一種基于鈮鎳鋯鈦酸鉛三價摻雜的壓電陶瓷及其制備方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明設(shè)及到高介電常數(shù)壓電陶瓷材料領(lǐng)域,具體是設(shè)及一種基于妮儀錯鐵酸鉛 =價滲雜的高介電常數(shù)壓電陶瓷配方的制備方法。
【背景技術(shù)】
[0002] 壓電陶瓷材料是一種功能陶瓷材料,能夠把機械能與電能相互轉(zhuǎn)換的功能,運種 性能稱為壓電性能。壓電陶瓷除具有壓電性能外,還具有介電性能W及力學性能。由于 壓電陶瓷材料具有運些優(yōu)異的綜合性能,再加上其制備工藝簡單、穩(wěn)定、可靠,使其廣泛應(yīng) 用于社會生活的各個方面,比如在電子材料領(lǐng)域?;?化1/3佩2/3)系壓電陶瓷材料自從被 Smolenskii和Agranovskaya發(fā)現(xiàn)后,已經(jīng)得到很多研究人員的關(guān)注和研究。Pb(化1/3佩2/3) 〇3屬于復合巧鐵礦結(jié)構(gòu),符合ABO3型巧鐵礦結(jié)構(gòu),具有典型的弛豫型鐵電體的特征。P順基 的體系具有相對較低的燒結(jié)溫度W及較高的介電常數(shù)。
[0003]Viren化aSin曲等人研究了燒結(jié)速率對妮鐵礦前軀體方法中制備的壓電陶瓷 性能的影響,通過研究發(fā)現(xiàn),當燒結(jié)速率為8°C/min時可W得到優(yōu)異性能,將壓電系數(shù)d33 提高到61化C/N。KatrinBenke;rt和MorganeRadanielina等人利用妮鐵礦前驅(qū)體法在 PNZT-P順滲雜高壓電常數(shù)的SrC〇3低溫燒結(jié)制備壓電陶瓷(er〉4000 ;Kp〉60;d33〉l〇〇〇pm/ V),雖然上述方法都能夠制備得到高介電及壓電常數(shù)陶瓷材料,但是其制備工藝復雜、不穩(wěn) 定及成本高,不利于工業(yè)化生產(chǎn)。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0004] 本發(fā)明的目的在于,提供一種基于妮儀錯鐵酸鉛=價滲雜的壓電陶瓷及其制備方 法。本發(fā)明的陶瓷具有介電、壓電常數(shù)高,性能穩(wěn)定的特點,且具有制備工藝簡單,成本低, 利于工業(yè)化生產(chǎn)的特點。 陽〇化]本發(fā)明通過如下方法實現(xiàn):一種基于妮儀錯鐵酸鉛=價滲雜的壓電陶瓷,其原 料組成及摩爾百分比為化(Me1/2佩2/3)X(化1/3佩2/3)y狂r。.3了i。.7)1Xy〇3,其中Me為立價元素,0<x<0. 1、0. 2<y<0. 6。
[0006] 前述的基于妮儀錯鐵酸鉛S價滲雜的壓電陶瓷,所述Me為La,訊或Mn。
[0007] 前述的基于妮儀錯鐵酸鉛S價滲雜的壓電陶瓷,所述Me為訊。
[0008] 前述的基于妮儀錯鐵酸鉛=價滲雜的壓電陶瓷,所述0<x<0. 04,0. 4<y<0. 5。
[0009] 前述的基于妮儀錯鐵酸鉛S價滲雜的壓電陶瓷,所述原料為Pb3〇4、Zr〇2、Ti〇2、 Ni2〇3、Nb2〇5及Sb2〇3。
[0010] 一種前述的基于妮儀錯鐵酸鉛=價滲雜的壓電陶瓷的制備方法,包括如下步驟:
[0011] (1)配料
[0012] 將所述原料按所述摩爾比混合,W酒精和錯球為球磨介質(zhì)球磨,得粉料,將粉料放 入烘箱中烘干,過40目篩子;
[0013] 似預燒
[0014] 將步驟(I)過篩后得到的粉料放入剛玉相蝸內(nèi),壓實,加蓋,在箱式電阻爐中預燒 l-3h,然后隨爐冷卻;
[0015] (3)壓片
[0016] 將步驟(2)中預燒好的粉料二次球磨、烘干、過篩,加入5wt% -7wt%的石蠟進行 造粒,之后將其過篩,然后壓制成直徑12mm,厚度為1. 2mm的陶瓷圓片;
[0017] (4)燒結(jié)
[0018] 將步驟(3)的圓形陶瓷片放入相蝸中,密封,放入箱式電阻爐中進行燒結(jié),然后隨 爐自然冷卻至室溫;
[0019] 妨刷銀、極化
[0020] 將步驟(4)燒結(jié)好的陶瓷片進行清潔,在其上下表面印刷銀漿,置于爐中,升溫至 800°C并保溫30min,自然冷卻至室溫,然后將燒好銀的樣品放置于硅油中加熱到50-70°C, 施加2kV/mm的直流電場,極化30min。
[0021] 前述的基于妮儀錯鐵酸鉛=價滲雜的壓電陶瓷的制備方法,包括如下步驟: 陽02引 (1)配料
[0023] 將所述原料按所述摩爾比混合,W酒精和錯球為球磨介質(zhì)球磨16h,球磨轉(zhuǎn)速為 30化/min,得粉料,將粉料放入70°C的烘箱中烘干,過40目篩子;
[0024] 似預燒
[00對將步驟(1)過篩后得到的粉料放入剛玉相蝸內(nèi),壓實,加蓋,在箱式電阻爐中在 850°C-1000°C預燒化,然后隨爐冷卻; 陽0%] (3)壓片
[0027]將步驟(2)中預燒好的粉料二次球磨、烘干、過篩,加入5wt% -7wt%的石蠟進行 造粒,之后將其過篩,在5Mpa的壓強下壓制成直徑12mm,厚度為1. 2mm的陶瓷圓片; 陽0測 (4)燒結(jié)
[0029] 將步驟(3)的圓形陶瓷片放入相蝸中,密封,放入箱式電阻爐中進行燒結(jié),燒結(jié)溫 度為Iiocrc-1300。保溫2h,然后隨爐自然冷卻至室溫;
[0030] 妨刷銀、極化
[0031] 將步驟(4)燒結(jié)好的陶瓷片進行清潔,采用絲網(wǎng)印刷技術(shù)在其上下表面印刷銀 漿,置于爐中,升溫至800°c并保溫30min,自然冷卻至室溫,然后將燒好銀的樣品放置于娃 油中加熱到50-70°C,施加2kV/mm的直流電場,極化30min。
[0032] 前述的基于妮儀錯鐵酸鉛=價滲雜的壓電陶瓷的制備方法,所述步驟(2)中的預 燒溫度為900°C。
[0033] 前述的基于妮儀錯鐵酸鉛=價滲雜的壓電陶瓷的制備方法,所述步驟(4)中的燒 結(jié)溫度為1200C。
[0034] 前述的基于妮儀錯鐵酸鉛=價滲雜的壓電陶瓷在電子元器件領(lǐng)域中的應(yīng)用。
[0035] 本發(fā)明的有益效果:
[0036] (1)經(jīng)本發(fā)明制備的壓電陶瓷具有高介電、壓電常數(shù),為純錯鐵礦相結(jié)構(gòu)(如附圖 1)。
[0037] (2)與現(xiàn)有技術(shù)相比,在120(TC所制備的陶瓷樣品中,本發(fā)明的陶瓷的介電常數(shù) 有了很大程度上的提高,如表1所示,介電常數(shù)Ef達到8500,且對其它電學性能影響不大, 具有較好的綜合性能。
[0038] (3)制備方法簡單、可靠、成本低,便于工業(yè)化生產(chǎn)。
【附圖說明】
[0039] 附圖1是所制備陶瓷樣品的X畑衍射圖。 具體實施例
[0040] 為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點能夠更加明顯易懂,下面對本發(fā)明的具體實 施方式做詳細的說明。但是本發(fā)明能夠W很多不同于在此描述的其它方式來實施,本領(lǐng)域 技術(shù)人員可W在不違背本發(fā)明內(nèi)涵的情況下做類似改進,因此本發(fā)明不受下面公開的具體 實施的限制。 柳41] 實施例; W42] -種基于妮儀錯鐵酸鉛;價滲雜的壓電陶瓷,其組成及摩爾百分比為 化(SV2Nb2/3)x(化l/3佩2/3)y狂r。.3Ti。.7)lxy03,其中Me是訊的ミ價元素;
[0043] 所述原料為Pb3〇4、Zr〇2、Ti〇2、化2〇3、佩2〇5及訊 2化。
[0044] 配方:x= 0. 02,y= 0. 49。
[0045] 所述制備方法包括如下步驟:
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