本發(fā)明屬于一種太陽(yáng)能技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種用金剛線切割的多晶硅片的處理方法。

背景技術(shù)：

太陽(yáng)能電池片采用單晶硅或多晶硅經(jīng)過(guò)切割、清洗、酸洗、制絨、擴(kuò)散、蝕刻、成膜、印刷電極等工藝制作形成，傳統(tǒng)硅電池片分為單晶硅片和多晶硅片，以單晶硅片為主，單晶硅片采用砂漿切割，多晶硅片的價(jià)格低于單晶硅片，但是多晶硅片多采用金剛線切割形成，與單晶硅片相比更薄，更易碎，在切割過(guò)程中金剛線與硅片會(huì)在硅片表面形成一層致密的非晶硅，非晶硅無(wú)法用傳統(tǒng)的酸洗進(jìn)行制絨，必須改變工藝，采用堿制絨，因此太陽(yáng)能電池生產(chǎn)廠家必須對(duì)重新購(gòu)置堿洗設(shè)備進(jìn)行改造，這導(dǎo)致設(shè)備改造的成本增加。中國(guó)專利200510029562.X、201210091858.4、CN102832291A，公開(kāi)了在制絨前采用干砂對(duì)硅片噴砂處理的方法，然而其缺點(diǎn)是工作環(huán)境粉塵污染嚴(yán)重，噴砂過(guò)程必須在噴砂室中進(jìn)行，噴砂前需要對(duì)硅片表面進(jìn)行干燥，工藝過(guò)程復(fù)雜；中國(guó)專利CN201220148871.4公開(kāi)了一種硅片噴砂機(jī)，該設(shè)備用于單晶硅片去除硅片背面雜質(zhì)時(shí)使用，并不適于去除多晶硅片表面的加工線痕和非晶硅組織。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

針對(duì)上述存在的技術(shù)不足，本發(fā)明的目的是提供一種對(duì)硅片進(jìn)行預(yù)處理的方法，能夠在酸洗步驟之前將硅片表面的非晶硅去除。

為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明采用如下技術(shù)方案：太陽(yáng)能電池用硅片的制絨前預(yù)處理方法，將砂粉與水混合形成的砂水混合液，用氣體加壓噴吹到硅片表面，使所述的砂水混合液對(duì)硅片表面進(jìn)行噴砂處理。

優(yōu)選地，所述的砂粉取自碳化硅、二氧化硅、三氧化二鋁、金剛石中的一種或者任意兩種以上的混合物。

優(yōu)選地，所述的砂粉的顆粒度為600-1500目。

優(yōu)選地，所述的氣體為壓縮空氣，氣體壓力為2KG-6KG。

優(yōu)選地，所述的砂水混合液與加壓氣體在一噴嘴內(nèi)合流后噴出。

優(yōu)選地，所述的砂水混合液以2KG-4KG的壓力注入所述的噴嘴內(nèi)。

優(yōu)選地，所述的噴嘴距離硅片50-200mm。

優(yōu)選地，所述的噴嘴以30-90度傾角對(duì)硅片進(jìn)行噴砂。

本發(fā)明的另一目的是提供一種結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、無(wú)粉塵污染的太陽(yáng)能電池用硅片處理設(shè)備。

為達(dá)到上述目的，本發(fā)明所采用的技術(shù)方案是：一種太陽(yáng)能電池用硅片處理設(shè)備，包括:用于沿著一條傳送路徑連續(xù)傳送太陽(yáng)能硅片的傳送帶、噴砂機(jī)構(gòu)，所述的噴砂機(jī)構(gòu)包括：設(shè)置在傳送路徑上的噴嘴、用于提供砂水混合物的容器、壓縮氣體源，所述的容器和壓縮氣體源分別與噴嘴的內(nèi)腔相連通。

優(yōu)選地，所述的噴砂機(jī)構(gòu)還包括連接所述的容器與噴嘴的增壓泵。

優(yōu)選地，所述的容器內(nèi)還設(shè)置有攪拌機(jī)構(gòu)。

優(yōu)選地，所述的噴嘴距離所述的傳送帶表面50-200mm。

優(yōu)選地，所述的噴嘴與傳送帶表面之間呈30-90度夾角。

優(yōu)選地，該太陽(yáng)能電池用硅片處理設(shè)備還包括水槽，所述的傳送帶設(shè)置在該水槽內(nèi)，所述的水槽的底部開(kāi)設(shè)有回流孔，所述的回流孔與所述的容器相連通。

優(yōu)選地，為調(diào)節(jié)噴砂力度和切削深度，所述的噴砂機(jī)構(gòu)還包括用于調(diào)節(jié)所述的壓縮氣源壓力的調(diào)節(jié)閥。

本發(fā)明的有益效果在于：與干法噴砂工藝相比，本發(fā)明采用濕法對(duì)硅片表面噴砂處理，一方面改善了工作環(huán)境，減少了粉塵；另一方面，濕法噴砂工藝更容易控制切削深度，砂粉更容易回收；此外，濕法噴砂方法，由于水對(duì)硅片表面形成一定的壓應(yīng)力，壓應(yīng)力下可以減少裂紋的擴(kuò)散，從而降低碎片率，降低生產(chǎn)成本。

附圖說(shuō)明

附圖1為本發(fā)明的設(shè)備的原理圖。

具體實(shí)施方式

本發(fā)明的太陽(yáng)能電池用硅片的制絨前預(yù)處理方法，是在制絨工序前，采用砂粉和水混合形成的砂水混合物，用加壓氣體打在硅片2表面，進(jìn)而實(shí)現(xiàn)對(duì)硅片表面的噴砂處理，去除硅片表面的非晶硅組織和金剛線切割的線痕。

具體地說(shuō)，該加壓氣體可以為壓縮空氣或二氧化碳?xì)怏w等，氣體壓力為2KG-6KG。本發(fā)明的砂粉采用碳化硅、二氧化硅、三氧化二鋁或金剛石中的任意一種或兩種及以上的混合物制作而成，顆粒度為600-1500目。砂粉預(yù)先與水在容器3中混合，形成砂水混合液，為防止砂粉沉淀分層，容器中最好設(shè)置攪拌裝置將砂水混合液不斷攪拌，然后將砂水混合液以2KG-4KG壓力注入噴嘴4中，加壓空氣同時(shí)也通入噴嘴中，噴嘴4的噴口朝向硅片，并且由于噴嘴外的大氣壓力僅為1KG，噴嘴內(nèi)的壓力大于外界壓力，因此加壓氣體與砂水混合液一起噴向硅片。

用砂水混合物對(duì)硅片表面進(jìn)行噴砂處理的好處是在硅片表面形成一層水膜，而水膜的壓應(yīng)力可以阻止裂紋擴(kuò)散，降低碎片率，同時(shí)還避免了干粉噴砂的粉塵污染。

本發(fā)明的方法可以通過(guò)調(diào)節(jié)氣體的壓力、改變砂水混合物中砂粉粒徑和濃度、以及通過(guò)改變砂水混合物的水壓，來(lái)調(diào)節(jié)噴砂的切削深度和噴砂速度。在本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例中，噴嘴距離硅片50-200mm，并以30-90度夾角傾斜向硅片噴砂。硅片在傳送帶上移動(dòng)的過(guò)程中，完成對(duì)一側(cè)表面的噴砂處理，處理完畢以后，通過(guò)翻片機(jī)構(gòu)將硅片翻轉(zhuǎn)，對(duì)另一側(cè)進(jìn)行噴砂處理，去除表面的線痕和非晶硅組織。

參見(jiàn)附圖1所示，本發(fā)明的太陽(yáng)能電池用硅片處理設(shè)備，包括水槽、用于沿著一條傳送路徑連續(xù)傳送太陽(yáng)能硅片2的傳送帶1、噴砂機(jī)構(gòu)，所述的噴砂機(jī)構(gòu)包括：設(shè)置在傳送路徑上的噴嘴4、用于提供砂水混合物的容器3、壓縮氣體源、連接容器3與噴嘴4的增壓泵5。噴嘴4上具有兩個(gè)入口和一個(gè)噴口，兩個(gè)入口分別是與容器3相連通的液體入口6和與壓縮氣體源相連通的氣體入口7。壓縮氣體源提供2KG-6KG壓力的氣體，當(dāng)壓縮氣體和砂水混合物同時(shí)被通入噴嘴4中，使噴嘴4內(nèi)的壓力增大，砂水混合物被加壓噴出，對(duì)傳送帶1上的硅片2進(jìn)行表面噴砂處理。

砂粉和水預(yù)先在容器3內(nèi)混合，為防止砂水混合物沉淀分層，容器3內(nèi)還設(shè)置有攪拌機(jī)構(gòu)，不停的對(duì)砂水混合物攪拌?；旌暇鶆虻纳八旌衔锿ㄟ^(guò)增壓泵5，以2KG-4KG的壓力通過(guò)液體入口6被注入噴嘴4中。

該太陽(yáng)能電池用硅片處理設(shè)備還包括水槽，所述的傳送帶1設(shè)置在該水槽內(nèi)，所述的水槽的底部與所述的容器相連通，使砂水混合液被循環(huán)利用（水槽、壓縮氣體源圖中未示出）。

所述的噴嘴到硅片表面的距離D為50-200mm。所述的噴嘴與傳送帶表面之間的夾角α為30-90度，傳送帶1承載硅片2走過(guò)噴砂機(jī)構(gòu)時(shí)，噴嘴4掃過(guò)硅片的表面，完成噴砂工作。

本發(fā)明通過(guò)壓縮氣體對(duì)砂水混合液進(jìn)行增壓，可以避免單純使用砂水混合物進(jìn)行噴砂壓力過(guò)大、增加碎片的問(wèn)題，還可以避免使用干法噴砂粉塵過(guò)大的問(wèn)題。通過(guò)改變所投入砂粉的濃度和顆粒大小，可以調(diào)節(jié)切削深度，此外，還可以通過(guò)調(diào)節(jié)壓縮氣體的壓力或增壓泵的壓力來(lái)調(diào)節(jié)噴砂力度和切削深度。

上述實(shí)施例只為說(shuō)明本發(fā)明的技術(shù)構(gòu)思及特點(diǎn)，其目的在于讓熟悉此項(xiàng)技術(shù)的人士能夠了解本發(fā)明的內(nèi)容并據(jù)以實(shí)施，并不能以此限制本發(fā)明的保護(hù)范圍。凡根據(jù)本發(fā)明精神所作的等效變化或修飾，都應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。