蒸鍍裝置制造方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種蒸鍍裝置，包括蒸鍍裝置本體（1），所述蒸鍍裝置本體（1）內(nèi)設有若干個相互接觸傳熱的導熱體（2），所述導熱體（2）上設有若干個孔（3），所述導熱體（2）上的孔（3）、導熱體（2）與蒸鍍裝置本體（1）之間的間隙（4）和/或?qū)狍w（2）與導熱體（2）之間的間隙（4）設有用于蒸鍍的鍍膜材料。該蒸鍍裝置能更好地傳熱使得整體加熱溫度降低從而減少有機材料裂解。
【專利說明】蒸鍍裝置
【技術領域】
[0001]本發(fā)明涉及一種加熱裝置，具體涉及一種作為蒸鍍源來加熱使鍍膜材料氣化沉積在基體或工件表面的蒸鍍裝置。
【背景技術】 [0002]有機電致發(fā)光器件是一種自發(fā)光器件，具有電壓低，視角寬、響應速度快、溫度適應性好等優(yōu)勢。從使用的有機電致發(fā)光材料的分子量來看，有機電致發(fā)光器件分為小分子有機電致發(fā)光器件(OLED)和高分子電致發(fā)光器件(PLED)，由于分子量的不同，有機電致發(fā)光器件的制程也有很大的區(qū)別，PLED通過旋涂或者噴墨打印的方式制備，而OLED則主要通過熱蒸鍍的方式制備。
[0003]熱蒸鍍主要是OLED蒸鍍設備在真空環(huán)境下(E_5Pa)加熱有機材料，使升華型或者熔融型的有機材料在高溫狀態(tài)下氣化后，然后沉積在有TFT結構或者陽極結構的基板上。目前主流的蒸鍍源主要有點型蒸鍍源和線型蒸鍍源。點型蒸鍍源的空間小，一個鍍膜腔體里可以安裝很多個點型蒸鍍源，可以填入很多種材料，主要用于實驗線和早期的量產(chǎn)線中。線型蒸鍍源的材料利用率和膜厚均一性要優(yōu)于點型蒸鍍源，近期建設的量產(chǎn)線大部分使用線性蒸鍍源。
[0004]由于一般有機材料的蒸發(fā)溫度與其裂解溫度相差很小，而作為點型蒸鍍源的坩堝內(nèi)部往往溫差較大，即坩堝上部溫度高而下部溫度低，坩堝底部四周溫度較高而中心溫度低。若是材料填入量相對較多，位于下部尤其是底部中心的材料受熱較慢，蒸鍍速率較低。為了提高坩堝內(nèi)尤其是底部中心的溫度，需要提高坩堝內(nèi)部整體加熱的溫度。如實際蒸鍍需要的溫度是370°C，由于坩堝內(nèi)部受熱不均勻和導熱效果不理想，坩堝底部的溫度只能達到360°C，為了使坩堝底部尤其是底部中心的溫度達到370°C，需要提高整體的加熱溫度到380°C甚至390°C。而當坩堝內(nèi)部整體的加熱溫度達到380°C或以上時，坩堝上部溫度達到有機材料的裂解溫度，上部的有機材料有裂解的風險。尤其是，當材料的量相對較少時，在高蒸鍍速率下，坩堝上部的溫度往往超過材料的裂解溫度，氣化的有機材料在經(jīng)過此段區(qū)域時容易發(fā)生裂解。
[0005]為解決該問題，如圖5所示，現(xiàn)有技術是通過使用導熱小球2’(一般為小鋼球)來傳熱，即往坩堝I’中添加一層有機材料時加入一層導熱小球2’，通過導熱小球2’的傳熱，使坩堝I’內(nèi)材料的溫度逐漸均勻。但是此種方法只對升華型的材料有很好的效果，對于熔融型的材料由于其在高溫下處于熔融狀態(tài)，而導熱小球2’與有機材料的密度不同，導熱小球2’會漸漸的沉積至坩堝I’的底部，而無法對上層和中層的材料起到很好的傳熱作用。造成坩堝I’內(nèi)尤其是坩堝I’的上部和坩堝I’的下部之間形成溫差，達不到均勻加熱或傳熱的目的。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]本發(fā)明所要解決的技術問題是，提供一種能更好地傳熱使得整體加熱溫度降低從而減少有機材料裂解的蒸鍍裝置。
[0007]本發(fā)明的技術解決方案是，提供一種具有以下結構的蒸鍍裝置，包括蒸鍍裝置本體，所述蒸鍍裝置本體內(nèi)設有若干個相互接觸傳熱的導熱體，所述導熱體上設有若干個孔，所述導熱體上的孔、導熱體與蒸鍍裝置本體之間的間隙和/或?qū)狍w與導熱體之間的間隙設有用于蒸鍍的鍍膜材料。[0008]與現(xiàn)有技術相比，本發(fā)明的蒸鍍裝置具有以下優(yōu)點:由于本發(fā)明的蒸鍍裝置本體內(nèi)設有若干個導熱體，一般是導熱良好的金屬導熱體，導熱體相互接觸傳熱，能起到更好的傳熱效果，從而使得蒸鍍裝置本體內(nèi)，尤其是上部和下部之間的溫度縮小甚至沒有溫度。由于溫差很小或不存在溫差，不需要為了底部溫度升高到預設值而使上部加熱到比預設溫度更高的溫度，只需要加熱到預設溫度即可，如原先需要加熱到上部溫度達到380°C以上，現(xiàn)在只需要加熱到預設溫度370°C即可。使得整體加熱溫度降低，由于整體溫度降低，不容易達到或超過有機材料的裂解溫度，從而減少了材料的裂解。
[0009]作為本發(fā)明的一種改進，所述導熱體為中空的、表面設有若干個通孔的金屬導熱體或鏤空的金屬導熱體。所述鏤空的金屬導熱體由金屬絲編織而成或者澆注而成。中空的或者鏤空的金屬導熱體較輕，能填入更多的有機材料，減少開腔填料次數(shù)，提高蒸鍍效率。
[0010]作為本發(fā)明的一種優(yōu)選，所述導熱體為中空的多面體或鏤空的球體。鏤空的多面體或鏤空的球體容易制造和生產(chǎn)，而且相互之間容易形成接觸傳熱。
[0011]作為本發(fā)明的另一種優(yōu)選，所述中空的多面體的表面或鏤空的球體的表面設有多邊形孔和/或圓孔。填料時鍍膜材料從多邊形孔和/或圓孔進入導熱體內(nèi)或?qū)狍w與導熱體之間的間隙或蒸鍍裝置本體與導熱體之間的間隙中，蒸鍍時從孔和間隙氣化流出。
[0012]作為本發(fā)明的還有一種優(yōu)選，所述導熱體包括鋁導熱體、鈦導熱體或鋁合金導熱體。鋁、鈦或鋁合金比較常見，做成的導熱體導熱效果較好，成本也不高。
[0013]作為本發(fā)明的另一種改進，所述導熱體中的鏤空部分占導熱體的總體積的60%~98%。能填入更多的有機材料，提高蒸鍍速度。
[0014]作為本發(fā)明的還有一種優(yōu)選，所述導熱體中的鏤空部分占導熱體的總體積的80%~90%。鏤空部分體積增多，可以容納更多的有機材料，但同時會對導熱效率有影響。尤其是鏤空部分體積達到一定比重后，隨著鏤空部分體積的增加，導熱效果會變差，而導熱體中鏤空部分占導熱體總體積的80%~90%能在蒸鍍速率和導熱效果之間達到較好的平衡。
[0015]作為本發(fā)明的還有一種改進，所述蒸鍍裝置本體為設有氣化出口的封閉的坩堝。方便加熱和氣化蒸鍍。
[0016]作為本發(fā)明的還有一種優(yōu)選，所述坩堝內(nèi)的預設溫度為200°C~400°C。用于熱蒸鍍的有機材料的氣化溫度一般都在400°C以下。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0017]圖1所示是本發(fā)明的蒸鍍裝置的結構示意圖。
[0018]圖2所示是圖1中的導熱體的一種具體實施例。
[0019]圖3所示是圖1中的導熱體的另一種具體實施例。
[0020]圖4所示是圖1中的導熱體的還有一種具體實施例。[0021]圖5所示是現(xiàn)有技術的蒸鍍裝置的結構示意圖。
[0022]圖1~圖4中所示:1、蒸鍍裝置本體，1.1、氣化出口，2、導熱體，3、孔，3.1、多邊形孔，3.2、圓孔，4、間隙。
[0023]圖5所示:I’、坩堝，2’、導熱小球。
【具體實施方式】
[0024]下面結合附圖和具體實施例對本發(fā)明作進一步說明。
[0025]如圖1所示為本發(fā)明的蒸鍍裝置的一種具體實施例。在該實施例中，該蒸鍍裝置包括蒸鍍裝置本體1，所述蒸鍍裝置本體I內(nèi)設有若干個相互接觸傳熱的導熱體2，所述導熱體2上設有若干個孔3，所述導熱體2上的孔3、導熱體2與蒸鍍裝置本體I之間的間隙4和/或?qū)狍w2與導熱體2之間的間隙4設有用于蒸鍍的鍍膜材料。在本實施例中，鍍膜材料一般為有機材料。
[0026]如圖2~圖4所不,所述導熱體2為中空的、表面設有若干個通孔的金屬導熱體2或為鏤空的金屬導熱體2。通孔的形狀可根據(jù)實際進行設置，通孔的大小根據(jù)蒸鍍裝置本體I和導熱體2的體積大小來設置，優(yōu)選通孔為多邊形孔、圓孔和橢圓形孔中的一種或多種。所述金屬導熱體2包括由鋁、鈦鋁合金、鈦合金等金屬材料制作而成的導熱體。鋁、鈦鋁合金、鈦合金等金屬材料一般重量相對較輕、成本較低而且具有良好的導熱性能。
[0027]如圖2所示，所述導熱體2為由金屬絲編織而成的鏤空的球體。所述金屬絲優(yōu)選是鈦絲、鈦合金絲。所述鏤空的球體的表面形成有若干個多邊形孔3.1。
[0028]如圖3所示，所述導熱體2為表面設有多個圓孔3.2和/或橢圓形孔的中部鏤空的球體。`
[0029]如圖4所示，所述導熱體2表面設有若干個多邊形孔3.1的中空的多面體。所述多面體優(yōu)選由鋁或鋁合金澆注成型。
[0030]為了提高生產(chǎn)效率和蒸鍍效率，需要減少填料次數(shù)，也就是一次添加能盡可能多地填入鍍膜材料。因此應盡量增加導熱體2中的鏤空部分的體積，一般所述導熱體2中的鏤空部分占導熱體2的總體積的60%~98%。但由于鏤空部分體積增大到一定程度，鏤空部分體積再增加時會對導熱效率產(chǎn)生影響，也就是鏤空部分體積越大，導熱效果逐漸變差。故而，優(yōu)選所述導熱體2中的鏤空部分占導熱體2的總體積的80 %~90 %。
[0031]在本實施例中，所述蒸鍍裝置本體I為設有氣化出口 1.1的封閉的坩堝。所述蒸鍍裝置本體I具有坩堝的功能，能進行加熱，同時由于熱蒸鍍一般是在真空環(huán)境中進行，本發(fā)明的蒸鍍裝置本體I為上部設有氣化出口 1.1的封閉的坩堝，如圖1所示。
[0032]一般所述坩堝內(nèi)的預設溫度為200°C~400°C。針對不同的鍍膜材料，選擇相對應的蒸鍍預設溫度。一般對應一種具體的鍍膜材料，有一個確定的預設溫度。
[0033]采用本發(fā)明的蒸鍍裝置進行熱蒸鍍時，其蒸鍍方法與采用現(xiàn)有技術的蒸鍍裝置進行蒸鍍的方法類似。
[0034]雖然已經(jīng)結合具體實施例對本發(fā)明進行了描述，然而可以理解，在不脫離本發(fā)明的范圍的情況下，可以對其進行各種改進或替換。尤其是，只要不存在結構上的沖突，各實施例中的特征均可相互結合起來，所形成的組合式特征仍屬于本發(fā)明的范圍內(nèi)。本發(fā)明并不局限于文中公開的特定實施例，而是包括落入權利要求的范圍內(nèi)的所有技術方案。
【權利要求】
1.一種蒸鍍裝置，包括蒸鍍裝置本體(1)，所述蒸鍍裝置本體(1)內(nèi)設有若干個相互接觸傳熱的導熱體(2)，所述導熱體(2)上設有若干個孔(3)，所述導熱體(2)上的孔(3)、導熱體(2)與蒸鍍裝置本體(1)之間的間隙(4)和/或?qū)狍w(2)與導熱體(2)之間的間隙(4)設有用于蒸鍍的鍍膜材料。
2.根據(jù)權利要求1所述的蒸鍍裝置，其特征在于，所述導熱體(2)為中空的、表面設有若干個通孔的金屬導熱體(2)或鏤空的金屬導熱體(2)。
3.根據(jù)權利要求2所述的蒸鍍裝置，其特征在于，所述導熱體(2)為中空的多面體或鏤空的球體。
4.根據(jù)權利要求3所述的蒸鍍裝置，其特征在于，所述中空的多面體的表面或鏤空的球體的表面設有多邊形孔(3.1)和/或圓孔(3.2)。
5.根據(jù)權利要求4所述的蒸鍍裝置，其特征在于，所述導熱體(2)包括鋁導熱體(2)、鈦導熱體(2)或鋁合金導熱體(2)。
6.根據(jù)權利要求1~5中任一項所述的蒸鍍裝置，其特征在于，所述導熱體(2)中的鏤空部分占導熱體(2)的總體積的60%~98%。
7.根據(jù)權利要求6所述的蒸鍍裝置，其特征在于，所述導熱體(2)中的鏤空部分占導熱體(2)的總體積的80%~90%。
8.根據(jù)權利要求1所述的蒸鍍裝置，其特征在于，所述蒸鍍裝置本體(1)為設有氣化出口(1.1)的封閉的坩堝。
9.根據(jù)權利要求8所述的蒸鍍裝置，其特征在于，所述坩堝內(nèi)的預設溫度為200°C~400。。。`
【文檔編號】C23C14/26GK103556118SQ201310475906
【公開日】2014年2月5日 申請日期:2013年10月12日 優(yōu)先權日:2013年10月12日
【發(fā)明者】鄒清華, 羅長誠, 王宜凡 申請人:深圳市華星光電技術有限公司