化鍍藥液與前述 實(shí)施例的第二化鍍藥液相同，故不再贅述。第二化鍍藥液能直接與這些已活化的觸媒顆粒216產(chǎn)生化學(xué)反應(yīng)(例如氧化還原 反應(yīng))，以在凹刻圖案214內(nèi)與盲孔T2內(nèi)沉積金屬，進(jìn)而形成第二線路層330。當(dāng)?shù)诙€路 層330形成時(shí)，由于盲孔T2內(nèi)仍會沉積金屬，因此第二接墊332的一部分會伸入于盲孔T2， 并連接實(shí)心導(dǎo)電柱340，以至于上交界平面F6形成于凹槽21 的底面Bl的下方?；谝陨纤?，本實(shí)施例的內(nèi)埋式線路板300的制造方法與前述實(shí)施例的內(nèi)埋式 線路板200相似，而二者的差異在于本實(shí)施例的凹刻圖案214是在形成實(shí)心導(dǎo)電柱340之 后才形成，而前述實(shí)施例的凹刻圖案214是在形成實(shí)心導(dǎo)電柱240之前就已形成。其次，本 實(shí)施例的內(nèi)埋式線路板300的制造方法還包括降低實(shí)心導(dǎo)電柱340’相對于第一線路層220 的高度D5，，如圖;3B與圖3C所示。圖4A至圖4C是本發(fā)明又一實(shí)施例的內(nèi)埋式線路板的制造方法的流程的剖面示意 圖，其中本實(shí)施例的內(nèi)埋式線路板400的制造方法及結(jié)構(gòu)皆與前述實(shí)施例的內(nèi)埋式線路板 300的制造方法及結(jié)構(gòu)相似，因此圖4A至圖4C僅繪示二者的差異，而以下將主要針對內(nèi)埋 式線路板400、300 二者的差異，并搭配圖4A至圖4C，來進(jìn)行詳細(xì)的說明。請先參閱圖4C所示，就結(jié)構(gòu)而言，內(nèi)埋式線路板400包括一實(shí)心導(dǎo)電柱440、第一 線路層220、一第二線路層430以及活化絕緣層210。第二線路層430包括至少一連接實(shí)心 導(dǎo)電柱440的第二接墊432，且實(shí)心導(dǎo)電柱440與第二接墊432之間存在有一上交界平面 F8。上交界平面F8至第一線路層220的距離D7小于上表面21 至第一線路層220的距 離D8，而距離D7與距離D8的比值可介于50%至90%之間。另外，上交界平面F8可以利用 光學(xué)顯微鏡而被看見。由此可知，就結(jié)構(gòu)而言，本實(shí)施例的內(nèi)埋式線路板400與前述實(shí)施例的內(nèi)埋式線路板300 二者主要差異僅在于上交界平面F8與凹槽21 的底面Bl切齊，如圖4C所示， 而其他結(jié)構(gòu)上的特征基本上皆與前述內(nèi)埋式線路板300相同，故不再贅述。請參閱圖4A與圖4B所示，關(guān)于本實(shí)施例的內(nèi)埋式線路板400的制造方法，在形成 實(shí)心導(dǎo)電柱340’于盲孔T2’內(nèi)之后，降低實(shí)心導(dǎo)電柱340’相對于第一線路層220的高度 D5’，以形成實(shí)心導(dǎo)電柱440，其中高度D5’降低為高度D6 (如圖4B所示，其中高度D6也等 于圖4C所示的距離D7)。高度D6大于圖3C所示的高度D5。也就是說，本實(shí)施例的實(shí)心導(dǎo) 電柱340’的高度D5’降低幅度小于前述實(shí)施例的實(shí)心導(dǎo)電柱340’的高度D5’降低幅度。請參閱圖4B與圖4C所示，在高度D5’降低為高度D6之后，接著，依序進(jìn)行形成 凹刻圖案214、活化觸媒顆粒216以及形成第二線路層430的流程，進(jìn)而形成內(nèi)埋式線路板 400，其中以上形成凹刻圖案214與第二線路層430，以及活化觸媒顆粒216等流程皆已揭露 于前述實(shí)施例中以及圖3D至圖3E，故在此不再贅述。綜上所述，利用包括多顆觸媒顆粒的活化絕緣層以及二成分相異的化鍍藥液(即 第一化鍍藥液與第二化鍍藥液)，本發(fā)明能在凹刻圖案與盲孔內(nèi)，以無電電鍍方式形成一層 線路層(即第二線路層)與至少一根實(shí)心導(dǎo)電柱。也就是說，本發(fā)明能在未施加任何外部 電流的條件下，形成上述線路層與實(shí)心導(dǎo)電柱。因此，本發(fā)明能減少內(nèi)埋式線路板在制造過 程中所需要的電能，進(jìn)而降低能源的消耗，符合目前節(jié)約能源的環(huán)保訴求。其次，由于已活化的觸媒顆粒能直接與第一化鍍藥液及第二化鍍藥液產(chǎn)生化學(xué)反 應(yīng)(例如化學(xué)置換反應(yīng)且/或氧化還原反應(yīng))而沉積金屬，進(jìn)而形成第二線路層與實(shí)心導(dǎo) 電柱。相比較于現(xiàn)有習(xí)知技術(shù)而言，本發(fā)明不需要先形成種子層，即可利用已活化的觸媒顆 粒來形成實(shí)心導(dǎo)電柱與第二線路層。相比較于現(xiàn)有習(xí)知技術(shù)而言，本發(fā)明可以省去形成種 子層的流程，以及節(jié)省形成種子層所需要的材料成本。再者，本發(fā)明是以無電電鍍方式形成實(shí)心導(dǎo)電柱，因此在本發(fā)明的內(nèi)埋式線路板 上可以增設(shè)至少一層線路層，并且可在實(shí)心導(dǎo)電柱的上方堆疊一根或多根導(dǎo)電柱。如此，本 發(fā)明不僅可以形成具有疊孔結(jié)構(gòu)(stack-viastructure)的線路板，同時(shí)也可以形成具有 交錯孔結(jié)構(gòu)(stagger-viastructure)的線路板。以上所述，僅是本發(fā)明的實(shí)施例而已，并非對本發(fā)明作任何形式上的限制，雖然本 發(fā)明已以實(shí)施例揭露如上，然而并非用以限定本發(fā)明，任何熟悉本專業(yè)的技術(shù)人員，在不脫 離本發(fā)明技術(shù)方案范圍內(nèi)，當(dāng)可利用上述揭示的技術(shù)內(nèi)容作出些許更動或修飾為等同變化 的等效實(shí)施例，但凡是未脫離本發(fā)明技術(shù)方案內(nèi)容，依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實(shí)質(zhì)對以上實(shí)施例 所作的任何簡單修改、等同變化與修飾，均仍屬于本發(fā)明技術(shù)方案的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種內(nèi)埋式線路板的制造方法，其特征在于其包括以下步驟形成一活化絕緣層，其中該活化絕緣層包括多顆觸媒顆粒，并覆蓋一第一線路層；在該活化絕緣層上形成一凹刻圖案以及至少一局部暴露該第一線路層的盲孔，其中一 些觸媒顆粒活化并裸露于該凹刻圖案內(nèi)與該盲孔內(nèi)；將該活化絕緣層浸泡于一第一化鍍藥液中，并以無電電鍍方式在該盲孔內(nèi)形成一實(shí)心 導(dǎo)電柱；以及在形成該實(shí)心導(dǎo)電柱之后，將該活化絕緣層浸泡于一第二化鍍藥液中，并以無電電鍍 方式在該凹刻圖案內(nèi)形成一第二線路層，其中該第一化鍍藥液與該第二化鍍藥液二者的成 分相異。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的內(nèi)埋式線路板的制造方法，其特征在于其中形成該凹刻圖案 與該盲孔的方法以及活化裸露于該凹刻圖案內(nèi)與該盲孔內(nèi)的該些觸媒顆粒的方法皆包括 一激光燒蝕、一等離子體蝕刻或一機(jī)械加工法。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的內(nèi)埋式線路板的制造方法，其特征在于其中所述的活化絕緣 層形成于一內(nèi)層線路基板上，而該第一線路層位于該內(nèi)層線路基板上，并電性連接該內(nèi)層 線路基板。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的內(nèi)埋式線路板的制造方法，其特征在于其中所述的第一化鍍 藥液的抑制劑濃度高于該第二化鍍藥液的抑制劑濃度。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的內(nèi)埋式線路板的制造方法，其特征在于其中所述的第一化鍍 藥液的陰離子與該第二化鍍藥液的陰離子二者種類相異。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的內(nèi)埋式線路板的制造方法，其特征在于其中在形成該實(shí)心導(dǎo) 電柱之前，形成該凹刻圖案。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的內(nèi)埋式線路板的制造方法，其特征在于更包括當(dāng)該活化絕緣層浸泡于該第一化鍍藥液時(shí)，以無電電鍍方式在該凹刻圖案內(nèi)形成多個 金屬沉積層，此時(shí)該些金屬沉積層未填滿該凹刻圖案；以及當(dāng)該活化絕緣層浸泡于該第二化鍍藥液時(shí)，形成該第二線路層于該些金屬沉積層上， 其中該些金屬沉積層、該第二線路層以及該實(shí)心導(dǎo)電柱填滿該凹刻圖案。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的內(nèi)埋式線路板的制造方法，其特征在于其中在形成該實(shí)心導(dǎo) 電柱之后，形成該凹刻圖案。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的內(nèi)埋式線路板的制造方法，其特征在于其中在形成該凹刻圖 案之前，更包括降低該實(shí)心導(dǎo)電柱相對于該第一線路層的高度，其中在降低該實(shí)心導(dǎo)電柱 相對于該第一線路層的高度之后，以及形成該第二線路層以前，該實(shí)心導(dǎo)電柱未填滿該盲 孔，降低該實(shí)心導(dǎo)電柱相對于該第一線路層的高度的方法包括蝕刻該實(shí)心導(dǎo)電柱。
10.一種內(nèi)埋式線路板，其特征在于其包括一活化絕緣層，具有一上表面與一相對該上表面的下表面，并包括多個觸媒顆粒；一第一線路層，位于該下表面，并包括至少一埋設(shè)于該下表面的第一接墊；一第二線路層，位于該上表面，并包括至少一埋設(shè)于該上表面的第二接墊；以及一實(shí)心導(dǎo)電柱，配置于該活化絕緣層中，并接觸一些觸媒顆粒，該實(shí)心導(dǎo)電柱連接于該 第一接墊與該第二接墊之間，其中該實(shí)心導(dǎo)電柱與該第二接墊之間存在有一上交界平面， 而該上交界平面劃分該實(shí)心導(dǎo)電柱與該第二接墊，該上交界平面與該上表面之間的距離不大于該上交界平面與該下表面之間的距離。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的內(nèi)埋式線路板，其特征在于其中所述的上交界平面至該第 一線路層的距離與該上表面至該第一線路層的距離的比值介于50%至90%之間。
12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的內(nèi)埋式線路板，其特征在于其中所述的實(shí)心導(dǎo)電柱與該第 一接墊之間存在有一下交界平面。
13.根據(jù)權(quán)利要求10所述的內(nèi)埋式線路板，其特征在于更包括一內(nèi)層線路基板，該活 化絕緣層與該第一線路層皆配置于該內(nèi)層線路基板上，且該第一線路層電性連接該內(nèi)層線 路基板。
14.根據(jù)權(quán)利要求10所述的內(nèi)埋式線路板，其特征在于其中所述的活化絕緣層具有一 位于該上表面的凹刻圖案，該第二線路層位于該凹刻圖案內(nèi)，該凹刻圖案包括至少一凹槽， 而該第二接墊位于該凹槽中，所述的活化絕緣層更具有一位于該凹槽下方的盲孔，而該實(shí) 心導(dǎo)電柱配置于該盲孔內(nèi)，其中所述的上交界平面位于該凹槽的底面的上方。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的內(nèi)埋式線路板，其特征在于其中所述的上交界平面的寬度 大于該盲孔的孔徑。
16.根據(jù)權(quán)利要求14所述的內(nèi)埋式線路板，其特征在于其中所述的實(shí)心導(dǎo)電柱包括一 槽體以及一連接該槽體的實(shí)心柱體，該槽體位于該凹槽內(nèi)，該實(shí)心柱體位于該盲孔內(nèi)，而該 第二接墊位于該槽體內(nèi)。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的內(nèi)埋式線路板，其特征在于其中所述的槽體與該實(shí)心柱體 為一體成型。
18.根據(jù)權(quán)利要求14所述的內(nèi)埋式線路板，其特征在于其中所述的第二接墊接觸另一 些觸媒顆粒。
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的內(nèi)埋式線路板，其特征在于其中所述的上交界平面位于該 凹槽的底面的下方，所述的上交界平面至該第一線路層的距離與該上表面至該第一線路層 的距離的比值介于50%至90%之間。
20.根據(jù)權(quán)利要求18所述的內(nèi)埋式線路板，其特征在于其中所述的上交界平面實(shí)質(zhì)上 與該凹槽的底面切齊。
21.根據(jù)權(quán)利要求10所述的內(nèi)埋式線路板，其特征在于其中所述的活化絕緣層更包括 一高分子量化合物，而該些觸媒顆粒分布于該高分子量化合物中。
全文摘要
本發(fā)明是有關(guān)于一種內(nèi)埋式線路板及其制造方法。一種內(nèi)埋式線路板的制造方法。首先，形成一活化絕緣層?；罨^緣層包括多顆觸媒顆粒，并覆蓋一第一線路層。在活化絕緣層上形成一凹刻圖案與至少一局部暴露第一線路層的盲孔。一些觸媒顆?；罨⒙懵队诎伎虉D案內(nèi)與盲孔內(nèi)。將活化絕緣層浸泡于一第一化鍍藥液中，并以無電電鍍方式在盲孔內(nèi)形成一實(shí)心導(dǎo)電柱。在形成實(shí)心導(dǎo)電柱之后，將活化絕緣層浸泡于一第二化鍍藥液中，并以無電電鍍方式在凹刻圖案內(nèi)形成一第二線路層。第一化鍍藥液與第二化鍍藥液二者的成分相異。
文檔編號H05K1/11GK102123566SQ20101000061
公開日2011年7月13日 申請日期2010年1月12日 優(yōu)先權(quán)日2010年1月12日
發(fā)明者余丞博, 徐嘉良 申請人:欣興電子股份有限公司