電子照相感光構件、處理盒、電子照相設備和酞菁晶體的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及電子照相感光構件、處理盒、電子照相設備和酞菁晶體。電子照相感光構件包含支承體以及形成于該支承體上的電荷產(chǎn)生層和電荷輸送層。所述電荷產(chǎn)生層包含特定胺化合物。
【專利說明】電子照相感光構件、處理盒、電子照相設備和酞菁晶體
【技術領域】
[0001]本發(fā)明涉及電子照相感光構件、各自具有電子照相感光構件的處理盒和電子照相設備，并且涉及酞菁晶體。
【背景技術】
[0002]由于通常用于電子照相感光構件的圖像曝光裝置的半導體激光器具有650至820nm范圍的長振蕩波長，對長波長范圍的光具有高感光度的電子照相感光構件目前處在開發(fā)階段。最近，對短振蕩波長的半導體激光器的光具有高感光度的電子照相感光構件也處于開發(fā)階段以實現(xiàn)高分辨率圖像。
[0003]已知偶氮顏料和酞菁顏料作為對長波長區(qū)至短波長區(qū)范圍的光具有高感光度的電荷產(chǎn)生物質。
[0004]盡管使用偶氮顏料或酞菁顏料的電子照相感光構件具有優(yōu)良的感光性，問題是產(chǎn)生的光載流子趨于殘留在感光層充當存儲器，在某些情況下容易導致電位變動如重影。
[0005]為了解決酞菁顏料的問題，將酞菁顏料與特定的偶氮顏料組合使用。
[0006]在日本專利申請?zhí)亻_第S59-30541號公報、日本專利申請?zhí)亻_第2007-138153號公報和日本專利申請?zhí)亻_第2009-301016號公報中描述了用于電子照相感光構件的苯乙酮化合物。
[0007]日本專利申請?zhí)亻_第S59-30541號公報中描述了用作酞菁氣相沉積膜的吸收波長偏移化劑的乙?；窖苌铩?br> [0008]日本專利申請?zhí)亻_第2007-138153號公報中描述了通過使酞菁晶體前驅體與氟苯衍生物接觸而制造的在使用CuKa放射線的X射線衍射中在布拉格角2 Θ為27.2°處具有主峰的氧鈦酞菁晶體。根據(jù)其描述，由此制備的氧鈦酞菁晶體具有改善的晶體穩(wěn)定性和改善的感光度。
[0009]根據(jù)日本專利申請?zhí)亻_第2009-301016號公報，將a -氨基苯乙酮化合物作為聚合引發(fā)劑加入至感光構件的保護層以改善硬化性。
[0010]如上所述，為改善電子照相感光構件已進行各種嘗試。近年來，為進一步改善高品質圖像，期望防止各種環(huán)境中由于重影而導致的圖像劣化。

【發(fā)明內容】

[0011]本發(fā)明的目的是解決上述問題并提供減少不僅在常溫常濕環(huán)境下而且甚至在低溫低濕環(huán)境下尤其是嚴苛條件下由于重影而導致的圖像缺陷的電子照相感光構件。本發(fā)明的另外一個目的是提供各自具有所述電子照相感光構件的處理盒和電子照相設備。本發(fā)明的另一個目的是提供在晶體中包含特定胺化合物的酞菁晶體。
[0012]本發(fā)明提供電子照相感光構件，其包括:支承體；和形成于支承體上的電荷產(chǎn)生層和電荷輸送層；其中所述電荷產(chǎn)生層包含電荷產(chǎn)生物質和下式(I)表不的胺化合物:
[0013]
【權利要求】
1.一種電子照相感光構件，其包含:支承體；和形成于所述支承體上的電荷產(chǎn)生層和電荷輸送層； 其中所述電荷產(chǎn)生層包含:電荷產(chǎn)生物質；和下式(I)表不的胺化合物；
2.根據(jù)權利要求1所述的電子照相感光構件，其中R1至R5的至少之一為用取代或未取代的烷基取代的氣基。
3.根據(jù)權利要求2所述的電子照相感光構件，其中所述用取代或未取代的烷基取代的氨基為二烷基氨基。
4.根據(jù)權利要求3所述的電子照相感光構件，其中所述二烷基氨基為二甲基氨基或二乙基氨基。
5.根據(jù)權利要求1所述的電子照相感光構件，其中所述胺化合物為下式(2)表示的胺化合物:
6.根據(jù)權利要求1所述的電子照相感光構件，其中R1至R5的至少之一為取代或未取代的環(huán)氨基。
7.根據(jù)權利要求6所述的電子照相感光構件，其中所述取代或未取代的環(huán)氨基為嗎啉代基或哌啶子基。
8.根據(jù)權利要求1所述的電子照相感光構件，其中所述胺化合物為下式(3)表示的胺化合物:
9.根據(jù)權利要求1所述的電子照相感光構件，其中所述電荷產(chǎn)生層中的所述胺化合物的含量相對于所述電荷產(chǎn)生物質為0.1質量％以上且20質量％以下。
10.根據(jù)權利要求1所述的電子照相感光構件，其中所述電荷產(chǎn)生物質為酞菁晶體。
11.根據(jù)權利要求1所述的電子照相感光構件，其中所述電荷產(chǎn)生層為包括酞菁晶體的層，在所述酞菁晶體中含有式(I)表示的胺化合物。
12.根據(jù)權利要求11所述的電子照相感光構件，其中在所述酞菁晶體中的所述胺化合物的含量為0.05質量％以上且3.0質量％以下。
13.根據(jù)權利要求10或11所述的電子照相感光構件，其中所述酞菁晶體為鎵酞菁晶體。
14.根據(jù)權利要求13所述的電子照相感光構件，其中所述鎵酞菁晶體為在用CuKa放射線的X射線衍射中，在布拉格角2 Θ為7.4° ±0.3°和28.2° ±0.3°處具有峰的晶形的羥基鎵酞菁晶體。
15.一種處理盒，其可拆卸地安裝至電子照相設備的主體，其中所述處理盒一體化地支承:根據(jù)權利要求1至14任一項所述的電子照相感光構件；和選自由充電裝置、顯影裝置、轉印裝置和清潔裝置組成的組的至少一種裝置。
16.—種電子照相設備,其包含: 根據(jù)權利要求1至14任一項所述的電子照相感光構件；與 充電裝置、圖像曝光裝置、顯影裝置和轉印裝置。
17.一種酞菁晶體，在所述酞菁晶體中包含下式(I)表示的化合物:
【文檔編號】G03G5/04GK103869639SQ201310684783
【公開日】2014年6月18日 申請日期:2013年12月13日 優(yōu)先權日:2012年12月14日
【發(fā)明者】田中正人 申請人:佳能株式會社