本實用新型涉及導電玻璃領域，具體為一種消影型OLED用導電玻璃。
背景技術：
現(xiàn)有的OLED用透明導電玻璃采用常規(guī)的LCD用透明導電玻璃的制備方法，有些考慮到對其進行消影處理，其采取常規(guī)的消影方法為H1+L+ITO，但由于采取此方法會存在產(chǎn)品質(zhì)量隱患，采取此種方法消影時需要的第一層高折射率材料H1對應的厚度較厚，但是高折射率材料H1屬于導電性材料，做出的消影產(chǎn)品后段工序經(jīng)過ITO蝕刻做引線后整片導電玻璃處于導通狀態(tài)，無法滿足后段加工的需求，導致目前OLED用的透明導電玻璃都沒有進行消影處理。而現(xiàn)有技術中ITO和打底層透過率之差過大，影響OLED導電面板的視覺效果。針對這一問題，目前尚無有效的解決方案。
技術實現(xiàn)要素：
本實用新型所要解決的技術問題是提供一種消影型OLED用導電玻璃，可以降低蝕刻后ITO區(qū)域跟打底層的透過率差，提高OLED產(chǎn)品的視覺效果。
為解決上述技術問題，本實用新型所采用的技術方案是：一種消影型OLED用導電玻璃，依次設置的玻璃基層、打底層和ITO層，所述的打底層為高折射率層，厚度為50?-350?，ITO層的厚度為200-1800 ?。
進一步地，所述ITO層的厚度為1600?-1800?時，對應打底層的厚度為250?-350?；ITO層的厚度為1200?-1600?時，對應打底層的厚度為200?-300?；ITO層的厚度為1000?-1200?時，對應打底層的厚度為150?-250?；ITO層的厚度為800?-1000?時，對應打底層的厚度為100?-200?；ITO層的厚度為600?-800?時，對應打底層的厚度為100?-200?；ITO層的厚度為400?-600?時，對應打底層的厚度為100?-200?；ITO層的厚度為200?-400?時，對應打底層的厚度為50?-150?。
優(yōu)選地，所述玻璃基板的為鈉鈣玻璃，厚度為0.4mm-1.8mm。
進一步地，所述玻璃基板的厚度為0.7mm。
所述高折射率材料層的折射率1.8~2.5，其是將高折射率材料通過通入氮氧混合氣體采取磁控濺射的方式濺射得到。常見的高折射率材料有TiO2、Nb2O5、Si3N4、Ta2O5、ZrO2等。
所述氮氧混合氣體的體積比為30-90:10-70。
進一步地，ITO層的厚度與高折射率材料層的厚度均確定后，如果制得的樣品時的高折射率層的折射率不符合設計要求，可以通過氮氧混合氣體的體積比來進行調(diào)整。
采取調(diào)節(jié)氮氧混合比例來調(diào)節(jié)高折射率層的折射率，通過適當?shù)耐ㄈ胙鯕夂罂梢暂^大范圍的調(diào)節(jié)高折層材料的折射率，傳統(tǒng)的制備工藝對于高折層的折射率無法進行更改，可制備的消影產(chǎn)品范圍有一定的局限性，ITO的厚度大于1500?時傳統(tǒng)工藝很難滿足消影產(chǎn)品的制備。
原有的消影結構GLASS+L（低折射率材料）+ITO由于后段蝕刻ITO成線條后蝕刻后打底層L與未蝕刻的區(qū)域反射或透射色差很明顯，從而給人們的視覺效果帶來不好的體驗；另外一種結構GLASS+H1+L+ITO可以實現(xiàn)消影的效果，但是采取此種結構中選取的高折射率材料H1是導電的，蝕刻ITO后時刻區(qū)域與沒有蝕刻的區(qū)域還是能形成回路，無法滿足后段功能性的需求，采取本實用新型提供的GLASS+H+ITO后既可以滿足消影的效果同時也解決了蝕刻后形成回路的問題。
本實用新型具有以下有益效果：
1）解決因蝕刻線條后ITO區(qū)域和打底層低折射率材料L透過率之差較大，造成使用者視覺上的差異比較明顯的缺點；
2）解決為了避免視覺差異明顯問題采取常規(guī)的消影方法，由于ITO層比較厚，采用常規(guī)的消影方法對應的第一層高折射率材料會比較厚，且由于該層導電，最終會導致絕緣電阻較小，蝕刻成線條后每個區(qū)域都可以導通，無法滿足后段制作的要求的缺點；
傳統(tǒng)工藝采用鈮靶加硅靶的形式通過磁控濺射的方式制備兩層消影層，本實用新型僅采用硅靶取代傳統(tǒng)工藝的鈮靶加硅靶，節(jié)省了使用鈮靶的成本，生產(chǎn)制備時對高折層的折射率進行設計調(diào)節(jié)后能夠完成最終的消影制備，一般通過氮氧混合氣體比例來進行調(diào)整。本實用新型通過選取硅靶作為濺射靶材，通入不同比例的氮氧混合氣體，采取磁控濺射的形式啟輝濺射出新型高折射率材料層，最后得到一種新型的高折射率材料H（折射率1.8~2.5）+ITO層，達到消影效果。OLED透明導電玻璃采用的都是18歐及18歐以下的產(chǎn)品，偶有少數(shù)18歐以上的產(chǎn)品，采用高折射率的打底材料H，直接加上ITO層，降低打底層的透過率，使兩者的透過率之差在1.5~4%之間，大大提高了OLED透明導電玻璃的視覺效果。
附圖說明
圖1是本實用新型提供的消影型OLED用導電玻璃的結構示意圖。
具體實施方式
下面結合實施例，進一步闡明本實用新型。這些實施例應理解為僅用于說明本實用新型而不是用于限制本實用新型的保護范圍。在閱讀了本實用新型記載的內(nèi)容之后，本領域技術人員可以對本實用新型作各種改動或修改，這些等效變化和修飾同樣落入本實用新型權利要求書所限定的范圍。
在制備消影型OLED用導電玻璃過程中，特別是制備高折射率材料層時，以下稱H層，需要通入配比好的氮氧混合氣體通過磁控濺射的方式讓硅靶啟輝濺射得到，其中需要通入的氮氧混合氣體比例依據(jù)需要制備導電層ITO厚度而定，其對應比例以及厚度關系如下：
其中導電層ITO的厚度為1600?-1800?對應通入90:10的氮氧混合氣體，對應H的厚度為250?-350?,若測試的折射率過高可以適當?shù)耐ㄈ胙鯕?；因為當折射率過高不符合產(chǎn)品要求時，不管如何調(diào)節(jié)H層的厚度都無法達到消影的效果。
其中導電層ITO的厚度為1200?-1500?對應通入80:20的氮氧混合氣體，對應H的厚度為200?-300?,若測試的折射率過高可以適當?shù)耐ㄈ胙鯕猓?/p>
其中導電層ITO的厚度為1000?-1200?對應通入70:30的氮氧混合氣體，對應H的厚度為150?-250?,若測試的折射率過高可以適當?shù)耐ㄈ胙鯕猓?/p>
其中導電層ITO的厚度為800?-1000?對應通入60:40的氮氧混合氣體，對應H的厚度為100?-200?,若測試的折射率過高可以適當?shù)耐ㄈ胙鯕猓?/p>
其中導電層ITO的厚度為600?-800?對應通入50:50的氮氧混合氣體，對應H的厚度為100?-200?,若測試的折射率過高可以適當?shù)耐ㄈ胙鯕猓?/p>
其中導電層ITO的厚度為400?-600?對應通入40:60的氮氧混合氣體，對應H的厚度為100?-200?,若測試的折射率過高可以適當?shù)耐ㄈ胙鯕猓?/p>
其中導電層ITO的厚度為200?-400?對應通入30:70的氮氧混合氣體，對應H的厚度為50?-150?,若測試的折射率過高可以適當?shù)耐ㄈ胙鯕狻?/p>
通入氧氣后材料的折射率變化會非常敏感，通入少量的氧氣都會對材料的折射率影響非常大，以上所述的適當通入的氧氣一般為：10sccm以下。
實施例1：
如圖1所示，圖中1為玻璃基板，2為高折射率層，3為ITO層。該消影型OLED用導電玻璃的結構為：玻璃基板/H(250?-350?)/ITO(1600?-1800?)。其中，“/”表示層疊結構，H為高折射率層，括號內(nèi)的數(shù)值代表厚度，以下實施例相同。
且玻璃基板的材料為鈉鈣玻璃，厚度為0.7mm。
實施例1具體制備方法是：
制備時先走ITO的單層厚度用膜厚筆畫線后進入腔室經(jīng)過磁控濺射高溫鍍膜，出腔室后采用表面型貌儀測試畫線出的厚度差得到ITO的厚度；以相同的方法走高折射層的厚度，用膜厚筆畫線后進入腔室經(jīng)過磁控濺射高溫鍍膜，在腔室通過磁控濺射的過程時通入90:10的氮氧混合氣體反應濺射，出腔室后采用表面型貌儀測試畫線出的厚度差得到高折層的厚度，通過使用日本電色的SD-7000對波長范圍為380~780nm的光線進行測試，得到制備高折層材料的光譜，將所得光譜導入TFC軟件中計算得出所得材料的折射率；得到兩層所需要的厚度后采取一次成型的連續(xù)鍍膜制得所需要的樣品。
實施例1中的消影型OLED用導電玻璃通過使用日本電色的SD-7000，對波長范圍為380~780nm的光線進行測試，測試450nm反射率12.5%-15.5%、550nm反射率為11.5%-14.5%。ITO蝕刻完畢后通過使用日本電色的SD-7000，對波長范圍為380~780nm的光線進行測試，測試450nm反射率13.5%-16.5%、550nm反射率為11.5%-14.5%。蝕刻前后450nm以及550nm處的反射率差值較小。
使用鉛筆硬度計對該半反半透光學膜層進行硬度測試，結果硬度為7H。
取一定數(shù)量消影型OLED用導電玻璃，采用濃度為10wt%、溫度為40℃的NaOH溶液，浸泡2H。測試浸泡后的樣片的光譜，同浸泡前光譜相比，重合度非常好；測試百格，附著力仍然為5B。
取一定數(shù)量消影型OLED用導電玻璃，采用濃度為5wt%、溫度為40℃的HCl溶液，浸泡2H。測試浸泡后的樣片的光譜，同浸泡前光譜相比，重合度非常好；測試百格，附著力仍然為5B。
取一定數(shù)量消影型OLED用導電玻璃，采用濃度為5wt%、溫度為50℃的NaOH溶液、頻率為40Hz、功率為1500W的超聲槽超聲，超聲20分鐘。測試超聲后樣片的光譜，同浸泡前光譜相比，重合度非常好；測試百格，附著力仍然為5B。
實施例2：
該消影型OLED用導電玻璃的結構為玻璃基板/H(200?-300?)/ITO(1200?-1500?)。所用的玻璃基板的材料為鈉鈣玻璃，厚度為0.7mm。
制備時先走ITO的單層厚度用膜厚筆畫線后進入腔室經(jīng)過磁控濺射高溫鍍膜，出腔室后采用表面型貌儀測試畫線出的厚度差得到ITO的厚度；以相同的方法走高折射層的厚度，用膜厚筆畫線后進入腔室經(jīng)過磁控濺射高溫鍍膜，在腔室通過磁控濺射的過程時通入80:20的氮氧混合氣體反應濺射，出腔室后采用表面型貌儀測試畫線出的厚度差得到高折層的厚度，通過使用日本電色的SD-7000對波長范圍為380~780nm的光線進行測試，得到制備高折層材料的光譜，將所得光譜導入TFC軟件中計算得出所得材料的折射率；得到兩層所需要的厚度后采取一次成型的連續(xù)鍍膜制得所需要的樣品。
實施例2的消影型OLED用導電玻璃通過使用日本電色的SD-7000，對波長范圍為380~780nm的光線進行測試，測試450nm反射率13.5%-16.5%、550nm反射率為10.5%-13.5%。ITO蝕刻完畢后通過使用日本電色的SD-7000，對波長范圍為380~780nm的光線進行測試，測試450nm反射率13.5%-16.5%、550nm反射率為10.5%-13.5%。蝕刻前后450nm以及550nm處的反射率差值較小。
使用鉛筆硬度計對該半反半透光學膜層進行硬度測試，結果硬度為7H。
取一定數(shù)量消影型OLED用導電玻璃，采用濃度為10wt%、溫度為40℃的NaOH溶液，浸泡2H。測試浸泡后的樣片的光譜，同浸泡前光譜相比，重合度非常好；測試百格，附著力仍然為5B。
取一定數(shù)量消影型OLED用導電玻璃，采用濃度為5wt%、溫度為40℃的HCl溶液，浸泡2H。測試浸泡后的樣片的光譜，同浸泡前光譜相比，重合度非常好；測試百格，附著力仍然為5B。
取一定數(shù)量消影型OLED用導電玻璃，采用濃度為5wt%、溫度為50℃的NaOH溶液、頻率為40Hz、功率為1500W的超聲槽超聲，超聲20分鐘。測試超聲后樣片的光譜，同浸泡前光譜相比，重合度非常好；測試百格，附著力仍然為5B。
實施例3：
該消影型OLED用導電玻璃的結構為玻璃基板/H(150?-250?)/ITO(1000?-1200?)。
實施例3的玻璃基板的材料為鈉鈣玻璃，厚度為0.7mm。
制備時先走ITO的單層厚度用膜厚筆畫線后進入腔室經(jīng)過磁控濺射高溫鍍膜，出腔室后采用表面型貌儀測試畫線出的厚度差得到ITO的厚度；以相同的方法走高折射層的厚度，用膜厚筆畫線后進入腔室經(jīng)過磁控濺射高溫鍍膜，在腔室通過磁控濺射的過程時通入70:30的氮氧混合氣體反應濺射，出腔室后采用表面型貌儀測試畫線出的厚度差得到高折層的厚度，通過使用日本電色的SD-7000對波長范圍為380~780nm的光線進行測試，得到制備高折層材料的光譜，將所得光譜導入TFC軟件中計算得出所得材料的折射率；得到兩層所需要的厚度后采取一次成型的連續(xù)鍍膜制得所需要的樣品。
實施例3的消影型OLED用導電玻璃通過使用日本電色的SD-7000，對波長范圍為380~780nm的光線進行測試，測試450nm反射率13.5%-16.5%、550nm反射率為11.4%-14.7%。ITO蝕刻完畢后通過使用日本電色的SD-7000，對波長范圍為380~780nm的光線進行測試，測試450nm反射率13.5%-16.5%、550nm反射率為11.4%-14.7%。蝕刻前后450nm以及550nm處的反射率差值較小。
使用鉛筆硬度計對該半反半透光學膜層進行硬度測試，結果硬度為7H。
取一定數(shù)量消影型OLED用導電玻璃，采用濃度為10wt%、溫度為40℃的NaOH溶液，浸泡2H。測試浸泡后的樣片的光譜，同浸泡前光譜相比，重合度非常好；測試百格，附著力仍然為5B。
取一定數(shù)量消影型OLED用導電玻璃，采用濃度為5wt%、溫度為40℃的HCl溶液，浸泡2H。測試浸泡后的樣片的光譜，同浸泡前光譜相比，重合度非常好；測試百格，附著力仍然為5B。
取一定數(shù)量消影型OLED用導電玻璃，采用濃度為5wt%、溫度為50℃的NaOH溶液、頻率為40Hz、功率為1500W的超聲槽超聲，超聲20分鐘。測試超聲后樣片的光譜，同浸泡前光譜相比，重合度非常好；測試百格，附著力仍然為5B。
實施例4：
該消影型OLED用導電玻璃的結構為玻璃基板/H(100?-200?)/ITO(800?-1000?)。玻璃基板的材料為鈉鈣玻璃，厚度為0.7mm。
制備時先走ITO的單層厚度用膜厚筆畫線后進入腔室經(jīng)過磁控濺射高溫鍍膜，出腔室后采用表面型貌儀測試畫線出的厚度差得到ITO的厚度；以相同的方法走高折射層的厚度，用膜厚筆畫線后進入腔室經(jīng)過磁控濺射高溫鍍膜，在腔室通過磁控濺射的過程時通入60:40的氮氧混合氣體反應濺射，出腔室后采用表面型貌儀測試畫線出的厚度差得到高折層的厚度，通過使用日本電色的SD-7000對波長范圍為380~780nm的光線進行測試，得到制備高折層材料的光譜，將所得光譜導入TFC軟件中計算得出所得材料的折射率；得到兩層所需要的厚度后采取一次成型的連續(xù)鍍膜制得所需要的樣品。
實施例4的消影型OLED用導電玻璃通過使用日本電色的SD-7000，對波長范圍為380~780nm的光線進行測試，測試450nm反射率13.5%-16.5%、550nm反射率為11.5%-14.5%。ITO蝕刻完畢后通過使用日本電色的SD-7000，對波長范圍為380~780nm的光線進行測試，測試450nm反射率13.5%-16.5%、550nm反射率為11.5%-14.5%。蝕刻前后450nm以及550nm處的反射率差值較小。
使用鉛筆硬度計對該半反半透光學膜層進行硬度測試，結果硬度為7H。
取一定數(shù)量消影型OLED用導電玻璃，采用濃度為10wt%、溫度為40℃的NaOH溶液，浸泡2H。測試浸泡后的樣片的光譜，同浸泡前光譜相比，重合度非常好；測試百格，附著力仍然為5B。
取一定數(shù)量消影型OLED用導電玻璃，采用濃度為5wt%、溫度為40℃的HCl溶液，浸泡2H。測試浸泡后的樣片的光譜，同浸泡前光譜相比，重合度非常好；測試百格，附著力仍然為5B。
取一定數(shù)量消影型OLED用導電玻璃，采用濃度為5wt%、溫度為50℃的NaOH溶液、頻率為40Hz、功率為1500W的超聲槽超聲，超聲20分鐘。測試超聲后樣片的光譜，同浸泡前光譜相比，重合度非常好；測試百格，附著力仍然為5B。
實施例5：
該消影型OLED用導電玻璃的結構為玻璃基板/H(100?-200?)/ITO(600?-800?)。玻璃基板的材料為鈉鈣玻璃，厚度為0.7mm。
制備時先走ITO的單層厚度用膜厚筆畫線后進入腔室經(jīng)過磁控濺射高溫鍍膜，出腔室后采用表面型貌儀測試畫線出的厚度差得到ITO的厚度；以相同的方法走高折射層的厚度，用膜厚筆畫線后進入腔室經(jīng)過磁控濺射高溫鍍膜，在腔室通過磁控濺射的過程時通入50:50的氮氧混合氣體反應濺射，出腔室后采用表面型貌儀測試畫線出的厚度差得到高折層的厚度，通過使用日本電色的SD-7000對波長范圍為380~780nm的光線進行測試，得到制備高折層材料的光譜，將所得光譜導入TFC軟件中計算得出所得材料的折射率；得到兩層所需要的厚度后采取一次成型的連續(xù)鍍膜制得所需要的樣品。
實施例5的消影型OLED用用導電玻璃通過使用日本電色的SD-7000，對波長范圍為380~780nm的光線進行測試，測試450nm反射率14%-17%、550nm反射率為12.5%-15.5%。ITO蝕刻完畢后通過使用日本電色的SD-7000，對波長范圍為380~780nm的光線進行測試，測試450nm反射率14%-17%、550nm反射率為12%-15%。蝕刻前后450nm以及550nm處的反射率差值較小。
使用鉛筆硬度計對該半反半透光學膜層進行硬度測試，結果硬度為7H。
取一定數(shù)量消影型OLED用導電玻璃，采用濃度為10wt%、溫度為40℃的NaOH溶液，浸泡2H。測試浸泡后的樣片的光譜，同浸泡前光譜相比，重合度非常好；測試百格，附著力仍然為5B。
取一定數(shù)量消影型OLED用導電玻璃，采用濃度為5%、溫度為40℃的HCl溶液，浸泡2H。測試浸泡后的樣片的光譜，同浸泡前光譜相比，重合度非常好；測試百格，附著力仍然為5B。
取一定數(shù)量消影型OLED用導電玻璃，采用濃度為5wt%、溫度為50℃的NaOH溶液、頻率為40Hz、功率為1500W的超聲槽超聲，超聲20分鐘。測試超聲后樣片的光譜，同浸泡前光譜相比，重合度非常好；測試百格，附著力仍然為5B。