適應(yīng)的波長。優(yōu)選地，對透明的晶圓10材料采用激光入射面劃片或背面進行劃片。
[0031]涂覆步驟S2:在劃片區(qū)域涂覆鋁納米顆粒(鋁納米顆粒如圖6的陰影區(qū)域所示)，使其完全填充劃片切口。優(yōu)選地，采用微筆直寫或微噴的方式進行涂覆。當(dāng)然，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解的是，涂覆步驟S2也可以采用其他熱反應(yīng)材料如鋁熱劑混合物等達到同樣的效果Ο
[0032]裂片步驟S3:如圖6和圖7所示，調(diào)整激光光束200并對劃片切口處的鋁納米顆粒進行激光照射，利用鋁熱反應(yīng)的放熱實現(xiàn)裂片。優(yōu)選地，采用聚焦或離焦(聚焦光斑較小時采用)的方式進行激光照射，對應(yīng)的光斑直徑大于劃片切口的最大寬度，進而保證了受熱面積，使熱反應(yīng)充分發(fā)生。優(yōu)選地，照射采用的激光器30為連續(xù)或長脈沖激光器，以使熱反應(yīng)充分發(fā)生，波長為266nm?1064nm之間。其中，劃片步驟S1中采用的激光波長與裂片步驟S4采用的激光波長相同，以實現(xiàn)選擇的激光波長與晶圓10材料的光學(xué)性質(zhì)相匹配，且選擇的激光器30與具體的加工質(zhì)量、效率及成本等相匹配。
[0033]作為一種實施方式，本發(fā)明實施例的晶圓10激光劃片與裂片方法的裂片步驟S4之后還包括:
清洗步驟S4:對裂片后的晶圓10進行清洗，以除去殘留的鋁納米顆粒涂層。
[0034]作為一種實施方式，請參照圖8，劃片步驟S1和涂覆步驟S2之間還包括對準(zhǔn)步驟S11:檢測晶圓10的位置偏移并傳輸對應(yīng)的偏移信號;對應(yīng)地，涂覆步驟S2中與裂片步驟S3之間也包括定位步驟S22，根據(jù)偏移信號調(diào)整涂覆裝置40以在劃片區(qū)域進行鋁納米顆粒涂覆。本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解的是，對激光光束200和涂覆裝置40的位置調(diào)整可以通過調(diào)整XY平臺實現(xiàn)，調(diào)整保證了劃片軌跡與裂片照射軌跡和/或涂覆軌跡的一致，涂覆精準(zhǔn)，用料少;加工產(chǎn)品質(zhì)量好，效率高。
[0035]作為本發(fā)明的又一種實施方式，如圖2所示，激光器1和激光器2的波長可以不同，則激光光束分別通過兩不同的光路后作用到晶圓10上，其中用于劃片步驟S1的激光器30及對應(yīng)光路位于涂覆裝置40之前，用于裂片的激光器及對應(yīng)光路位于涂覆裝置40之后，圖2實施案例系統(tǒng)對應(yīng)的方法與圖1實施案例系統(tǒng)對應(yīng)的方法相同，在此不做贅述。
[0036]本發(fā)明實施例的晶圓10激光劃片與裂片方法及系統(tǒng)，尤其適用于脆性晶圓，也即對脆性晶圓進行激光劃片與裂片的效果更突出；進一步地，相對于現(xiàn)有的機械劃片、裂片工藝存在的無法實現(xiàn)小尺寸晶圓10的裂片(一般機械裂片的最小尺寸約為150μπΟ;只能裂直線圖形，無法實現(xiàn)圓形等有弧度的單元格的裂片；刀具壽命短，要定期更換刀具；良率較低等缺陷，具有如下有益效果:
1、可以加工任意單元格圖形，包括方形、圓形及弧形等；
2、避免機械接觸造成的應(yīng)力過大導(dǎo)致的崩邊等不良；
3、可以加工任意單元格尺寸；
4、設(shè)備及工藝簡單，流水線的形式完成劃片及裂片工序。
[0037]盡管已經(jīng)示出和描述了本發(fā)明的實施例，對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員而言，可以理解在不脫離本發(fā)明的原理和精神的情況下可以對這些實施例進行多種變化、修改、替換和變型，本發(fā)明的范圍由所附權(quán)利要求及其等同范圍限定。
【主權(quán)項】
1.一種晶圓激光劃片與裂片方法，其特征在于，所述方法包括: 劃片步驟:對晶圓進行激光劃片，切深在晶圓厚度的1/2至3/4之間； 涂覆步驟:在劃片區(qū)域涂覆鋁納米顆粒，使其完全填充劃片切口 ；及 裂片步驟:對劃片切口處的鋁納米顆粒進行激光照射，利用鋁熱反應(yīng)的放熱實現(xiàn)裂片。2.如權(quán)利要求1所述的晶圓激光劃片與裂片方法，其特征在于，裂片步驟之后還包括: 清洗步驟:對裂片后的晶圓進行清洗，以除去殘留的鋁納米顆粒涂層。3.如權(quán)利要求1所述的晶圓激光劃片與裂片方法，其特征在于，劃片步驟和涂覆步驟之間還包括對準(zhǔn)步驟:檢測晶圓的位置偏移并傳輸對應(yīng)的偏移信號;對應(yīng)地，涂覆步驟中，根據(jù)偏移信號調(diào)整涂覆裝置以在劃片區(qū)域進行鋁納米顆粒涂覆。4.如權(quán)利要求1所述的晶圓激光劃片與裂片方法，其特征在于，涂覆步驟中，采用微筆直寫或微噴的方式進行涂覆。5.如權(quán)利要求1所述的晶圓激光劃片與裂片方法，其特征在于，裂片步驟中，采用聚焦或離焦的方式進行激光照射，對應(yīng)的光斑直徑大于劃片切口的最大寬度。6.—種晶圓激光劃片與裂片系統(tǒng)，其特征在于，所述晶圓激光劃片與裂片系統(tǒng)包括機架和工控機，機架上設(shè)有分別連接于工控機的激光器、涂覆鋁納米顆粒的涂覆裝置、CCDS位裝置及用于承載晶圓的加工平臺。7.如權(quán)利要求6所述的晶圓激光劃片與裂片系統(tǒng)，其特征在于，所述激光器為發(fā)射相同波長激光的兩個，發(fā)射的激光匯合至同一條光路并經(jīng)同一擴束裝置、振鏡場鏡組件輸出。8.如權(quán)利要求6所述的晶圓激光劃片與裂片系統(tǒng)，其特征在于，所述激光器為發(fā)射不同波長激光的兩個，發(fā)射的激光分別通過一條光路即不同的擴束裝置、振鏡場鏡組件傳輸和輸出。9.如權(quán)利要求6所述的晶圓激光劃片與裂片系統(tǒng)，其特征在于，加工平臺為在水平方向上移動晶圓的XY平臺。10.如權(quán)利要求6所述的晶圓激光劃片與裂片系統(tǒng)，其特征在于，所述CCD定位裝置有多個，且一一對應(yīng)地設(shè)置于振鏡場鏡組件和涂覆裝置旁。
【專利摘要】本發(fā)明實施例公開了一種晶圓激光劃片與裂片方法及系統(tǒng)，所述系統(tǒng)包括機架和工控機，機架上設(shè)有分別連接于工控機的激光器、涂覆鋁納米顆粒的涂覆裝置及CCD定位裝置及用于承載晶圓的加工平臺。采用上述設(shè)備對玻璃、藍寶石等晶圓進行加工，可以實現(xiàn)高質(zhì)量、高效率的劃線與裂片工藝，且可以加工任意形狀圖形。設(shè)備及工藝簡單，可以以流水線的形式完成晶圓的劃片與裂片工藝。本發(fā)明實施例具有通用性強、加工質(zhì)量高的技術(shù)效果，尤其適用于圓形等有弧度的晶圓的加工。
【IPC分類】B23K26/70, B23K26/38
【公開號】CN105458517
【申請?zhí)枴緾N201510896219
【發(fā)明人】張 杰, 秦國雙, 陶沙
【申請人】深圳英諾激光科技有限公司
【公開日】2016年4月6日
【申請日】2015年12月8日