專利名稱：疊層體缺陷部位的表示方法
技術領域：
本發(fā)明涉及在制造帶狀疊層體的過程中表示移動中的疊層體的缺陷部位和正常部位界限的方法。
背景技術：
在制造薄膜或多層薄膜、包裝材料等時，廣泛使用的是連續(xù)制造帶狀物的方法。作為疊層體制造方法的一例，是通過用如粘結劑那樣的軟質材料將多個帶狀高分子薄膜疊層在一起，然后使該軟質材料固化以制造帶狀疊層體的方法。例如已知從2根薄膜輥分別抽出高分子薄膜，在其中一個薄膜表面上涂布粘結劑，然后將其與另一個薄膜貼合，得到疊層體，在后續(xù)步驟中使該疊層體中的軟質材料固化得到所期望的制品的方法。一般在監(jiān)視帶狀物的制造工序中發(fā)現(xiàn)缺陷時，如果該缺陷嚴重的話則停止運轉，不是這樣情況的話，對該缺陷部位進行標記并繼續(xù)運轉，通過在后續(xù)工序中除去該部分，實施制品化步驟。作為標記方法，可采用貼附或夾細片、或采用標記器記錄的方法實施。
在通過如粘結劑那樣的軟質材料疊層帶狀高分子薄膜，然后使該軟質材料固化來制造帶狀疊層體的方法中，如果在涂布粘結劑時混入氣泡，則在后續(xù)步驟中粘結劑固化時，由于氣泡中氧氣的存在，將阻礙固化反應。在疊層體以未固化狀態(tài)移動時，氣泡擴大，則缺陷部位將在該工序的上游擴大?，F(xiàn)有的缺陷部位表示手段不能防止這種軟質材料所特有的缺陷擴大情況。制品的有效利用率也降低。已知用于液晶顯示裝置等中的具有液晶性高分子層的光學元件，但是由于用于該光學元件的液晶性高分子為非常薄的膜而且重視取向性，因此使用分子量比較小的高分子。因此已知一種這樣的連續(xù)剝離的連續(xù)轉印方法，即通過采用粘結劑將透光性基板薄膜與形成在取向基板薄膜上的薄膜液晶性高分子層貼合、疊層，并使粘結劑固化得到具有取向基板薄膜/液晶性高分子層/固化粘結劑層/透光性基板薄膜的層結構的疊層薄膜，從該疊層膜僅連續(xù)剝離取向基板薄膜的方法(例如參照特開平7-113993號公報)。在制造這樣的光學元件時，需要作為缺陷表示未固化粘結劑存在卷入氣泡的部位，并防止該氣泡擴大。

發(fā)明內容
本發(fā)明的目的是提供一種表示移動著的帶狀物的缺陷部位和正常部位的界限的方法，更詳細地是提供一種在連續(xù)制造帶狀物的過程中，防止缺陷部位擴大到正常部位的方法。
本發(fā)明的第一方面涉及一種表示移動中的帶狀物的缺陷部位和正常部位的界限的方法，其特征為在連續(xù)制造帶狀物的過程中包含將移動著的帶狀物的缺陷部位和正常部位的界限在寬度方向上從上下用細長的磁片夾住的步驟。
本發(fā)明的第二方面涉及一種表示移動中的帶狀物的缺陷部位和正常部位的界限的方法，其特征為包含以下步驟(1)由至少2層帶狀高分子薄膜層和位于該高分子薄膜層間的軟質層形成疊層體的步驟、(2)將移動中的該疊層體的缺陷部位和正常部位的界限在寬度方向上從上下用細長的磁片夾住的步驟和(3)取下該磁片的步驟。
本發(fā)明第3方面涉及一種方法，其特征為在本發(fā)明第1或第2方面中，所述磁片由撓性材料形成。
附圖的簡單說明

圖1是在本發(fā)明方法中使用的細長磁片的一例。
圖2為采用該磁片在寬度方向上從上下夾住疊層體的狀態(tài)的簡略圖。
圖3為采用連續(xù)轉印方法制造光學元件的工序的簡略圖。
發(fā)明的實施方式以下關于特開平7-113993號公報記載的通過連續(xù)轉印方法的光學元件制造方法，本發(fā)明作進一步的說明。在連續(xù)轉印方法中，應轉印物質為顯示液晶性的高分子，在熔融時顯示液晶性的熱致液晶聚合物。作為光學元件，優(yōu)選為顯示均勻單域向列液晶相或扭擺向列液晶相的元件。在此所選的熱致液晶聚合物為一種這樣的液晶高分子，其在液晶狀態(tài)下呈向列取向或扭擺向列取向，在液晶化移溫度以下的溫度范圍呈玻璃狀態(tài)。
作為液晶性高分子，可例舉出由具有羧基、醇基、苯酚基、氨基、硫基等的化合物縮合而成的縮合類液晶性高分子、以具有丙烯酰基、甲基丙烯酰基、乙烯基、烯丙基等雙鍵的液晶性化合物等為原料得到的液晶性乙烯聚合物、由具有烷氧基硅烷基的液晶化合物等合成的液晶性聚硅氧烷、由具有環(huán)氧基的液晶性化合物等合成的液晶性環(huán)氧樹脂和上述液晶性高分子的混合物等。在以上各種液晶性高分子中，從所得薄膜的光學特性等的觀點出發(fā)，最優(yōu)選縮合類液晶高分子。
縮合類液晶性高分子通?？刹捎眠m當方法使二官能性單體縮合得到。作為該二官能性單體，優(yōu)選為具有芳香族或環(huán)己烷環(huán)的二官能性單體。具體地可例舉出亞苯基二胺等的二胺類，氫醌、2-甲基氫醌、間苯二酚、鄰苯二酚、4-甲基鄰苯二酚、4-叔丁基鄰苯二酚、2，3-二羥基萘等的二醇類，1，4-亞苯基二硫醇、1，2-亞苯基二硫醇等的二硫醇類，水楊酸、3-羥基安息香酸、4-羥基安息香酸、3-羥基-2-萘甲酸、6-羥基-2-萘甲酸、7-羥基-2-萘甲酸等的羥基羧酸類，2-氨基安息香酸、3-氨基安息香酸、4-氨基安息香酸等的氨基酸類、鄰苯二酸、間苯二酸、對苯二酸、1，4-萘二羧酸、2，6-萘二羧酸、2，7-萘二羧酸、4，4’-聯(lián)苯二羧酸、4，4’-均二苯代乙烯二羧酸、1，4-環(huán)己烷二羧酸等的二羧酸類。其中最優(yōu)選的是含有作為含羥基成分的、以鄰苯二酚單元為必須結構單元的縮合類液晶性高分子。
在配制縮合類液晶性高分子時，在不損害液晶性的程度內可向所用原料單體中添加例如草酸、富馬酸、琥珀酸、戊二酸、己二酸、庚二酸、辛二酸、壬二酸、癸二酸等的脂肪族二羧酸類，乙二醇、丙二醇、丁二醇、戊二醇、己二醇、庚二醇、辛二醇、壬二醇、癸二醇等的脂肪族二醇類，二氨基乙烷、二氨基丙烷、二氨基丁烷、二氨基戊烷、二氨基己烷、二氨基庚烷、二氨基辛烷、二氨基壬烷、二氨基癸烷等的脂肪族二胺類，羥基乙酸、羥基丙酸、羥基丁酸、羥基戊酸、羥基己酸、羥基庚酸、羥基辛酸、羥基壬酸、羥基癸酸等的脂肪族羥基羧酸類等。
另外，為了根據需要對液晶性高分子主鏈的末端進行改性，可向原料單體中添加單官能性單體或三官能性單體。作為單官能性單體可舉出分子內具有一個羧基、氨基、醇基、苯酚基、硫醇基等的單體，例如為芳香族羧酸類、脂肪族羧酸類、芳香族胺類、脂肪族胺類、苯酚類、脂肪族苯酚類。另外，作為三官能性單體可舉出例如偏苯三酸、二羥基安息香酸、羥基苯甲酸、苯三酸、均苯四酸等。
使這些單體縮合得到縮合類液晶性高分子、具體地為獲得液晶性聚酯的方法沒有特別限制，可合適地采用該領域公知的任何方法。例如可任意采用通過使羧酸成為酸鹵化物或者在二環(huán)己基碳二酰亞胺等的存在下將羧酸活化后，使其與醇、胺等發(fā)生反應的方法、通過將苯酚進行乙酸酯化后，使其與羧酸反應的脫乙酸反應的合成方法、使羧酸成為如甲酯的酯化物后，在所需要的適當催化劑的存在下，使其與醇反應的脫醇反應的合成方法等。
在本發(fā)明的液晶性高分子中，如上所述的縮合類液晶性高分子可單獨使用，也可以使用2種或3種或以上的縮合類液晶性高分子的混合物。另外在不損害本發(fā)明效果的范圍內，可適宜地混合使用光學活性液晶性高分子、液晶性乙烯聚合物、液晶性聚硅氧烷、液晶性環(huán)氧樹脂等的各種液晶性高分子或非液晶高分子等。
這些聚合物的分子量優(yōu)選相當于在各種溶劑中，例如在苯酚/四氯乙烷(重量比60/40)混合溶劑中，在30℃下測定的對數(shù)粘度為0.05到3.0，更優(yōu)選在0.07到2.0的范圍內。對數(shù)粘度小于0.05時，所得的液晶性高分子的強度變弱，因此不優(yōu)選。而大于3.0時，將產生液晶形成時粘性過高，取向性降低，取向所需時間增加等的問題。
另外，上述光學活性高分子化合物的分子量優(yōu)選相當于在例如苯酚/四氯乙烷中，在30℃下測定的對數(shù)粘度在0.05到5.0的范圍內。對數(shù)粘度大于5.0時，粘性過高，結果使取向性降低，而小于0.05時，難以調整組成，因此均不優(yōu)選。
如果采用上述聚酯類聚合物作為液晶高分子，則其與作為粘結劑層使用的丙烯類樹脂的粘結性好，因此優(yōu)選。液晶高分子由取向基板設定取向。取向基板也可以為在合適基底材料上形成的高分子薄膜。
可用于連續(xù)轉移方法的取向基板薄膜可直接使用帶狀連續(xù)延伸薄膜，或者通過對帶狀連續(xù)薄膜的MD(縱)方向平行地或以一定角度傾斜地實施摩擦處理，對應于該摩擦處理方向使已經與該摩擦處理面接觸的液晶高分子取向得到。作為這種取向基板薄膜可例舉出聚酰亞胺、環(huán)氧樹脂、酚醛樹脂等的熱固化樹脂；尼龍等的聚酰胺；聚醚酰亞胺；聚醚酮；聚醚醚酮；聚酮；聚醚砜；聚苯撐硫醚；聚苯撐氧化物；聚對苯二甲酸乙烯酯、聚對苯二甲酸丁烯酯等的聚酯；聚縮醛；聚碳酸酯；聚丙烯酸酯；聚甲基丙烯酸酯；纖維素三醋酸酯等的纖維素類樹脂；聚乙烯醇等的熱塑性樹脂等。
可對上述高分子薄膜自身實施摩擦處理，或可以將這些高分子薄膜作為基底材料，在其表面上形成由上述其它高分子形成的有機薄膜。另外，作為在這種基底材料上形成有機薄膜的基底材料，除了上述高分子薄膜以外，還可以為銅、不銹鋼、鋼等的金屬箔。另外，上述取向基板本身也可以由銅、不銹鋼、鋼等的金屬箔形成。在本發(fā)明中特別優(yōu)選的取向基板薄膜為對具有帶狀自立性高分子薄膜本身實施摩擦處理形成的薄膜，特別是不使用應疊層的基底材料等的薄膜。作為適合于該目的的帶狀薄膜，為上述薄膜中熱塑性樹脂形成的薄膜，例如為聚對苯二甲酸乙烯酯、聚苯撐硫醚、聚醚醚酮、聚乙烯醇等的熱塑性樹脂。作為熱固化樹脂薄膜，優(yōu)選使用聚酰亞胺。
在此，帶狀薄膜指的是具有一定長度的連續(xù)薄膜，在工業(yè)上指的是以卷成輥的形式提供的如所得的連續(xù)薄膜。當然也可以不必為卷形式，而是為適當?shù)卣郫B好地連續(xù)薄膜。帶狀薄膜的長度依據情況也可長達10000m。
在帶狀取向基板薄膜上形成帶狀液晶高分子層的操作可以任意方法實施。即，將液晶高分子溶解在合適的溶劑中，采用輥涂機等的涂布設備進行涂布，使其干燥形成液晶高分子層的方法，或者采用由T型模等熔融擠出高分子液晶等的方法。另外，從膜厚等的品質觀點出發(fā)，適于通過溶液涂布和干燥方法。涂布方法沒有特別限制，例如可采用輥涂法、簾涂法或縫口涂布法等的模涂法等。涂布寬度通常在10～2000mm，優(yōu)選在100～1000mm的范圍內選擇。涂布后，通過干燥除去溶劑。
在與MD方向平行地或與MD方向呈預定角度傾斜的方向上進行摩擦處理形成的帶狀取向基板薄膜上形成液晶高分子層后，在預定溫度下加熱預定時間，使液晶高分子取向，然后冷卻至Tg(玻璃化溫度)以下的溫度，由此使液晶結構固定。在本文中，作為固定了的液晶結構，由于所用液晶性高分子的種類、組成比等不同而不能一概而論，可例舉出向列取向、向列雜合取向、扭擺向列取向、膽甾醇取向等。但是這些液晶結構是示例性的，本發(fā)明不受這些液晶結構的限定。對固定后的液晶性高分子層的膜厚沒有特別限制。膜厚根據光波長是不同的，例如在顯示器用途等的主要為可視光的領域中，膜厚為0.1μm以上，優(yōu)選為2μm以上，更優(yōu)選為3μm以上。不足0.1μm時，難以高精度地調整膜厚，因此不優(yōu)選。另外太厚時，作為光學元件的設定能力變弱，因此不優(yōu)選，從該觀點出發(fā)，合適的在1000μm以下，優(yōu)選在500μm以下的范圍內。在本發(fā)明中，由于下部的取向基板薄膜為以預定角度實施摩擦處理的帶狀取向基板薄膜，因此得到與該摩擦處理相應角度取向的帶狀液晶高分子薄膜。
作為透光性基板用薄膜，只要其具有透明性，可支撐液晶高分子層，對其沒有特別限制，由于需要呈帶狀，因此可例舉出塑料薄膜，例如聚對苯二甲酸乙烯酯、聚甲基丙烯酸酯、聚苯乙烯、聚碳酸酯、聚醚砜、聚苯撐硫醚、聚丙烯酸酯、聚乙烯硫醚、非晶態(tài)聚乙烯、纖維素三醋酸酯等。另外，基板用薄膜的厚度在0.5～200μm，優(yōu)選在1～100μm的范圍內。
可用于本發(fā)明的粘結劑沒有特別限定，考慮到在連續(xù)轉印時可在必須的極短時間固化，以及在液晶性高分子Tg溫度以下可固化，優(yōu)選光固化型或電子射線固化型。特別是以丙烯類低聚物為主成分的粘結劑完全不會產生液晶高分子層轉印錯誤，在實施卷繞等操作時不會產生故障，成為光學元件制品的可靠性高，從這些觀點出發(fā)是優(yōu)選的。此外，對于該丙烯類低聚物，可配合如N-乙烯吡咯烷酮那樣的極性乙烯單體。
以下對采用這些光或電子射線固化型粘結劑，將取向基板薄膜上形成的液晶高分子層連續(xù)轉印到透光性基板上的方法進行說明。即包括(1)在帶狀取向基板薄膜上形成的液晶高分子層或帶狀透光性基板薄膜的至少一側上涂布粘結劑、(2)將涂布了粘結劑后的兩個帶狀基板薄膜貼合、(3)向貼合后的疊層膜照射光或電子射線，使粘結劑固化、(4)粘結劑固化后僅剝離取向基板薄膜、(5)對轉印到帶狀透光性基板薄膜側的液晶高分子層/固化粘結劑層/透光性基板薄膜形成的帶狀光學元件薄膜進行卷繞等的步驟。這些步驟是以在0.5～100m/min范圍內的速度連續(xù)實施的。
作為向形成在帶狀取向基板上的液晶高分子層或帶狀透光性基板薄膜的至少一側上涂布粘結劑的方法，可采用一般實行的作為向連續(xù)薄膜的涂布手段的輥涂法、簾涂法、縫口涂布法等的模涂法、噴涂法等，并且沒有特別限制。所涂布的粘結劑厚度為0.5～200μm，優(yōu)選為1～100μm，如果在200μm以上，則粘結劑的固化速度降低，固化不充分，因此不優(yōu)選。將涂布了粘結劑后的兩個基板薄膜進行貼合時可采用一般實行的層壓手段實施，但是以貼合時徹底排除混入的氣泡的方式實施。涂布和貼合后粘結劑層的固化可在適宜于所用粘結劑的條件下，在帶狀已貼合薄膜的寬度方向上均勻地照射光或電子射線來實施。
在粘結劑層固化后僅對取向基板薄膜進行連續(xù)剝離，通過固化的粘結劑層使取向基板薄膜上形成的液晶性高分子層連續(xù)轉印到透光性基板薄膜側上，并卷繞成卷筒。在最后的連續(xù)剝離步驟中，其必須條件例如為在取向基板薄膜側上完全沒有液晶性高分子轉印殘留，在轉印的液晶性高分子層上完全不產生裂縫或剝落，而且透光性基板薄膜、取向基板薄膜本身不產生損傷或皺紋等，該步驟特別重要，而且是高難度的步驟。
以下根據附圖對本發(fā)明缺陷部位表示方法進行說明。
圖1是本發(fā)明方法中使用的細長磁片的一例。圖2為采用該磁片在寬度方向上從上下夾住疊層體的狀態(tài)的簡略圖。圖3為采用連續(xù)轉印方法制造光學元件的工序的簡略圖。在圖1和圖2中，1為細長的磁片，2為疊層體，3為疊層時由于混入氣泡等產生的缺陷部位。在圖3中，4為具有液晶性高分子層的取向基板薄膜、5為透光性基板薄膜、6為粘結劑涂布工序、7為貼合工序、8為疊層體(取向基板薄膜/液晶性高分子層/未固化粘結劑層/透光性基板薄膜)、9為通過紫外線照射使粘結劑固化的工序、10為轉印分離工序、11為取向基板薄膜、12為制品薄膜(液晶性高分子層/固化粘結劑層/透光性基板薄膜)。
只要細長磁片具有可在整個寬度上夾住薄膜的形狀，對其材料沒有特別限制。優(yōu)選其長度比應夾住的疊層體的寬度更寬。磁片的寬度為可由磁力穩(wěn)定地夾住疊層體的程度即可。另外，其厚度程度為夾住疊層體時的狀態(tài)不產生走行障礙即可。如果具體例舉的話，當薄膜寬度為650mm時，所用磁片長度為700mm，寬度為20mm，厚度為2mm。特別優(yōu)選的材料為PVC等塑料形成的具有撓性或彈性的材料。優(yōu)選向其中混合磁粉或貼合其它磁片。通過使該磁片由撓性或彈性材料形成、且具有如圖1所示的對折形狀，由材料的彈性可容易將磁片打開，將薄膜夾住后磁片可由磁力牢固地夾住疊層體，取下時可容易地打開磁片。
在根據如圖3所示的通過連續(xù)轉印方法的光學元件制造工序中，在貼合工序7后監(jiān)視混入氣泡等的缺陷部位，在發(fā)現(xiàn)缺陷時，在緊接著該缺陷部位的后面(在圖中用A表示的磁片安裝位置)，在其寬度方向上用磁片完全地夾緊的原樣進行紫外線照射，經過粘結劑固化步驟9，在轉印分離步驟10之前(在圖中用B表示的磁片脫離位置)從疊層體取下磁片。此外，在用磁片夾住疊層體直接通過輥之間時，將輥間隙打開，使其移動。在卷繞部分除去包含安裝磁片以前的缺陷部位的疊層體區(qū)域，從不合該缺陷部位的區(qū)域開始進行制品的卷繞。
實施例以下根據實施例對本發(fā)明進行具體說明，但本發(fā)明不受這些實施例的限制。
參考例和實施例中所用的各種分析方法如下。
(1)光學參數(shù)的測定采用偏光解析法測定液晶薄膜的扭擺角和延遲(Δn·d)光學參數(shù)。
(Δn雙折射常數(shù)、d液晶薄膜液晶層的厚度；單位nm)(2)對數(shù)粘度的測定采用烏伯洛德型粘度計，在苯酚/四氯乙烷(60/40重量比)混合溶劑中，在30下進行測定。
(3)液晶性高分子組成的確定將液晶性聚酯溶解在重氫化氯仿中，采用400MHz的1H-NMR(日本電子制造的JNM-GX400)進行測定，確定其組成。
(參考例1)合成出式(1)的液晶性高分子物質(對數(shù)粘度＝0.22dl/g、Tg＝61℃)和包含式(2)的(R)-3-甲基己烷-1，6-二醇單元的光學活性液晶性高分子物質(對數(shù)粘度＝0.17dl/g)。
這些高分子材料的合成是在鄰二氯苯溶劑中，在三乙胺共存下，使與二羧酸單元對應的酸氯化物與二醇化合物發(fā)生反應實施的。
將所得的18.1g式(1)的液晶性高分子和1.9g式(2)的液晶性高分子物質的混合物溶解在80g N-甲基吡咯烷酮中，配制液晶性高分子溶液-1。
式(1) 式(2) *表示光學活性碳<帶狀疊層膜的制造例>
在相對于MD方向平行或傾斜的方向上實施過摩擦處理的500mm寬、10μm厚帶狀聚醚醚酮薄膜的摩擦處理面上，采用輥涂機涂布400mm寬的由參考例制得的液晶相高分子物質溶液。干燥后，在220℃下加熱處理15分鐘，使液晶相高分子取向，然后冷卻至室溫，使液晶結構固定。使用具有紫外線照射設備的涂布層壓裝置在取向基板薄膜上的液晶性高分子面上采用凹版涂布機連續(xù)涂布400mm寬、10μm厚的以丙烯類低聚物為主成分的紫外線固化型粘結劑(市售品A、粘度為320cp)，然后將其貼合在500mm寬、100μm厚的纖維素三乙酸酯薄膜上。在運轉開始后的早期階段，由于確認在疊層體內粘結劑中存在著氣泡，采用寬20mm、厚2.0mm、長550mm的PVC制成的對折細長板狀體夾住緊接著存在氣泡的缺陷部位的后部處。以夾著的狀態(tài)移動，然后照射紫外線，得到由帶狀取向基板薄膜/液晶性高分子層/固化粘結劑層/透光性基板薄膜形成的疊層體。然后取下磁片，通過轉印分離步驟得到由取向基板薄膜/液晶性高分子層/固化粘結劑層/透光性基板薄膜形成的帶狀多層膜，從該多層膜僅剝離取向基板薄膜得到光學元件薄膜。在卷繞部將存在缺陷的區(qū)域切除，此后開始進行制品的卷繞。
發(fā)明效果根據本發(fā)明，可以簡便地表示和取下移動中的疊層體的缺陷部位和正常部位之間的界限。另外，對于如疊層體中未固化粘結劑中的氣泡那樣的缺陷在移動中可能擴大的情況，可抑制其擴大。由此可提高制品的有效利用率，大幅度提高生生產性和經濟性。非常適合于光學元件等高精密制品的制造。
權利要求
1.一種表示移動中的帶狀物的缺陷部位和正常部位的界限的方法，其特征為在連續(xù)制造帶狀物的過程中包含將移動著的帶狀物的缺陷部位和正常部位的界限在寬度方向上從上下用細長的磁片夾住的步驟。
2.一種表示移動中的帶狀物的缺陷部位和正常部位的界限的方法，其特征為包含以下步驟(1)由至少2層帶狀高分子薄膜層和位于該高分子薄膜層間的軟質層形成疊層體的步驟、(2)將移動中的該疊層體的缺陷部位和正常部位的界限在寬度方向上從上下用細長的磁片夾住的步驟和(3)取下該磁片的步驟。
3.如權利要求1或2所記載的方法，其特征為所述磁片由撓性材料形成。
全文摘要
本發(fā)明提供一種簡便地表示移動中的帶狀物的缺陷部位，并防止該缺陷部位的影響擴大到正常部位的方法。其解決手段為一種這樣的方法，其特征是在連續(xù)制造帶狀物的過程中，包含用細長的磁片在寬度方向上從上下夾住移動著的帶狀物的缺陷部位和正常部位的界限的工序，由此表示移動的帶狀物的缺陷部位和正常部位的界限，并且防止在制造過程中缺陷部位的影響擴大到正常部位。
文檔編號G02F1/13GK1532614SQ20031011641
公開日2004年9月29日 申請日期2003年11月18日 優(yōu)先權日2003年3月19日
發(fā)明者平井知生, 市塚敏博, 博 申請人:新日本石油化學株式會社