激光加工的加工區(qū)域的攝像構件9。該攝像構件9除了通過可見光線攝像的通常的攝像元件(CCD)之外，構成為還具有對被加工物照射紅外線的紅外線照明構件、捕捉由該紅外線照明構件照射的紅外線的光學系統(tǒng)、以及輸出對應于被該光學系統(tǒng)捕捉的紅外線的電氣信號的攝像元件(紅外線CCD)等，該攝像構件9將攝像得到的圖像信號發(fā)送給后述的控制構件。
[0043]激光加工裝置I具有圖4所示的控制構件10?？刂茦嫾?0由計算機構成，且具有按照控制程序進行運算處理的中央處理裝置(CPU) 101、存儲控制程序等的只讀存儲器(ROM) 102、儲存運算結果等的可讀性隨機存取存儲器(RAM) 103以及輸入接口 104和輸出接口 105。控制構件10的輸入接口 104被輸入有來自上述受光元件84和攝像構件9等的檢測信號。而且，從控制構件10的輸出接口 105，對上述X軸方向移動構件37的脈沖電動機372、第IY軸方向移動構件38的脈沖電動機382、第2Y軸方向移動構件43的脈沖電動機432,Z軸方向移動構件53的脈沖電動機532、加工用脈沖激光光線振蕩構件6、光線偏向構件60的偏向角度調(diào)整構件64、檢查用激光光線振蕩構件81等輸出控制信號。
[0044]激光加工裝置I如上構成，以下說明其作用。圖5作為被激光加工的被加工物而不出了半導體晶片20的立體圖。圖5所不的半導體晶片20由厚度例如為200 μm的娃晶片構成，在正面20a呈格子狀形成有多條分割預定線21，并且在由該多條分割預定線21劃分出的多個區(qū)域上形成有IC、LSI等的器件22。以下，說明在該半導體晶片20的內(nèi)部沿著分割預定線21形成改質層的加工方法。
[0045]首先，為了保護形成于半導體晶片20的正面20a上的器件22，實施在半導體晶片20的正面20a上貼附保護部件的保護部件貼附工序。S卩，如圖6所示，在半導體晶片20的正面20a上貼附作為保護部件的保護帶110。另外，作為保護帶110，在本實施方式中是在厚度為100 μm的由聚氯乙烯(PVC)構成的膜狀基材的正面上涂布厚度5 μπι左右的丙烯樹脂類的糊而形成的。
[0046]如果實施了上述保護部件貼附工序，則在圖1所示的激光加工裝置的保持工作臺36的保持部361上放置半導體晶片20的保護帶110側。然后，啟動未圖示的吸附構件，從而在保持工作臺36上隔著保護帶110吸附保持半導體晶片20(晶片保持工序)。因此，保持于保持工作臺36上的半導體晶片20的背面20b為上側。如此，通過啟動X軸方向移動構件37，從而將吸附保持半導體晶片20的保持工作臺36定位于攝像構件9的正下方。
[0047]在保持工作臺36被定位于攝像構件9的正下方時，執(zhí)行通過攝像構件9和控制構件10檢測半導體晶片20的待激光加工的加工區(qū)域的校準作業(yè)。即，攝像構件9和控制構件10執(zhí)行圖像匹配等圖像處理，具體用于形成于半導體晶片20的第I方向上的分割預定線21與沿著分割預定線21照射激光光線的激光光線照射構件52的聚光器7之間的對準，并完成激光光線照射位置的校準。此外，對于在與形成于半導體晶片20上的上述第I方向正交的第2方向上延伸的分割預定線21，也同樣完成激光光線照射位置的校準。此時，半導體晶片20的形成有分割預定線21的正面20a位于下側，而由于攝像構件9如上所述具有攝像構件，該攝像構件由紅外線照明構件、捕捉紅外線的光學系統(tǒng)和輸出對應于紅外線的電氣信號的攝像元件(紅外線(XD)等構成，因此能夠從背面20b透過并對分割預定線21攝像。
[0048]若如上檢測形成于在保持工作臺36上保持的半導體晶片20上的分割預定線21，進行了激光光線照射位置的校準，則如圖7的(a)所示，將保持工作臺36移動至照射激光光線的激光光線照射構件52的聚光器7所處的激光光線照射區(qū)域上，并將規(guī)定的分割預定線21的一端(圖7的(a)中的左端)定位于激光光線照射構件52的聚光器7的正下方。將從聚光器7照射的加工用脈沖激光光線LBl的聚光點P定位于半導體晶片20的厚度方向中間部。另外，加工用脈沖激光光線LBl的波長被設定為在半導體晶片20上具有透過性的波長即1342nm。然后，控制構件10啟動檢測構件8的檢查用激光光線振蕩構件81，從聚光器7照射檢查用激光光線LB2，在從受光元件84輸入的電壓信號(V)大于規(guī)定的值(Vl)的情況下(V > VI)，控制構件10判斷為在聚光器7的正下方存在半導體晶片20，啟動加工用脈沖激光光線振蕩構件6，并且對構成光線偏向構件60的偏向角度調(diào)整構件64施加例如OV的電壓。其結果，如上所述從加工用脈沖激光光線振蕩構件6振蕩出的加工用脈沖激光光線LBl的光路朝向聚光器7而從聚光器7被照射。如此，啟動檢測構件8的檢查用激光光線振蕩構件81，并從聚光器7對保持于保持工作臺36上的半導體晶片20照射檢查用激光光線LB2，并且啟動加工用脈沖激光光線振蕩構件6，從聚光器7對保持于保持工作臺36上的半導體晶片20照射加工用脈沖激光光線LB1，同時控制構件10啟動X軸方向移動構件37，使保持工作臺36在箭頭Xl所示的方向上以規(guī)定的移動速度移動(第I改質層形成工序)。
[0049]如上使保持工作臺36在箭頭Xl所示的方向上移動時，控制構件10輸入對應于從檢測構件8的受光元件84中輸出的受光量的電壓信號。而且，控制構件10在所輸入的來自受光元件84的電壓信號(V)在規(guī)定的值(Vl)以下(V ^ VI)的情況下，如圖7的(b)所示，保持于保持工作臺36上的半導體晶片20的右端偏離于聚光器7的正下方，判斷為檢查用激光光線LB2照射于保持工作臺36的框體362的上表面362a上，對構成光線偏向構件60的偏向角度調(diào)整構件64施加例如1V的電壓并停止保持工作臺36的移動。S卩，如果檢查用激光光線LB2照射于保持工作臺36的框體362的上表面362a上，則由于保持工作臺36的框體362的上表面362a被實施了使光漫反射的漫反射處理，因此所照射的檢查用激光光線LB2會進行漫反射，如上所述使得被受光元件84接收的反射光的受光量減少，因而能夠立即檢測到保持于保持工作臺36上的半導體晶片20的右端偏離于聚光器7的正下方的情況。其結果，如上所述從加工用脈沖激光光線振蕩構件6振蕩出的加工用脈沖激光光線LBl如圖3中虛線所示，被引導至激光光線吸收構件65。因此，不會對保持工作臺36的框體362的上表面362a照射加工用脈沖激光光線LB1，消除了對操作者帶來危險且損傷保持工作臺36的問題。通過如上實施第I改質層形成工序，從而在半導體晶片20的內(nèi)部如圖7的(b)所示，沿著分割預定線21形成有變質層201。
[0050]如上所述沿著規(guī)定的分割預定線21實施了上述第I改質層形成工序后，啟動第IY軸方向移動構件38，使保持工作臺36在箭頭Y所示的方向上按照形成于半導體晶片20上的分割預定線21的間隔進行分度移動，成為圖7的(c)所示的狀態(tài)(分度工序)。接著，啟動檢測構件8的檢查用激光光線振蕩構件81，從聚光器7對保持于保持工作臺36上的半導體晶片20照射檢查用激光光線LB2，在從受光元件84輸入的電壓信號(V)在規(guī)定的值(Vl)以下(VfVl)的情況下，控制構件10判定為在聚光器7的正下方不存在半導體晶片20，啟動X軸方向移動構件37，使保持工作臺36在上述圖7的(c)中的箭頭X2所示的方向上移動。而且，在從受光元件84輸入的電壓信號(V)大于規(guī)定的值(Vl)的情況下(V>V1)，控制構件10判斷為在聚光器7的正下方存在半導體晶片20，對構成光線偏向構件60的偏向角度調(diào)整構件64施加例如OV的電壓，并如上所述從聚光器7照射從加工用脈沖激光光線振蕩構件6振蕩出的加工用脈沖激光光線LB1，并且啟動X軸方向移動構件37，使保持工作臺36在上述圖7的(c)中的箭頭X2所示的方向上以規(guī)定的移動速度移動(第2改質層形成工序)。而且，控制構件10在從受光元件84輸入的電壓信號(V)在規(guī)定的值(Vl)以下(V f VI)的情況下，如圖7的(d)所示，保持于保持工作臺36上的半導體晶片20的左端偏離于聚光器7的正下方，判斷為檢查用激光光線LB2照射在保持工作臺36的框體362的上表面362a上，對構成光線偏向構件60的偏向角度調(diào)整構件64施加例如1V的電壓并停止保持工作臺36的移動。通過如上實施第2改質層形成工序，從而在半導體晶片20的內(nèi)部如圖7的(d)所示，沿著分割預定線21形成有變質層201。
[0051]如上，若對半導體晶片20沿著形成于第I方向上的所有分割預定線21實施了上述第I改質層形成工序和第2改質層形成工序，則使保持工作臺36轉動90度，沿著在與形成于上述第I方向上的分割預定線21正交的第2方向上延伸的分割預定線21執(zhí)行上述第I改質層形成工序和第2改質層形成工序。如此，若沿著形成于半導體晶片20上的所有分割預定線21執(zhí)行了上述第I改質層形成工序