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      液晶顯示單元的制作方法

      文檔序號:2793945閱讀:201來源:國知局
      專利名稱:液晶顯示單元的制作方法
      技術(shù)領(lǐng)域
      本發(fā)明涉及使用液晶的設(shè)備,更具體地涉及一種液晶顯示單元。
      背景技術(shù)
      垂直配向液晶顯示單元有一種現(xiàn)象,即液晶分子因為不同形狀的上電極和下電極的邊緣部分產(chǎn)生的傾斜電場而在水平方向上傾斜。這種現(xiàn)象發(fā)生在閾值電壓附近。垂直配向液晶顯示單元常常通過使用一對正交尼科耳設(shè)置的偏振片(polarizer plate)而運行在常黑模式下。液晶顯示單元上發(fā)生這種現(xiàn)象的區(qū)域進入了透光狀態(tài)。在施加了關(guān)(OFF)電壓的簡單矩陣驅(qū)動中,因為這種光透射(optical through)而降低了對比度。日本未審實用新型專利申請公報第HEI-7-39076號建議設(shè)置覆蓋像素邊緣部分的金屬遮光罩(黑底),以防止在顯示關(guān)狀態(tài)下像素邊緣部分產(chǎn)生光透射(光泄漏)。在沒有施加電壓的情況下,垂直配向型液晶顯示單元的液晶層中的液晶分子配向為垂直于基板,而在沒有施加電壓情況下,具有非常良好的黑度。在構(gòu)成了垂直配向型液晶顯示單元的液晶單元中,上基板和下基板之一或兩者具有光學(xué)補償板,該光學(xué)補償板具有設(shè)置在適當位置的負光學(xué)各向異性,從而使顯示單元具有非常良好的視角特性。垂直配向型液晶顯示單元的定向(orientation)類型包括通過摩擦工藝等形成的單域定向和通過產(chǎn)生傾斜電場而形成的多域定向,這種傾斜電場是通過在像素電極內(nèi)形成開口而產(chǎn)生的,以對平行于基板的相同平面內(nèi)的多個方向上的液晶分子進行排列。對單域垂直配向型液晶顯示單元的定向進行控制,從而使液晶層中的面內(nèi)排列方向變得一致,而不管是否施加了電壓。在垂直配向型中,在存在施加電壓的情況下,液晶分子傾斜成平行于基板的狀態(tài)。如果在沒有施加電壓的情況下液晶分子正好垂直于基板,則可能發(fā)生定向缺陷,這種定向缺陷導(dǎo)致在施加了電壓的情況下液晶分子的局部定向紊亂。 為了避免這種情況,對預(yù)傾角進行設(shè)定,使液晶分子在沒有施加電壓的情況下相對于基板的垂直方向略微傾斜。比如,JP-A-2005-23454中建議了一種經(jīng)過摩擦工藝的垂直配向液晶顯示單元。在以較高的占空比(如點矩陣顯示)來驅(qū)動單域垂直配向型液晶顯示單元時,基于透射率來確定驅(qū)動電壓。在這種情況下,根據(jù)開(ON)電壓的有效值和偏置比來確定關(guān)電壓的有效值。在高占空比驅(qū)動條件下,關(guān)電壓在某些情況下高于液晶分子開始下降(fall) 的閾值電壓。因此在這種情況下,液晶的透射率即使在施加了關(guān)電壓的情況下也會變化,因而可能在顯示單元內(nèi)形成光透射。我們希望避免這種光透射,因為它使對比度下降。已知的是,為了防止這種光透射,使電壓/透射率的變化在閾值電壓附近變得急劇。實現(xiàn)此目的的一種方法是執(zhí)行將液晶分子角度設(shè)為相對于基板幾乎垂直的較大預(yù)傾角定向處理,以升高液晶分子開始下降的閾值電壓。另一種方法是增大所謂的液晶單元延遲。
      可以在上電極與下電極之間的液晶顯示單元的顯示圖案的邊緣部分形成傾斜電場。即使結(jié)合了上述防止光透射的方法,施加了傾斜電場的液晶分子也以低于顯示區(qū)域中心區(qū)域內(nèi)的液晶分子處電壓的電壓開始下降,從而觀察到了光透射。光透射不僅僅導(dǎo)致對比度降低,而且劣化了視角特性。用于分段顯示的液晶顯示單元被用于七段數(shù)字顯示和特定形狀的標志顯示等。比如,JP-A-HEI-5-281559、JP-A-2000-250024 和 JP-A-HEI-5-2161 中公開了形成黑膜的技術(shù),黑膜充當分段顯示圖案的全部背景區(qū)域內(nèi)的遮光膜。JP-A-HEI-5-2161描述了將黑膜形成在甚至用于點矩陣顯示的點顯示圖案的背景區(qū)域中。如JP-A-HEI-5-2161中描述的那樣,黑膜的一個效果是可抑制將在顯示圖案的邊緣部分附近產(chǎn)生的傾斜電場所導(dǎo)致的光透射。這種光透射尤其可能形成在垂直配向型液晶顯示單元中。然而,因為背景區(qū)域中形成了黑膜,所以出現(xiàn)了一種現(xiàn)象(文中將其稱為黑膜所導(dǎo)致的串擾),即使將黑色顯示賦予顯示圖案,顯示圖案看起來也發(fā)暗。因為在扭曲向列相(TN)、超扭曲向列相(STN)和垂直配向(VA)等的任何一種顯示模式下都無法將顯示圖案的透射率設(shè)定成與黑膜的透射率一樣適當?shù)牡?,所以出現(xiàn)了黑膜所導(dǎo)致的串擾。當視角傾斜時,這種透射率差異變得顯著。參照圖35,將對黑膜所導(dǎo)致的串擾的示意性例子進行描述。圖35為示意性平面圖,示出了三位七段顯示單元的顯示狀態(tài)。三位七段顯示單元的整個背景區(qū)域中形成了黑底,因而背景區(qū)域為黑色。三位七段顯示單元顯示了白色的“321”。在七段顯示單元中,黑色顯示的段(用陰影線表示)具有比背景黑膜形成區(qū)域的透射率更高的透射率,并且看起來這些段顯示發(fā)暗。

      發(fā)明內(nèi)容
      本發(fā)明的一個目的是提供一種垂直配向液晶顯示單元,其能夠抑制將由形成在上電極與下電極的邊緣部分處的傾斜電場導(dǎo)致的光透射。本發(fā)明的一方面提供了一種液晶顯示單元,該液晶顯示單元包括一對相對的基板;形成在每個基板的相對表面?zhèn)壬系碾姌O圖案;形成在每個基板上并覆蓋該電極圖案的垂直配向膜;夾在基板之間的液晶層;和形成在基板上與該液晶層的一側(cè)相對的側(cè)上的一對偏振片,其中該電極圖案的邊緣包括與偏振片的軸向和垂直于該軸向的方向之一平行的 Z形圖案??梢蕴峁┻@樣一種垂直配向液晶顯示單元,其能夠抑制將由形成在上電極與下電極的邊緣部分處的傾斜電場導(dǎo)致的光透射。本發(fā)明的另一個目的是提供一種能夠減小光透射的垂直配向型液晶顯示單元。根據(jù)本發(fā)明的另一方面,在第一方面的液晶顯示單元內(nèi),這一對偏振片的軸向被正交尼科耳設(shè)置,并且該電極圖案包括分段電極和公共電極,構(gòu)成該電極圖案的一側(cè)是平行或者垂直于偏振片軸向的Z形圖案,由該分段電極和公共電極限定的像素邊緣平行或者垂直于所述偏振片的軸向??梢蕴峁┮环N能夠減小光透射的垂直配向型液晶顯示單元。本發(fā)明的又一個目的是提供一種能夠抑制將由遮光膜(如黑膜)導(dǎo)致的串擾的液晶顯示單元。本發(fā)明的又一方面提供了一種液晶顯示單元,該液晶顯示單元包括第一透明基板;面對第一透明基板的第二透明基板;第一透明電極,其具有第一平面形狀并且設(shè)置在第一透明基板的面對第二透明基板的平面上;第二透明電極,其具有第二平面形狀并且設(shè)置在第二透明基板的面對第一透明基板的平面上;夾在第一透明基板與第二透明基板之間的液晶層;和條形遮光膜,其沿著被定義為顯示屏內(nèi)第一透明電極與第二透明電極的重疊區(qū)域的顯示圖案的邊緣而形成??梢岳醚刂@示圖案邊緣延伸的條形遮光膜,而不是在顯示圖案的整個背景區(qū)域中形成遮光膜,來減小背景與黑色顯示圖案之間的透射率差。


      圖1為液晶顯示單元的示意性截面圖。圖2為示出液晶顯示單元的偏振片的透射軸的平面圖。圖3示出了簡單矩陣型液晶顯示單元的電極結(jié)構(gòu)的例子。圖4A示出了公共電極的局部區(qū)域的形狀,而圖4B示出了分段電極的局部區(qū)域的形狀。圖5示出了在施加了非選擇電壓的情況下像素的亮/暗分布。圖6示出了根據(jù)第一實施方式的分段電極的形狀。圖7示出了在施加了非選擇電壓的情況下像素3d-2的亮/暗分布以及具有左右 Z形圖案邊緣的公共電極和分段電極。圖8A和圖8B示出了在施加了選擇電壓的情況下像素的亮/暗分布。圖9示出了根據(jù)第二實施方式的電極形狀的另一個例子。圖10示出了根據(jù)第三實施方式的電極圖案。圖11示出了根據(jù)第四實施方式的電極圖案。圖12示出了根據(jù)第五實施方式的電極圖案。圖13示出了根據(jù)第六實施方式的電極圖案。圖14示出了根據(jù)第三比較例的分段電極圖案。圖15示出了根據(jù)第三比較例在施加了關(guān)電壓的情況下的顯示狀態(tài)。圖16示出了根據(jù)第七實施方式的分段電極。圖17示出了根據(jù)第七實施方式的在施加了關(guān)電壓的情況下的顯示狀態(tài)。圖18為液晶顯示單元的示意性截面圖。圖19為示出了根據(jù)第四比較例的液晶顯示單元的像素的局部區(qū)域的平面圖。圖20A為示出了根據(jù)第八實施方式的液晶顯示單元的像素的局部區(qū)域的平面圖, 圖20B為示出了第八實施方式的液晶顯示單元的分段電極圖案的局部區(qū)域的平面圖,而圖 20C為示出了第八實施方式的液晶顯示單元的公共電極的局部區(qū)域的平面圖。圖21示出了根據(jù)第八實施方式和第四比較例的透射率/電壓特性。圖22示出了根據(jù)第八實施方式和第四比較例的在施加了電壓的情況下對比度相對于透射率(Ton)的特性。圖23為示出了在前透射率為13% (在第四比較例中獲得了最大對比度時的透射率)的情況下對比度的視角依賴性的圖。圖24A示出了根據(jù)第九實施方式的分段電極圖案,而圖24B示出了第九實施方式的公共電極圖案。圖25為示出了根據(jù)第八和第九實施方式的對比度的視角依賴性的圖。圖26A和圖26B示出了根據(jù)第九實施方式的變型例的分段電極圖案和公共電極圖案。圖27為示出了液晶顯示單元的像素的局部區(qū)域的平面圖。圖觀為根據(jù)本發(fā)明第十實施方式的液晶顯示單元的示意性截面圖。圖四為示出了摩擦方向與預(yù)傾角之間關(guān)系的示意性截面圖。圖30A到圖30C為示出了黑膜設(shè)置方法各種例子的截面圖。圖31為示出了第十實施方式的液晶顯示單元的黑膜布局的示意性平面圖。圖32為示出了第十實施方式的液晶顯示單元的顯示狀態(tài)的示意性平面圖。圖33A到圖33C為根據(jù)第十實施方式、第十一實施方式和第六比較例的液晶顯示單元的示意性截面圖,示出了在施加了關(guān)電壓的情況下電場的方向。圖34A到圖34C為根據(jù)第十實施方式、第十一實施方式和第六比較例的黑色顯示的液晶顯示單元的照片。圖35為示出了第五比較例的液晶顯示單元的顯示狀態(tài)的示意性平面圖。
      具體實施例方式現(xiàn)在將描述第一到第七實施方式和第一到第三比較例。圖1為液晶顯示單元的示意性截面圖。如圖所示的液晶顯示單元具有玻璃制成的后基板Ia和玻璃制成且面對后基板的前基板lb,并且兩個基板Ia與Ib之間設(shè)置有液晶層 2。后基板Ia的液晶層2 —側(cè)的表面上形成有充當分段電極的后透明電極3a,而前基板Ib的液晶層2 —側(cè)的表面上形成有充當公共電極的前透明電極北。透明電極3a和北互相重疊起來,且液晶層2被夾在兩者之間,該重疊區(qū)域形成了顯示區(qū)域?;錓a和Ib的液晶層2—側(cè)上分別形成有覆蓋了透明電極的垂直配向膜如和 4b。如果需要,可以在垂直配向膜與透明電極之間形成絕緣膜。在上基板Ia和下基板Ib的外部沿著法向形成有一對偏振片fe和恥。偏振片fe 和恥被設(shè)置成軸向90度交叉。如果有必要,可以在基板與偏振片之間(比如在Ib與恥之間)設(shè)置光學(xué)補償板6。下面將描述液晶顯示單元的制造方法。在基板Ia和Ib 二者上主要由銦錫氧化物 ITO來形成透明電極3a和北。涂覆并烘烤垂直配向膜如和4b,從而分別覆蓋透明電極3a和3b。將日產(chǎn)化工 (Nissan Chemical Industries,Ltd.)制造的SE1211用作垂直配向膜材料。通過摩擦等工藝為垂直配向膜賦予89. 5度的預(yù)傾角。進行摩擦以在上基板與下基板之間設(shè)置12點方向和6點方向的反平行??梢酝ㄟ^縫隙配向、注入配向、紫外線配向等來進行液晶分子的傾斜方向控制。
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      接下來,將主要密封材料涂覆在每個基板Ia和Ib上,旋涂具有預(yù)定直徑(在該例中為4微米)的間隙控制材料,然后將基板彼此電極側(cè)面對地重疊,并對主要密封材料進行固化,從而形成了空單元(empty cell)。將液晶注入空單元中以形成液晶層2。液晶材料的Δε = _3. 2且Δ η大約0. 15。 通過垂直配向膜的功能將液晶層2內(nèi)的液晶分子ail垂直對齊。如果液晶材料具有負介電各向異性,則不必特別限制其它物理值和單元厚度。然后,將后偏振片fe粘合(bond)在后基板1的外側(cè)(圖1中的下側(cè))上,并且將前偏振片恥和堆疊在其上的光學(xué)補償板6粘合在前基板2的外側(cè)(圖1中的上側(cè))上。將 Polatechno有限公司制造的SHC-125U用作偏振片。光學(xué)補償板6可以為C板(面內(nèi)延遲 AR = Onm,厚度延遲Δ th = 220nm)。除了 C板以外,A板、雙軸相差板等也可以用作光學(xué)補償板6。圖2為示出了液晶顯示單元的偏振片的透射軸方向的平面圖。如圖所示,后偏振片fe的(透射)軸向7a垂直于前偏振片恥的(透射)軸向7b (將具有這種結(jié)構(gòu)的一對偏振片稱為正交偏振片),從而提供了常黑的液晶顯示單元。假定向右的方向為O度,且逆時針旋轉(zhuǎn)為正角度,則軸向7a為45°而軸向7b為135°。圖3示出了簡單矩陣型液晶顯示單元的電極結(jié)構(gòu)的例子。在簡單矩陣型液晶顯示單元中,在列方向上并置的公共電極3c和在行方向上并置的分段電極3s限定了了像素3d。 每個像素都可以通過簡單矩陣驅(qū)動而獨立進行亮/暗顯示。(第一比較例)圖4A示出了公共電極的局部區(qū)域的形狀,而圖4B示出了分段電極的局部區(qū)域的形狀。本發(fā)明人利用特殊軟件對如何結(jié)合圖4A所示的垂直長度為400微米且水平長度為 500微米的公共電極3c和圖4B所示的垂直長度為500微米且水平長度為400微米的分段電極3s-l來顯示像素進行了模擬。圖5示出了在施加了非選擇電壓的情況下像素的亮/暗分布。施加了非選擇電壓指的是在公共電極與分段電極之間施加了關(guān)電壓的狀態(tài)。圖5以亮/暗分布的形式示出了在施加了非選擇電壓情況下像素的透光狀態(tài)。像素3d-l對應(yīng)于在公共電極3c和分段電極 3s-l互相重疊時要顯示的像素。在使用分段電極3s_l時,像素3d-l在如圖所示其外圍區(qū)域內(nèi)存在光透射。邊緣電場的面內(nèi)方向可能是0度和90度??梢哉J為,當液晶分子在相對于45度和135度的偏振片透射軸的傾斜方向上開始下降時,出現(xiàn)了光透射。在以它為中心的像素周圍大約10微米的區(qū)域內(nèi)出現(xiàn)了光透射。我們希望能夠消除光透射,因為通過在施加了非選擇電壓的情況下遮光而需要高對比度。(第一實施方式)圖6示出了根據(jù)第一實施方式的分段電極的形狀。為了避免光透射,發(fā)明人已研究了(模擬了)在左/右邊緣具有Z形圖案(鋸齒圖案)的分段電極3s-2。鋸齒的每個邊都平行于偏振片軸向7a和7b中的一個。鋸齒的間距為20微米。參照圖7。圖7示出了在施加了非選擇電壓情況下當公共電極與具有左/右Z形圖案邊緣的分段電極結(jié)合起來時的亮/暗分布。如圖所示,僅在像素的左/右區(qū)域內(nèi)的Z 形圖案的頂點觀察到了光透射。
      在該實施方式中,如果分段電極的一邊在45度的方向上,則可以認為在面內(nèi)135 度的方向上產(chǎn)生了邊緣電場。該邊緣電場平行于其中一個偏振片軸向。我們認為在每個頂點處都有各種方向分量。因此,如果電極被設(shè)置成平行于電極邊、邊緣電場、其中一個偏振片軸向及其垂直方向,則例如僅可以在電極的Z形圖案的頂點處抑制光透射的發(fā)生。接下來發(fā)明人研究了將要作用于實際像素的鋸齒間距的優(yōu)化范圍。圖8A和圖8B示出了在施加了選擇電壓的情況下的亮/暗分布。施加了選擇電壓指的是在電極之間施加了開電壓。作為比較例示于圖8A中的像素3d-l顯示了可以說是像素理想形狀的正方形。圖8B所示的像素3d-2具有間距為20微米的Z形圖案。雖然在圖 8B中的左右側(cè)看到了 Z形圖案,但是這種圖案等級實際上不會造成任何問題,因為像素是在常規(guī)距離(比如在幾十厘米的遙遠位置)上觀察的。本發(fā)明人根據(jù)研究已經(jīng)發(fā)現(xiàn),如果鋸齒間距為40微米或者更短就不會有任何問題。制造限制決定了鋸齒間距的下限。在考慮到Z形圖案是利用一般制造系統(tǒng)形成的情況下,鋸齒間距的適當下限可以為2微米。因此,適用于實施方式的鋸齒間距范圍是2-40微米。可以僅在分段電極側(cè)邊、僅在公共電極側(cè)邊,或者二者上形成Z形圖案。(第二實施方式)圖9示出了根據(jù)第二實施方式的電極形狀的另一個例子。圖9示出了借助七個分段來顯示“8”的分段型液晶顯示單元的例子。在平面內(nèi)觀察時,該分段電極面對覆蓋了分段區(qū)域的公共電極。因此在公共電極和分段電極的邊緣部分之間產(chǎn)生了傾斜電場。在文中假定偏振片為正交尼科爾設(shè)置,并且其軸向為45度和135度。作為防止光透射的對策,在分段電極8s的垂直側(cè)邊和水平側(cè)邊中的每一個上形成了與第一實施方式中的Z形圖案類似的Z形圖案,從而將每個傾斜側(cè)邊都設(shè)為45度和135度。因此我們預(yù)計,可以顯著地減小施加了非選擇電壓的情況下的光透射?;谏鲜瞿M結(jié)果來制造液晶顯示單元。(第二比較例)第二比較例是具有第一比較例中的電極圖案的單域垂直配向型液晶顯示單元。將每個分段的分段側(cè)和公共側(cè)的電極寬度設(shè)定為405微米,并且將電極之間的寬度設(shè)定為30 微米。下基板上設(shè)置有充當透明導(dǎo)電膜的ITO分段電極,而上基板上設(shè)置有ITO公共電極。 通過配向工藝比如摩擦將89. 5度的預(yù)傾角賦于垂直配向膜。通過將下基板的預(yù)傾的方位角方向設(shè)定為12點方向(從右邊0度開始逆時針方向的90度位置。圖1中的向上方向), 并且將上基板的預(yù)傾的方位角方向設(shè)定為六點方向而結(jié)合了反平行配向。在這種情況下, 液晶指向矢在12點方向,而優(yōu)化視覺識別方向在六點方向。單元厚度為6微米。將Δ ε =-2. 2且Δη = 0. 20的負液晶用作液晶材料。偏振片以45度的吸收軸角設(shè)置在上板側(cè), 并且以135度的吸收軸角設(shè)置在下板側(cè)。將Polatechno有限公司制造的SHC-13U用作偏振片。將堆疊起來的三個C板(AR = Onm, Ath = 220nm)作為光學(xué)補償板插入在下偏振片與液晶單元之間。AR是面內(nèi)延遲值,而Ath是厚度方向延遲值。作為驅(qū)動波形,使用了其極性每一幀發(fā)生反轉(zhuǎn)(幀反向驅(qū)動)的B波形。驅(qū)動條件為1/32的占空比、1/6的偏置和150Hz的驅(qū)動頻率。借助Ohtsuka電子有限公司制造的液晶單元評估設(shè)備LCD-5200來測量沿著液晶單元法向(前向)的電壓/透射率特性。
      形成了各種電極圖案,并且制造出了液晶顯示單元。(第三實施方式)圖10示出了第三實施方式的電極圖案。第三實施方式的分段電極具有由添加到第二比較例的分段電極上45度和135度的ζ形線條構(gòu)成的邊緣圖案。Z形圖案兩個頂點之間的距離(間距)為20微米,而頂點高度為10微米。與分段電極類似,公共電極也具有由 45度和135度的ζ形線條構(gòu)成的邊緣圖案。Z形圖案的間距和高度與分段電極的間距和高度相同。(第四實施方式)圖11示出了第四實施方式的電極圖案。與第三實施方式的電極圖案類似,分段電極和公共電極的邊緣具有與第三實施方式的角度相同角度的ζ形線。不同點在于,ζ形圖案的間距和高度被設(shè)定為間距40微米且高度20微米。(第五實施方式)圖12示出了第五實施方式的電極圖案。與第三實施方式中的電極圖案類似,分段電極的邊緣由45度和135度的ζ形線條構(gòu)成,并且減少了在一個點中占據(jù)的頂點數(shù)量。將與第一比較例中的圖案相同的直線圖案用于公共電極。與第二比較例類似,分段電極寬度 (圖12中的水平方向的長度)為405微米,而相鄰電極之間的距離被設(shè)定為30微米。分段電極具有分段電極在公共電極的中心線和相鄰公共電極之間的距離中心線這兩個位置處被彎曲的形狀,并且ζ形圖案的間距和高度分別為435微米和217. 5微米。兩個電極重疊的區(qū)域內(nèi)的電極圖案為“急拐(dogleg)”狀。(第六實施方式)圖13示出了第六實施方式中電極圖案。第六實施方式具有與第五實施方式相同的圖案,其中,分段電極的邊緣圖案由45度和135度的傾斜線條構(gòu)成。ζ形圖案的間距和高度分別為435微米和217. 5微米。與第三實施方式類似,公共電極具有間距為50微米并且高度為25微米的ζ形圖案。兩個電極重疊起來的區(qū)域內(nèi)的電極圖案為“急拐”狀。除了電極圖案之外,第三到第六實施方式的液晶顯示單元是按照與第二比較例完全相同的方式來制造的。電壓/透射率特性也是在相同驅(qū)動條件下測量的。表1示出了最高對比度及其相應(yīng)的開透射率的測量結(jié)果。表1 以1/32占空比和1/6偏置來驅(qū)動的情況下的最高對比值及其相應(yīng)的開透射
      權(quán)利要求
      1.一種液晶顯示單元,該液晶顯示單元包括第一透明基板;面對所述第一透明基板的第二透明基板;第一透明電極,其具有第一平面形狀并且設(shè)置在所述第一透明基板的面對所述第二透明基板的平面上;第二透明電極,其具有第二平面形狀并且設(shè)置在所述第二透明基板的面對所述第一透明基板的平面上;夾在所述第一透明基板與所述第二透明基板之間的液晶層;和條形遮光膜,其沿著被定義為顯示屏內(nèi)所述第一透明電極與所述第二透明電極的重疊區(qū)域的顯示圖案的邊緣而形成。
      2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶顯示單元,其中,所述遮光膜重疊在比顯示屏內(nèi)的所述顯示圖案的邊緣更靠內(nèi)的區(qū)域和更靠外的區(qū)域上。
      3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶顯示單元,其中,重疊在比所述顯示圖案的邊緣更靠內(nèi)的區(qū)域中的所述遮光膜的寬度或者重疊在比所述顯示圖案的邊緣更靠外的區(qū)域中的所述遮光膜的寬度不窄于5微米。
      4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶顯示單元,其中,所述遮光膜在顯示屏內(nèi)的總寬度不寬于50微米。
      5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶顯示單元,其中,所述液晶層包含具有負介電常數(shù)各向異性的液晶材料,并且為垂直配向型。
      全文摘要
      本發(fā)明公開了一種液晶顯示單元,該液晶顯示單元包括一對相對的基板;形成在每個基板的相對表面?zhèn)壬系碾姌O圖案;形成在每個基板上并覆蓋該電極圖案的垂直配向膜;夾在基板之間的液晶層;和形成在基板上與該液晶層的一側(cè)相對的側(cè)上的一對偏振片,其中該電極圖案的邊緣包括與偏振片的軸向和垂直于該軸向的方向之一平行的Z形圖案??梢詼p小沿著垂直配向LCD的像素的邊緣部分的光透射。
      文檔編號G02F1/1337GK102262323SQ201110219920
      公開日2011年11月30日 申請日期2008年9月28日 優(yōu)先權(quán)日2007年9月28日
      發(fā)明者堀井正俊, 巖本宜久, 平田圭一, 杉山貴 申請人:斯坦雷電氣株式會社
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