接觸電性連接至位于晶圓的劃片線上的測(cè)試訪問接口的半導(dǎo)體芯片的方法、裝置以及系統(tǒng)的制作方法
【專利摘要】一種半導(dǎo)體器件，包括：一第一晶圓，具有：i）多個(gè)半導(dǎo)體芯片，ii）與該一個(gè)或多個(gè)半導(dǎo)體芯片相鄰的多個(gè)劃片線，iii）位于該一個(gè)或多個(gè)劃片線中的一測(cè)試訪問接口，其中該測(cè)試訪問接口具有一第一多個(gè)貫穿基板導(dǎo)體和一標(biāo)準(zhǔn)化物理布圖，以及iv）在至少一些所述貫穿基板導(dǎo)體與所述半導(dǎo)體芯片的至少其中之一之間的電接頭。還揭露一種測(cè)試該半導(dǎo)體器件和其他類型的半導(dǎo)體器件的方法、裝置以及系統(tǒng)。
【專利說(shuō)明】接觸電性連接至位于晶圓的劃片線上的測(cè)試訪問接口的半導(dǎo)體芯片的方法、裝置以及系統(tǒng)
【背景技術(shù)】
[0001]測(cè)試晶圓上的半導(dǎo)體芯片變得越來(lái)越難。測(cè)試由于如增加晶體管密度、增加信號(hào)輸入/輸出(I/o)需求、降低半導(dǎo)體芯片尺寸、以及更有限的I/O訪問等因素而復(fù)雜化。當(dāng)使用高速或高帶寬接口如具有千兆赫茲(GHz)范圍射頻(RF)的芯片、藍(lán)牙、3G、4G、全球移動(dòng)系統(tǒng)(G SM )、模擬、模擬混合信號(hào)(AM S )、數(shù)字電視(D T V )、5.1音頻、數(shù)字、測(cè)試訪問端口(TAP )、高清晰度多媒體接口( HDMI)、外設(shè)部件互聯(lián)(PCI) e、通用串行總線(USB ) X、數(shù)字視頻接口(DVI )、高速輸入/輸出(HSIO)接口、WiF1、無(wú)線局域網(wǎng)(WLAN)、以及時(shí)鐘分配電路測(cè)試芯片時(shí)，這些限制變得特別明顯。
[0002]當(dāng)用于探測(cè)上述類型的接口時(shí)，使用微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)、針、以及非接觸探針的探測(cè)方案具有局限性。此外，因?yàn)楠?dú)特的信號(hào)映射需要將探測(cè)方案的引腳映射至已經(jīng)被適合用于特定應(yīng)用的I/O接口的引腳布圖中，帶來(lái)額外成本。
[0003]測(cè)試具有上述和其他類型的接口的半導(dǎo)體芯片的改善方法、裝置以及系統(tǒng)將是有用的。
【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0004]在附圖中說(shuō)明本發(fā)明的說(shuō)明性實(shí)施例，圖式中:
[0005]圖1提供具有16個(gè)半導(dǎo)體芯片和對(duì)應(yīng)劃片線測(cè)試訪問接口的晶圓的平面圖；
[0006]圖2提供圖1顯示的半導(dǎo)體芯片和測(cè)試訪問接口的其中之一的分解平面圖；
[0007]圖3說(shuō)明圖2顯示的一行TSVs的示例高度；
[0008]圖4說(shuō)明具有接地屏蔽型TSV的劃片線測(cè)試訪問接口 ；
[0009]圖5說(shuō)明一測(cè)試訪問接口，其中單一 TSV連接至多片芯片；
[0010]圖6說(shuō)明形成堆疊芯片器件的第一和第二堆疊晶圓的高度；
[0011]圖7說(shuō)明包含有已經(jīng)使用芯片-晶圓(C2W)堆疊工藝連接至晶圓的芯片的堆疊芯片器件的高度；
[0012]圖8說(shuō)明包含有通過硅穿柱連接的第一和第二堆疊晶圓的堆疊芯片器件的高度；
[0013]圖9提供通用串行總線(USB)測(cè)試訪問接口的標(biāo)準(zhǔn)化物理布圖的平面圖；
[0014]圖10說(shuō)明在晶圓上布置元件的新方法；
[0015]圖11說(shuō)明接觸半導(dǎo)體晶圓的測(cè)試訪問接口的晶圓轉(zhuǎn)換器的剖視圖；
[0016]圖12說(shuō)明具有一組觸碰在圖9顯示的USB測(cè)試訪問接口(尤其是，圖9顯示的USB測(cè)試訪問接口的DC導(dǎo)通TSVs)的探針的晶圓轉(zhuǎn)換器的一部分；
[0017]圖13說(shuō)明圖12顯示的晶圓轉(zhuǎn)換器與晶圓的未對(duì)準(zhǔn)；
[0018]圖14說(shuō)明在圖11顯示的晶圓轉(zhuǎn)換器的設(shè)計(jì)和構(gòu)建中使用的示例性預(yù)設(shè)計(jì)磚塊；
[0019]圖15說(shuō)明具有探針組的分離基板的示例性預(yù)設(shè)計(jì)磚塊；
[0020]圖16說(shuō)明具有于其上形成的開關(guān)矩陣的晶圓轉(zhuǎn)換器；
[0021]圖17說(shuō)明測(cè)試具有標(biāo)準(zhǔn)化物理布圖的劃片線測(cè)試訪問接口的晶圓的另一系統(tǒng)；[0022]圖18說(shuō)明具有多個(gè)探針頭的測(cè)試系統(tǒng)；以及
[0023]圖19說(shuō)明具有移動(dòng)地貼附于探針頭的探針組的探針頭。
【具體實(shí)施方式】
[0024]圖1提供具有16個(gè)半導(dǎo)體芯片(例如，芯片102、104、106、108)的晶圓100的平面圖。半導(dǎo)體芯片102、104、106、108的每一個(gè)被若干劃片線(例如，110、112、114、116)環(huán)繞。為了便于描述，“半導(dǎo)體芯片”被定義為于其上制造功能電路的晶圓的一部分，并且“劃片線”被定義為與半導(dǎo)體芯片相鄰的晶圓的任一部分，當(dāng)從晶圓切割半導(dǎo)體芯片時(shí)，晶圓的一部分可能被劃片或切割。通常，晶圓上的芯片數(shù)量將遠(yuǎn)大于16，并且每一個(gè)芯片將覆蓋晶圓表面區(qū)域的更小部分。然而，圖1顯示的芯片102、104、106、108的排列方式用于描述新型晶圓設(shè)計(jì)的某些方面。
[0025]在圖1中，每一個(gè)芯片(如芯片102)的I/O接口連接至劃片線的其中之一(例如，劃片線112)中各自的測(cè)試訪問接口(例如，測(cè)試訪問接口 118)。然而，在替換晶圓實(shí)施例如晶圓具有多于一種類型的芯片的實(shí)施例中，可以設(shè)想，測(cè)試訪問接口 118可以僅連接至特定芯片102。
[0026]圖2提供圖1顯示的半導(dǎo)體芯片102和測(cè)試訪問接口 118的其中之一的分解平面圖。測(cè)試訪問接口 118包括多個(gè)硅穿孔(TSVs，如TSVs200、202、204)。TSVs200、202、204可以通過例如使用在美國(guó)專利第7，683，459B2中描述的方法形成。圖3說(shuō)明圖2顯示的一行TSVs200.202.204的示例高度。或者，每一個(gè)TSV200、202、204的頂部和底部可以通過導(dǎo)電焊盤或焊料連接(參見，例如，連接TSV200的焊盤300、302)。該焊盤或焊料可以用于將TSV電性連接至另一晶圓或芯片(例如，形成堆疊芯片器件)中的對(duì)應(yīng)TSV。多個(gè)導(dǎo)電線或其他電接頭將各個(gè)TSVs200、202、204連接至半導(dǎo)體芯片102。使用目前公知的形成TSVs的方法，每一個(gè)TSV可以具有小至1-5千分尺(y m)的直徑，并且一組TSVs可以形成為5_10 y m的間距。然而，這些直徑和間距僅為示例，并且不局限于此。一般地說(shuō)，芯片尺寸、劃片線寬度、以及TSV形成方法的不同結(jié)合能夠使不同數(shù)量的TSVs200、202、204形成在劃片線112中。
[0027]測(cè)試訪問接口 118的一些或全部TSVs200、202、204連接至芯片102的焊盤、接觸點(diǎn)或者節(jié)點(diǎn)。在圖2顯示的測(cè)試訪問接口 118的情況下,測(cè)試訪問接口 118的每一個(gè)TSV200、202、204連接至芯片102的不同焊盤或接觸點(diǎn)。然而，在其他情況下，兩個(gè)或多個(gè)TSVs可以連接至芯片的相同焊盤、接觸點(diǎn)或者節(jié)點(diǎn)，或者單一 TSV可以連接至芯片的兩個(gè)或多個(gè)焊盤、接觸點(diǎn)或節(jié)點(diǎn)。例如，為了改善在測(cè)試訪問接口的特定信號(hào)線400上傳輸?shù)男盘?hào)的完整，該信號(hào)線可以通過多個(gè)TSV接地線402、404被接地屏蔽(例如，邊緣化或圍繞)。參見例如圖4顯示的測(cè)試訪問接口 118的部分。該TSV接地線402、404可以連接在芯片102的焊盤、接觸點(diǎn)或節(jié)點(diǎn)406，或者通過在劃片線中形成的焊線或接地平面連接。替換地，或者附加地，當(dāng)測(cè)試芯片102時(shí)，該TSV接地線可以通過晶圓轉(zhuǎn)換器、接觸該測(cè)試訪問接口118的探針卡或探針頭提供的焊線或其他電子連接而連接。如此接近芯片102的屏蔽可以改善測(cè)試性能，并且降低電力突波和與信號(hào)完整相關(guān)的其他缺陷。還可以改善例如公知良好芯片的生產(chǎn)驗(yàn)證測(cè)試(PVT)、芯片速度/錯(cuò)誤校正、RF結(jié)構(gòu)的導(dǎo)頻信號(hào)序列、以及高級(jí)模擬-數(shù)字和數(shù)字-模擬轉(zhuǎn)換器(ADC/DAC)的自校準(zhǔn)的質(zhì)量。
[0028]與在晶圓的一側(cè)上形成的焊盤相比，圖2-4顯示的TSVs200、202、204可以自晶圓100的一側(cè)(或兩側(cè))接觸，從而改善測(cè)試和其他非任務(wù)活動(dòng)的可達(dá)性。
[0029]圖5說(shuō)明一測(cè)試訪問接口 118，其中一單一 TSV200連接至芯片102的多個(gè)焊盤500、502。圖5顯示的測(cè)試訪問接口連接是有用的，其需要扇出或扇入芯片102附近的信號(hào)(包括，例如，功率或接地信號(hào))。
[0030]在一些情況下，芯片或晶圓可以堆疊以形成三維堆疊半導(dǎo)體器件。例如，圖6說(shuō)明形成一堆疊芯片器件610的第一和第二堆疊晶圓100、600的高度。一個(gè)或兩個(gè)晶圓可以包括公知的良好芯片。通過舉例的方式，使用晶圓-晶圓(W2W)堆疊工藝堆疊晶圓100、600。第一和第二晶圓100、600的對(duì)應(yīng)芯片(例如，102和602、或104和604)憑借第一數(shù)量的TSVs(例如，TSVs606、608)之間的電接頭電性連接。通過舉例的方式，TSVs606、608可以使用焊料或?qū)щ娬澈蟿?14電性連接。類似地，在與芯片102、104、602、604相鄰的劃片線112、612中的對(duì)應(yīng)測(cè)試訪問接口 118、618憑借第二數(shù)量的TSVs200、202、204、620、622、624之間的電接頭電性連接。以此方式，施加至測(cè)試訪問接口 618的其中之一的TSV的功率、接地和測(cè)試信號(hào)可以被扇出至另一測(cè)試訪問接口 118的TSV，最終被扇出至兩個(gè)芯片102、602?；蛘?，在單獨(dú)尋址芯片的情況下，可以接收施加至測(cè)試訪問接口 118、618的任意一個(gè)的信號(hào)，并且該信號(hào)作用在芯片102、602中尋址的芯片上。信號(hào)也可以自芯片102、602的一個(gè)或兩個(gè)順序地或并行地傳輸至外部測(cè)試儀。該外部測(cè)試儀可以連接至測(cè)試訪問接口 118、618的一個(gè)或兩個(gè)。
[0031]以上述和其他方式，兩個(gè)或多個(gè)測(cè)試訪問接口的電性連接的TSVs可以作為測(cè)試接口總線的線。必要時(shí)，額外晶圓可以堆疊在圖6顯示的晶圓100、600上，并且額外測(cè)試訪問接口的TSVs可以連接至圖6顯示的測(cè)試訪問接口 118、618的TSVs200、202、204、620、622、624。
[0032]圖7說(shuō)明包含已經(jīng)使用芯片-晶圓(C2W)堆疊工藝連接至晶圓100的芯片602、604的堆疊芯片器件700的高度。在一些情況下，該芯片或晶圓(或兩者)可以包括公知的良好芯片。在顯示的實(shí)施例中，芯片602、604已經(jīng)自晶圓連同其測(cè)試訪問接口(例如，保持貼附于芯片602的接口 618)被獨(dú)立出來(lái)，以使對(duì)應(yīng)芯片102、602以及測(cè)試訪問接口 118、618可以如描述地相對(duì)于圖6顯示的堆疊晶圓的芯片和測(cè)試訪問接口電性連接。在其他實(shí)施例(圖未示)中，不具有劃片線測(cè)試訪問接口的芯片可以堆疊在具有劃片線測(cè)試訪問接口的芯片上(或者，反之亦然)。在另一實(shí)施例中，可以自晶圓切割任意組的一個(gè)或多個(gè)半導(dǎo)體芯片，并且該半導(dǎo)體芯片可以堆疊在另一晶圓的半導(dǎo)體芯片上。
[0033]在于前段中描述的任一實(shí)施例中，連接至僅一個(gè)或一子集的堆疊芯片的測(cè)試訪問接口可以用于憑借芯片間電接頭(例如，焊料614和TSVs606、608)將測(cè)試信號(hào)施加至一個(gè)芯片的測(cè)試結(jié)構(gòu)或節(jié)點(diǎn)，該一個(gè)芯片的測(cè)試結(jié)構(gòu)或節(jié)點(diǎn)可以用于將測(cè)試信號(hào)施加至另一芯片的測(cè)試結(jié)構(gòu)或節(jié)點(diǎn)。
[0034]在一些情況下，圖1-7顯示的一些或全部TSVs可以使用其他形式的貫穿基板導(dǎo)體交替地替換。例如，圖8說(shuō)明包含有通過硅穿柱(TSPs) 802、804、806、808連接的第一和第二堆疊晶圓100、600的堆疊芯片器件800的高度。通過舉例的方式，可以形成TSPs802、804、806、808，并且堆疊晶圓100、600或芯片的芯片102、602和測(cè)試訪問接口 118、618可以電性連接，如在歐洲專利申請(qǐng)公開EP2075828A1中所描述的。
[0035]不管芯片及其測(cè)試訪問接口是否使用W2W或C2W堆疊工藝堆疊，并且不管何種類型的貫穿基板導(dǎo)體用于電性連接該堆疊芯片及其測(cè)試訪問接口，該堆疊芯片可以通過接觸在堆疊芯片器件的一側(cè)上的測(cè)試訪問接口來(lái)測(cè)試。
[0036]在圖1-8顯示的測(cè)試訪問接口用于測(cè)試其對(duì)應(yīng)芯片或堆疊芯片器件(其在這里被統(tǒng)稱為半導(dǎo)體器件)之后，該測(cè)試訪問接口可以與其對(duì)應(yīng)半導(dǎo)體器件分離。該分離可以通過例如:1)電性開啟連接測(cè)試訪問接口與其對(duì)應(yīng)芯片的開關(guān)；2)燒斷連接測(cè)試訪問接口與其對(duì)應(yīng)芯片的保險(xiǎn)絲；或者3)使用工具如鋸或激光器自其對(duì)應(yīng)芯片物理性地切割測(cè)試訪問接口來(lái)實(shí)現(xiàn)。然而，在一些情況下，該測(cè)試訪問接口可以保持連接至其對(duì)應(yīng)半導(dǎo)體器件。
[0037]熟悉本領(lǐng)域的技術(shù)人員在閱讀本發(fā)明之后，將會(huì)理解到:測(cè)試訪問接口可以提供需要施加至芯片或被測(cè)器件(其每一個(gè)在這里被稱為DUT)(或者自芯片或被測(cè)器件接收)的功率、接地或測(cè)試信號(hào)的任意收集。然而，在一些情況下，其可以用于指定具有標(biāo)準(zhǔn)化物理布圖的一個(gè)或多個(gè)測(cè)試訪問接口，并且每一個(gè)標(biāo)準(zhǔn)化測(cè)試訪問接口具有導(dǎo)體的一種特定物理和功能的配置。以此方式，半導(dǎo)體芯片或晶圓的設(shè)計(jì)者以及測(cè)試設(shè)備及其接口的設(shè)計(jì)者在完全不需要顧客設(shè)計(jì)其芯片、晶圓、接口或測(cè)試設(shè)備的一個(gè)或另一個(gè)的情況下，可以依賴于一定程度的兼容性。這不僅降低成本，而且降低測(cè)試時(shí)間和上市時(shí)間。
[0038]通過舉例的方式，圖9提供通用串行總線(USB)測(cè)試訪問接口 900的標(biāo)準(zhǔn)化物理布圖的平面圖。依USB的規(guī)格，該USB測(cè)試訪問接口包括:正極和負(fù)極數(shù)據(jù)線(D+、D-);電壓供應(yīng)線(Vcc);以及接地線(G)。然而，為了改善信號(hào)完整，該測(cè)試訪問接口 900提供有共三條接地線。該多條接地線有助于降低數(shù)據(jù)線與電壓供應(yīng)線之間的串?dāng)_。該測(cè)試訪問接口900進(jìn)一步包括一對(duì)短路TSVs，標(biāo)有“ + ”和所述短路TSVs可以用于校準(zhǔn)探針頭的探針或者具有測(cè)試訪問接口的其他測(cè)試接口(這在下面的說(shuō)明書中將更加詳細(xì)地描述)。
[0039]給出上述標(biāo)準(zhǔn)化用途，圖10說(shuō)明用于在晶圓上布置元件的新方法1000。在區(qū)塊1002，晶圓上的多個(gè)半導(dǎo)體芯片的位置被電子地指定。該芯片的位置定義與該芯片相鄰的多個(gè)劃片線。在區(qū)塊1004，從多個(gè)測(cè)試訪問接口中電子地選擇一測(cè)試訪問接口。所選擇的測(cè)試訪問接口具有與芯片的物理布圖無(wú)關(guān)的標(biāo)準(zhǔn)化物理布圖。在區(qū)塊1006，相對(duì)于晶圓上多個(gè)芯片的物理布圖指定所選擇的測(cè)試訪問接口的位置。該位置使所選擇的測(cè)試訪問接口位于該多個(gè)劃片線的一個(gè)或多個(gè)中。在區(qū)塊1008，在所選擇的測(cè)試訪問接口與芯片的至少其中之一之間的多個(gè)電接頭被電子地指定。步驟1002、1004、1006以及1008的順序不是關(guān)鍵的，除由上述描述規(guī)定之外。
[0040]雖然方法1000已經(jīng)在相對(duì)于半導(dǎo)體晶圓上的芯片的物理布圖定位且電性連接單一的所選擇的測(cè)試訪問接口的背景中描述，額外的所選擇的測(cè)試訪問接口將通常相對(duì)于芯片的物理布圖定位，以使相同類型的每一個(gè)芯片位于與單獨(dú)的所選擇的測(cè)試訪問接口相鄰(并且電性連接至單獨(dú)的所選擇的測(cè)試訪問接口)。每一個(gè)測(cè)試訪問接口位于一個(gè)或多個(gè)晶圓劃片線中。
[0041]在該方法的一些實(shí)施例中，可以選擇多個(gè)測(cè)試訪問接口，并且每一個(gè)或多個(gè)所選擇的測(cè)試訪問接口的位置可以相對(duì)于芯片的物理布圖電子地指定。又，每一個(gè)測(cè)試訪問接口位于晶圓劃片線的其中之一中。當(dāng)多個(gè)測(cè)試訪問接口連接至單一芯片時(shí)，該測(cè)試訪問接口可以位于相同或不同的劃片線中。
[0042]需要注意的是，不同的多個(gè)測(cè)試訪問接口可以具有不同的標(biāo)準(zhǔn)化物理布圖。在一些情況下，測(cè)試訪問接口的標(biāo)準(zhǔn)化物理布圖可以占據(jù)足夠大區(qū)域，以便于在特定應(yīng)用中，其必須位于兩個(gè)芯片本身之間的劃片線中(即，不具有位于相同劃片線中的其他測(cè)試訪問接口)。在其他情況下，測(cè)試訪問接口的標(biāo)準(zhǔn)化物理布圖可以足夠緊密，以使其可以位于劃片線連同一個(gè)或多個(gè)其他測(cè)試訪問接口。
[0043]可以使用具有處理器和物理存儲(chǔ)媒質(zhì)的計(jì)算機(jī)來(lái)執(zhí)行方法1000，其中該處理器恢復(fù)并執(zhí)行實(shí)施方法1000的指令。該方法可以通過計(jì)算機(jī)自動(dòng)地執(zhí)行，以響應(yīng)半導(dǎo)體芯片、半導(dǎo)體晶圓、以及測(cè)試訪問接口的電子說(shuō)明，以及結(jié)合上述內(nèi)容的規(guī)則；或者，可以執(zhí)行該方法以響應(yīng)其他電子存儲(chǔ)信息，其中可以自該電子存儲(chǔ)信息中得到或推斷關(guān)于半導(dǎo)體芯片、晶圓和測(cè)試訪問接口的信息。也可以半自動(dòng)地執(zhí)行方法1000，以響應(yīng)計(jì)算機(jī)用戶的喜好或認(rèn)可。
[0044]方法1000是有用的，其可以用于在不同種類的半導(dǎo)體晶圓上布置元件，并且每一個(gè)晶圓具有潛在不同種類(或類型)的半導(dǎo)體芯片，該半導(dǎo)體芯片連接至潛在不同組的一個(gè)或多個(gè)測(cè)試訪問接口，該測(cè)試訪問接口具有標(biāo)準(zhǔn)化物理布圖。因?yàn)槊恳环N類型的測(cè)試訪問接口與交錯(cuò)的不同半導(dǎo)體晶圓保持相同物理布圖，設(shè)計(jì)特定晶圓探針卡、轉(zhuǎn)換器或探針頭的任務(wù)就簡(jiǎn)化了。實(shí)際上，在一些情況下，特定晶圓探針卡、轉(zhuǎn)換器或探針頭可能根本不需要設(shè)計(jì)。例如，將在下面說(shuō)明書中更加詳細(xì)地描述，測(cè)試儀可以提供有具有有限組的探針的探針頭，其中根據(jù)一個(gè)或多個(gè)測(cè)試訪問接口的標(biāo)準(zhǔn)化物理布圖來(lái)布置探針。這種探針頭可以在測(cè)試程序的控制下穿過半導(dǎo)體晶圓，以便于I)指定晶圓上測(cè)試訪問接口的位置，以及2)編程一控制系統(tǒng)以移動(dòng)探針頭或晶圓，以使用不同的測(cè)試訪問接口的接觸點(diǎn)順序地校準(zhǔn)探針頭的探針。
[0045]方法1000也是有用的，在晶圓的劃片線中的標(biāo)準(zhǔn)化測(cè)試訪問接口的位置可以降低或消除在晶圓芯片的范圍內(nèi)提供探針目標(biāo)的需求。
[0046]現(xiàn)在將描述具有描述的各種示例性半導(dǎo)體晶圓、以及可以包含于其中的各種不同的測(cè)試訪問接口、各種晶圓轉(zhuǎn)換器、接觸這種測(cè)試訪問接口的探針卡和探針頭。還將描述接觸這種測(cè)試訪問接口(因此，多個(gè)半導(dǎo)體器件)的相關(guān)方法。
[0047]圖11說(shuō)明接觸半導(dǎo)體晶圓1110的測(cè)試訪問接口 1102、1104、1106、1108的晶圓轉(zhuǎn)換器1100的剖視圖。通過舉例的方式，晶圓轉(zhuǎn)換器1100包括:由半導(dǎo)體材料如硅構(gòu)成的基板1112。該基板1112具有多個(gè)貫穿基板導(dǎo)體如形成于其中的TSVslll4、1116。TSVslll4、1116的每一個(gè)終止在晶圓轉(zhuǎn)換器的下表面(即，接觸晶圓的轉(zhuǎn)換器的表面)上的導(dǎo)電焊盤上。導(dǎo)電柱1118、1120、1122自導(dǎo)電焊盤延伸，并且提供多個(gè)探針?；蛘撸瑢?dǎo)電柱1118、1120、1122可以使用焊料凸點(diǎn)或其他導(dǎo)電性特征來(lái)替換，或者導(dǎo)電柱1118、1120、1122可以自晶圓轉(zhuǎn)換器1100的下表面1124消除，這有利于導(dǎo)電焊盤具有較大支架。在另一實(shí)施例中，導(dǎo)電柱1118、1120、1122或其他導(dǎo)電性特征可以直接地連接至TSVsl 114、1116，不使用導(dǎo)電焊盤?；蛘?，如圖8顯示的硅穿柱可以自晶圓轉(zhuǎn)換器1100的表面1124延伸，并且提供多個(gè)探針。
[0048]TSVs1114、1116和導(dǎo)電柱1118、1120、1122排列為與在晶圓1110上提供的測(cè)試訪問接口 1102、1104、1106、1108的標(biāo)準(zhǔn)化物理布圖對(duì)應(yīng)的組或集1126、1128、1130、1132。每一組1126、1128、1130、1132具有關(guān)于基板1112的位置(即，其位于基板1112上)，以使其對(duì)應(yīng)于晶圓1110上的至少一個(gè)劃片線的位置。
[0049]優(yōu)選地，TSVsl114、1116和導(dǎo)電柱1118、1120、1122具有均勻間距，兩者在每一組TSVslll4、1116 或者導(dǎo)電柱 1118、1120、1122、1108 內(nèi)，并且在不同組 1126、1128、1130、1132的TSVs或?qū)щ娭g。
[0050]TSVslll4、1116的每一個(gè)電性連接至晶圓轉(zhuǎn)換器1100的上表面1140上的對(duì)應(yīng)電接觸點(diǎn)(例如，焊盤1134、1136或1138)。該TSVslll4、1116可以通過具有信號(hào)線或其他元件的再分配層連接至焊盤1134、1136、1138。該再分配層可以形成在晶圓轉(zhuǎn)換器1100的上表面1140上。
[0051]上表面1140上的焊盤1134、1136、1138優(yōu)選地具有均勻間距,該間距優(yōu)選地大于晶圓轉(zhuǎn)換器1100的下表面1124上的柱1118、1120、1122和焊盤的間距。對(duì)于晶圓轉(zhuǎn)換器1100的上表面1140上的每一組焊盤1134、1136、1138，其中該組焊盤1134、1136、1138對(duì)應(yīng)于特定組的柱1118、1120、1122和測(cè)試訪問接口 1102，晶圓轉(zhuǎn)換器1100的上表面1140上的該組焊盤1134、1136、1138也可以具有標(biāo)準(zhǔn)化物理布圖。
[0052]晶圓轉(zhuǎn)換器1100的上表面1140上的焊盤1134、1136、1138通過探針頭1142接觸。該探針頭1142可以包括:探針1144、1146、1148陣列，其對(duì)應(yīng)于測(cè)試訪問接口 1102、1104、1106,1108的標(biāo)準(zhǔn)化物理布圖的一個(gè)或一子集。例如，探針頭1142可以包括:探針1144、1146,1148陣列，其對(duì)應(yīng)于僅單一測(cè)試訪問接口 1102?；蛘撸?，探針頭可以包括與服務(wù)一個(gè)或多個(gè)半導(dǎo)體芯片的一些或全部測(cè)試訪問接口對(duì)應(yīng)的探針；或者可以包括半導(dǎo)體晶圓1110的一個(gè)或多個(gè)劃片線中的一些或全部測(cè)試訪問接口對(duì)應(yīng)的探針?；蛘?，通過又一示例的方式，探針頭可以包括與半導(dǎo)體晶圓1110的特定區(qū)域(或整個(gè)表面之上)內(nèi)全部測(cè)試訪問接口對(duì)應(yīng)的探針陣列。
[0053]為了測(cè)試半導(dǎo)體晶圓1110上的芯片1152、1154、1156、1158，晶圓轉(zhuǎn)換器1100被校準(zhǔn)并且通過探針頭1142接觸(或者，反之亦然)，并且該半導(dǎo)體晶圓1110被校準(zhǔn)且通過晶圓轉(zhuǎn)換器1100接觸(或者，反之亦然)。編程機(jī)器人1150然后將探針頭1142 (經(jīng)由x、y移動(dòng))移動(dòng)至與半導(dǎo)體晶圓1110上各自的測(cè)試訪問接口 1102、1104、1106、1108 (或測(cè)試訪問接口組)對(duì)應(yīng)的焊盤1134、1136、1138。
[0054]因?yàn)楹副P1134、1136、1138 的間距較大于 TSVslll4、1116 和柱 1118、1120、1122的間距，晶圓轉(zhuǎn)換器1100通常比晶圓1110校準(zhǔn)至晶圓轉(zhuǎn)換器1100更容易校準(zhǔn)至探針頭1142。在一些情況下，晶圓1110可以使用DC連續(xù)性回路測(cè)試通過一對(duì)TSVs或其他貫穿基板導(dǎo)體校準(zhǔn)至晶圓轉(zhuǎn)換器1100 (或者，反之亦然)。該對(duì)TSVs可以例如通過電性連接晶圓1110中的TSVs至在晶圓1110上或者貼附于晶圓1110的晶圓載體上所形成的電線(例如，橋或保險(xiǎn)絲)形成。參見，例如，圖9和12。
[0055]圖9提供USB測(cè)試訪問接口 900的標(biāo)準(zhǔn)化物理布圖的示例。如圖所示，該接口 900具有一短路對(duì)的TSVs，標(biāo)有“ + ”和圖12說(shuō)明具有一組觸碰USB測(cè)試訪問接口 900的探針1202、1204、1206的晶圓轉(zhuǎn)換器1200的一部分(尤其是，USB測(cè)試訪問接口 900的DC導(dǎo)通TSVsl208、1210)。以此方式，晶圓轉(zhuǎn)換器1200和晶圓1212的校準(zhǔn)可以通過檢查焊盤1214與1216之間的電導(dǎo)通來(lái)驗(yàn)證(例如，通過TSV1218、探針1204、TSV1208、電線或橋1222、TSV1210、探針1206、以及TSV1220)。如果晶圓轉(zhuǎn)換器1200和晶圓1112未對(duì)準(zhǔn)，如圖13所示，在焊盤1214與1216之間將沒有或有極少的電導(dǎo)通。在一些情況下，多對(duì)短路TSVs可以提供在晶圓1212上。以此方式，晶圓轉(zhuǎn)換器1200和晶圓1212可以更加精確地校準(zhǔn)，尤其是相對(duì)于旋轉(zhuǎn)對(duì)準(zhǔn)。多對(duì)短路TSVs可以提供例如作為:I)單一測(cè)試訪問接口的一部分，2)穿過兩個(gè)或多個(gè)測(cè)試訪問接口，或者3)脫離任意測(cè)試訪問接口。該對(duì)短路TSVs(或其他貫穿基板導(dǎo)體)理想地形成在晶圓劃片線中，或者形成在晶圓芯片1224、1226外部的晶圓的其他區(qū)域中。
[0056]因?yàn)榫A1110 (圖11)的測(cè)試訪問接口 1102、1104、1106、1108具有標(biāo)準(zhǔn)化物理布圖，該晶圓轉(zhuǎn)換器1100可以自預(yù)設(shè)計(jì)“磚塊”構(gòu)建，該預(yù)設(shè)計(jì)“磚塊”定義導(dǎo)電柱1118、1120、1122的物理布圖，與測(cè)試訪問接口匹配的TSVs或其他導(dǎo)電性特征。該磚塊也可以定義通過探針頭1142接觸的電接觸點(diǎn)(例如，焊盤1134、1136、1138)的物理布圖、以及導(dǎo)電柱1118、1120,1122與焊盤1134、1136、1138之間的任意電接頭(例如，TSVslll4、1116和再分配層線)的物理布圖。圖14顯示用于設(shè)計(jì)和構(gòu)建晶圓轉(zhuǎn)換器1100的示例性預(yù)設(shè)計(jì)磚塊1400。該磚塊顯不在聞度(圖14 (a))、俯視平面圖(圖14 (b))、以及仰視平面圖(圖14 (C))中。在一些情況下，自其中形成晶圓轉(zhuǎn)換器的磚或磚塊可以僅存在于設(shè)計(jì)階段(例如，作為在計(jì)算機(jī)可讀媒質(zhì)中存儲(chǔ)的電子說(shuō)明)，并且在磚塊電子地定位在晶圓轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)之后，該晶圓轉(zhuǎn)換器可以被建立為單一單元，其中該物理磚塊與晶圓轉(zhuǎn)換器未分離且作為整體。在其他情況下，該磚塊可以為或者包括一個(gè)或多個(gè)物理分立組件1504、1506、1508、1510，如硅或者具有導(dǎo)電性特征(例如，探針1512、1514、1516)且自其中延伸的其他類型的基板1502。參見圖15。在具有導(dǎo)電性特征1512、1514、15T16且自其中延伸的基板1502的物理分立組件1504、1506、1508、1510的情況下，該物理分立組件1504、1506、1508、1510的基板1502可以排列在公共支撐基板1500上。該基板1500和1502可以由相同或不同材料制成，并且在一些情況下，其可以由半導(dǎo)體、陶瓷或印刷電路板材料制成(或者包括半導(dǎo)體、陶瓷或印刷電路板材料)。
[0057]物理分立組件1504、1506、1508、1510的探針1512、1514、1516可以使用例如引線鍵合或表面貼裝技術(shù)連接至支撐基板1500上的焊盤。圖15顯示的裝置另外可以構(gòu)建為類似于圖11顯示的裝置。
[0058]為了便于描述，空間轉(zhuǎn)換器或具有從中延伸的探針的轉(zhuǎn)換器裝置被認(rèn)為是“探針卡”，不管該轉(zhuǎn)換器裝置的探針是否形成在公共基板上，或者形成在貼附于公共基板的基板上。晶圓轉(zhuǎn)換器是空間轉(zhuǎn)換器或轉(zhuǎn)換器裝置的一種形式，其中轉(zhuǎn)換器裝置的全部探針形成在公共基板上。因此，圖11和15都說(shuō)明探針卡1100、1500，但是圖11為說(shuō)明晶圓轉(zhuǎn)換器的這些圖式的僅其中之一。用語(yǔ)“探針卡”意在不僅包括晶圓轉(zhuǎn)換器，而且包括裝置如硅框架或硅中介層。
[0059]不管測(cè)試系統(tǒng)是否包括圖11或圖15顯示的轉(zhuǎn)換器裝置，或者具有標(biāo)準(zhǔn)化物理布圖的測(cè)試訪問接口的類似形式的轉(zhuǎn)換器裝置，該系統(tǒng)的成本集中在可重復(fù)使用的探針頭，而不是特定應(yīng)用的晶圓轉(zhuǎn)換器或探針卡的成本。因此，圖11和15顯示的系統(tǒng)利用折返混合晶圓設(shè)計(jì)而操作良好(其被公共地用于早期工藝開發(fā))。
[0060]圖16說(shuō)明圖11顯示的晶圓轉(zhuǎn)換器的變型。尤其是，圖16顯示的晶圓轉(zhuǎn)換器1600具有于其上形成的開關(guān)矩陣1602。通過舉例的方式，該開關(guān)矩陣1602具有四個(gè)開關(guān)電路1604、1606、1608、1610，其每一個(gè)連接至不同組的貫穿硅導(dǎo)體和探針1612、1614、1616、1618。每一個(gè)開關(guān)電路1604、1606、1608、1610可以憑借自測(cè)試系統(tǒng)接收的信號(hào)并行操作，以使測(cè)試系統(tǒng)資源被順序地有效地制作為測(cè)試訪問接口 1620、1622、1624、1626的每一個(gè)，其中晶圓轉(zhuǎn)換器上的該組探針1612、1614、1616、1618連接至該測(cè)試訪問接口 1620、1622、1624,1626的每一個(gè)。必要時(shí)，開關(guān)電路1604、1606、1608、1610也可以被配置以提供扇出的測(cè)試系統(tǒng)信號(hào)至測(cè)試訪問接口 1620、1622、1624、1626的多個(gè)或全部，或者自測(cè)試訪問接口 1620、1622、1624、1626的多個(gè)或全部響應(yīng)扇入的測(cè)試信號(hào)，其中開關(guān)電路連接至該測(cè)試訪問接口 1620、1622、1624、1626的多個(gè)或全部。
[0061]在一些情況下，探針頭可以順序地接觸開關(guān)電路1604、1606、1608、1610的每一個(gè)。在其他情況下，探針頭可以被配置以接觸且并行操作全部開關(guān)電路1604、1606、1608、1610。
[0062]因?yàn)殚_關(guān)矩陣1602的結(jié)構(gòu)依賴于晶圓1628上的測(cè)試訪問接口 1620、1622、1624、1626的獨(dú)特布圖，圖16顯示的晶圓轉(zhuǎn)換器1600通常比圖11顯示的晶圓轉(zhuǎn)換器花費(fèi)更長(zhǎng)時(shí)間來(lái)設(shè)計(jì)。開關(guān)矩陣1602也增加建立晶圓轉(zhuǎn)換器1600的所需時(shí)間和成本。然而，具有開關(guān)矩陣1602的晶圓轉(zhuǎn)換器1600是有用的，其降低或消除探針頭的檢索時(shí)間，并且能夠多點(diǎn)測(cè)試半導(dǎo)體芯片1630、1632、1634、1636。在一些情況下，開關(guān)矩陣1602可以被設(shè)計(jì)以提供一個(gè)觸碰晶圓測(cè)試?！耙粋€(gè)觸碰晶圓測(cè)試”意味著探針頭僅需要觸碰晶圓轉(zhuǎn)換器1600或探針卡一次。接著，與晶圓1628上的不同測(cè)試訪問接口 1620、1622、1624、1626的連接通過操作開關(guān)矩陣1602而不是再檢索探針頭來(lái)制作。更少(或一個(gè))觸碰晶圓測(cè)試可以通過增加探針頭上的探針組的數(shù)量或者將全部晶圓轉(zhuǎn)換器探針組連接至單一開關(guān)電路(與圖16顯示的四個(gè)開關(guān)電路1604、1606、1608、1610相對(duì))來(lái)實(shí)現(xiàn)。
[0063]通過舉例的方式，開關(guān)矩陣1602可以使用直接地形成在晶圓轉(zhuǎn)換器1600上的開關(guān)、或者在電性連接至晶圓轉(zhuǎn)換器1600的集成電路中形成的開關(guān)來(lái)實(shí)施。在一些實(shí)施例中，開關(guān)矩陣1602可以使用其他被動(dòng)或主動(dòng)電路組件替換或者補(bǔ)充。為了允許在晶圓轉(zhuǎn)換器1600的底面上更短探針長(zhǎng)度(即，接觸晶圓1628的短探針)，開關(guān)電路1604、1606、1608、1610可以形成在或者貼附于與面向晶圓1628的表面相對(duì)的晶圓轉(zhuǎn)換器1600的表面。
[0064]除添加開關(guān)矩陣1`602之外，圖16顯示的晶圓轉(zhuǎn)換器1600可以構(gòu)建為類似于圖11顯示的晶圓轉(zhuǎn)換器。例如，晶圓轉(zhuǎn)換器1600可以包括多個(gè)貫穿基板導(dǎo)體，其中導(dǎo)電柱、焊料凸點(diǎn)或者其他導(dǎo)電性特征自所述貫穿基板導(dǎo)體延伸，以使導(dǎo)電柱提供晶圓1628上用于接觸半導(dǎo)體芯片1630、1632、1634、1636的多個(gè)探針。熟悉本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以理解地是，晶圓轉(zhuǎn)換器1600僅為示例性，并且圖16揭露的發(fā)明原理可以容易地應(yīng)用于其他類型的探針卡。
[0065]圖17說(shuō)明測(cè)試具有標(biāo)準(zhǔn)化物理布圖的劃片線測(cè)試訪問接口的晶圓的另一系統(tǒng)。該系統(tǒng)1700消除任意晶圓轉(zhuǎn)換器或探針卡，而非包括直接地探測(cè)晶圓1700的探針頭1702。探針頭1702可以包括任意數(shù)量的探針組，其每一個(gè)具有與測(cè)試訪問接口的標(biāo)準(zhǔn)化物理布圖對(duì)應(yīng)的標(biāo)準(zhǔn)化物理布圖。通過舉例的方式，探針頭1702具有四個(gè)探針組1704、1706、1708、1710，其每一組具有與晶圓1728上的各自測(cè)試訪問接口 1712、1714、1716、1718對(duì)接的標(biāo)準(zhǔn)化物理布圖。通過舉例的方式，探針頭1702被顯示為具有與單一半導(dǎo)體芯片1720對(duì)應(yīng)的測(cè)試訪問接口 1712、1714、1716、1718對(duì)接的探針組1704、1706、1708、1710。然而，探針頭1702可以被交替地配置，例如--與I)與多個(gè)半導(dǎo)體芯片1720、1722、1724、1726對(duì)應(yīng)的一些或全部測(cè)試訪問接口 ；2)在半導(dǎo)體晶圓1110的一個(gè)或多個(gè)劃片線1730、1732中的一些或全部測(cè)試訪問接口 ；3)在半導(dǎo)體晶圓1728的特定區(qū)域內(nèi)的一些或全部測(cè)試訪問接口(例如，與芯片的XXY配置連接的全部測(cè)試訪問接口)；或者4)在半導(dǎo)體晶圓1728的整個(gè)表面上的全部測(cè)試訪問接口對(duì)接。或者，與探針頭連接的探針組可以排列為通用方式，以使探針頭的特定觸碰能夠校準(zhǔn)并且同時(shí)使用僅一個(gè)或一些探針組。
[0066]在又一結(jié)構(gòu)中，測(cè)試系統(tǒng)1800 (圖18)可以包括多個(gè)探針頭1802、1804，每一個(gè)探針頭具有單一或多個(gè)探針組，并且相對(duì)于其他探針頭被固定或獨(dú)立地操作。雖然圖18顯示僅兩個(gè)探針頭1802、1804，任意數(shù)量的探針頭可以包括在測(cè)試系統(tǒng)1800中。使用多個(gè)探針頭1802、1804，每一個(gè)探針頭1802、1804可以提供有不同類型的測(cè)試訪問接口，在一些情況下，該測(cè)試訪問接口可以使探針頭1802、1804相對(duì)于不同晶圓上的多個(gè)且不同排列的標(biāo)準(zhǔn)化測(cè)試訪問接口可用。無(wú)論如何，編程機(jī)器人1150可以用于將一個(gè)或多個(gè)探針頭1802、1804移動(dòng)至晶圓1728的不同位置。
[0067]在一些情況下，探針組1704、1706、1708、1710可以以與在特定被測(cè)晶圓1728的一個(gè)或多個(gè)劃片線中包含的測(cè)試訪問接口 1712、1714、1716、1718對(duì)應(yīng)的排列方式移動(dòng)地貼附于探針頭1702。在這些實(shí)施例中，每一個(gè)探針組可以構(gòu)建在小基板(例如，1900或1902 ；圖19)上，該小基板形成為類似于圖11顯示的晶圓轉(zhuǎn)換器的基板1112。然而，每一個(gè)基板1900、1902可以局限于一個(gè)或小數(shù)量的探針組1706、1708，并且可以經(jīng)由連接器(例如，1904或1906)、焊料、粘合劑、或其他方式(例如，真空)貼附于探針頭1702。以此方式，探針頭1702可以被配置為特定應(yīng)用方式。
[0068]每一個(gè)探針組的探針可以例如通過自半導(dǎo)體基板中的貫穿基板導(dǎo)體延伸的導(dǎo)電元件(如導(dǎo)電柱或焊料凸點(diǎn))來(lái)提供。
[0069]為了測(cè)試晶圓1728，圖17顯示的探針頭1702可以與被測(cè)晶圓1728對(duì)齊，然后使用編程機(jī)器人1050穿過晶圓1728的測(cè)試訪問接口。在多個(gè)探針頭1702、1902 (圖19)的情況下，其中探針頭1702、1902可以具有于其上包括的不同探針組，探針頭1702、1902可以順序地(一個(gè)探針頭在另一個(gè)探針頭之后穿過)或并行地(多個(gè)探針頭穿過不同的路徑)且獨(dú)立地穿過對(duì)應(yīng)的測(cè)試訪問接口。
[0070]這里描述的任意測(cè)試系統(tǒng)、晶圓轉(zhuǎn)換器、探針卡或探針頭可以使用或者配置以測(cè)試堆疊芯片(如使用W2W或C2W堆疊工藝堆疊的芯片)。在一些情況下，該堆疊芯片可以經(jīng)由堆疊芯片結(jié)構(gòu)的任一側(cè)上的測(cè)試訪問接口訪問。參見例如圖6-8顯示的堆疊芯片。并且，如果與堆疊芯片對(duì)應(yīng)的測(cè)試訪問接口電性地連接，堆疊中的全部芯片可以通過接觸僅一個(gè)測(cè)試訪問接口來(lái)測(cè)試。在這種情況下，相同的芯片可以并行測(cè)試，或者相似或不同的芯片可以使用芯片尋址方案同時(shí)測(cè)試。
[0071]可以考慮地是，具有標(biāo)準(zhǔn)化物理布圖的測(cè)試訪問接口可以采用各種形式。然而，對(duì)于考慮高速操作或信號(hào)完整的接口而言，標(biāo)準(zhǔn)化物理布圖被認(rèn)為是特別有用的?？梢宰赃B接至如圖所示且這里描述的測(cè)試訪問接口受益的I/O接口包括但不局限于下面的接口:射頻(RF)接口、音頻接口、視頻接口、模擬混合信號(hào)(AMS)接口、或高速串行接口。更具體地，可以自連接至如圖所示且這里描述的測(cè)試訪問接口受益的I/O接口包括但不局限于下面的接口:千兆赫茲(GHz)范圍射頻(RF)、藍(lán)牙、3G、4G、全球移動(dòng)系統(tǒng)(GSM)、模擬、模擬混合信號(hào)(AMS)、數(shù)字電視(DTV)、5.1音頻、數(shù)字、測(cè)試訪問端口(TAP)、高清晰度多媒體接口(HDMI)、外設(shè)部件互聯(lián)(PCI) e、通用串行總線(USB) X、數(shù)字視頻接口(DVI)、高速輸入/輸出(HSIO)、WiF1、無(wú)線局域網(wǎng)(WLAN)、I2C、串行外圍接口總線(SPI)、移動(dòng)產(chǎn)業(yè)處理器接口(MIPI)、雙倍數(shù)據(jù)速率3 (DDR3)、小型雙列直插存儲(chǔ)器模塊(S0-DIMM)、聯(lián)合測(cè)試行動(dòng)組(JTAG)、DPS、以及時(shí)鐘分配電路。
[0072]這里描述的方法、裝置以及系統(tǒng)是有用的，不僅是因?yàn)槠涮峁?biāo)準(zhǔn)化測(cè)試訪問接口，而且是因?yàn)槠淠軌蚴箿y(cè)試接口(例如，晶圓轉(zhuǎn)換器、探針卡或探針頭)被設(shè)計(jì)且更加迅速地建立，從而降低“測(cè)試時(shí)間”。其也降低特定應(yīng)用的測(cè)試儀-DUT接口的資本支出。
【權(quán)利要求】
1.一種半導(dǎo)體器件，其特征在于，包括: 一第一晶圓，具有:i)一第一多個(gè)半導(dǎo)體芯片，ii)一第一多個(gè)劃片線，該第一多個(gè)劃片線的每一個(gè)相鄰于該第一多個(gè)半導(dǎo)體芯片的一個(gè)或多個(gè)，iii) 一第一測(cè)試訪問接口，位于該第一多個(gè)劃片線的一個(gè)或多個(gè)中，該第一測(cè)試訪問接口具有一第一多個(gè)貫穿基板導(dǎo)體和一標(biāo)準(zhǔn)化物理布圖，以及iv)在至少一些該第一多個(gè)貫穿基板導(dǎo)體與該第一多個(gè)半導(dǎo)體芯片的至少其中之一之間的電接頭。
2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，進(jìn)一步包括: 一第二晶圓，堆疊在該第一晶圓上，該第二晶圓具有:i) 一第二多個(gè)半導(dǎo)體芯片，ii)一第二多個(gè)劃片線，該第二多個(gè)劃片線的每一個(gè)相鄰于該第二多個(gè)半導(dǎo)體芯片的一個(gè)或多個(gè)，iii) 一第二測(cè)試訪問接口，位于該第二多個(gè)劃片線的一個(gè)或多個(gè)中，該第二測(cè)試訪問接口具有一第二多個(gè)貫穿基板導(dǎo)體和一標(biāo)準(zhǔn)化物理布圖，以及iv)在至少一些該第二多個(gè)貫穿基板導(dǎo)體與該第二多個(gè)芯片的至少其中之一之間的電接頭；以及 在該第一測(cè)試訪問接口與該第二測(cè)試訪問接口之間的電接頭。
3.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，進(jìn)一步包括: 一基板，具有:i)自第二晶圓切割的一組的一個(gè)或多個(gè)半導(dǎo)體芯片，ii) 一組的一個(gè)或多個(gè)劃片線，該組的一個(gè)或多個(gè)劃片線的每一個(gè)相鄰于該組的一個(gè)或多個(gè)半導(dǎo)體芯片中的至少一個(gè)半導(dǎo)體芯片，iii) 一第二測(cè)試訪問接口，位于該組的一個(gè)或多個(gè)劃片線的一個(gè)或多個(gè)中，該第二測(cè)試訪問接口具有一第二多個(gè)貫穿基板導(dǎo)體和一標(biāo)準(zhǔn)化物理布圖，以及iv)在至少一些該第二多個(gè)貫穿基板導(dǎo)體與該至少一些的一個(gè)或多個(gè)半導(dǎo)體芯片的至少其中之一之間的電接頭；以及 在該第一測(cè)試訪問接口與該第二測(cè)試訪問接口之間的電接頭。
4.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，進(jìn)一步包括: 一第二多個(gè)半導(dǎo)體芯片，該第二多個(gè)半導(dǎo)體芯片為公知的良好芯片；以及 在該第一多個(gè)半導(dǎo)體芯片與該第二多個(gè)半導(dǎo)體芯片之間的電接頭。
5.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，至少一些該多個(gè)貫穿基板導(dǎo)體定義一接地屏蔽信號(hào)線。
6.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，該多個(gè)貫穿基板導(dǎo)體包括硅穿孔(TSVs)。
7.一種用于在晶圓上布置元件的方法，其特征在于，包括: 使用一計(jì)算機(jī)， 電子地指定晶圓上多個(gè)半導(dǎo)體芯片的位置，定義劃片線的該半導(dǎo)體芯片的位置相鄰于該半導(dǎo)體芯片； 自多個(gè)測(cè)試訪問接口中電子地選擇一測(cè)試訪問接口，所選擇的測(cè)試訪問接口具有一標(biāo)準(zhǔn)化物理布圖，該物理布圖與晶圓上的半導(dǎo)體芯片的物理布圖無(wú)關(guān)； 相對(duì)于晶圓上的半導(dǎo)體芯片的物理布圖電子地指定所選擇的測(cè)試訪問接口的位置，該位置使所選擇的測(cè)試訪問接口位于一個(gè)或多個(gè)劃片線中；以及 電子地指定在所選擇的測(cè)試訪問接口與半導(dǎo)體芯片的至少其中之一之間的多個(gè)電接頭。
8.如權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于，該電子地選擇的測(cè)試訪問接口為由射頻(RF)接口、音頻接口、視頻接口、模擬混合信號(hào)接口、以及高速串行接口構(gòu)成的群組的其中之一。
9.如權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于，該所選擇的測(cè)試訪問接口的標(biāo)準(zhǔn)化物理布圖定義一接地屏蔽信號(hào)線。
10.一種用于在半導(dǎo)體測(cè)試期間接觸半導(dǎo)體芯片的裝置，其特征在于，該裝置包括: 一基板，具有:一第一表面；與該第一表面相對(duì)的一第二表面；多個(gè)貫穿基板導(dǎo)體，在該第一表面與該第二表面之間延伸；具有電連接至所述貫穿基板導(dǎo)體的一再分配層；以及多個(gè)探針組，連接至該第一表面，其中，每一個(gè)探針組具有一標(biāo)準(zhǔn)化物理布圖，用于接觸晶圓上一對(duì)應(yīng)劃片線測(cè)試訪問接口，該多個(gè)探針組的每一個(gè)具有與晶圓上的至少一個(gè)劃片線的位置對(duì)應(yīng)的該第一基板的位置，并且在該探針組中的若干探針的每一個(gè)連接至各個(gè)貫穿基板導(dǎo)體。
11.如權(quán)利要求10所述的裝置，其特征在于，每一個(gè)探針組為預(yù)設(shè)計(jì)磚塊的一部分，其中該預(yù)設(shè)計(jì)磚塊指示:i)該基板的第二表面上的電接觸點(diǎn)的位置，以及ii)在所述貫穿基板導(dǎo)體與所述電接觸點(diǎn)之間通過再分配層的電接頭。
12.如權(quán)利要求11所述的裝置，其特征在于，進(jìn)一步包括: 一探針頭，具有用于接觸與該探針組的至少其中之一對(duì)應(yīng)的一組電接觸點(diǎn)的探針；以及 編程機(jī)器人，用于移動(dòng)探針頭以使其與該組電接觸點(diǎn)接觸。
13.如權(quán)利要求10所述的裝置，其特征在于，進(jìn)一步包括:在該基板上的一開關(guān)矩陣，該開關(guān)矩陣通過貫穿半導(dǎo)體導(dǎo)體和再分配層連接至兩個(gè)或多個(gè)探針組。
14.如權(quán)利要求10所述的裝置，其特征在于，該探針組包括硅穿柱。
15.如權(quán)利要求10所述的裝置，其特征在于，進(jìn)一步包括: 多個(gè)第二基板，其中該第二基板的每一個(gè)具有:一第一表面；一第二表面；以及自該第一表面延伸的探針組的至少其中之一，其中該第二基板的每一個(gè)連接至該第一基板和面向該第一基板的第一表面的第二基板的第二表面。
16.如權(quán)利要求15所述的裝置，其特征在于，進(jìn)一步包括: 在該第一基板的第二表面上的電接觸點(diǎn)； 在所述貫穿基板導(dǎo)體與所述電接觸點(diǎn)之間通過再分配層的電接頭； 一探針頭，具有用于接觸與所述探針組的至少其中之一對(duì)應(yīng)的一組電接觸點(diǎn)的探針；以及 編程機(jī)器人，用于移動(dòng)該探針頭以使其與該組電接觸點(diǎn)接觸。
17.如權(quán)利要求15所述的裝置，其特征在于，進(jìn)一步包括:在該第一基板上的一開關(guān)矩陣，該開關(guān)矩陣通過貫穿半導(dǎo)體導(dǎo)體和再分配層連接至兩個(gè)或多個(gè)探針組。
18.如權(quán)利要求15所述的裝置，其特征在于，所述探針組包括硅穿柱。
19.一種用于在半導(dǎo)體測(cè)試期間接觸半導(dǎo)體芯片的方法，其特征在于，該方法包括: 提供一晶圓，該晶圓具有多個(gè)半導(dǎo)體芯片、多個(gè)劃片線、以及至少一個(gè)測(cè)試訪問接口，其中該至少一個(gè)測(cè)試訪問接口的每一個(gè)具有多個(gè)貫穿基板導(dǎo)體，該多個(gè)貫穿基板導(dǎo)體電性連接至半導(dǎo)體芯片的至少其中之一，并且其中該晶圓具有至少一對(duì)電性連接的貫穿基板導(dǎo)體；使晶圓與空間轉(zhuǎn)換器接觸，該空間轉(zhuǎn)換器具有至少一個(gè)探針組，用于接觸該至少一個(gè)測(cè)試訪問接口的一個(gè)或多個(gè)；以及 通過使用自該空間轉(zhuǎn)換器延伸的至少一對(duì)探針以及至少一對(duì)電性連接的貫穿基板導(dǎo)體執(zhí)行DC連續(xù)性回路測(cè)試來(lái)驗(yàn)證在探針組的至少其中之一與測(cè)試訪問接口的至少其中之一之間的校準(zhǔn)。
20.一種用于在半導(dǎo)體測(cè)試期間接觸半導(dǎo)體芯片的裝置，其特征在于，該裝置包括:多個(gè)探針頭，每一個(gè)探針頭具有至少一個(gè)探針組和一標(biāo)準(zhǔn)化物理布圖，以接觸晶圓上一對(duì)應(yīng)劃片線測(cè)試訪問 接口中的多個(gè)貫穿半導(dǎo)體導(dǎo)體。
【文檔編號(hào)】H01L21/66GK103797570SQ201180072226
【公開日】2014年5月14日 申請(qǐng)日期:2011年6月30日 優(yōu)先權(quán)日:2011年6月30日
【發(fā)明者】拉里·約翰·迪巴蒂斯塔, 鄧肯·帕卡德·格利 申請(qǐng)人:愛德萬(wàn)測(cè)試(新加坡)私人有限公司