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      一種晶體生長爐的保溫罩結(jié)構(gòu)及其制作方法

      文檔序號:8052545閱讀:242來源:國知局
      專利名稱:一種晶體生長爐的保溫罩結(jié)構(gòu)及其制作方法
      技術(shù)領(lǐng)域
      本發(fā)明涉及晶體生長領(lǐng)域,尤其涉及一種晶體生長爐的保溫罩結(jié)構(gòu)及其制作方法。
      背景技術(shù)
      晶體作為固體激光器的核心元件,其光學(xué)均勻性決定固體激光器品質(zhì)的優(yōu)劣。目前高溫晶體生長爐中多采用普通剛玉陶瓷等作為保溫層,其材質(zhì)較疏松,表面粗糙,易附著固體顆粒,且不易清洗,最終將影響晶體的純度,對晶體生長很不利。

      發(fā)明內(nèi)容
      為克服上述問題,本發(fā)明提出一種晶體生長爐的保溫罩結(jié)構(gòu)及其制作方法,在保溫罩內(nèi)壁噴涂一層致密陶瓷薄層,以使其內(nèi)壁表面致密光滑,不易附著異物,且容易清洗。為達(dá)到上述目的,本發(fā)明所提出的技術(shù)方案為:一種晶體生長爐的保溫罩結(jié)構(gòu),包括保溫罩內(nèi)壁,所述保溫罩內(nèi)壁為網(wǎng)格狀結(jié)構(gòu),并在其表面噴有一層致密的陶瓷薄層。一種晶體生長爐的保溫罩結(jié)構(gòu)制作方法,包括如下步驟:a.制作網(wǎng)格狀保溫罩內(nèi)壁;b.采用高溫等離子體噴鍍方法在保溫罩內(nèi)壁表面噴上一層與保溫罩內(nèi)壁材料相同的致密陶瓷薄層;c.對陶瓷薄層進(jìn)行機(jī)械打磨。進(jìn)一步的,所述陶瓷薄層與保溫罩內(nèi)壁采用相同的材料,為氧化鋁或氧化鋯。

      本發(fā)明的有益效果:本發(fā)明的一種晶體生長爐的保溫罩結(jié)構(gòu),在保溫罩內(nèi)壁噴涂一層致密陶瓷薄層,以使其內(nèi)壁表面致密光滑,不易附著異物,且容易清洗,最終減少對晶體純度的影響。


      圖1為本發(fā)明的保溫罩內(nèi)壁主視 圖2為本發(fā)明的保溫罩內(nèi)壁結(jié)構(gòu)剖視圖。標(biāo)號說明:1保溫罩內(nèi)壁;2陶瓷薄層。
      具體實(shí)施例方式下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施方式
      ,對本發(fā)明做進(jìn)一步說明。如圖1所示,為本發(fā)明的一種晶體生長爐的保溫罩內(nèi)壁結(jié)構(gòu),在保溫罩內(nèi)壁I表面噴有一層致密的陶瓷薄層2,該致密的陶瓷薄層2與保溫罩內(nèi)壁I采用相同的材料。為防止噴鍍的陶瓷薄層2受熱不均可能導(dǎo)致的碎裂,本發(fā)明的保溫罩內(nèi)壁I設(shè)置成網(wǎng)格狀,使陶瓷薄層2可自然裂開,使其開裂在受控范圍,避免了因受熱不均碎裂而產(chǎn)生碎屑。該陶瓷薄層2采用與保溫罩內(nèi)壁I相同的材料,優(yōu)選的,可為氧化鋁或者氧化鋯。制作上述晶體生長爐的保溫罩結(jié)構(gòu)的方法,包括如下步驟:a.制作網(wǎng)格狀保溫罩內(nèi)壁1,以防止噴鍍的陶瓷薄層2因受熱不均而碎裂;b.采用高溫等離子體噴鍍方法在保溫罩內(nèi)壁I表面噴上一層與保溫罩I內(nèi)壁材料相同的致密陶瓷薄層2 ;c.對陶瓷薄層2進(jìn)行機(jī)械打磨,使其表面光滑度更高。該陶瓷薄層2和保溫罩內(nèi)壁I材料可選用氧化鋁或者氧化鋯。盡管結(jié)合優(yōu)選實(shí)施方案具體展示和介紹了本發(fā)明,但所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)該明白,在不脫離所附權(quán)利要求書所限定的本發(fā)明的精神和范圍內(nèi),在形式上和細(xì)節(jié)上對本發(fā)明做出的各種變化,均 為本發(fā)明的保護(hù)范圍。
      權(quán)利要求
      1.一種晶體生長爐的保溫罩結(jié)構(gòu),包括保溫罩內(nèi)壁,其特征在于:所述保溫罩內(nèi)壁為網(wǎng)格狀結(jié)構(gòu),并在其表面噴有一層致密的陶瓷薄層。
      2.如權(quán)利要求1所述的一種晶體生長爐的保溫罩結(jié)構(gòu),其特征在于:所述陶瓷薄層與保溫罩內(nèi)壁采用相同的材料,所述材料為氧化鋁或氧化鋯。
      3.一種晶體生長爐的保溫罩結(jié)構(gòu)制作方法,其特征在于,包括如下步驟:a.制作網(wǎng)格狀保溫罩內(nèi)壁;b.采用高溫等離子體噴鍍方法在保溫罩內(nèi)壁表面噴上一層與保溫罩內(nèi)壁材料相同的致密陶瓷薄層;c.對陶瓷薄層進(jìn)行機(jī)械打磨。
      4.如權(quán)利要求3所述的一種晶體生長爐的保溫罩結(jié)構(gòu)制作方法,其特征在于:所述保溫罩內(nèi)壁材料為氧化 鋁或氧化鋯。
      全文摘要
      本發(fā)明涉及晶體生長領(lǐng)域,公開了一種晶體生長爐的保溫罩結(jié)構(gòu),包括保溫罩內(nèi)壁,所述保溫罩內(nèi)壁為網(wǎng)格狀結(jié)構(gòu),并在其表面噴有一層致密的陶瓷薄層。本發(fā)明采用高溫等離子體噴鍍方法在保溫罩內(nèi)壁表面噴上一層與保溫罩內(nèi)壁材料相同的致密陶瓷薄層,并對該陶瓷薄層進(jìn)行機(jī)械打磨。在保溫罩內(nèi)壁噴涂一層致密陶瓷薄層,以使其內(nèi)壁表面致密光滑,不易附著異物,且容易清洗,最終減少對晶體純度的影響。
      文檔編號C30B35/00GK103160931SQ20111040751
      公開日2013年6月19日 申請日期2011年12月9日 優(yōu)先權(quán)日2011年12月9日
      發(fā)明者吳礪, 盧秀愛, 陳燕平, 陳衛(wèi)民, 凌吉武 申請人:福州高意光學(xué)有限公司
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