蒸發(fā)源、真空蒸鍍裝置以及有機(jī)el顯示裝置制造方法
【專利摘要】本發(fā)明是提供一種蒸發(fā)源、真空蒸鍍裝置以及有機(jī)EL顯示裝置制造方法，使用能夠降低熱輻射、能夠節(jié)電化的蒸發(fā)源，能夠與大型基板對應(yīng)，高速形成以鋁材料為主的金屬薄膜，連續(xù)成膜。作為解決本發(fā)明課題的方法涉及在使用陶瓷制的坩鍋的蒸發(fā)源中，通過使夾著凸緣部那樣設(shè)置熱反射構(gòu)件，有效地阻斷沿凸緣部流出的熱。其結(jié)果是能夠用少的電力有效地加熱坩鍋，另外能夠防止凸緣部的溫度上升，防止攀緣。
【專利說明】蒸發(fā)源、真空蒸鍍裝置以及有機(jī)EL顯示裝置制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及蒸發(fā)源、真空蒸鍍裝置以及有機(jī)EL顯示裝置制造方法，特別涉及用于在大型的基板上形成有機(jī)EL顯示裝置的有效的蒸發(fā)源、真空蒸鍍裝置以及有機(jī)EL顯示裝置制造方法。
【背景技術(shù)】
[0002]在有機(jī)EL顯示裝置、照明裝置中使用的有機(jī)EL元件是用陽極和陰極一對電極從上向下夾著由有機(jī)材料組成的有機(jī)層的結(jié)構(gòu)，通過在電極上施加電壓，分別從陽極側(cè)和陰極側(cè)向有機(jī)層注入空穴和電子，通過它們的再結(jié)合，成為發(fā)光的結(jié)構(gòu)。
[0003]該有機(jī)層是包含空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層的多層膜疊層的結(jié)構(gòu)。作為形成該有機(jī)層的材料，使用高分子材料和低分子材料。其中在使用低分子材料的情況下，使用真空蒸鍍裝置來形成有機(jī)薄膜。
[0004]有機(jī)EL設(shè)備的特性很大程度受有機(jī)層的膜厚的影響。另一方面，形成有機(jī)薄膜的基板逐年大型化。因此，在使用真空蒸鍍裝置的情況下，需要高精度地控制在大型的基板上形成的有機(jī)薄膜或者電極用金屬薄膜的膜厚，而且能夠長時(shí)間連續(xù)地工作。電極用金屬薄膜伴隨大型化，需要低電阻化，特別作為顯示裝置用的有機(jī)層的上部的電極材料(蒸鍍材料)，最看好鋁、銀、鎂材 料。
[0005]作為用于通過真空蒸鍍在基板上連續(xù)形成薄膜的蒸發(fā)源，在專利文獻(xiàn)I中公開了下述蒸發(fā)源，其能夠防止從坩鍋飛散的原料蔓延而附著在加熱器等上，另外能夠防止通過原料在坩鍋內(nèi)壁上遺留的攀緣現(xiàn)象引起的故障。
[0006]現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)
[0007]專利文獻(xiàn)
[0008]專利文獻(xiàn)1:日本特開平9 - 170882號公報(bào)
【發(fā)明內(nèi)容】

[0009]發(fā)明所要解決的課題
[0010]在專利文獻(xiàn)I中，公開了配置加熱器護(hù)罩、能夠降低通過原料的攀緣、蔓延的現(xiàn)象在加熱器等上的附著引起的故障的蒸發(fā)源，但是對于基板側(cè)的熱輻射對策或者對于加熱器電力的節(jié)電化未作考慮。
[0011]本發(fā)明的目的是提供一種蒸發(fā)源、真空蒸鍍裝置以及有機(jī)EL顯示裝置制造方法，能夠使用降低熱輻射、能夠節(jié)電化的蒸發(fā)源，與大型基板對應(yīng)，高速形成以鋁材料為主的金屬薄膜，連續(xù)成膜。
[0012]用于解決課題的方法
[0013]為了解決上述目的，本發(fā)明至少具有下述特征。
[0014]本發(fā)明的蒸發(fā)源的特征在于，具有:收納蒸發(fā)材料的坩鍋；用于放出在該坩鍋內(nèi)收容的蒸發(fā)材料的蒸氣的坩鍋出口；設(shè)置成包圍該坩鍋出口的至少一部分的熱反射構(gòu)件；和設(shè)置成包圍該坩鍋的外側(cè)壁的加熱器。
[0015]另外，在上述熱反射構(gòu)件中，在加熱器側(cè)設(shè)置的熱反射構(gòu)件，也可以使其一部分位于坩鍋本體和該加熱器之間那樣設(shè)置。
[0016]進(jìn)而也可以具有用于防止在上述坩鍋出口處向上述熱反射構(gòu)件附著材料的噴嘴。
[0017]另外也可以在上述坩鍋出口方向上分割加熱器，個(gè)別地進(jìn)行溫度控制。
[0018]進(jìn)而也可以具有上述熱反射構(gòu)件，使夾著沒有上述凸緣的上述坩鍋的沒有上述凸緣的地方設(shè)置。
[0019]另外，也可以進(jìn)行溫度控制，使凸緣部的溫度為1100°C至1200°C。
[0020]進(jìn)而，本發(fā)明的真空蒸鍍裝置的特征在于，具有一個(gè)以上的上述任何一項(xiàng)所述的蒸發(fā)源，具有檢測通過上述蒸發(fā)源對基板的蒸鍍量的膜厚監(jiān)視器、和根據(jù)上述膜厚監(jiān)視器的檢測結(jié)果來控制上述蒸發(fā)源的控制部。
[0021]另外，本發(fā)明的有機(jī)EL顯示裝置制造方法是通過密封基板密封形成有薄膜晶體管、有機(jī)EL層、以及夾著上述有機(jī)EL層的電極層的TFT基板的有機(jī)EL顯示裝置制造方法，其特征在于，通過在真空蒸鍍裝置的蒸鍍室內(nèi)配置形成有薄膜晶體管的TFT基板，與上述TFT基板相對地配設(shè)一個(gè)以上的收容用于成膜上述有機(jī)EL層或者電極層的蒸鍍材料的蒸發(fā)源，向上述TFT基板蒸鍍上述蒸鍍材料，從而形成上述有機(jī)EL層。
[0022]進(jìn)而，在上述有機(jī)EL顯示裝置制造方法中，也可以在上述蒸鍍室內(nèi)具有用于向各個(gè)上述蒸發(fā)源供給蒸鍍材料的材料供給機(jī)，維持上述蒸鍍室的真空狀態(tài)而供給上述蒸鍍材料。
[0023]根據(jù)本發(fā)明，在使用陶瓷制的坩鍋的蒸發(fā)源中，通過使夾著凸緣部那樣設(shè)置熱反射構(gòu)件，能夠有效地阻斷沿凸緣部`流出的熱，能夠用少的電力有效地加熱坩鍋。另外，能夠防止凸緣部的溫度上升，能夠防止攀緣。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0024]圖1是表示可應(yīng)用向直立的基板上蒸鍍蒸鍍材料的本發(fā)明的蒸發(fā)源的縱型真空蒸鍍裝置的一種實(shí)施方式的圖。
[0025]圖2是表示可應(yīng)用向水平配置的基板上蒸鍍蒸鍍材料的本發(fā)明的蒸發(fā)源的橫型真空蒸鍍裝置的一種實(shí)施方式的圖。
[0026]圖3是表示本發(fā)明的第一實(shí)施例中的蒸發(fā)源結(jié)構(gòu)的截面圖。
[0027]圖4是表示第一實(shí)施例的變形例中的蒸發(fā)源結(jié)構(gòu)的截面圖。
[0028]圖5是表示本發(fā)明的第二實(shí)施例中的蒸發(fā)源結(jié)構(gòu)的截面圖。
[0029]圖6是表示第二實(shí)施例的變形例中的蒸發(fā)源結(jié)構(gòu)的截面圖。
[0030]圖7是表示本發(fā)明的第三實(shí)施例中的蒸發(fā)源結(jié)構(gòu)的截面圖。
[0031]圖8是表示第三實(shí)施例的變形例中的蒸發(fā)源結(jié)構(gòu)的截面圖。
[0032]圖9是表示本發(fā)明的第四實(shí)施例中的蒸發(fā)源結(jié)構(gòu)的截面圖。
[0033]圖10是表示第四實(shí)施例的變形例中的蒸發(fā)源結(jié)構(gòu)的截面圖。
[0034]圖11是表示本發(fā)明的第五實(shí)施例中的蒸發(fā)源結(jié)構(gòu)的截面圖。
[0035]圖12是表示第五實(shí)施例的變形例中的蒸發(fā)源結(jié)構(gòu)的截面圖。
[0036]圖13是表示各蒸鍍材料對于坩鍋溫度的飽和蒸氣壓的圖。[0037]圖14是表不本發(fā)明中的有機(jī)EL顯不裝直生廣工序的一例的工序圖。
[0038]圖15是表示現(xiàn)有例的蒸發(fā)源結(jié)構(gòu)的截面圖。
[0039]符號說明
[0040]1:基板2:蒸氣
[0041]3、3A 到 3E、3AH 到 3EH:蒸發(fā)源
[0042]32:?甘鍋33a:坩鍋本體
[0043]33:加熱器34:凸緣部
[0044]35:加熱部的保持構(gòu)件 36:前加熱器
[0045]37:后加熱器38:?甘鍋
[0046]39:熱電偶310:無凸緣部分
[0047]5:蒸鍍室7:膜厚監(jiān)視器
[0048]8:膜厚控制器9:蒸發(fā)源電源
[0049]10:控制用個(gè)人計(jì)算機(jī) 11到15:熱反射構(gòu)件
【具體實(shí)施方式】
[0050]本發(fā)明中，為了防 止在鋁蒸鍍中成為問題的浸濕、攀緣，采用一體的陶瓷制的坩鍋結(jié)構(gòu)，坩鍋的材質(zhì)取不與鋁材料反應(yīng)的熱分解性氮化硼(ΡΒΝ)，通過在該P(yáng)BN坩鍋的凸緣部或者出口部分上設(shè)置熱反射構(gòu)件，防止攀緣和基板溫度上升，節(jié)電地進(jìn)行蒸鍍。
[0051 ] 下面使用實(shí)施例以及附圖詳細(xì)說明本發(fā)明的內(nèi)容。
[0052]但是本發(fā)明不限于以下說明的實(shí)施方式，在本發(fā)明所屬的【技術(shù)領(lǐng)域】中，只要是具有通常的知識的人，就能夠根據(jù)本發(fā)明的思想和精神修正或者變更本發(fā)明，不用說也包含這些發(fā)明。
[0053]此外，在各圖的說明中，給具有相同功能的結(jié)構(gòu)要素附以相同的參照符號，為避免重復(fù)，盡可能省略說明。
[0054]圖1是表示可應(yīng)用向直立的基板上蒸鍍蒸鍍材料的本發(fā)明的蒸發(fā)源的縱型真空蒸鍍裝置的一種實(shí)施方式的圖。圖2是表示可應(yīng)用向水平配置的基板上蒸鍍蒸鍍材料的本發(fā)明的蒸發(fā)源的橫型真空蒸鍍裝置的一種實(shí)施方式的圖。
[0055]兩真空蒸鍍裝置，在蒸鍍室5內(nèi)具有基板1、蒸發(fā)源3、膜厚監(jiān)視器7，向兩真空蒸鍍裝置，例如向蒸發(fā)源3，如所示從外部供給電源。
[0056]另一方面，在蒸鍍室5外，有用于控制膜厚的膜厚控制器8、用于控制蒸發(fā)源的溫度的蒸發(fā)源電源9和作為用于聯(lián)動(dòng)控制膜厚控制器8和蒸發(fā)源電源9、記錄蒸鍍數(shù)據(jù)的控制部的控制用個(gè)人計(jì)算機(jī)10。
[0057]在圖1表示的縱型真空蒸鍍裝置中，通過基板I和蒸發(fā)源隊(duì)列32相對改變位置，能夠在基板整面上成膜。在本實(shí)施方式中，使蒸發(fā)源3吻合希望的基板尺寸，縱向排列，僅通過使蒸發(fā)源隊(duì)列32在橫向的一個(gè)軸上移動(dòng)就能夠成膜。另外，使蒸發(fā)源3吻合希望的基板尺寸，橫向排列，僅通過使蒸發(fā)源隊(duì)列32在上下的一個(gè)軸上移動(dòng)也能夠成膜。此外，也可以固定蒸發(fā)源隊(duì)列32使基板移動(dòng)。
[0058]圖2是表示在橫型真空蒸鍍裝置中在水平基板I上成膜的情況的結(jié)構(gòu)圖。通過基板I和蒸發(fā)源隊(duì)列32相對改變位置，能夠在基板整面上成膜。在本實(shí)施方式中，表示固定蒸發(fā)源隊(duì)列32，向不同的處理室內(nèi)傳送基板的在線方式的例子。
[0059]圖15是表示現(xiàn)有例的蒸發(fā)源的結(jié)構(gòu)的截面圖?，F(xiàn)有的蒸發(fā)源3J的坩鍋32用加熱器33加熱。蒸鍍材料4，例如在鋁的情況下，被加熱到1200°C以上，蒸氣2從坩鍋出口出來，向基板I放出蒸氣2成膜。其時(shí)，用位于坩鍋的底附近的熱電偶39監(jiān)視加熱溫度。通過膜厚監(jiān)視器7的信號，能夠控制成膜速度，形成希望的膜厚。
[0060]下面以本發(fā)明的特征的蒸發(fā)源為主體進(jìn)行說明。
[0061](實(shí)施例1)
[0062]圖3是表示本發(fā)明的蒸發(fā)源的第一實(shí)施例3A的結(jié)構(gòu)的截面圖。蒸發(fā)源3A例如是克努森(Knudsen)單元(K單元)。該K單元由把陶瓷(PBN、氧化招、碳材料等)作為材質(zhì)的坩鍋32、用于加熱該坩鍋的加熱器33、用于控制坩鍋溫度的熱電偶19、用于供給蒸鍍材料4的材料供給機(jī)20、用于不使熱向外部漏出的未圖示的熱護(hù)罩、以及水冷護(hù)罩構(gòu)成。材料供給機(jī)20，通過僅在供給時(shí)向坩鍋出口移動(dòng)而投入材料，防止在蒸鍍時(shí)材料向材料供給機(jī)20附著。
[0063]蒸發(fā)源3A，為了防止作為蒸鍍材料4的鋁材料的攀緣、實(shí)現(xiàn)降低熱輻射節(jié)電的目的，設(shè)置熱反射構(gòu)件11、12，其一部分為了放出蒸氣而開口，并且夾著坩鍋32的凸緣部34。通過設(shè)置夾著凸緣部34的熱反射構(gòu)件11、12，能夠有效地阻斷沿凸緣部34流出的熱，能夠用少的電力有效地加熱坩鍋。另外，由熱反射構(gòu)件11反射來自加熱器的熱輻射，能夠防止凸緣部34的溫度上升，降低基板溫度上升，能夠用冷卻的凸緣部防止蒸鍍材料的攀緣。
[0064]圖4是表示作為實(shí)施例1的變形例的蒸發(fā)源3AH的結(jié)構(gòu)的截面圖。蒸發(fā)源3AH和蒸發(fā)源3A的不同點(diǎn)是裝入多個(gè)(圖中是兩個(gè))熱反射構(gòu)件11、12這點(diǎn)。其他點(diǎn)蒸發(fā)源3AH和蒸發(fā)源3A相同。通過裝入多個(gè)熱反射構(gòu)件11、12，能夠更加降低熱輻射，能夠增加節(jié)電、防止攀緣的效果。
[0065](實(shí)施例2)
[0066]圖5是表示本發(fā)明的蒸發(fā)源的第二實(shí)施例3B的結(jié)構(gòu)的截面圖。
[0067]在實(shí)施例1中，為了降低熱輻射，在蒸氣2放出的方向上，即夾著坩鍋32的凸緣部34那樣設(shè)置熱反射構(gòu)件11、12。在本實(shí)施例中，為了進(jìn)一步促進(jìn)防止攀緣的效果，在加熱器33側(cè)設(shè)置的熱反射構(gòu)件11之外，另外在不是凸緣部34的坩鍋本體32a和加熱器33之間設(shè)置熱反射構(gòu)件13，降低向凸緣部34、坩鍋32的出口附近的熱輻射。熱反射構(gòu)件11和13也可以成為一體。在那種情況下，只要把熱反射構(gòu)件的一部分以位于坩鍋本體32a和加熱器33之間的方式配置，就能夠得到同樣的效果。另外，像在圖4中說明效果那樣，也可以重疊兩個(gè)以上設(shè)置熱反射構(gòu)件11、12、13。
[0068]圖6是表示作為實(shí)施例2的變形例的蒸發(fā)源3BH的結(jié)構(gòu)的截面圖。蒸發(fā)源3BH和蒸發(fā)源3B的不同點(diǎn)，是為了防止向位于蒸發(fā)源3周邊的蒸鍍室5內(nèi)的設(shè)備的熱的影響，或者加熱器33的熱向蒸發(fā)源3BH的外部散逸，實(shí)現(xiàn)節(jié)電化，在周邊設(shè)置熱反射構(gòu)件14、15這點(diǎn)。在本實(shí)施例中，用一層說明熱反射構(gòu)件14、15，但是如果重疊兩個(gè)以上、提高絕熱效果，則能夠更加節(jié)電，實(shí)現(xiàn)坩鍋溫度的穩(wěn)定化。
[0069](實(shí)施例3)
[0070]圖7是表示本發(fā)明的蒸發(fā)源的第三實(shí)施例3C的結(jié)構(gòu)的截面圖。
[0071]在實(shí)施例1以及實(shí)施例2中，因?yàn)闊岱瓷錁?gòu)件12從坩鍋32的出口暴露在蒸氣2下，所以有時(shí)蒸鍍材料在熱反射構(gòu)件12上附著成為故障。在本實(shí)施例中，為了解決上述材料附著的問題，在坩鍋32的出口處設(shè)置噴嘴16，更加不使熱反射構(gòu)件12向蒸氣2暴露。噴嘴16選取即使蒸鍍材料附著也不是問題的陶瓷材質(zhì)。例如在蒸鍍材料是鋁的情況下，為了防止破損，選取和坩鍋相同的PBN材質(zhì)。也可以是氮化鋁、氮化硼復(fù)合材等其它種類的陶瓷材料。
[0072]圖8是表示作為實(shí)施例3的變形例的蒸發(fā)源3CH的結(jié)構(gòu)的截面圖。蒸發(fā)源3CH和蒸發(fā)源3C的不同點(diǎn)，是為了防止向位于蒸發(fā)源3周邊的蒸鍍室5內(nèi)的設(shè)備的熱的影響，或者加熱器33的熱向外部散逸，實(shí)現(xiàn)節(jié)電化，在周邊設(shè)置熱反射構(gòu)件14、15這點(diǎn)。在本實(shí)施例中，用一層說明熱反射構(gòu)件14、15，但是如果重疊兩個(gè)以上、提高絕熱效果，則能夠更加節(jié)電，實(shí)現(xiàn)坩鍋溫度的穩(wěn)定化。
[0073](實(shí)施例4)
[0074]圖9是表示本發(fā)明的蒸發(fā)源的第四實(shí)施例3D的結(jié)構(gòu)的截面圖。
[0075]在實(shí)施例1到實(shí)施例3中，使覆蓋坩鍋32的外壁那樣設(shè)置一個(gè)加熱器33。在本實(shí)施例中，為了對坩鍋32的底或出口等每一部分進(jìn)行溫度控制，如圖9所示分割為前加熱器36和后加熱器37設(shè)置。在本實(shí)施例中，通過分割坩鍋的溫度進(jìn)行控制使成為分別希望的溫度，能夠防止蒸鍍材料的攀緣或者附著。順便說，35是前加熱器36、后加熱器37的保持構(gòu)件。
[0076]圖10是表示作為實(shí)施例4的變形例的蒸發(fā)源3DH的結(jié)構(gòu)的截面圖。蒸發(fā)源3DH和蒸發(fā)源3D的不同點(diǎn)，是為了防止向位于蒸發(fā)源3周邊的蒸鍍室5內(nèi)的設(shè)備的熱的影響，或者加熱器33的熱向外部散逸，實(shí)現(xiàn)節(jié)電化，在周邊設(shè)置熱反射構(gòu)件14、15這點(diǎn)。在本變形例中，設(shè)置了三層熱反射構(gòu)件14、15，但是即使一個(gè)或者一個(gè)以上，也能夠提高絕熱效果，能夠?qū)崿F(xiàn)節(jié)電化、坩鍋溫度的穩(wěn)定化。
[0077](實(shí)施例5)`
[0078]圖11是表示本發(fā)明的蒸發(fā)源的第五實(shí)施例3E的結(jié)構(gòu)的截面圖。
[0079]在實(shí)施例1到實(shí)施例4中，通過用熱反射構(gòu)件11、12、13覆蓋坩鍋32的凸緣部34，能夠有效地阻斷沿凸緣部流出的熱，能夠用少的電力有效地加熱坩鍋。另外，用熱反射構(gòu)件11反射來自加熱器的熱輻射，能夠防止凸緣部34的溫度上升，能夠用冷卻的凸緣部34防止蒸鍍材料的攀緣。
[0080]在本實(shí)施例中，即使在沒有凸緣310的坩鍋38的情況下，通過設(shè)置熱反射構(gòu)件11、
12、13，也能夠防止基板溫度上升以及蒸鍍材料的攀緣。
[0081]圖12是表示作為實(shí)施例5的變形例的蒸發(fā)源3EH的結(jié)構(gòu)的截面圖。蒸發(fā)源3EH和蒸發(fā)源3E的不同點(diǎn)，和圖6表示的蒸發(fā)源3BH同樣，是為了防止向位于蒸發(fā)源周邊的蒸鍍室5內(nèi)的設(shè)備的熱的影響，或者加熱器33的熱向外部散逸，實(shí)現(xiàn)節(jié)電化，在周邊設(shè)置熱反射構(gòu)件14、15這點(diǎn)。在本發(fā)明中，用一層說明熱反射構(gòu)件14、15，但是如果重疊兩個(gè)以上、提高絕熱效果，則能夠更加節(jié)電，實(shí)現(xiàn)坩鍋溫度的穩(wěn)定化。
[0082](實(shí)施例6)
[0083]圖13表示作為鋁Al、銀Ag、鎂Mg的溫度T和蒸氣壓P的關(guān)系的蒸氣壓曲線。
[0084]在實(shí)施例1到實(shí)施例5中，不測定凸緣部34的溫度，但是在本實(shí)施例中，在從圖13表示的蒸氣壓曲線中，在成膜必要的蒸氣壓例如鋁蒸鍍材料的情況下，為了得到幾Pa (帕斯卡)~幾十Pa (帕斯卡)，需要使蒸鍍材料的溫度成為1300°C~1400°C。另外可以知曉，攀緣在凸緣部的溫度成為1200°C以上時(shí)顯著發(fā)生。但是，在凸緣部的溫度成為1000°C以下時(shí)，通過實(shí)驗(yàn)了解，通過凸緣部的冷卻，蒸氣2附著，會附著到坩鍋壁上。因此，通過把凸緣部34的溫度控制在1100°C到1200°C之間，能夠一邊防止鋁的攀緣一邊成膜。
[0085](實(shí)施例7)
[0086]在實(shí)施例1到實(shí)施例6中說明了蒸發(fā)源結(jié)構(gòu)，在本實(shí)施例中，在圖1或者在圖2中表示的、縱型真空蒸鍍裝置或者橫型真空蒸鍍裝置中設(shè)置實(shí)施例1到實(shí)施例6中使用的蒸發(fā)源，從而能夠?qū)崿F(xiàn)可以達(dá)成希望的成膜的真空蒸鍍裝置。在圖1、圖2中，是設(shè)置多個(gè)蒸發(fā)源的例子。但是，即使通過用一個(gè)蒸發(fā)源在基板上成膜，即使在大型的基板上也能夠形成均勻膜厚的膜。
[0087](實(shí)施例8)
[0088]圖14是表不有機(jī)EL顯不裝直生廣工序的一例的工序圖。在實(shí)施例1~實(shí)施例7中，主要說明該生產(chǎn)工序中的僅金屬蒸鍍的工序。
[0089]在圖14的工序圖中，分別形成TFT基板和密封基板，前者形成有機(jī)層和控制流入有機(jī)層的電流的薄膜晶體管(TFT)，后者用于保護(hù)有機(jī)層不接觸外部的濕氣，在密封工序/封閉固化工序的密封工序中組合。
[0090]在圖14的TFT基板的制造工序中，對于濕洗后的基板進(jìn)行干洗。干洗有時(shí)也包含通過紫外線照射進(jìn)行的洗滌。
[0091]首先在干洗后的TFT基板上形成TFT。在TFT上形成鈍化膜以及平坦化膜，在其上形成有機(jī)EL層的下部電極。 下部電極與TFT的漏極連接。在把下部電極作為陽極的情況下，例如使用 ITO (Indium Tinoxide)膜。
[0092]接著在下部電極上形成(有機(jī)蒸鍍)有機(jī)EL層。有機(jī)EL層由多個(gè)層構(gòu)成。在下部電極為陽極的情況下，從下起例如是空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層。這樣的有機(jī)EL層通過蒸鍍形成，在其上形成上部電極層。上部電極層，通過在實(shí)施例I~實(shí)施例7中所述那樣的真空蒸鍍裝置或者有機(jī)EL顯示裝置制造方法形成。
[0093]在有機(jī)EL層之上，各像素共同地，在β膜中用實(shí)施例1到實(shí)施例5的任何一個(gè)蒸發(fā)源形成上部電極(金屬蒸鍍)。在有機(jī)EL顯示裝置為上端發(fā)射(Top Emission)的情況下，上部電極使用IZO (注冊商標(biāo)，In2O3 - ZnO)等透明電極，在有機(jī)EL顯示裝置是底部發(fā)射的情況下，使用鋁等金屬膜。
[0094]在圖14的密封基板投入工序中，對于進(jìn)行了濕洗以及干洗的密封基板配置干燥劑(干燥劑)。有機(jī)EL層，當(dāng)有水分時(shí)劣化，因此為了除去內(nèi)部的水分而使用干燥劑，對于干燥劑可以使用各種材料，但是根據(jù)有機(jī)EL顯示裝置是上端發(fā)射還是底部發(fā)射，干燥劑的配置方法不同。
[0095]這樣，分別制造的TFT基板和密封基板在密封工序中組合。用于密封TFT基板和密封基板的封閉材料在密封基板上形成。在組合密封基板和TFT基板后，用紫外線照射封閉部，使封閉部固化，結(jié)束密封。
[0096]對于這樣形成的有機(jī)EL顯示裝置進(jìn)行點(diǎn)亮檢查。在點(diǎn)亮檢查中，即使在黑點(diǎn)、白點(diǎn)等缺陷發(fā)生的情況下，對于可修正缺陷的裝置也進(jìn)行修正，完成有機(jī)EL顯示裝置。
[0097]根據(jù)本發(fā)明，因?yàn)槟軌蛞种仆ㄟ^異物帶來的污染、而且用短的生產(chǎn)節(jié)拍(tact)時(shí)間形成通過多個(gè)層形成的有機(jī)EL層，所以能夠降低有機(jī)EL顯示裝置的制造成本，提高成品率。進(jìn)而，因?yàn)槟軌蛘_地控制有機(jī)EL層的各層的成分，所以能夠制造特性的再現(xiàn)性高、而且可靠性高的有機(jī)EL顯示裝置。[0098](實(shí)施例9)
[0099]在本實(shí)施例中，雖然未圖示，但是通過在實(shí)施例7的有機(jī)EL顯示裝置制造方法中，在上述蒸鍍室5內(nèi)在多個(gè)設(shè)置的上述蒸發(fā)源3處分別具備用于供給蒸鍍材料的材料供給機(jī)，維持上述蒸鍍室的真空狀態(tài)的同時(shí)供給上述蒸鍍材料，從而能夠延長蒸鍍裝置的運(yùn)行時(shí)間。
【權(quán)利要求】
1.一種蒸發(fā)源，其特征在于，具有: 坩鍋，其收納蒸發(fā)材料； 坩鍋出口，用于放出收容在該坩鍋內(nèi)的蒸發(fā)材料的蒸氣； 熱反射構(gòu)件，其設(shè)置成包圍該坩鍋出口的至少一部分；和 加熱器，其設(shè)置成包圍該坩鍋的外側(cè)壁。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的蒸發(fā)源，其特征在于， 在所述熱反射構(gòu)件中，設(shè)置在加熱器側(cè)的熱反射構(gòu)件被設(shè)置成其一部分位于坩鍋本體和該加熱器之間。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的蒸發(fā)源，其特征在于， 具有噴嘴，其用于防止在所述坩鍋出口處向所述熱反射構(gòu)件附著材料。
4.根據(jù)權(quán)利要求1至權(quán)利要求3中任何一項(xiàng)所述的蒸發(fā)源，其特征在于， 在所述坩鍋出口方向上分割所述加熱器，個(gè)別地進(jìn)行溫度控制。
5.根據(jù)權(quán)利要求1至 權(quán)利要求3中任何一項(xiàng)所述的蒸發(fā)源，其特征在于， 具有凸緣部，其設(shè)置成包圍所述坩鍋出口的至少一部分， 所述熱反射構(gòu)件設(shè)置成夾著該凸緣部。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的蒸發(fā)源，其特征在于， 進(jìn)行溫度控制，使所述凸緣部的溫度為1100°c至1200°C。
7.一種真空蒸鍍裝置，其特征在于，具有: 一個(gè)以上的權(quán)利要求1至權(quán)利要求3中任何一項(xiàng)所述的蒸發(fā)源； 檢測通過所述蒸發(fā)源對基板的蒸鍍量的膜厚監(jiān)視器；和 根據(jù)所述膜厚監(jiān)視器的檢測結(jié)果來控制所述蒸發(fā)源的控制部。
8.一種真空蒸鍍裝置，其特征在于，具有: 一個(gè)以上的權(quán)利要求4所述的蒸發(fā)源； 檢測通過所述蒸發(fā)源對基板的蒸鍍量的膜厚監(jiān)視器；和 根據(jù)所述膜厚監(jiān)視器的檢測結(jié)果來控制所述蒸發(fā)源的控制部。
9.一種真空蒸鍍裝置，其特征在于，具有: 一個(gè)以上的權(quán)利要求5所述的蒸發(fā)源； 檢測通過所述蒸發(fā)源對基板的蒸鍍量的膜厚監(jiān)視器；和 根據(jù)所述膜厚監(jiān)視器的檢測結(jié)果來控制所述蒸發(fā)源的控制部。
10.一種真空蒸鍍裝置，其特征在于，具有: 一個(gè)以上的權(quán)利要求6所述的蒸發(fā)源； 檢測通過所述蒸發(fā)源對基板的蒸鍍量的膜厚監(jiān)視器；和 根據(jù)所述膜厚監(jiān)視器的檢測結(jié)果來控制所述蒸發(fā)源的控制部。
11.一種有機(jī)EL顯示裝置制造方法，其為通過密封基板密封形成有薄膜晶體管、有機(jī)EL層、以及夾著所述有機(jī)EL層的電極層的TFT基板的有機(jī)EL顯示裝置制造方法，其特征在于， 通過在真空蒸鍍裝置的蒸鍍室內(nèi)配置形成有所述薄膜晶體管的所述TFT基板，與所述TFT基板相對地配設(shè)一個(gè)以上的收容用于成膜所述有機(jī)EL層或者電極層的蒸鍍材料的權(quán)利要求I至3中任何一項(xiàng)所述的蒸發(fā)源，并向所述TFT基板蒸鍍所述蒸鍍材料，從而形成所述有機(jī)EL層。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的有機(jī)EL顯示裝置制造方法，其特征在于，在所述蒸鍍室內(nèi)具有用于向各個(gè)所述蒸發(fā)源供給所述蒸鍍材料的材料供給機(jī)，維持所述蒸鍍室的真空狀態(tài)而供給所述蒸鍍材料。
13.一種有機(jī)EL顯示裝置制造方法，其為通過密封基板密封形成有薄膜晶體管、有機(jī)EL層、以及夾著所述有機(jī)EL層的電極層的TFT基板的有機(jī)EL顯示裝置制造方法，其特征在于， 通過在真空蒸鍍裝置的蒸鍍室內(nèi)配置形成有所述薄膜晶體管的所述TFT基板，與所述TFT基板相對地配設(shè)一個(gè)以上的收容用于成膜所述有機(jī)EL層或者電極層的蒸鍍材料的權(quán)利要求4所述的蒸發(fā)源，并向所述TFT基板蒸鍍所述蒸鍍材料，從而形成所述有機(jī)EL層。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的有機(jī)EL顯示裝置制造方法，其特征在于，在所述蒸鍍室內(nèi)具有用于向各個(gè)所述蒸發(fā)源供給所述蒸鍍材料的材料供給機(jī)，維持所述蒸鍍室的真空狀態(tài)而供給所述蒸鍍材料。
15.一種有機(jī)EL顯示裝置制造方法，其為通過密封基板密封形成有薄膜晶體管、有機(jī)EL層、以及夾著所述有機(jī)EL層的電極層的TFT基板的有機(jī)EL顯示裝置制造方法，其特征在于， 通過在真空蒸鍍裝置的蒸鍍室內(nèi)配置形成有所述薄膜晶體管的所述TFT基板，與所述TFT基板相對地配設(shè)一個(gè)以上的收容用于成膜所述有機(jī)EL層或者電極層的蒸鍍材料的權(quán)利要求5所述的蒸發(fā)源，并向所述TFT基板蒸鍍所述蒸鍍材料，從而形成所述有機(jī)EL層。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的有機(jī)EL顯示裝置制造方法，其特征在于，在所述蒸鍍室內(nèi)具有用于向各個(gè)所述蒸發(fā)源供給所述蒸鍍材料的材料供給機(jī)，維持所述蒸鍍室的真空狀態(tài)而供給所述蒸鍍材 料。
17.一種有機(jī)EL顯示裝置制造方法，其為通過密封基板密封形成有薄膜晶體管、有機(jī)EL層、以及夾著所述有機(jī)EL層的電極層的TFT基板的有機(jī)EL顯示裝置制造方法，其特征在于， 通過在真空蒸鍍裝置的蒸鍍室內(nèi)配置形成有所述薄膜晶體管的所述TFT基板，與所述TFT基板相對地配設(shè)一個(gè)以上的收容用于成膜所述有機(jī)EL層或者電極層的蒸鍍材料的權(quán)利要求6所述的蒸發(fā)源，并向所述TFT基板蒸鍍所述蒸鍍材料，從而形成所述有機(jī)EL層。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的有機(jī)EL顯示裝置制造方法，其特征在于，在所述蒸鍍室內(nèi)具有用于向各個(gè)所述蒸發(fā)源供給所述蒸鍍材料的材料供給機(jī)，維持所述蒸鍍室的真空狀態(tài)而供給所述蒸鍍材料。
【文檔編號】H05B33/10GK103710667SQ201310339461
【公開日】2014年4月9日 申請日期:2013年8月6日 優(yōu)先權(quán)日:2012年9月28日
【發(fā)明者】三宅龍也, 松浦宏育, 峰川英明, 矢崎秋夫, 尾方智彥, 山本健一, 楠敏明, 玉腰武司 申請人:株式會社日立高新技術(shù)