本發(fā)明還涉及一種用于產(chǎn)生用于CVD或者PVD裝置的蒸氣的設(shè)備、尤其用于實(shí)施所述方法，所述設(shè)備具有蒸發(fā)裝置，蒸發(fā)裝置具有能加熱至蒸發(fā)溫度的第一熱傳導(dǎo)面，第一熱傳導(dǎo)面用于向置入蒸發(fā)裝置中的固體的或者液體的顆粒傳導(dǎo)蒸發(fā)熱，其中，通過顆粒的蒸發(fā)產(chǎn)生的蒸氣由載體氣沿載體氣的流動(dòng)方向從蒸發(fā)裝置輸送出。

專利文獻(xiàn)WO 2012/175124、DE 10 2011 051 261 A1或者DE 10 2011051 260 A1公開了用于提供蒸氣的設(shè)備，其具有一個(gè)或者多個(gè)細(xì)孔式的發(fā)泡體，其通過接通電流而導(dǎo)升至蒸發(fā)溫度。這些文獻(xiàn)還公開，有利的是，基于顆粒尺寸的不一致，利用氣溶膠較薄地涂覆開放孔隙式的發(fā)泡體的腔室壁，使得通過穿透被涂層的腔室壁的熱量輸入可以均勻蒸發(fā)涂層。

專利文獻(xiàn)WO 2012/175126或者WO 2012/175128公開了一種蒸發(fā)設(shè)備和一種蒸發(fā)方法，其中，蒸氣被引入多級(jí)控溫裝置。在上游的控溫級(jí)中蒸氣或者承載蒸氣的載體氣被升至均一的溫度。這在開放式孔隙的發(fā)泡體中進(jìn)行，發(fā)泡體被加熱至使蒸氣不在發(fā)泡體的腔室壁上冷凝的溫度。布置在下游的開放孔隙的第二發(fā)泡體具有較低的溫度，使得蒸氣在那里可以在腔室表面上冷凝。下游的溫度級(jí)保持在冷凝和蒸發(fā)處于平衡中的溫度，使得在平均時(shí)間內(nèi)腔室壁上不構(gòu)成非氣態(tài)材料的富集。

在涂層方法中或者在涂層裝置中所期望的是，突然地關(guān)斷和接通反應(yīng)氣、尤其通過氣溶膠的蒸發(fā)提供的反應(yīng)氣。在實(shí)踐中為此使用閥門，該閥門使得在載體氣中運(yùn)輸?shù)倪^程氣體流被轉(zhuǎn)向旁通管路，旁通管路使過程氣體流在過程室旁流過。通過切換可以使得在通風(fēng)運(yùn)行中穩(wěn)定的過程氣體流導(dǎo)入過程室。在這種切換中，流過過程室的氣體的總流通常會(huì)改變，使得過程氣體流在瞬態(tài)振蕩階段之后才穩(wěn)定。此外，通過使過程氣體在過程室旁的引導(dǎo)產(chǎn)生非預(yù)期的材料損失。所使用的材料是昂貴的有機(jī)、尤其高純度材料，出于成本原因應(yīng)該以盡可能高的效率對(duì)所述材料進(jìn)行使用。

有機(jī)顆粒在蒸發(fā)溫度下蒸發(fā)并且必須于其在載體氣中運(yùn)輸期間保持在避免冷凝的溫度。為此加熱輸送管的壁。技術(shù)上的問題還在于，氣溶膠在近似真空條件下具有相對(duì)較低的熱容，使得導(dǎo)入足夠多的蒸發(fā)熱需要相應(yīng)較高的溫度梯度。另一方面，有機(jī)顆粒僅具有有限的化學(xué)穩(wěn)定性。在蒸發(fā)溫度以上的溫度時(shí)其會(huì)化學(xué)分解。本發(fā)明的應(yīng)用領(lǐng)域既在物理氣相沉積，也在化學(xué)氣相沉積。

本發(fā)明要解決的技術(shù)問題在于在使用方面有利地改進(jìn)這種方法或者這種設(shè)備。

上述技術(shù)問題通過在權(quán)利要求中給出的本發(fā)明解決。

首先和基本的是建議一種調(diào)制裝置。調(diào)制裝置沿流動(dòng)方向布置在蒸發(fā)裝置之后并且可以是單級(jí)或者多級(jí)的。如上文在現(xiàn)有技術(shù)中所述，可由固體發(fā)泡體構(gòu)造的單級(jí)或者多級(jí)的蒸發(fā)裝置被加熱至蒸發(fā)溫度。優(yōu)選地被預(yù)加熱的載體氣被輸入構(gòu)成第一熱傳導(dǎo)面的多孔體中。在該多孔體中也輸入具有液體或者固體顆粒的氣溶膠。該顆粒與升至蒸發(fā)溫度的熱傳導(dǎo)面發(fā)生接觸。熱傳導(dǎo)面是開放式孔隙的發(fā)泡體的腔室壁。優(yōu)選的是，所述方法在下述壓力下執(zhí)行，在該壓力下在載體氣中的顆粒的自由粒子路徑僅略小于構(gòu)成蒸發(fā)面的固體發(fā)泡體的孔徑。該壓力可以為幾毫巴。在顆粒接觸到蒸發(fā)面時(shí)，蒸發(fā)熱被輸入顆粒，使顆粒被蒸發(fā)。該蒸氣由載體氣從蒸發(fā)裝置運(yùn)出并進(jìn)入調(diào)制裝置。調(diào)制裝置具有至少一個(gè)具有兩個(gè)熱傳導(dǎo)面的元件。本發(fā)明優(yōu)選的改進(jìn)設(shè)計(jì)方案如下所述：調(diào)制裝置的一個(gè)或者多個(gè)元件與蒸發(fā)裝置的一個(gè)或者多個(gè)元件相同地構(gòu)造。針對(duì)不相同的原材料的多個(gè)蒸發(fā)級(jí)可以前后相繼地布置，所述原材料分別作為氣溶膠導(dǎo)至蒸發(fā)體。這就使得在上游的蒸發(fā)體中產(chǎn)生的蒸氣穿過處于下游的第二蒸發(fā)級(jí)的蒸發(fā)體。由多個(gè)蒸氣組成的混合物則可以從最后的熱傳導(dǎo)載體中排出。所有情況中優(yōu)選導(dǎo)電的固體發(fā)泡體。調(diào)制裝置的至少一個(gè)元件不僅可以保持在蒸發(fā)溫度上，使得蒸氣和載體氣不受阻礙地通過調(diào)制裝置排出。按照本發(fā)明規(guī)定，調(diào)制裝置的至少一個(gè)元件可以冷卻至蒸氣的冷凝溫度。若要產(chǎn)生具有不相同的蒸發(fā)溫度的多個(gè)蒸氣，則調(diào)制裝置可以冷卻至使具有最低蒸發(fā)溫度的蒸氣發(fā)生冷凝的冷凝溫度。該冷凝溫度可以比蒸發(fā)溫度低20℃。例如蒸發(fā)溫度可以在350℃。調(diào)制裝置就至少區(qū)域式地從350℃冷卻至330℃。在該溫度下，從蒸發(fā)裝置輸送至調(diào)制裝置中的蒸氣的至少大部分能夠在調(diào)制裝置中冷凝，使得僅有載體氣不受阻礙地穿過調(diào)制裝置，然而蒸氣完全地、至少近似完全地從載體氣中凝析出來。蒸氣在調(diào)制裝置的熱傳導(dǎo)面上冷凝，即在開放孔隙式的固體發(fā)泡體的腔室壁上冷凝。在蒸氣供應(yīng)階段中，在此時(shí)間內(nèi)不進(jìn)行在熱傳導(dǎo)面上的材料富集。蒸氣在熱傳導(dǎo)面上的可能的冷凝與再蒸發(fā)處于熱力學(xué)平衡中，使得蒸氣和載體氣基本上不受阻礙地穿過調(diào)制裝置。在調(diào)制溫度降低時(shí)在平均時(shí)間內(nèi)通過冷凝在第二熱傳導(dǎo)面上進(jìn)行材料富集。調(diào)制裝置和蒸發(fā)裝置優(yōu)選地位于殼體中，其中，殼體壁被加熱至大于或者等于顆粒蒸發(fā)的溫度。由此保證，在設(shè)備向CVD或者PVD反應(yīng)器的進(jìn)氣機(jī)構(gòu)輸入蒸氣的供應(yīng)蒸氣階段中，在壁上不會(huì)發(fā)生冷凝。在不應(yīng)向CVD或者PVD反應(yīng)器的進(jìn)氣機(jī)構(gòu)輸送蒸氣的中斷階段中，調(diào)制裝置的至少一個(gè)元件被冷卻至使蒸氣從載體氣中冷凝出的溫度。這優(yōu)選地通過導(dǎo)入冷卻劑實(shí)現(xiàn)，其中規(guī)定，冷卻劑是被輸送至載體氣流中的冷卻氣。在此，冷卻氣管路可以向在調(diào)制裝置的兩個(gè)元件之間的間隙中突伸。由此向該間隙中輸送的冷卻氣既將冷卻調(diào)制裝置的上游的元件的下游部段，也將冷卻調(diào)制裝置的下游的元件的上游部段冷卻至使蒸氣在腔室壁上析出的溫度。在中斷階段期間還向蒸發(fā)裝置中輸送氣溶膠。蒸發(fā)裝置可以包括多個(gè)元件，其中，形式為開放孔隙式的發(fā)泡體的上游的元件僅用于加熱載體氣。氣溶膠輸送至在沿流動(dòng)方向布置在后的兩個(gè)元件之間的間隙中。為此使用通入間隙的氣溶膠供應(yīng)管路。通過氣溶膠的反向擴(kuò)散，蒸發(fā)不僅在蒸發(fā)裝置的下游的元件中而且也在蒸發(fā)裝置的上游的元件的下游部段中進(jìn)行。所述設(shè)備具有調(diào)節(jié)裝置。調(diào)節(jié)裝置與傳感器連接，所述傳感器布置在調(diào)制裝置的下游并且能檢測(cè)蒸氣在載體氣中的濃度或者分壓力。調(diào)節(jié)裝置向調(diào)制裝置的加熱裝置和可以用來設(shè)置冷卻氣流量的質(zhì)量流控制器輸出控制信號(hào)。通過改變調(diào)制裝置的加熱功率、尤其通過改變冷卻氣流量可以將調(diào)制裝置的功能從蒸氣可穿過式向蒸氣受阻式切換。借助調(diào)節(jié)裝置也可以靈敏地設(shè)置調(diào)制裝置的溫度，使得在供應(yīng)蒸氣階段中在第二熱傳導(dǎo)面上形成的冷凝物被蒸發(fā)掉。通過適度配量冷卻氣可以調(diào)整蒸發(fā)溫度，使得蒸發(fā)器提供不變的蒸發(fā)速率(Dampfrate)。借助蒸發(fā)裝置可以針對(duì)蒸氣設(shè)置粗略的供應(yīng)速率(Lieferrate)。借助調(diào)制裝置可以靈敏地控制蒸氣供應(yīng)速率，其中，調(diào)制裝置可以在蒸氣完全可穿過狀態(tài)與蒸氣完全不可穿過的狀態(tài)之間無極地調(diào)整。視為有利的是，用按照本發(fā)明的設(shè)備或者用按照本發(fā)明的方法可以將蒸氣供應(yīng)裝置在兩種運(yùn)行狀態(tài)之間突變地或者也可以連續(xù)地切換。可以去掉機(jī)械閥門，該閥門的切換精度和密封性在此處所用的250℃以上的溫度時(shí)會(huì)產(chǎn)生問題。這實(shí)現(xiàn)對(duì)有機(jī)原材料的高效利用，因?yàn)楫?dāng)在過程室中不存在基材時(shí)不需要將蒸氣從過程室旁導(dǎo)引經(jīng)過。在生長(zhǎng)停止時(shí)，向蒸發(fā)器中的氣溶膠供應(yīng)需要不中斷地保持至少約30分鐘。在此期間，在調(diào)制裝置內(nèi)通過被蒸發(fā)的顆粒的冷凝構(gòu)成積蓄材料(Speichermasse)，該積蓄材料此后當(dāng)過程室中存在基材時(shí)可以再分解用于基材的涂覆。流過蒸發(fā)裝置和調(diào)制裝置的被調(diào)溫的固體發(fā)泡體的氣體或者氣體-蒸氣混合物被均勻地調(diào)溫，使得在總壓力較低時(shí)有效阻止蒸氣在管路的表面部段上的凝出。按照本發(fā)明可以關(guān)閉和開啟蒸氣供應(yīng)，而不影響載體氣流。向調(diào)制裝置輸入的冷卻氣流可以通過相應(yīng)減小在本應(yīng)在相同位置供應(yīng)的熱氣流補(bǔ)償。調(diào)制裝置或者蒸發(fā)裝置的單獨(dú)元件可以具有約1cm的材料厚度。這些元件可以在一毫巴總壓力時(shí)加熱至350℃。固體發(fā)泡體的開孔面積優(yōu)選地為97％，其中，孔隙大小約在250μm(每英寸100孔隙)。用作載體氣的氮?dú)饩哂屑s的動(dòng)力學(xué)直徑，在此處所用的1mbar壓力和此處所用的350℃的溫度下具有61μm的平均自由粒子路徑。用于OLED沉積過程的材料AlQ₃(C₂₇H₁₈AlN₃O₃)具有約的動(dòng)力學(xué)直徑，在350℃、1mbar的壓力時(shí)具有18μm的平均自由粒子路徑。待蒸發(fā)的分子的平均自由粒子路徑足夠近似于孔徑。因此，存在足夠高的可能性使每個(gè)分子在穿過固體發(fā)泡體時(shí)至少接觸腔室壁一次。此外，熱傳導(dǎo)也通過顆粒/分子與氮?dú)夥肿拥呐鲎舶l(fā)生。沒有相對(duì)于載體氣的明顯阻礙地通過調(diào)制裝置的選擇性的通過或者中斷使新方法成為可能。因此，當(dāng)涂層過程達(dá)到預(yù)期厚度時(shí)可以突然地關(guān)斷蒸氣輸送速率。在此沒有使用額外的機(jī)械式閥門。蒸氣也不比如現(xiàn)有技術(shù)那樣導(dǎo)至旁通路。因?yàn)閮H中斷蒸汽流，所以在過程室中的其他壓力比例沒有變化。壓力的恒定也有利于被涂層的基材下游的廢氣處理。

下面借助附圖闡述本發(fā)明的實(shí)施例。附圖中：

圖1示出剖切第一實(shí)施例的蒸發(fā)器的示意截面圖，

圖2示出剖切集成在涂層裝置中的第二實(shí)施例的蒸發(fā)器的截面圖，

圖3示出按照?qǐng)D2中直線III-III的截面圖，

圖4示出提供穩(wěn)態(tài)蒸氣流的調(diào)節(jié)裝置的示意圖。

在圖1和圖2中示出的設(shè)備用于產(chǎn)生在載體氣中輸送的、用于在基材上沉積OLED結(jié)構(gòu)的蒸氣，該裝置具有殼體5。殼體5具有加熱的殼體壁。載體氣導(dǎo)入管13位于殼體5的入口部段，載體氣、例如氮?dú)馔ㄟ^載體氣導(dǎo)入管13輸入殼體的入口部段中。殼體5的入口部段漏斗式變寬。殼體然后筒式地延伸，其中，沿流動(dòng)方向相繼地布置總共四個(gè)由石墨或者類似的合適的材料組成的開孔式發(fā)泡體，其中，發(fā)泡體1、2、3、4的每一個(gè)都填滿殼體5的整個(gè)橫截面。發(fā)泡體可以具有36cm²的橫截面積和約1cm的厚度。其具有250μm的孔徑(每英寸100孔隙)和約97％的開放的橫截面積。發(fā)泡體1、2、3、4的固體泡沫是導(dǎo)電的，使得發(fā)泡體可以通過接通電流被加熱。在圖2和圖3中還就此示出電路15、16、17、18和觸點(diǎn)15'。在觸點(diǎn)15'、16'、17'和18'上可以加載由調(diào)節(jié)器31調(diào)節(jié)的電壓或者接通被調(diào)節(jié)的電流。

通過氣溶膠供應(yīng)管9可以向在第一發(fā)泡體1和第二發(fā)泡體2之間的間隙10輸入由載體氣、例如氮?dú)夂屠鏏lQ₃組成的氣溶膠。間隙11位于在沿流動(dòng)方向的第二發(fā)泡體2和沿流動(dòng)方向的第三發(fā)泡體3之間。

在沿流動(dòng)方向的第三發(fā)泡體3和沿流動(dòng)方向的第四發(fā)泡體4之間同樣有間隙12。冷卻氣導(dǎo)入管14通入間隙12，被冷卻的、不過必要時(shí)僅具有室溫的冷卻氣可以通過冷卻氣導(dǎo)入管14輸入。冷卻氣本身也同樣可以是氮?dú)狻?/p>

具有被加熱的錐面7和被加熱的筒形部段8的出口部段連接在殼體5的筒形的部段上，在實(shí)施例中筒形的部段容納四個(gè)發(fā)泡體1至4。載體氣-蒸氣混合物進(jìn)入由此構(gòu)成的排出通道6。

在實(shí)施例中，相繼地示出四個(gè)發(fā)泡體。在未示出的實(shí)施例中，發(fā)泡體的數(shù)量可以更多或更少。

重要的是第一發(fā)泡體和至少一個(gè)布置在第一發(fā)泡體之后的第二發(fā)泡體，通過氣溶膠供應(yīng)管9輸入的氣溶膠利用第一發(fā)泡體被蒸發(fā)，第二發(fā)泡體可以將溫度調(diào)節(jié)在比蒸發(fā)溫度低的溫度上，使得蒸氣能夠幾乎完全冷凝在開放式孔隙的發(fā)泡體的腔室壁上，從而僅使載體氣穿過排出通道6。

在圖1和圖2示出的實(shí)施例中，氣溶膠供應(yīng)管9的接口9'伸入在發(fā)泡體1間的間隙10中，發(fā)泡體1構(gòu)造為用于通過載體氣導(dǎo)入管13輸入的載體氣的預(yù)加熱裝置。加熱至蒸發(fā)溫度的預(yù)加熱裝置1但是也可以起蒸發(fā)氣溶膠的作用，該氣溶膠可以通過反向擴(kuò)散向上游擴(kuò)散至預(yù)加熱裝置1。然而氣溶膠的主要的蒸發(fā)在沿流動(dòng)方向的第二發(fā)泡體中、即在蒸發(fā)裝置2中進(jìn)行。因此，純載體氣-蒸氣混合物進(jìn)入在發(fā)泡體2和發(fā)泡體3之間的間隙11中。

發(fā)泡體3和4構(gòu)成調(diào)制裝置。調(diào)制裝置3、4可以被加熱至相應(yīng)于蒸發(fā)溫度的溫度。該設(shè)備在供應(yīng)蒸氣階段中以這種運(yùn)行方式工作。蒸氣和載體氣不受阻礙地穿過調(diào)制裝置3、4。

在這種運(yùn)行方式中，加熱至蒸發(fā)溫度的載體氣可以通過冷卻氣體導(dǎo)入管14進(jìn)入。但是優(yōu)選地，在供應(yīng)蒸氣階段期間基本上沒有氣體通過冷卻氣體導(dǎo)入管14進(jìn)入在調(diào)制裝置的兩個(gè)發(fā)泡體3、4之間的間隙12。

在中斷階段中，冷卻氣通過冷卻氣體導(dǎo)入管14導(dǎo)入間隙12。調(diào)制裝置的兩個(gè)固體發(fā)泡體3、4在這種運(yùn)行方式中不被主動(dòng)加熱。這導(dǎo)致發(fā)泡體3、4的鄰接間隙12的區(qū)域被冷卻約20℃。尤其，位于下游的發(fā)泡體4被冷卻至冷凝溫度，在該冷凝溫度下，在蒸發(fā)裝置2中形成的蒸氣在發(fā)泡體的腔室壁上冷凝成薄膜。通過調(diào)制裝置3、4冷卻至冷凝溫度因此可以將載體氣在排出通道6內(nèi)中的蒸氣濃度降為零，而不明顯地影響總壓力或者載體氣流動(dòng)。通過冷卻氣體導(dǎo)入管14輸入總氣流中的冷卻氣流可以通過相應(yīng)的減少通過載體氣導(dǎo)入管13輸入的載體氣平衡。

通過減少冷卻氣流或者通過借助接通電流對(duì)調(diào)制裝置3、4的相應(yīng)的溫度調(diào)節(jié)可以將調(diào)制裝置的溫度升到冷凝溫度之上，使得在調(diào)制裝置的腔室壁上析出的膜受控制地蒸發(fā)。由此可以靈敏地設(shè)置裝置的蒸氣供應(yīng)速率。

圖2進(jìn)一步示意性地示出氣溶膠制造器19和質(zhì)量流控制器20。用質(zhì)量流控制器20調(diào)整流經(jīng)氣溶膠制造器19的載體氣流。在氣溶膠制造器中產(chǎn)生的顆粒因此在氣流中通過氣溶膠供應(yīng)管9運(yùn)輸至間隙10。

借助加熱裝置21可以加熱通過質(zhì)量流控制器22調(diào)整的載體氣流。但是當(dāng)預(yù)加熱裝置1設(shè)計(jì)得足夠大時(shí)，加熱裝置21就是不需要的。

以附圖標(biāo)記23表示用于冷卻氣14的溫度調(diào)節(jié)裝置。該溫度調(diào)節(jié)裝置23是可選的。冷卻氣14同樣通過質(zhì)量流控制器30調(diào)整。氣體供應(yīng)設(shè)備的殼體5布置在CVD反應(yīng)器的反應(yīng)器殼體27中。淋浴頭式的進(jìn)氣機(jī)構(gòu)24位于反應(yīng)器殼體27中，進(jìn)氣機(jī)構(gòu)24由氣體供應(yīng)設(shè)備的氣體排出通道6供氣。傳感器29位于氣體排出通道6中，傳感器29能確定蒸汽在載體氣流內(nèi)的分壓力或者濃度。

進(jìn)氣機(jī)構(gòu)24在其面向基材26的側(cè)面上具有多個(gè)氣體排出口，載體氣-蒸氣混合氣通過氣體排出口可以流入過程室，過程室的底部構(gòu)成被調(diào)溫的基座25。例如可以按如下方式控制基座25的溫度，使得由蒸發(fā)的有機(jī)材料組成的層沉積在放置于基座上的基材26的表面上。

借助真空泵28可以將在過程室內(nèi)和在蒸發(fā)裝置內(nèi)的總壓力設(shè)置為約1mbar。

預(yù)加熱裝置1、蒸發(fā)裝置2或者調(diào)制裝置3、4要被加熱至的溫度取決于待蒸發(fā)的材料。通常該溫度為250℃到350℃之間。

圖4示意性示出調(diào)節(jié)回路，利用該調(diào)節(jié)回路借助傳感器29和調(diào)節(jié)器31可以將蒸氣產(chǎn)生速率恒定地調(diào)節(jié)為預(yù)定的值。調(diào)節(jié)器31為此通過質(zhì)量流控制器20控制氣溶膠的質(zhì)量流量，通過質(zhì)量流控制器22控制載體氣的質(zhì)量流量，通過質(zhì)量流控制器30控制冷卻氣的質(zhì)量流量，通過溫度調(diào)節(jié)裝置23控制冷卻氣的溫度，并且通過經(jīng)觸點(diǎn)15'、16'、17'和18'接通至發(fā)泡體1、2、3、4的電流控制向可加熱的發(fā)泡體1至4輸入的加熱功率。

前述實(shí)施方式用于闡述本申請(qǐng)整體包括的發(fā)明，其至少通過下面的特征組合分別創(chuàng)造性地對(duì)現(xiàn)有技術(shù)改進(jìn)，即：

一種方法，其特征在于，蒸氣由載體氣運(yùn)輸通過沿流動(dòng)方向布置在蒸發(fā)裝置1、2之后的調(diào)制裝置3、4，調(diào)制裝置3、4具有第二熱傳導(dǎo)面，第二熱傳導(dǎo)面在蒸氣供應(yīng)階段中被溫度控制到第一調(diào)制溫度，在第一調(diào)制溫度下蒸氣穿過調(diào)制裝置3、4而不冷凝在第二熱傳導(dǎo)面上，并且在中斷階段中被溫度控制到第二調(diào)制溫度，在第二調(diào)制溫度下蒸氣的至少一部分在第二熱傳導(dǎo)面上冷凝。

一種方法，其特征在于，調(diào)制裝置3、4主動(dòng)地、尤其通過導(dǎo)入冷卻氣冷卻到第二調(diào)制溫度，其中尤其規(guī)定，冷卻氣被導(dǎo)引至或者在蒸發(fā)裝置1、2之間的，或者在調(diào)制裝置3、4之間，或者在調(diào)制裝置3、4的兩個(gè)元件之間的間隙12。

一種方法，其特征在于，蒸氣的在第二調(diào)制溫度下沉積在調(diào)制裝置3、4的熱傳導(dǎo)面上的冷凝物在相當(dāng)于蒸發(fā)溫度的調(diào)制溫度下蒸發(fā)。

一種方法，其特征在于，蒸氣的質(zhì)量流動(dòng)速率通過調(diào)制裝置3、4的由調(diào)節(jié)器31調(diào)節(jié)的溫度、尤其借助調(diào)制裝置3、4的加熱裝置的加熱功率的影響和/或通過冷卻氣向調(diào)制裝置3、4中的質(zhì)量流量被調(diào)整。

一種設(shè)備，其特征在于，沿流動(dòng)方向在蒸發(fā)裝置1、2之后布置調(diào)制裝置3、4，調(diào)制裝置3、4具有第二熱傳導(dǎo)面，其中，第二熱傳導(dǎo)面可以至少區(qū)域式地被溫度控制為調(diào)制溫度，其中，該調(diào)制溫度至少可以成為冷凝溫度的值和蒸發(fā)溫度的值，蒸氣在所述冷凝溫度下冷凝在第二熱傳導(dǎo)面上。

一種設(shè)備或者一種方法，其特征在于，熱傳導(dǎo)面由發(fā)泡體的開放式孔隙的腔室的壁的表面構(gòu)成，其中尤其規(guī)定，發(fā)泡體由導(dǎo)電材料組成并且可以通過接通電流被加熱，發(fā)泡體具有500至200、優(yōu)選100孔隙每吋的孔隙度和/或所有開放表面占發(fā)泡體的表面積90％以上的份額。

一種設(shè)備或者一種方法，其特征在于，利用供應(yīng)管14向調(diào)制裝置3、4供應(yīng)冷卻氣，以降低調(diào)制溫度。

一種設(shè)備或者一種方法，其特征在于，蒸發(fā)裝置1、2和/或調(diào)制裝置3、4分別具有兩個(gè)沿流動(dòng)方向相繼地布置的開放式孔隙的發(fā)泡體，其中尤其規(guī)定，對(duì)于蒸發(fā)裝置1來說，上游的發(fā)泡體是用于載體氣的預(yù)加熱裝置并且通過間隙10與蒸發(fā)裝置2的第二發(fā)泡體相間隔，在間隙10中通入氣溶膠供應(yīng)管9，用于輸入具有顆粒的氣溶膠，和/或其中尤其規(guī)定，調(diào)制裝置3、4的沿流動(dòng)方向相繼布置的發(fā)泡體通過間隙12相互分開，在間隙12中通入冷卻氣體導(dǎo)入管14用于導(dǎo)入冷卻氣。

一種設(shè)備或者一種方法，其特征在于，四個(gè)基本相同構(gòu)造的發(fā)泡體1、2、3、4沿流動(dòng)方向相繼地布置在蒸發(fā)器殼體中，蒸發(fā)器殼體的布置在調(diào)制裝置3、4下游的殼體壁7、8被加熱至高于蒸發(fā)溫度的溫度。

一種設(shè)備或者一種方法，其特征在于，在調(diào)制裝置3、4下游布置傳感器29，傳感器29用于測(cè)量蒸氣在載體氣中的分壓力或者濃度。

一種設(shè)備或者一種方法，其特征在于，所述設(shè)備是具有進(jìn)氣機(jī)構(gòu)24和基座25的CVD或者PVD反應(yīng)器，其中，由載體氣運(yùn)輸?shù)恼魵馔ㄟ^進(jìn)氣機(jī)構(gòu)24向放置于基座25上的基材26的方向運(yùn)輸，蒸氣在基材上由于化學(xué)反應(yīng)或者溫度降低而冷凝，其中尤其設(shè)置真空泵28，用于將CVD或者PVD反應(yīng)器的內(nèi)部抽真空。

所有公開的特征(自身，不過也包括相互組合)都是本發(fā)明基礎(chǔ)。在申請(qǐng)中的公開內(nèi)容中也完全包含所屬的/所附優(yōu)先權(quán)文件(在先申請(qǐng)副本)，目的也在于這些文件的特征被包括在本申請(qǐng)的權(quán)利要求中。從屬權(quán)利要求以其特征表明對(duì)現(xiàn)有技術(shù)的獨(dú)立的有創(chuàng)造性的改進(jìn)設(shè)計(jì)方案，尤其能基于這些權(quán)利要求進(jìn)行分案申請(qǐng)。

附圖標(biāo)識(shí)列表

1 預(yù)加熱裝置

2 蒸發(fā)裝置

3 調(diào)制裝置

4 調(diào)制裝置

5 殼體

6 排出通道

7 殼體壁錐面

8 殼體壁筒形部段

9 氣溶膠供應(yīng)管路

10 間隙

11 間隙

12 間隙

13 載體氣導(dǎo)入管

14 冷卻氣導(dǎo)入管

15 導(dǎo)電線

15' 觸點(diǎn)

16 導(dǎo)電線

16' 觸點(diǎn)

17 導(dǎo)電線

17' 觸點(diǎn)

18 導(dǎo)電線

18' 觸點(diǎn)

19 氣溶膠制造器

20 質(zhì)量流控制器/調(diào)節(jié)器

21 加熱裝置

22 質(zhì)量流控制器/調(diào)節(jié)器

23 溫度調(diào)節(jié)裝置

24 進(jìn)氣機(jī)構(gòu)、氣體排出裝置

25 基座

26 基材

27 反應(yīng)器殼體

28 真空泵

29 傳感器

30 質(zhì)量流控制器/調(diào)節(jié)器

31 調(diào)節(jié)器