專利名稱：有機(jī)硅氧烷嵌段共聚物的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明整體涉及有機(jī)硅氧烷嵌段共聚物，該有機(jī)硅氧烷嵌段共聚物包含特定摩爾％的直鏈二有機(jī)硅氧烷單元和特定摩爾％的非直鏈硅氧烷單元。更具體地講，該有機(jī)硅氧烷嵌段共聚物具有至少95%的透光率。
背景技術(shù)：
光電半導(dǎo)體與包含此類半導(dǎo)體的電子制品是本領(lǐng)域中為人熟知的。常見(jiàn)的光電半導(dǎo)體包括光伏(太陽(yáng)能)電池和二極管。光伏電池將多種不同波長(zhǎng)的光轉(zhuǎn)化為電。相反，二極管(例如發(fā)光二極管(LED))由電生成多種不同波長(zhǎng)的光。LED總體上包括一個(gè)或多個(gè)受到激發(fā)時(shí)會(huì)發(fā)光的二極管，并且通常利用連接到二極管的倒裝芯片或線焊芯片來(lái)提供電能。如下文所詳述的，許多LED采用與封裝光伏電池所用類似的組件和方法進(jìn)行封裝，從而提高了生產(chǎn)成本和復(fù)雜程度。存在兩種一般形式的光伏電池，即硅片型和薄膜型。硅片為通常由機(jī)械切割單晶或多晶錠硅片制成的 半導(dǎo)體材質(zhì)薄片?；蛘?，硅片能夠由澆鑄形成。薄膜型光伏電池通常包括使用濺射或化學(xué)氣相沉積加工技術(shù)沉積在基板上的半導(dǎo)電材料的連續(xù)層。通常，光伏電池包括在光伏電池模塊中，所述光伏電池模塊還包括粘結(jié)層、基板、覆板和/或提供強(qiáng)度和穩(wěn)定性的附加材料。在多個(gè)應(yīng)用中，對(duì)光伏電池進(jìn)行封裝以提供額外的保護(hù)，使其免受環(huán)境因素(例如風(fēng)雨)的侵害。然而，迄今為止，本領(lǐng)域中已知的封裝材料和封裝方法相當(dāng)昂貴且耗時(shí)，并且在許多情況下不起作用。一些模塊包括粘合到玻璃覆板上以封裝光伏電池的玻璃基板。這些類型的模塊非常沉重且麻煩，易于發(fā)生破損、劃傷和蝕刻，并且通常采用又慢又低效的工藝進(jìn)行制造。這導(dǎo)致最終買家所支付的費(fèi)用增加。其他模塊包含乙烯醋酸乙烯酯(EVA)來(lái)封裝光伏電池。采用EVA是因?yàn)樗軌驗(yàn)楣夥姵夭东@光線。然而，EVA在波長(zhǎng)小于400nm的光線照射下會(huì)降解。因此，當(dāng)前含有EVA的光伏電池僅限于捕獲波長(zhǎng)大于400nm的光線。更具體地講，EVA的抗紫外線性能較差、有褪色的趨勢(shì)，并且在暴露于光線時(shí)有發(fā)生化學(xué)和物理降解的趨勢(shì)。還已知的是EVA相對(duì)于玻璃基板的粘附性質(zhì)較差，并且具有高模量。這些較差的粘附性質(zhì)和高模量往往使得光伏電池周圍的應(yīng)力狀態(tài)增強(qiáng)，從而導(dǎo)致封裝材料逐漸從基板上剝離。這種剝離現(xiàn)象對(duì)電池效率具有諸多負(fù)面影響，包括水分在封裝材料中積聚最終導(dǎo)致光伏電池發(fā)生腐蝕。要解決這些問(wèn)題，業(yè)界在光伏電池內(nèi)使用數(shù)量增大的EVA以減少其剝離和褪色。然而，這減少了沖擊到光伏電池上的可用光線的總量，從而降低了電池效率。另外，已將摻雜有鈰和銻的玻璃用作光伏電池的基板或覆板以保護(hù)EVA免受紫外線損害。另外，已將包含紫外線吸收劑和/或受阻胺光穩(wěn)定劑的紫外線穩(wěn)定包添加到EVA中。使用摻雜玻璃或紫外線吸收劑通常導(dǎo)致光伏電池的效率損耗1%至5%。通常，EVA作為夾在基板與覆板之間，且經(jīng)受加熱、真空和壓力的一個(gè)或多個(gè)熱固性片材施用。這些條件引起EVA流動(dòng)，從而潤(rùn)濕基板和覆板，并將光伏電池封裝起來(lái)。以這種方式生產(chǎn)光伏電池相對(duì)昂貴且耗時(shí)?；蛘?，EVA可以通過(guò)使用過(guò)氧化物引發(fā)自由基固化而固化。然而，該方法往往促使副反應(yīng)發(fā)生，從而降低總體耐久性。如果使用過(guò)氧化物，則固化溫度通常在150°C至160°C的范圍內(nèi)。這樣的溫度可能造成光伏電池內(nèi)部應(yīng)力過(guò)大，并導(dǎo)致機(jī)械斷裂和/或需要更長(zhǎng)的生產(chǎn)時(shí)間和更多的步驟來(lái)加強(qiáng)光伏電池。因此，現(xiàn)有技術(shù)仍有改善的余地。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供了包含65至90摩爾％的式為R12SiOy2(I)的二有機(jī)硅氧烷單元的有機(jī)硅氧烷嵌段共聚物。這些二有機(jī)硅氧烷單元以直鏈嵌段的形式排列，每個(gè)所述直鏈嵌段具有平均10至400個(gè)二有機(jī)硅氧烷單元。有機(jī)硅氧烷嵌段共聚物還包含10至35摩爾％的平均式為R2x(0R3)ySi0(4_x_y)/2(II)的硅氧烷單元。所述硅氧烷單元以非直鏈嵌段的形式排列，每個(gè)所述非直鏈嵌段具有至少2個(gè)硅氧烷單元，其中0.5 < X < 1.5并且O < y < I。此外，每個(gè)R1獨(dú)立地為C1至Cltl烴基，每個(gè)R2獨(dú)立地為芳基或C4至Cltl烴基，至少50摩爾％的R2為芳基，并且每個(gè)R3獨(dú)立地為R1或H。此外，所述有機(jī)硅氧烷嵌段共聚物的透光率為至少95 %。本發(fā)明還提供了用于形成有機(jī)硅氧烷嵌段共聚物以及包含所述有機(jī)硅氧烷嵌段共聚物的電子制品的方法的多種實(shí)施例。式(I)的直鏈二有機(jī)硅氧烷單元與式(II)的非直鏈硅氧烷單元的組合使得有機(jī)硅氧烷嵌段共聚物能夠具有較高的透光率，并可用于許多應(yīng)用。這些直鏈和非直鏈單元還往往使得有機(jī)硅氧烷嵌段共聚物能夠在受熱的情況下發(fā)生流動(dòng)和固化，而在室溫下則保持穩(wěn)定，并且使有機(jī)硅氧烷嵌段共聚物能夠用層壓技術(shù)進(jìn)行加工。此外，這些直鏈和非直鏈單元有助于改善有機(jī)硅氧烷嵌段共聚物的物理特性，并使得形成的電子制品能夠耐受天氣條件、能夠以較低的成本和較低的工序復(fù)雜程度進(jìn)行制造，并且更節(jié)能。



將易于認(rèn)識(shí)到本發(fā)明的其他優(yōu)點(diǎn)，因?yàn)榻Y(jié)合附圖考慮時(shí)，通過(guò)參考以下具體實(shí)施方式
可更好地理解相同內(nèi)容，其中:圖1A為本發(fā)明的電子制品的一個(gè)實(shí)施例的側(cè)視圖，其包括設(shè)置在光電半導(dǎo)體和基板上的封裝材料；圖1B為電子制品的另一個(gè)實(shí)施例的側(cè)視圖，其包括兩層封裝材料和光電半導(dǎo)體；圖1C為電子制品的又一個(gè)實(shí)施例的側(cè)視圖，其包括覆板、封裝材料和光電半導(dǎo)體；圖1D為還包括覆板的圖1A的電子制品的側(cè)視圖；圖1E為還包括覆板的圖1B的電子制品的側(cè)視圖；圖1F為電子制品的另一個(gè)實(shí)施例的側(cè)視圖，其包括覆板、封裝材料、光電半導(dǎo)體、粘結(jié)層和基板；圖1G為電子制品的另一個(gè)實(shí)施例的側(cè)視圖，其包括覆板、封裝材料、抗反射涂層、光電半導(dǎo)體和基板；圖2A為與圖1A相關(guān)的光伏電池模塊的一個(gè)實(shí)施例的剖視圖2B為與圖1B相關(guān)的光伏電池模塊的一個(gè)實(shí)施例的剖視圖；圖2C為與圖1C相關(guān)的光伏電池模塊的一個(gè)實(shí)施例的剖視圖；圖2D為與圖1C相關(guān)的光伏電池模塊的一個(gè)實(shí)施例的剖視圖；圖2E為與圖1E相關(guān)的光伏電池模塊的一個(gè)實(shí)施例的剖視圖；圖2F為與圖1F相關(guān)的光伏電池模塊的一個(gè)實(shí)施例的剖視圖；圖2G為與圖1G相關(guān)的光伏電池模塊的一個(gè)實(shí)施例的剖視圖；圖3A為電氣連接的且排列為光伏陣列的一系列圖2D的光伏電池模塊的剖視圖；圖3B為電氣連接的且排列為光伏陣列的一系列圖2D的光伏電池模塊的放大剖視
圖4為實(shí)例2的有機(jī)硅氧烷嵌段共聚物的硅核磁共振光譜；圖5是從左到右分別示出了由比較例1、實(shí)例1-3、比較例8、比較例2和比較例3形成的澆注片材的透明度的照片。圖6為由比較例1、2和8以及實(shí)例1-3形成的澆注片材的透射率％與波長(zhǎng)的關(guān)系的光譜圖；圖7為實(shí)例2的澆注片材的粘彈性曲線；圖8為示出實(shí)例I和2的封裝的單個(gè)光伏電池的電池效率與濕冷凍測(cè)試天數(shù)的關(guān)系的線圖；并且圖9為示出實(shí)例I和2的封裝的單個(gè)光伏電池的電池效率與熱循環(huán)測(cè)試天數(shù)的關(guān)系的線圖。
具體實(shí)施例方式本發(fā)明提供了電子制品(10)以及形成該制品的方法。該制品包括光電半導(dǎo)體(12)以及設(shè)置在光電半導(dǎo)體(12)上的封裝材料(14)。光電半導(dǎo)體:光電半導(dǎo)體(12)通常是發(fā)出和/或檢測(cè)并控制光線(例如可見(jiàn)光、Y射線、X射線、紫外射線和紅外射線)的裝置。因此，本發(fā)明的電子制品(10)還可以定義為本領(lǐng)域已知的和/或下文詳述的包括光電半導(dǎo)體(12)的任何制品。光電半導(dǎo)體(12)通常起電-光變換器或光-電變換器的作用。典型但非限制性的光電半導(dǎo)體(12)包括光電二極管，具體包括太陽(yáng)能電池、光電晶體管、光電倍增器、集成光路(IOC)元件、光敏電阻器、光導(dǎo)式攝像管、電荷耦合成像器件、注入式激光二極管、量子級(jí)聯(lián)激光器、發(fā)光二極管、光電發(fā)射攝像管等。在一個(gè)實(shí)施例中，光電半導(dǎo)體(12)還被定義為太陽(yáng)能電池。在另一個(gè)實(shí)施例中，光電半導(dǎo)體(12)還被定義為發(fā)光二極管。光電半導(dǎo)體(12)不受具體限制，其可以是本領(lǐng)域中任何已知的器件。通常，光電半導(dǎo)體(12)的電導(dǎo)率為約103S/cm至約10_8S/cm。在一個(gè)實(shí)施例中，光電半導(dǎo)體(12)包含硅。在其他實(shí)施例中，光電半導(dǎo)體(12)包含砷、硒、碲、鍺、砷化鎵、碳化硅和/或來(lái)自第IV、II1-V、I1-VI, 1-VII, IV-V1、V-VI和I1-V族的元素并且可以為P型或η型。可以設(shè)想，光電半導(dǎo)體(12)可以如下文詳述的那樣使用化學(xué)氣相沉積法(CVD)設(shè)置在基板(26)上。光電半導(dǎo)體(12)具有第一側(cè)面和第二側(cè)面。通常，第一側(cè)面與第二側(cè)面相對(duì)。然而，第一側(cè)面和第二側(cè)面可以彼此相鄰。在多個(gè)實(shí)施例中，一條或多條電引線附接到第一側(cè)面和/或第二側(cè)面，用于將一系列光電半導(dǎo)體(12)連接在一起。電引線可以為任何尺寸和形狀，并且通常為矩形形狀。在一個(gè)實(shí)施例中，電引線具有大約0.005至0.080英寸尺寸的長(zhǎng)度和/或?qū)挾?。在其他?shí)施例中，電引線具有0.005至0.015英寸、0.005至0.010英寸或0.007至0.010英寸的厚度。電引線可以為本領(lǐng)域中已知的任何類型，并且可以設(shè)置在光電半導(dǎo)體(12)的任何部分上。通常，一條電引線充當(dāng)陽(yáng)極，而另一條電引線充當(dāng)陰極。在多個(gè)實(shí)施例中，光電半導(dǎo)體(12)包括一條或多條設(shè)置在其上的電引線，如，第一、第二、第三和第四電引線。這些電引線可以相同也可以彼此不同(即，由相同材料或不同材料制成)，并且可以包含金屬、導(dǎo)電聚合物以及它們的組合。在一個(gè)實(shí)施例中，一條或多條電引線包含由錫-銀焊料包被的銅。在另一個(gè)實(shí)施例中，一條或多條電引線包含由錫-鉛焊料包被的銅。光電半導(dǎo)體(12)自身的尺寸或形狀不受限制，并且可以為本領(lǐng)域已知的任何尺寸或形狀。封裝材料:參見(jiàn)前文，電 子制品(10)還包含設(shè)置在光電半導(dǎo)體(12)上的封裝材料(14)。術(shù)語(yǔ)“設(shè)置在...上”包括封裝材料(14)設(shè)置在光電半導(dǎo)體(12)上方并與光電半導(dǎo)體(12)直接接觸。該術(shù)語(yǔ)還包括封裝材料(14)與光電半導(dǎo)體(12)間隔開(kāi)但仍設(shè)置在光電半導(dǎo)體(12)上方。封裝材料(14)可以設(shè)置在光電半導(dǎo)體(12)上，使得光電半導(dǎo)體(12)僅有一面被覆蓋?；蛘撸庋b材料(14)可以部分或完全封裝光電半導(dǎo)體(12)或本文所述的任何其他組件。在多個(gè)實(shí)施例中，封裝材料(14)為片材、凝膠、薄膜、糊劑或液體。最通常的情況下，封裝材料(14)為片材或薄膜。封裝材料(14)可以包含有機(jī)硅氧烷嵌段共聚物、基本上由有機(jī)硅氧烷嵌段共聚物組成或由有機(jī)硅氧烷嵌段共聚物組成。在一個(gè)實(shí)施例中，封裝材料(14)基本上由有機(jī)硅氧烷嵌段共聚物組成，并且不包含其他聚合物。有機(jī)硅氧烷嵌段共聚物包含65至90摩爾％的式為R12SiC^2 (I)的二有機(jī)硅氧烷單元。在多個(gè)實(shí)施例中，有機(jī)硅氧烷嵌段共聚物包含65至70摩爾％、70至75摩爾％、75至80摩爾％、80至85摩爾％、85至90摩爾％、70至90摩爾％、75至85摩爾％等的式為R12SiO2Z2 (I)的二有機(jī)硅氧烷單元。式為R12SiO2Z2⑴的二有機(jī)硅氧烷單元的摩爾％可以為上述那些范圍和值內(nèi)的任何值或值的范圍(包括整數(shù)和小數(shù))，和/或可以與上述值和/或值的范圍相差±5%、±10%、±15%、±20%、±25%、±30% 等。這些二有機(jī)硅氧烷單元以直鏈嵌段的形式排列，每個(gè)所述直鏈嵌段具有平均10至400個(gè)二有機(jī)硅氧烷單元。在多個(gè)實(shí)施例中，這些單元以直鏈嵌段的形式排列，每個(gè)所述直鏈嵌段具有平均20至390個(gè)、30至380個(gè)、40至370個(gè)、50至360個(gè)、60至350個(gè)、70至340 個(gè)、80 至 330 個(gè)、90 至 320 個(gè)、100 至 310 個(gè)、200 至 300 個(gè)、210 至 290 個(gè)、220 至 280個(gè)、230至270個(gè)、240至260個(gè)或約250個(gè)二有機(jī)硅氧烷單元。當(dāng)然，平均值可以為上述那些范圍和值內(nèi)的任何值或值的范圍(包括整數(shù)和小數(shù))，和/或可以與上述值和/或值的范圍相差 ±5%、±10%、±15%、±20%、±25%、±30%等。有機(jī)硅氧烷嵌段共聚物還包含10至35摩爾％的平均式為R2x (OR3) ySiO(4_x_y)/2 (II)的硅氧烷單元。在多個(gè)實(shí)施例中，有機(jī)硅氧烷嵌段共聚物包含10至15摩爾％、15至20摩爾％、20至25摩爾％、25至30摩爾％、30至35摩爾％、20至30摩爾％、15至30摩爾％等的平均式為R2x(0R3)ySi0(4_x_y)/2(II)的硅氧烷單元。平均式為R2x(0R3)ySi0(4_x_y)/2(II)的硅氧烷單元的摩爾％可以為上述那些范圍和值內(nèi)的任何值或值的范圍(包括整數(shù)和小數(shù))，和/或可以與上述值和/或值的范圍相差±5%、±10%、±15%、±20%、±25%、±30%
坐寸O所述硅氧烷單元以非直鏈嵌段的形式排列，每個(gè)所述非直鏈嵌段具有至少2個(gè)硅氧烷單元，其中0.5 Sx彡1.5并且I。并且，x和y的值可以獨(dú)立地為上述那些范圍和值內(nèi)的任何值或值的范圍(包括整數(shù)和小數(shù))。此外，相對(duì)于上述式(I)和(II)兩者而言，每個(gè)R1獨(dú)立地為C1至Cltl烴基，每個(gè)R2獨(dú)立地為芳基或C4至Cltl烴基，至少50摩爾％的R2為芳基，并且每個(gè)R3獨(dú)立地為R1或H。應(yīng)當(dāng)理解，R\R2和/或R3中的一者或多者可以獨(dú)立地為上述具有介于I至10之間的任意碳原子數(shù)(如2、3或4個(gè)碳原子等)的烴基。在一個(gè)實(shí)施例中，式為R12SiO272⑴的二有機(jī)硅氧烷單元以79至89摩爾％的量存在。在另一個(gè)實(shí)施例中，平均式為R2x(OR3)ySiO(4_x_y)/2 (II)的硅氧烷單元以11至21摩爾％的量存在。在又一個(gè)實(shí)施例中，對(duì)于式(II)的直鏈嵌段,每個(gè)所述直鏈嵌段具有平均50至400個(gè)二有機(jī)硅氧烷單元。在再一個(gè)實(shí)施例中，0.8< X < 1.2并且O < y < 0.2。在還有一個(gè)實(shí)施例中，R1為甲基，每個(gè)R2為芳基，并且每個(gè)R3為H。在本發(fā)明的另外的非限制性實(shí)施例中，有機(jī)硅氧烷嵌段共聚物可以進(jìn)行熱加工并且是可固化的，且其包含直鏈的二甲基硅氧烷軟嵌段和樹(shù)脂倍半硅氧烷硬嵌段(包括芳族(如苯基)部分)。在一個(gè)實(shí)施例中 ,有機(jī)娃氧燒嵌段共聚物為分段的,并且包含少量未反應(yīng)的倍半硅氧烷樹(shù)脂和直鏈的二甲基硅氧烷均聚物。在還有一個(gè)實(shí)施例中，有機(jī)硅氧烷嵌段共聚物固化或部分固化，從而形成不僅堅(jiān)韌還具有彈性的光學(xué)透明薄膜或片材。該薄膜或片材可以用作前封裝材料、后封裝材料和/或背板替換件，其中“前封裝材料”、“后封裝材料”和“背板替換件”是本領(lǐng)域已知的術(shù)語(yǔ)。在還有一個(gè)實(shí)施例中，有機(jī)硅氧烷嵌段共聚物被設(shè)計(jì)為在受熱時(shí)流動(dòng)并固化，但在室溫下保持穩(wěn)定。在還有一個(gè)實(shí)施例中，有機(jī)硅氧烷嵌段共聚物包含與直鏈硅氧烷鏈不相容的倍半硅氧烷樹(shù)脂。直鏈硅氧烷鏈的末端基團(tuán)通常不同于倍半硅氧烷樹(shù)脂上的官能團(tuán)，且還會(huì)與后者發(fā)生反應(yīng)。僅舉一個(gè)例子，直鏈硅氧烷鏈可以使用硅烷(如肟基硅烷和乙酰氧基硅烷)封端，并進(jìn)一步與包含苯基部分的硅烷醇官能化樹(shù)脂發(fā)生反應(yīng)，如下述方法的多個(gè)實(shí)施例中所述。在另外的實(shí)施例中，采用肟基硅烷封端的PDMS與苯基倍半硅氧烷(苯基-T)反應(yīng)，形成彈性體。在其他實(shí)施例中，式(II)的硅氧烷中的苯基部分促成有機(jī)硅氧烷嵌段共聚物的“熱熔融”行為。無(wú)意受到任何特定理論的約束，據(jù)信，熱熔融行為和苯基部分使得有機(jī)硅氧烷嵌段共聚物能夠在存儲(chǔ)過(guò)程中和施用前(如，在低于式(II)的硅氧烷的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度的溫度下)幾乎不具有粘性，而在施用(如，在高于式(II)的硅氧烷的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度的溫度下層壓)后可以流動(dòng)。此外，有機(jī)硅氧烷嵌段共聚物可以在不存在填料的情況下形成，所述填料包括(但不限于)補(bǔ)強(qiáng)填料、半補(bǔ)強(qiáng)填料和/或非補(bǔ)強(qiáng)填料，這些填料要么獨(dú)立地使用、要么以其中一者或多者的組合進(jìn)行使用。此外，有機(jī)硅氧烷嵌段共聚物的透光率為至少95%。在其他實(shí)施例中，有機(jī)硅氧烷嵌段共聚物的透光率為至少96 %、97 %、98 %、或99 %或約100 %。透光率通常采用ASTME-903-96或ASTM D1003的改良版本進(jìn)行測(cè)定，其中ASTM D1003規(guī)定了如何使用C類光源測(cè)量透光率。在改良版本中，將C類光源替換為產(chǎn)生太陽(yáng)光譜(即，AM1.5G光譜)的光源。相比于ASTM D1003方法，在改良版的方法中光譜透射率值還與反射損失無(wú)關(guān)。采用VarianCary5000在200_1700nm之間采集測(cè)量結(jié)果。電子制品(10)可以包含多種封裝材料，如，第二和/或第三封裝材料和/或一層或多層封裝材料(14)、第二封裝材料、第三封裝材料等。任何第二、第三或附加封裝材料可以與上述(第一)封裝材料(14)相同或不同，并且可以獨(dú)立地包含在電子制品(10)中或作為與(第一)封裝材料(14)的混合物包含在電子制品(10)中。在一個(gè)實(shí)施例中，電子制品(10)包含上述(第一)封裝材料(14)和第二封裝材料。另外，封裝材料(14)對(duì)于紫外線和/或可見(jiàn)光可以是透明的，并且第二(或附加)封裝材料對(duì)于紫外線和/或可見(jiàn)光可以是透明的、可以是不透光的或不透明的?；?覆板:電子制品(10)還可以包括基板(26)和/或覆板(28)。通常，基板(26)為電子制品(10)的后表面(32)提供保護(hù)，而覆板(28)通常為電子制品(10)的前表面(30)提供保護(hù)?；?26)和覆板(28)可以相同也可以不同，并且各自可以獨(dú)立地包含本領(lǐng)域中已知的任何合適的材料。基板(26)和/或覆板(28)可以為柔軟且柔韌的，或者可以為堅(jiān)硬且剛性的。或者，基板(26)和/或覆板(28)可以包括堅(jiān)硬且剛性的部分并同時(shí)包括柔軟且柔韌的部分?；?26)和/或覆板(28)可能對(duì)光線透明、可能是不透明的或者可能無(wú)法透射光線(即，可能是不透光的)。通常，覆板是透光的。在一個(gè)實(shí)施例中，基板(26)和/或覆板(28)包括玻璃。在另一個(gè)實(shí)施例中，基板(26)和/或覆板(28)包括金屬箔、聚酰亞胺、乙烯-醋酸乙烯共聚物、和/或有機(jī)含氟聚合物(包括但不限于乙烯-四氟乙烯共聚物(ETFE)) UaA聚酯/ Tedlar*, Tedlar1V聚酯/Tediare、單獨(dú)的或涂覆有硅和氧化物質(zhì)(SiOx)的聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯(PET)，以及它們的組合。在一個(gè)實(shí)施例中，基板
(26)還可定義為PET/SiOx-PET/Al基板(26)，其中x的值為I至4?；?26)和/或覆板(28)可以是能夠承重的或不能夠承重的，并且可以包含在電子制品(10)的任何部分中。通常，基板(26)是能夠承重的。基板(26)可以為電子制品(10)的“底層”，其通常設(shè)置在光電半導(dǎo)體(12)的背后并起機(jī)械支持的作用?；蛘?，電子制品(10)可以包括第二或附加的基板(26)和/或覆板(28)?；?26)可以為電子制品
(10)的底層，而第二基板(26)可以為頂層并用作覆板(28)。通常，第二基板(26)(如用作覆板(28)的第二基板(26))對(duì)于太陽(yáng)光譜(如可見(jiàn)光)是透明的并且設(shè)置在基板(26)頂部。第二基板(26)可以設(shè)置在光源的前方。第二基板(26)可以用于保護(hù)電子制品(10)免受環(huán)境條件(例如雨、雪和高溫)的影響。最通常的情況下，第二基板(26)用作覆板(28)，并且為對(duì)于太陽(yáng)光透明的剛性玻璃面板，且被用于保護(hù)電子制品(10)的前表面(30)。在一個(gè)實(shí)施例中，有機(jī)硅氧烷嵌段共聚物可以用作基板(26)和/或覆板(28)。在另一個(gè)實(shí)施例中，基板(26)和/或覆板(28)如PCT專利申請(qǐng)N0.PCT/US2009/062513中所述，該專利申請(qǐng)明確地以引用方式并入本文中。在該實(shí)施例中，基板(26)和/或覆板(28)可以包括多根被涂覆的纖 維。所述多根纖維可以如PCT/US2009/062513中所述進(jìn)行涂覆，和/或用本發(fā)明的有機(jī)硅氧烷嵌段共聚物進(jìn)行涂覆。基板(26)和/或覆板(28)通常具有50至500微米、100至225微米或175至225微米的厚度?；?26)和/或覆板(28)可以具有各自為125mm的長(zhǎng)度和寬度或各自為156mm的長(zhǎng)度和寬度。當(dāng)然，本發(fā)明不限于這些厚度或其范圍，并且基板(26)和/或覆板(28)的厚度可以為上述那些范圍和值內(nèi)的任何值或值的范圍(包括整數(shù)和小數(shù))或與它們不同。還可以設(shè)想，基板(26)和/或覆板(28)的厚度、長(zhǎng)度和/或?qū)挾瓤梢耘c上述值和 / 或值的范圍相差 ±5%、±10%、±15%、±20%、±25%、±30%等。粘結(jié)層: 此外，電子制品(10)還可包括一個(gè)或多個(gè)粘結(jié)層(18)。所述一個(gè)或多個(gè)粘結(jié)層
(18)可以設(shè)置在基板(26)上，用于將光電半導(dǎo)體(12)粘附到基板(26)上。在一個(gè)實(shí)施例中，電子制品(10)不包括基板(26)并且不包括粘結(jié)層(18)。在另一個(gè)實(shí)施例中，電子制品(10)不包括基板(26)(如上所述)，但包括粘結(jié)層(18)作為電子制品(10)的最外層。在該實(shí)施例中，粘結(jié)層(18)可以充當(dāng)基板(26)。在多個(gè)其他實(shí)施例中，電子制品(10)包括多個(gè)粘結(jié)層，如第二和/或第三粘結(jié)層。任何第二、第三或附加粘結(jié)層(18)可以與(第一)粘結(jié)層(18)相同或不同。因此，任何第二、第三或附加粘結(jié)層可以由與(第一)粘結(jié)層(18)相同或不同的材料形成。第二粘結(jié)層可以設(shè)置在(第一)粘結(jié)層(18)上，和/或可以設(shè)置在光電半導(dǎo)體(12)上。一個(gè)或多個(gè)粘結(jié)層(18)中的每一個(gè)通常對(duì)于紫外線和/或可見(jiàn)光是透明的。然而，粘結(jié)層(18)中的一個(gè)或多個(gè)可以是不透光的或不透明的。在一個(gè)實(shí)施例中，粘結(jié)層(18)在整個(gè)可見(jiàn)光波長(zhǎng)范圍內(nèi)具有高透射率、對(duì)紫外線具有長(zhǎng)期穩(wěn)定性并且為光電半導(dǎo)體(12)提供長(zhǎng)期保護(hù)。在該實(shí)施例中，由于粘結(jié)層(18)具有紫外穩(wěn)定性，因此無(wú)需在基板(26)中摻雜鈰。在多個(gè)其他實(shí)施例中，粘結(jié)層(18)為如PCT專利申請(qǐng)N0.PCT/US09/01623中所述的那樣，該專利申請(qǐng)明確地以引用方式并入本文中。粘結(jié)層(18)通常具有粘性，并且可以是凝膠、黏膠、液體、糊劑、樹(shù)脂或固體。在一個(gè)實(shí)施例中，粘結(jié)層(18)為薄膜。在另一個(gè)實(shí)施例中，粘結(jié)層(18)為凝膠。在另一個(gè)實(shí)施例中，粘結(jié)層(18)為經(jīng)固化(如，預(yù)固化)以形成凝膠的液體?；蛘?，粘結(jié)層(18)可以包括多個(gè)部分，其中每個(gè)部分包括不同的組成和/或不同的形態(tài)(如，凝膠和液體)。適合用作粘結(jié)層(18)的凝膠的例子在美國(guó)專利N0.5，145，933,N0.4，340，709和N0.6，020，409中有所描述，這些專利中的每一者均由于涉及這些凝膠而明確地以引用方式并入本文中。粘結(jié)層(18)通常還具有7X IO2至6X IO5達(dá)因/平方厘米的彈性模量(固化時(shí)的G’)?；蛘?，粘結(jié)層(18)可以具有與上述封裝材料(14)相同的組成。粘結(jié)層(18)的厚度不受具體限制，但該厚度通常為I至50密耳，更通常地為3至30密耳，并且最通常地為4至15密耳。在多個(gè)實(shí)施例中，粘結(jié)層(18)具有I至30密耳、I至25密耳、I至20密耳、3至17密耳、5至10密耳、5至25密耳、10至15密耳、10至17密耳、12至15密耳、10至30密耳或5至20密耳的厚度。當(dāng)然，本發(fā)明并不限于這些厚度或其范圍，并且粘結(jié)層(18)的厚度可以為上述那些范圍和值內(nèi)的任何值或值的范圍(包括整數(shù)和小數(shù))。還可以設(shè)想，粘結(jié)層(18)的厚度可以與上述值和/或值的范圍相差±5%、±10%、±15%、±20%、±25%、±30%等?？狗瓷渫繉?電子制品(10)還可以包括抗反射涂層(ARC) (16)和/或梯度折射率涂層(GRIC)。在一個(gè)實(shí)施例中，GRIC設(shè)置在光電半導(dǎo)體(12)上。合適的GRIC的例子在2010年9月22日提交的名稱為“ELECTRONIC ARTICLE AND METHOD OF FORMING”(電子制品及其形成方法)的美國(guó)臨時(shí)專利申請(qǐng)N0.61/385，446中有所描述，該專利申請(qǐng)明確地以引用方式并入本文中。形成有機(jī)硅氧烷嵌段共聚物的方法:肟基化學(xué)過(guò)程關(guān)注:本發(fā)明的有機(jī)硅氧烷嵌段共聚物可以由任何方法形成。在一個(gè)實(shí)施例中，所述方法專注于肟基化學(xué)，并且包括使(a)式為RHZ = N-0)^iO(R12SiO272)nSi (0-N = Z)^1(III)的直鏈有機(jī)硅氧烷與(b)平均單元式為R2x(0R3)ySi0(4_x_y)/2(II)的有機(jī)硅氧烷樹(shù)脂在(c)有機(jī)溶劑中反應(yīng)以形成有機(jī)硅氧烷嵌段共聚物的步驟。在這些式中，Z為=CR12或=CR4，R4為亞烴基，η的平均值為100至400，0.5彡X彡1.5并且O彡y彡I。應(yīng)當(dāng)理解，每個(gè)R1、! 2和R3如上所述并且獨(dú)立選擇。在多個(gè)實(shí)施例中，η的平均值為20至390、30至380、40至370、50 至 360,60 至 350,70 至 340,80 至 330,90 至 320,100 至 310,200 至 300,210 至 290,220至280、230至270、240至260或約250。η的平均值可以為上述那些范圍和值內(nèi)的任何值或值的范圍(包括整數(shù)和小數(shù))，和/或可以與上述值和/或值的范圍相差±5%、± 10%、±15%、±20%、±25%、±30%等。適用于本文的有機(jī)硅氧烷樹(shù)脂的平均單元式可以為R2x(0R3)ySi0(4_x_y)/2。(b)有機(jī)硅氧烷樹(shù)脂的分子量(Mw)不受限制，但通常在1000至10，000、或1500至5000g/mol的范圍內(nèi)。在一個(gè)實(shí)施例中，(b)有機(jī)娃氧燒樹(shù)脂為倍半娃氧燒。適用于本發(fā)明方法的(b)有機(jī)硅氧烷樹(shù)脂通常具有至少5摩爾％、或者至少10摩爾％、或者25摩爾％、或者40摩爾％、或者50摩爾％的硅烷醇含量。合適的(b)有機(jī)硅氧烷樹(shù)脂可以通過(guò)在硅原子上具有三個(gè)可水解基團(tuán)(如鹵素或烷氧基基團(tuán))的有機(jī)硅烷在有機(jī)溶劑中水解而制備。制備倍半硅氧烷樹(shù)脂的代表性例子可以在US5，075，103中找到，該文獻(xiàn)明確地以引用方式并入本文中。此外，多種合適的(b)有機(jī)硅氧烷樹(shù)脂可以商購(gòu)獲得，并且 要么以固體(薄片或粉末)形式、要么以溶解于有機(jī)溶劑中的形式進(jìn)行銷售。合適的非限制性的市售(b)有機(jī)硅氧烷樹(shù)脂包括:Dow Coming 217薄片樹(shù)脂、233薄片、220薄片、249薄片、255薄片、Z-6018薄片(美國(guó)密歇根州米德蘭市道康寧公司(Dow Corning Company (Midland, MI))。本領(lǐng)域的技術(shù)人員還認(rèn)識(shí)到含有如此高含量的[R2SiOv2]甲硅烷氧基單元和硅烷醇的(b)有機(jī)硅氧烷樹(shù)脂還可以保留水分子，在高濕度條件下尤其是這樣。因此，在將(b)有機(jī)硅氧烷樹(shù)脂用于本發(fā)明的方法之前將其通過(guò)“干燥”以除去樹(shù)脂中存在的過(guò)量的水通常是有益的。這可以通過(guò)將(b)有機(jī)硅氧烷樹(shù)脂溶解在有機(jī)溶劑中、加熱至回流并通過(guò)分離技術(shù)(例如Dean Stark捕集器或等效的方法)除去水而實(shí)現(xiàn)。在一個(gè)實(shí)施例中，所述方法還包括除去(C)有機(jī)溶劑的步驟。在另一個(gè)實(shí)施例中，所述方法包括使有機(jī)硅氧烷嵌段共聚物與含有I至10個(gè)碳原子的醇反應(yīng)以形成烷氧基封端的有機(jī)硅氧烷嵌段共聚物的步驟。在該實(shí)施例中，醇不受具體限制，并且可以包括本領(lǐng)域中已知的任何醇。在一個(gè)實(shí)施例中，醇具有I至10個(gè)碳原子。在另一個(gè)實(shí)施例中，醇進(jìn)一步被定義為丁醇。應(yīng)當(dāng)理解，醇可以具有介于I至10之間的任意碳原子數(shù)，并且可以具有任何結(jié)構(gòu)或其同分異構(gòu)結(jié)構(gòu)。在一個(gè)實(shí)施例中，65至90摩爾％的量的(a)直鏈有機(jī)硅氧烷與10至35摩爾％的量的(b)有機(jī)硅氧烷樹(shù)脂反應(yīng)。在另一個(gè)實(shí)施例中，79至89摩爾％的量的(a)直鏈有機(jī)硅氧烷與11至21摩爾％的量的(b)有機(jī)硅氧烷樹(shù)脂反應(yīng)。在又一個(gè)實(shí)施例中，75至89摩爾％的量的(a)直鏈有機(jī)硅氧烷與15至21摩爾％的量的(b)有機(jī)硅氧烷樹(shù)脂反應(yīng)。當(dāng)然，本發(fā)明不限于這些量或范圍，并且(a)直鏈有機(jī)硅氧烷可以以上述那些范圍和量?jī)?nèi)的任意量或量的范圍(包括整數(shù)和小數(shù)部分)與(b)有機(jī)硅氧烷樹(shù)脂反應(yīng)。還可以設(shè)想，與(b)有機(jī)硅氧烷樹(shù)脂進(jìn)行反應(yīng)的(a)直鏈有機(jī)硅氧烷的量可以與上述量和/或量的范圍相差 ±5%、±10%、±15%、±20%、±25%、±30%等。使上述(a)直鏈有機(jī)硅氧烷與(b)有機(jī)硅氧烷樹(shù)脂反應(yīng)的反應(yīng)條件不受具體限制。多個(gè)非限制性實(shí)施例和反應(yīng)條件在下面的實(shí)例中進(jìn)行描述。在一些實(shí)施例中，(a)直鏈有機(jī)硅氧烷與(b)有機(jī)硅氧烷樹(shù)脂在室溫下反應(yīng)。在其他實(shí)施例中，(a)與(b)在超過(guò)室溫的溫度下反應(yīng)，并且該溫度范圍高達(dá)約35°C、40°C、45°C、50°C，或甚至高達(dá)100°C?；蛘?，(a)與(b)可以一起回流或分別回流。在其他實(shí)施例中，(a)與(b)在低于室溫5°C、10°C或甚至超過(guò)10°C的溫度下反應(yīng)。在其他實(shí)施例中，(a)與(b)的反應(yīng)時(shí)間為1、5、10、
30、60、120或180分鐘，或甚至更長(zhǎng)。通常，(a)與(b)在惰性氣氛(例如氮?dú)饣蛳∮袣怏w)下反應(yīng)。或者，(a)與(b)可以在含有一些水蒸氣和/或氧氣的氣氛下反應(yīng)。此外，(a)與(b)可以在任何尺寸的容器內(nèi)并采用任何設(shè)備(包括混合器、旋渦振蕩器、攪拌器、加熱器等)進(jìn)行反應(yīng)。在其他實(shí)施例中，(a)與(b)在一種或多種有機(jī)溶劑(可以為極性或非極性的)中反應(yīng)。通常，利用諸如甲苯、苯等溶劑。應(yīng)當(dāng)理解，上述反應(yīng)條件不受限制，并且上述或?qū)嵗兴龅姆磻?yīng)條件中的任意一種或多種可以為上述那些范圍和值內(nèi)的任何值或值的范圍(包括整數(shù)和小數(shù)部分)，和/或可以與上述值和/或值的范圍相差±5%、± 10%、±15%、±20%、±25%、±30%等。乙酰氧基化學(xué)過(guò)程關(guān)注:在另一個(gè)實(shí)施例中，所述方法專注于乙酰氧基化學(xué)，并且包括使式為#[#(:(=O) O]^Si(R12SiO272)nSi [O(O = WR1LR1的(d)直鏈有機(jī)硅氧烷與平均單元式為R2x(ORs)ySiO(4_x_y)/2(II，如上所述)的(b)有機(jī)硅氧烷樹(shù)脂在(c)有機(jī)溶劑中反應(yīng)以生成第一反應(yīng)產(chǎn)物的步驟。在該實(shí)施例中，所述方法還包括使第一反應(yīng)產(chǎn)物與式為R5qSiXh的硅烷反應(yīng)以形成有機(jī)硅氧烷嵌段共聚物的步驟，其中R5為C1至C8烴基或C1至C8鹵素取代的烴基，X為可水解基團(tuán)，并且q為0、1或2。在另一個(gè)實(shí)施例中，所述方法包括除去(C)有機(jī)溶劑的步驟。在又一個(gè)實(shí)施例中，所述方法還包括使有機(jī)硅氧烷嵌段共聚物與醇(如上所述)反應(yīng)以形成烷氧基封端的有機(jī)硅氧烷嵌段共聚物的步驟。應(yīng)當(dāng)理解，烴基或鹵素取代的烴基可以具有介于I與8之間的任意碳原子數(shù)，并且所述基團(tuán)不受具體限制。在一個(gè)實(shí)施例中，65至90摩爾％的量的(d)直鏈有機(jī)硅氧烷與10至35摩爾％的量的(b)有機(jī)娃氧燒樹(shù)脂反應(yīng)生成第一反應(yīng)產(chǎn)物。在另一個(gè)實(shí)施例中，79至89摩爾％的量的(d)直鏈有機(jī)娃氧燒與11至21摩爾％的量的(b)有機(jī)娃氧燒樹(shù)脂反應(yīng)生成第一反應(yīng)產(chǎn)物。在又一個(gè)實(shí)施例中，79至85摩爾量的(d)直鏈有機(jī)硅氧烷與15至21摩爾％的量的
(b)有機(jī)硅氧烷樹(shù)脂反應(yīng)生成第一反應(yīng)產(chǎn)物。本發(fā)明不限于這些量或范圍，并且(d)直鏈有機(jī)硅氧烷可以以上述那些范圍和量?jī)?nèi)的任意量或量的范圍(包括整數(shù)和小數(shù)部分)與(b)有機(jī)硅氧烷樹(shù)脂反應(yīng)。還可以設(shè)想，與(b)有機(jī)硅氧烷樹(shù)脂進(jìn)行反應(yīng)的(d)直鏈有機(jī)硅氧燒的量可以與上述量和/或量的范圍相差±5%、±10%、±15%、±20%、±25%、±30%等。
在再一個(gè)實(shí)施例中，90至99.9摩爾％的量的第一反應(yīng)產(chǎn)物與0.1至10摩爾％的量的硅烷反應(yīng)?；蛘撸谝环磻?yīng)產(chǎn)物可以以95至99.5摩爾％、96至98摩爾％、或95至98摩爾%的量與0.5至5摩爾％、2至5摩爾％、或2至4摩爾V0的量的硅烷反應(yīng)。正如上所述，本發(fā)明不限于這些量或范圍，并且第一反應(yīng)產(chǎn)物可以以上述那些范圍和量?jī)?nèi)的任意量或量的范圍(包括整數(shù)和小數(shù)部分)與硅烷反應(yīng)。還可以設(shè)想，與硅烷進(jìn)行反應(yīng)的第一反應(yīng)產(chǎn)物的量可以與上述量和/或量的范圍相差±5%、±10%, ±15%、±20%、±25%、±30% 等。乙酰氧基化學(xué)過(guò)程關(guān)注的反應(yīng)條件可以與上述的那些反應(yīng)條件相同或不同。此夕卜，反應(yīng)條件的多個(gè)非限制性例子在下文的實(shí)例中示出。正如上所述，應(yīng)當(dāng)理解，上述反應(yīng)條件不受限制，并且上述或?qū)嵗兴龅姆磻?yīng)條件中的任意一種或多種可以為上述那些范圍和值內(nèi)的任何值或值的范圍(包括整數(shù)和小數(shù)部分)，和/或以與上述值和/或值的范圍相差 ±5%、±10%、±15%、±20%、±25%、±30%等。電子制品:重新提及制品(10)本身，制品(10)不受具體限制，并且在一個(gè)實(shí)施例中還被定義為光伏電池模塊(34)。在可供選擇的實(shí)施例中，制品(10)還被定義為固態(tài)光源或固態(tài)照明設(shè)備。這些實(shí)施例中的每一個(gè)及其非限制性變型形式將在下文中立即進(jìn)行更詳細(xì)的描述。光伏電池模塊:正如本領(lǐng)域中所知，光伏電池模塊(下文將其稱為“模塊”(34))由于光伏效應(yīng)將光能轉(zhuǎn)變?yōu)殡娔?。更具體地講，模塊(34)執(zhí)行兩項(xiàng)主要功能。第一項(xiàng)功能是在光電半導(dǎo)體
(12)(例如下文將更加詳細(xì)描述的光伏電池(36))中光學(xué)生成載流子(例如電子)和空穴。第二項(xiàng)功能是將載流子導(dǎo)向到導(dǎo)電觸點(diǎn)以輸 送電流。在一個(gè)實(shí)施例中，電子制品(10)還被定義為包括作為光電半導(dǎo)體(12)的光伏電池(36)并且還包括封裝材料(14)的模塊(34)。模塊(34)還可以包括基板(26)、覆板(28)或上述其他組件中的一者或多者。在一個(gè)實(shí)施例中，光伏電池(36)通過(guò)化學(xué)氣相沉積或?yàn)R射設(shè)置在基板(26)上。通常，在該實(shí)施例中，光伏電池(36)與基板(26)之間無(wú)需粘結(jié)層(18)。該實(shí)施例通常被稱為“薄膜”應(yīng)用。在利用濺射或化學(xué)氣相沉積處理技術(shù)將光伏電池(36)設(shè)置在基板(26)上以后，可以將一條或多條電引線(圖中未示出)附接到光伏電池(36)上。然后可以將封裝材料(14)施加在電引線上。光伏電池(36)的厚度通常為50至250微米，更通常地為100至225微米，并且最通常地為175至225微米。光伏電池(36)的長(zhǎng)度和寬度(圖中未示出)通常為100 X IOOcm至200X 200cm。在一個(gè)實(shí)施例中，光伏電池(36)的長(zhǎng)度和寬度各自為125cm。在另一個(gè)實(shí)施例中，光伏電池(36)的長(zhǎng)度和寬度各自為156cm。當(dāng)然，本發(fā)明并不限于這些厚度或其范圍，并且光伏電池(36)的厚度可以為上述那些范圍和值內(nèi)的任何值或值的范圍(包括整數(shù)和小數(shù))。還可以設(shè)想，光伏電池(36)的厚度可以與上述值和/或值的范圍相差±5%、±10%、±15%、±20%、±25%、±30%等。光伏電池(36)可以包括大面積的單晶型單層p-n結(jié)二極管。這些光伏電池(36)通常采用硅片的擴(kuò)散工藝進(jìn)行制備。或者，光伏電池(36)可以包括晶格匹配硅片上的(硅)半導(dǎo)體的薄外延沉積物。在該實(shí)施例中，夕卜延光伏發(fā)電可以分為空間光伏發(fā)電或地面光伏發(fā)電，并且通常具有7至40%的AMO效率。另外，光伏電池(36)可以包括量子阱裝置(例如量子點(diǎn)、量子繩(quantum rope)等)，并且還可以包括碳納米管。無(wú)意于受任何特定理論的限制，據(jù)信，這些類型的光伏電池(36)能夠具有最多至45%的AMO生產(chǎn)效率。光伏電池(36)可以在錠、帶、薄膜和/或硅片中包含非晶硅、單晶硅、多晶硅、微晶硅、納米結(jié)晶二氧化硅、碲化鎘、銅銦/鎵硒化物/硫化物、砷化鎵、聚對(duì)苯乙炔、銅酞菁、碳富勒烯以及它們的組合。光伏電池(36)還可以包含吸光染料，例如釕有機(jī)金屬染料。最通常的情況下，光伏電池(36)包含單晶和多晶硅。還可以設(shè)想，該實(shí)施例中對(duì)于光伏電池
(36)的描述的任何部分還可適用于上述電子制品(10)中的任何一種或多種。本發(fā)明的模塊(34)可以用于任何行業(yè)，包括(但不限于)汽車、小型電子器件、偏遠(yuǎn)地區(qū)的電力系統(tǒng)、衛(wèi)星、空間探測(cè)器、無(wú)線電話、水泵、并網(wǎng)電氣系統(tǒng)、電池、電池充電器、光電化學(xué)應(yīng)用、聚合物太陽(yáng)能電池應(yīng)用、納米晶體太陽(yáng)能電池應(yīng)用以及染料敏化的太陽(yáng)能電池應(yīng)用。在一個(gè)實(shí)施例中，一系列模塊(34)為電氣連接的，并形成光伏陣列(38),如在圖3A和3B中示出。本發(fā)明還提供了光伏陣列(38)本身。光伏陣列(38)包括至少兩個(gè)模塊(34)。光伏陣列(38)通常在屋頂上使用、在農(nóng)村地區(qū)中與備用電池相連使用，以及在DC泵、信號(hào)浮標(biāo)等中使用。本發(fā)明的光伏陣列(38)可以為平面的或非平面的，并且通常用作單個(gè)發(fā)電單元，其中模塊(34)以產(chǎn)生電壓的方式互連。通常模塊(34)為電氣連接的(如上所述)以提供合適的電壓。光伏陣列(38)可以為任何尺寸和形狀，并且可用于任何行業(yè)中。固態(tài)照明設(shè)備:如上文首先介紹的，電子制品(10)或者還可以被定義為固態(tài)光源或固態(tài)照明設(shè)備，例如發(fā)光二極管(LED)。如本領(lǐng)域已知的，LED通常在電子與光電半導(dǎo)體(12)中形成的空穴復(fù)合時(shí)的正向偏壓狀態(tài)下發(fā)光。當(dāng)電子復(fù)合時(shí)，它們?cè)谕ǔ１环Q為電致發(fā)光的過(guò)程中釋放出光子。固態(tài)照明設(shè)備可用于任何應(yīng)用中，包括(但不限于)儀器面板和開(kāi)關(guān)、禮貌燈、轉(zhuǎn)向和停車信號(hào)、家用電器、VCR/DVD/立體聲/聲頻/視頻設(shè)備、玩具/游戲儀表、安全設(shè)備、開(kāi)關(guān)、建筑照明 、標(biāo)牌(信道字母)、機(jī)器視覺(jué)、零售展示用照明、應(yīng)急燈、霓虹燈及燈泡替換件、手電筒、重點(diǎn)照明全彩視頻、單色留言板，交通、鐵路和航空應(yīng)用，移動(dòng)電話、PDA、數(shù)字?jǐn)z像機(jī)、筆記本電腦、醫(yī)療器械、條形碼掃描器、色彩與金錢傳感器、編碼器、光學(xué)開(kāi)關(guān)、光纖通信以及它們的組合。實(shí)魁根據(jù)本發(fā)明形成一系列有機(jī)硅氧烷嵌段共聚物(共聚物)。還形成了一系列比較用共聚物(比較用共聚物)作為對(duì)照例，但這些比較用共聚物不代表本發(fā)明。通用反應(yīng)方案-對(duì)末端為肓鏈硅烷醇的PDMS進(jìn)行肟基封端:形成甲苯和末端為硅烷醇的PDMS的溶液，并且在手套箱內(nèi)在氮?dú)鈿夥障虏捎靡韵路绞绞褂眉谆?丁酮肟基)硅烷(MTO)對(duì)末端為硅烷醇的PDMS進(jìn)行封端:向末端為硅烷醇的PDMS中加入ΜΤ0，然后在室溫下混合2小時(shí)以形成肟基封端的PDMS。通用反應(yīng)方案-對(duì)末端為肓鏈硅烷醇的PDMS進(jìn)行乙酰氧基封端:形成甲苯和末端為硅烷醇的PDMS的溶液，并且在手套箱內(nèi)在氮?dú)鈿夥障虏捎靡韵路绞绞褂脽宜嵫趸逕龑?duì)末端為娃燒醇的PDMS進(jìn)行封端:向末端為娃燒醇的PDMS中加入烷基三乙酰氧基硅烷，然后在室溫下混合2小時(shí)以形成乙酰氧基封端的PDMS。實(shí)例1:使用肟基封端的PDMS形成有機(jī)硅氧烷嵌段共聚物:
在第一實(shí)例中，使用肟基封端的PDMS形成有機(jī)硅氧烷嵌段共聚物，并且該有機(jī)硅氧烷嵌段共聚物具有大約11摩爾％的苯基-T單元(其對(duì)應(yīng)于約20重量％的苯基-T單元)。更具體地講，向IL的三頸圓底燒瓶中裝入苯基倍半硅氧烷水解產(chǎn)物(Dow Corning217薄片，24g,0.175摩爾Si)和甲苯(飛世爾科技公司(Fisher Scientific),80g),形成混合物。燒瓶裝配有溫度計(jì)、特氟隆攪拌槳和預(yù)先填充有甲苯并附接到水冷式冷凝器的DeanStark裝置。然后施加氮?dú)鈱?。使用油浴加熱。將混合物回流加?0min，隨后將其冷卻至100°C。此時(shí)，加入采用上述方法形成的肟基封端的PDMS溶液。更具體地講，使用200g甲苯、96g以硅烷醇為末端的PDMS (GelestDMS-S27，184dp)以及4.46g MTO(得自蓋勒斯特公司(Gelest))形成肟基封端的PDMS。在100°C下，將肟基PDMS迅速加入苯基倍半硅氧烷水解產(chǎn)物中，回流加熱2.5小時(shí)，然后加入正丁醇(12g,飛世爾科技公司(Fisher Scientific))并再回流加熱3小時(shí)。這時(shí),通過(guò)蒸餾將一些揮發(fā)物除去，從而將固體含量增加至約40重量％。隨后，將混合物冷卻至室溫。本文形成的有機(jī)硅氧烷嵌段共聚物為光學(xué)透明且無(wú)色的。然后將有機(jī)硅氧烷嵌段共聚物傾倒在平坦表面上并在室溫下蒸發(fā)溶劑過(guò)夜，從而形成澆注片材。澆注片材看起來(lái)為光學(xué)模糊/渾濁的。本實(shí)例的有機(jī)硅氧烷嵌段共聚物形成后，通過(guò)29Si核磁共振對(duì)其進(jìn)行分析，確認(rèn)其結(jié)構(gòu)為具有 4.19 摩爾 ％ OR3 的(Me2Si02/2)Q.88Q (MeSiOv2) Ciciici(PhSiOv2)anci,其中 R3 如上文所述。實(shí)例2:使用肟基封端的PDMS形成有機(jī)硅氧烷嵌段共聚物:在第二實(shí)例中，使用肟基封端的PDMS形成有機(jī)硅氧烷嵌段共聚物，并且該有機(jī)硅氧烷嵌段共聚物具有大約17摩爾％的苯基-T單元(其對(duì)應(yīng)于約28重量％的苯基-T單元)。更具體地講，向500mL的三頸圓底燒瓶中裝入苯基倍半硅氧烷水解產(chǎn)物(DowCorning217 薄片 ，16.93g, 0.124 摩爾 Si)和甲苯(飛世爾科技公司(Fisher Scientific)，51.4g)，形成混合物。燒瓶裝配有溫度計(jì)、特氟隆攪拌槳和預(yù)先填充有甲苯并附接到水冷式冷凝器的Dean Stark裝置。然后施加氮?dú)鈱印Ｊ褂糜驮〖訜?。將混合物回流加?0min，隨后將其冷卻至100°C。此時(shí)，加入采用上述方法形成的肟基封端的PDMS溶液。更具體地講，使用60g甲苯、43.07g以硅烷醇為末端的PDMS (Gelest DMS-S27，184dp)以及2.0OgMTO (得自蓋勒斯特公司(Gelest))形成肟基封端的PDMS。在100°C下，將肟基PDMS迅速加入苯基倍半硅氧烷水解產(chǎn)物中，回流加熱1.75小時(shí)，然后加入正丁醇(12g,飛世爾科技公司(Fisher Scientific))并再回流加熱3小時(shí)。這時(shí)，通過(guò)蒸餾將一些揮發(fā)物除去，從而將固體含量增加至約40重量％。隨后，將混合物冷卻至室溫。本文形成的有機(jī)硅氧烷嵌段共聚物為光學(xué)透明且無(wú)色的。然后將有機(jī)硅氧烷嵌段共聚物傾倒在平坦表面上并在室溫下蒸發(fā)溶劑過(guò)夜，從而形成澆注片材。澆注片材看起來(lái)也是光學(xué)透明的。本實(shí)例的有機(jī)硅氧烷嵌段共聚物形成后，通過(guò)29Si核磁共振對(duì)其進(jìn)行分析，確認(rèn)其結(jié)構(gòu)為具有 6.89 摩爾 ％ OR3 的(Me2Si02/2) Cl82ci(MeSiO3Z2)acici9(PhSiOv2)am，其中R3如上文所述。實(shí)例3:使 用肟基封端的PDMS形成有機(jī)硅氧烷嵌段共聚物:在第三實(shí)例中，使用肟基封端的PDMS形成有機(jī)硅氧烷嵌段共聚物，并且該有機(jī)硅氧烷嵌段共聚物具有大約21摩爾％的苯基-T單元(其對(duì)應(yīng)于約34重量％的苯基-T單元)。更具體地講，向500mL的三頸圓底燒瓶中裝入苯基倍半硅氧烷水解產(chǎn)物(DowCorning217 薄片，20.4g, 0.149 摩爾 Si)和甲苯(飛世爾科技公司(Fisher Scientific),61.2g)，形成混合物。燒瓶裝配有溫度計(jì)、特氟隆攪拌槳和預(yù)先填充有甲苯并附接到水冷式冷凝器的Dean Stark裝置。然后施加氮?dú)鈱?。使用油浴加熱。將混合物回流加?0min，隨后將其冷卻至100°C。此時(shí)，加入采用上述方法形成的肟基封端的PDMS溶液。更具體地講，使用78.8g甲苯、39.6g以硅烷醇為末端的PDMS (Gelest DMS-S27，184dp)以及1.84gMT0 (得自蓋勒斯特公司(Gelest))形成肟基封端的PDMS。在100°C下，將肟基PDMS迅速加入苯基倍半硅氧烷水解產(chǎn)物中，回流加熱2.5小時(shí)，然后加入正丁醇(6g,飛世爾科技公司(Fisher Scientific))并再回流加熱3小時(shí)。這時(shí)，通過(guò)蒸餾將一些揮發(fā)物除去，從而將固體含量增加至約40重量％。隨后，將混合物冷卻至室溫。本文形成的有機(jī)硅氧烷嵌段共聚物為光學(xué)透明且無(wú)色的。然后將有機(jī)硅氧烷嵌段共聚物傾倒在平坦表面上并在室溫下蒸發(fā)溶劑過(guò)夜，從而形成澆注片材。澆注片材看起來(lái)也是光學(xué)透明的。本實(shí)例的有機(jī)硅氧烷嵌段共聚物形成后，通過(guò)29Si核磁共振對(duì)其進(jìn)行分析，確認(rèn)其結(jié)構(gòu)為具有 7.52 摩爾 ％ OR3 的(Me2Si(V2)a 783 (MeSiOv2)acici9(PhSiOv2)a2ci8,其中R3如上文所述。實(shí)例4:使用肟基封端的PDMS形成有機(jī)硅氧烷嵌段共聚物:在第四實(shí)例中，使用肟基封端的PDMS形成有機(jī)硅氧烷嵌段共聚物，并且該有機(jī)硅氧烷嵌段共聚物具有大約34摩爾％的苯基-T單元(其對(duì)應(yīng)于約48重量％的苯基-T單元)。更具體地講，向IL的三頸圓底燒瓶中裝入苯基倍半硅氧烷水解產(chǎn)物(Dow Corning217薄片，57.6g, 0.420摩爾Si)和甲苯(飛世爾科技公司(Fisher Scientific), 175.0g),形成混合物。燒瓶裝配有溫度計(jì)、特氟隆攪拌槳和預(yù)先填充有甲苯并附接到水冷式冷凝器的Dean Stark裝置 。然后施加氮?dú)鈱?。使用油浴加熱。將混合物回流加?0min，隨后將其冷卻至100°C。此時(shí)，加入采用上述方法形成的肟基封端的PDMS溶液。更具體地講，使用105.0g甲苯、62.4g以硅烷醇為末端的PDMS (Gelest DMS-S21，45dp)以及11.7g MTO(得自蓋勒斯特公司(Gelest))形成肟基封端的PDMS。在100°C下，將肟基PDMS迅速加入苯基倍半硅氧烷水解產(chǎn)物中，回流加熱I小時(shí)，然后加入正丁醇(12.0g,飛世爾科技公司(Fisher Scientific))并再回流加熱3小時(shí)。隨后，將混合物冷卻至室溫。本文形成的有機(jī)硅氧烷嵌段共聚物為光學(xué)透明的。然后將有機(jī)硅氧烷嵌段共聚物傾倒在平坦表面上并在室溫下蒸發(fā)溶劑過(guò)夜，從而形成澆注片材。澆注片材看起來(lái)為光學(xué)透明的。本實(shí)例的有機(jī)硅氧烷嵌段共聚物形成后，通過(guò)29Si核磁共振對(duì)其進(jìn)行分析，確認(rèn)其結(jié)構(gòu)為具有 16.0 摩爾 ％ OR3 的(Me2SiO2Z2)a 633 (MeSiOv2)atl29(PhSiOv2)a 338,其中R3如上文所述。實(shí)例5:使用肟基封端的PDMS形成有機(jī)硅氧烷嵌段共聚物:在第五實(shí)例中，使用肟基封端的PDMS形成有機(jī)硅氧烷嵌段共聚物，并且該有機(jī)硅氧烷嵌段共聚物具有大約18摩爾％的苯基-T單元(其對(duì)應(yīng)于約28重量％的苯基-T單元)。更具體地講，向500mL的三頸圓底燒瓶中裝入苯基倍半硅氧烷水解產(chǎn)物(DowCorning217 薄片，16.8g,0.123 摩爾 Si)和甲苯(飛世爾科技公司(Fisher Scientific)，51.4g)，形成混合物。燒瓶裝配有溫度計(jì)、特氟隆攪拌槳和預(yù)先填充有甲苯并附接到水冷式冷凝器的Dean Stark裝置。然后施加氮?dú)鈱印Ｊ褂糜驮〖訜?。將混合物回流加?0min，隨后將其冷卻至100°C。此時(shí)，加入采用上述方法形成的肟基封端的PDMS溶液。更具體地講，使用60.0g甲苯、43.2g以硅烷醇為末端的PDMS (Gelest DMS-S21，45dp)以及8.1Og MTO(得自蓋勒斯特公司(Gelest))形成肟基封端的PDMS。在100°C下，將肟基PDMS迅速加入苯基倍半硅氧烷水解產(chǎn)物中，回流加熱30分鐘，然后加入正丁醇(6.0g,飛世爾科技公司(Fisher Scientific))并再回流加熱3小時(shí)。這時(shí)，通過(guò)蒸餾將一些揮發(fā)物除去，從而將固體含量增加至約40重量％。隨后，將混合物冷卻至室溫。本文形成的有機(jī)硅氧烷嵌段共聚物為光學(xué)透明的。然后將有機(jī)硅氧烷嵌段共聚物傾倒在平坦表面上并在室溫下蒸發(fā)溶劑過(guò)夜，從而形成澆注片材。澆注片材看起來(lái)為光學(xué)透明的。本實(shí)例的有機(jī)硅氧烷嵌段共聚物具有大約為(Me2Si02/2) ο.82 (PhSiO372) 0.18的結(jié)構(gòu)。實(shí)例6:使用乙酰氧基封端的PDMS形成有機(jī)硅氧烷嵌段共聚物:在第六實(shí)例中，使用肟基封端的PDMS形成有機(jī)硅氧烷嵌段共聚物，并且該有機(jī)硅氧烷嵌段共聚物具有大約17摩爾％的苯基-T單元(其對(duì)應(yīng)于約28重量％的苯基-T單元)。更具體地講，在其他實(shí)例中，向500mL的三頸圓底燒瓶中裝入苯基倍半硅氧烷水解產(chǎn)物(Dow Corning217薄片，16.8g，0.123摩爾Si)和甲苯(飛世爾科技公司(FisherScientific), 60.0g)，形成混合物。燒瓶裝配有溫度計(jì)、特氟隆攪拌槳和預(yù)先填充有甲苯并附接到水冷式冷凝器的Dean Stark裝置。然后施加氮?dú)鈱印Ｊ褂糜驮〖訜?。將混合物回流加?0min，隨后將其冷卻至108°C。此時(shí)，加入采用上述方法形成的乙酰氧基封端的PDMS溶液。更具體地講，使用80.0g甲苯、43.20g以硅烷醇為末端的PDMS (Dow Corning SFD750,184dp)以及1.54g烷基三乙酰氧基硅烷(ETS-900，得自道康寧公司(Dow Corning))形成乙酰氧基封端的PDMS。在108°C下,將乙酰氧基封端的PDMS迅速加入苯基倍半硅氧烷水解產(chǎn)物中，回流加熱2小時(shí)。在這一階段，加入2.5gETS-900,并使混合物回流I小時(shí)。然后加入40mL去離子水，通過(guò)共沸蒸餾除去揮發(fā)物。然后將有機(jī)硅氧烷嵌段共聚物傾倒在平坦表面上并在室溫下蒸發(fā)溶劑過(guò)夜，從而形成澆注片材。澆注片材看起來(lái)為光學(xué)透明的。本實(shí)例的有機(jī)娃氧燒嵌段共聚物具有大約為(Me2Si02/2) ο.82 (PhSiO372) 0.17的結(jié)構(gòu)。

比較例比較例1:6摩爾％ (10重量％ )的苯某-T單元:在第一比較例中，使用肟基封端的PDMS形成有機(jī)硅氧烷嵌段共聚物，并且該有機(jī)硅氧烷嵌段共聚物具有大約6摩爾％的苯基-T單元(其對(duì)應(yīng)于約10重量％的苯基-T單元)。更具體地講，向IL的三頸圓底燒瓶中裝入苯基倍半硅氧烷水解產(chǎn)物(Dow Corning217薄片，12g, 0.0876摩爾Si)和甲苯(飛世爾科技公司(Fisher Scientif ic), 280g),形成混合物。燒瓶裝配有溫度計(jì)、特氟隆攪拌槳和預(yù)先填充有甲苯并附接到水冷式冷凝器的DeanStark裝置。然后施加氮?dú)鈱印Ｊ褂糜驮〖訜?。將混合物回流加?0min，隨后將其冷卻至100°C。此時(shí)，加入采用上述方法形成的肟基封端的PDMS溶液。更具體地講，使用200g甲苯、108g以硅烷醇為末端的PDMS (GelestDMS-S27，184dp)以及5g MTO(得自蓋勒斯特公司(Gelest))形成肟基封端的PDMS。在100°C下，將肟基PDMS迅速加入苯基倍半硅氧烷水解產(chǎn)物中，回流加熱3.5小時(shí)，然后加入正丁醇(12g，飛世爾科技公司(Fisher Scientific))并再回流加熱3小時(shí)，隨后將其冷卻至室溫。本文形成的有機(jī)硅氧烷嵌段共聚物為光學(xué)透明且無(wú)色的。然后將有機(jī)硅氧烷嵌段共聚物傾倒在平坦表面上并在室溫下蒸發(fā)溶劑過(guò)夜，從而形成澆注片材。澆注片材看起來(lái)為光學(xué)模糊/渾濁的。本實(shí)例的有機(jī)硅氧烷嵌段共聚物形成后，通過(guò)29Si核磁共振對(duì)其進(jìn)行分析，確認(rèn)其結(jié)構(gòu)為具有0.49摩爾％ OR3的(Me2Si(V2)a 945 (PhSiOv2)aci44，其中R3如上文所述。
比較例2:41摩爾％ (55重量％ )的苯某-T單元:在另一個(gè)比較例中，使用肟基封端的PDMS形成有機(jī)硅氧烷嵌段共聚物，并且該有機(jī)硅氧烷嵌段共聚物具有大約41摩爾％的苯基-T單元(其對(duì)應(yīng)于約55重量％的苯基-T單元)。更具體地講，向500mL的三頸圓底燒瓶中加入苯基倍半硅氧烷水解產(chǎn)物(DowCorning217 薄片，33.0g, 0.241 摩爾 Si)和甲苯(飛世爾科技公司(Fisher Scientific),70.0g)，形成混合物。燒瓶裝配有溫度計(jì)、特氟隆攪拌槳和預(yù)先填充有甲苯并附接到水冷式冷凝器的Dean Stark裝置。然后施加氮?dú)鈱?。使用油浴加熱。將混合物回流加?0min，隨后將其冷卻至100°C。此時(shí)，加入采用上述方法形成的肟基封端的PDMS溶液。更具體地講，使用70.0g甲苯、27.0g以硅烷醇為末端的PDMS (Gelest DMS-S27，184dp)以及1.25gMT0 (得自蓋勒斯特公司(Gelest))形成肟基封端的PDMS。在100°C下，將肟基PDMS迅速加入苯基倍半硅氧烷水解產(chǎn)物中，回流加熱5小時(shí)，然后加入正丁醇(6g,飛世爾科技公司(Fisher Scientific))并再回流加熱3小時(shí)。這時(shí)，通過(guò)蒸餾將一些揮發(fā)物除去，從而將固體含量增加至約40重量％。隨后，將混合物冷卻至室溫。本文形成的有機(jī)硅氧烷嵌段共聚物呈近藍(lán)色。然后將有機(jī)硅氧烷嵌段共聚物傾倒在平坦表面上并在室溫下蒸發(fā)溶劑過(guò)夜,從而形成澆注片材。澆注片材看起來(lái)為模糊/渾濁的。本實(shí)例的有機(jī)硅氧烷嵌段共聚物形成后，通過(guò)29Si核磁共振對(duì)其進(jìn)行分析，確認(rèn)其結(jié)構(gòu)為具有 16.3 摩爾％ OR3 的(Me2Si(V2)ci 583 (MeSiOv2)acici7(PhSiOv2)a4ici，其中 R3 如上文所述。比較例3:64摩爾％ (75重量％ )的苯某-T單元:在又一個(gè)比較例中，使用肟基封端的PDMS形成有機(jī)硅氧烷嵌段共聚物，并且該有機(jī)硅氧烷嵌段共聚物具有大約64摩爾％的苯基-T單元(其對(duì)應(yīng)于約75重量％的苯基-T單元)。更具體地講，向500mL的三頸圓底燒瓶中裝入苯基倍半硅氧烷水解產(chǎn)物(DowCorning217 薄片,45.0g,0.328 摩爾 Si)和甲苯(飛世爾科技公司(Fisher Scientific),100.0g)，形成混合物。燒瓶裝配有溫度計(jì)、特氟隆攪拌槳和預(yù)先填充有甲苯并附接到水冷式冷凝器的Dean Stark裝置。然后施加氮?dú)鈱?。使用油浴加熱。將混合物回流加?0min，隨后將其冷卻至100°C。此時(shí)，加入采用上述方法形成的肟基封端的PDMS溶液。更具體地講，使用40.0g甲苯、15.0g以硅烷醇為末端的PDMS (Gelest DMS-S27，184dp)以及0.697gMT0 (得自蓋勒斯特公司(Gelest))形成肟基封端的PDMS。在100°C下，將肟基PDMS迅速加入苯基倍半硅氧烷水解產(chǎn)物中，然后回流加熱
5.25小時(shí)。這時(shí)，通過(guò)蒸餾將一些揮發(fā)物除去，從而將固體含量增加至約40重量％。隨后，將混合物冷卻至室溫。本文形成的有機(jī)硅氧烷嵌段共聚物為模糊/渾濁的。然后將有機(jī)硅氧烷嵌段共聚物傾倒在平坦表面上并在室溫下蒸發(fā)溶劑過(guò)夜，從而形成澆注片材。澆注片材是易碎的，并且看起來(lái)呈輕微模糊/渾濁狀。本實(shí)例的有機(jī)硅氧烷嵌段共聚物形成后，通過(guò)29Si核磁共振對(duì)其進(jìn)行分析，確認(rèn)其結(jié)構(gòu)為具有25.8摩爾％ OR3的(Me2Si02/2)a 353 (PhMeSi(V2)aciCl3(MeSiOv2) Wtl4(PhSiOv2)a64tl,其中 R3 如上文所述。比較例4 ;在共聚物形成后不再加入額外的烷基三乙酰氧基硅烷交聯(lián)劑:在再一個(gè)比較例中，向500mL的三頸圓底燒瓶中裝入苯基倍半硅氧烷水解產(chǎn)物(Dow Corning217薄片，16.8g，0.123摩爾Si)和甲苯(飛世爾科技公司(FisherScientific), 60.0g)，形成混合物。燒瓶裝配有溫度計(jì)、特氟隆攪拌槳和預(yù)先填充有甲苯并附接到水冷式冷凝器的Dean Stark裝置。然后施加氮?dú)鈱印Ｊ褂糜驮〖訜?。將混合物回流加熱I小時(shí)，隨后將其冷卻至108°C。此時(shí)，加入采用上述方法形成的乙酰氧基封端的PDMS溶液。更具體地講，使用80.0g甲苯、43.20g以硅烷醇為末端的PDMS (Dow Corning SFD750,184dp)以及1.54g烷基三乙酰氧基硅烷(ETS-900，得自道康寧公司(Dow Corning))形成乙酰氧基封端的PDMS。在100°C下,將乙酰氧基封端的PDMS迅速加入苯基倍半硅氧烷水解產(chǎn)物中，然后回流加熱總共11個(gè)小時(shí)。要注意的是，本比較例不包括加入ETS-900以及隨后回流的步驟。然后將有機(jī)硅氧烷嵌段共聚物傾倒在平坦表面上并在室溫下蒸發(fā)溶劑過(guò)夜，從而形成澆注片材。澆注片材看起來(lái)不透明。本實(shí)例的有機(jī)硅氧烷嵌段共聚物具有大約為(Me2Si02/2)a82(PhSi03/2)ai7(28重量％的苯基-T)的結(jié)構(gòu)。比較例5:Κ0Η增稠?yè)恍g(shù):在還有一個(gè)比較例中，向500mL的三頸圓底燒瓶中裝入苯基倍半硅氧烷水解產(chǎn)物(Dow Corning217 薄片，16.8g, 0.123 摩爾 Si)、184dp 以硅烷醇為末端的 PDMS (45.0g, 0.606摩爾Si)和甲苯(189.6g)。燒瓶裝配有溫度計(jì)、特氟隆攪拌槳和預(yù)先填充有甲苯并附接到水冷式冷凝器的Dean Stark裝置。然后在室溫下一邊攪拌一邊加入45.7重量％氫氧化鉀(0.553g)的水溶液，形成反應(yīng)混合物。將反應(yīng)混合物回流加熱總共7.5小時(shí)，然后用干冰中和，并通過(guò)1.2 μ m過(guò)濾器進(jìn)行過(guò)濾。低溶劑產(chǎn)物為模糊/渾濁的粘滯液體，如通過(guò)29Si核磁共振所確認(rèn)，其組成為采用KOH增稠的(Me2SiCV2)a82(PhSiOv2)ai8^重量％的苯基-T，R/L 比為 4/1)。比較例6 ;氯硅烷共聚技術(shù):在另一個(gè)比較例中，向2L的三頸圓底燒瓶中裝入184dp以硅烷醇為末端的PDMS(500.0g，6.74摩爾Si)和甲苯(519.0g，1.42摩爾)。燒瓶裝配有溫度計(jì)、特氟隆攪拌槳和預(yù)先填充有甲苯并附接到水冷式冷凝器的Dean Stark裝置。將苯基三氯硅烷(300.0g)迅速加入到以硅烷醇為末端的PDMS和甲苯中。隨后，向12L的三頸圓底燒瓶中裝入去離子水(1766.6g)和甲苯(1211.0g)。該燒瓶也裝配有溫度計(jì)、特氟隆攪拌槳和水冷式冷凝器。將苯基三氯硅烷、以硅烷醇為末端的PDMS和甲苯的混合物加入到去離子水和甲苯中，同時(shí)充分混合約25分鐘，然后將整個(gè)混合物轉(zhuǎn)移至6L的分液漏斗中。然后移除水相，并使用1200mL去離子水的等分試樣清洗有機(jī)相4次。然后將有機(jī)相轉(zhuǎn)移回圓底燒瓶中并加熱至回流。通過(guò)共沸蒸餾除去殘余的水。然后使用旋轉(zhuǎn)蒸發(fā)器在150°C的油浴溫度和約Imm Hg的真空下除去溶劑。產(chǎn)物為乳白色液體，其在25°C下測(cè)得的粘度為約8400cP，并且其組成對(duì)應(yīng)于(Me2SiO272) 0.82 (PhSiO372 ) 0.18 ( 28 重量％苯基-T，R/L 比為 4/1)。比較例7:乙氣某封端的PDMS摶術(shù):在又一個(gè)比較例中，形成了三乙氧基封端的PDMS。更具體地講，向500mL的三頸圓底燒瓶中裝入以硅烷醇為末端的184dp PDMS (Gelest DMS-S27，175.0g，2.36摩爾Si)、四乙氧基硅烷(TEOS) (Gelest，53.5g，0.257摩爾)和乙酸鉀(飛世爾科技公司(FisherScientific)，0.229g)。燒瓶裝配有溫度計(jì)、特氟隆攪拌槳和預(yù)先填充有甲苯并附接到水冷式冷凝器的Dean Stark裝置。然后施加氮?dú)鈱?。使用油浴加熱。然后?50°C下將以硅烷醇為末端的184dp PDMS、四乙氧基硅烷和乙酸鉀的混合物加熱20小時(shí)。此時(shí)，29Si核磁共振表明約44%的SiOH基團(tuán)仍未反應(yīng)。因此，加入額外的乙酸鉀(0.916g)，并將混合物在150°C下再加熱33小時(shí)。隨后，使混合物壓濾通過(guò)1.2μπι過(guò)濾器，并采用旋轉(zhuǎn)蒸發(fā)儀在100°C的油浴和真空下將其汽提至干燥。29Si核磁共振表明不存在SiOH基團(tuán)，并且不存在TEOS。然后，使前一步中形成的三乙氧基封端的PDMS與苯基倍半硅氧烷水解產(chǎn)物反應(yīng)。更具體地講，向500mL的三頸圓底燒瓶中裝入苯基倍半硅氧烷水解產(chǎn)物(Dow Corning217薄片，16.8g,0.123摩爾Si)和甲苯(飛世爾科技公司(Fisher Scientific),60.0g)。燒瓶裝配有溫度計(jì)、特氟隆攪拌槳和預(yù)先填充有甲苯并附接到水冷式冷凝器的Dean Stark裝置。然后施加氮?dú)鈱?。使用油浴加熱。將混合物回流加?0分鐘。隨后，將混合物冷卻至100°C，并加入三乙氧基封端的PDMS溶液(43.2g)和甲苯(80.0g)?；旌衔镒?yōu)椴煌该?，并再加入甲?44.1g)以使混合物轉(zhuǎn)變?yōu)橥该鳌Ｈ缓蠹尤?.22g四正丁氧基鈦酸酯(DuPontTyzor TnBT)，混合物恢復(fù)為不透明顏色。再加入甲苯(52.8g)，然后使混合物回流總共15個(gè)小時(shí)。形成后，將混合物傾倒在平坦表面上并在室溫下蒸發(fā)溶劑過(guò)夜，從而形成澆注片材。澆注片材看起來(lái)不透明。比較例8 ;使用肟 基封端的PDMS形成有機(jī)硅氧烷嵌段共聚物:在第八比較例中，使用肟基封端的PDMS形成有機(jī)硅氧烷嵌段共聚物，并且該有機(jī)硅氧烷嵌段共聚物具有大約30摩爾％的苯基-T單元(其對(duì)應(yīng)于約44重量％的苯基-T單元)。更具體地講，向500mL的三頸圓底燒瓶中裝入苯基倍半硅氧烷水解產(chǎn)物(DowCorning217 薄片，26.4g, 0.193 摩爾 Si)和甲苯(飛世爾科技公司(Fisher Scientific),80.0g)，形成混合物。燒瓶裝配有溫度計(jì)、特氟隆攪拌槳和預(yù)先填充有甲苯并附接到水冷式冷凝器的Dean Stark裝置。然后施加氮?dú)鈱?。使用油浴加熱。將混合物回流加?0min，隨后將其冷卻至100°C。此時(shí)，加入采用上述方法形成的肟基封端的PDMS溶液。更具體地講，使用60.0g甲苯、33.6g以硅烷醇為末端的PDMS (Gelest DMS-S27，184dp)以及1.56gMT0 (得自蓋勒斯特公司(Gelest))形成肟基封端的PDMS。在100°C下，將肟基PDMS迅速加入苯基倍半硅氧烷水解產(chǎn)物中，回流加熱3小時(shí)，然后加入正丁醇(6g,飛世爾科技公司(Fisher Scientific))并再回流加熱3小時(shí)。這時(shí)，通過(guò)蒸餾將一些揮發(fā)物除去，從而將固體含量增加至約40重量％。隨后，將混合物冷卻至室溫。本文形成的有機(jī)硅氧烷嵌段共聚物為光學(xué)透明且無(wú)色的。然后將有機(jī)硅氧烷嵌段共聚物傾倒在平坦表面上并在室溫下蒸發(fā)溶劑過(guò)夜，從而形成澆注片材。澆注片材看起來(lái)略為模糊/渾濁。本實(shí)例的有機(jī)硅氧烷嵌段共聚物形成后，通過(guò)29Si核磁共振對(duì)其進(jìn)行分析，確認(rèn)其結(jié)構(gòu)為具有 10.5 摩爾％ OR3 的(Me2Si(V2)a 695 (MeSiOv2)acici8(PhSiOv2)a 297，其中 R3 如上文所述。比較例9:使用肟基封端的PDMS形成有機(jī)硅氧烷嵌段共聚物:在第九比較例中，使用肟基封端的PDMS形成有機(jī)硅氧烷嵌段共聚物，并且該有機(jī)硅氧烷嵌段共聚物具有大約10摩爾％的苯基-T單元(其對(duì)應(yīng)于約15重量％的苯基-T單元)。更具體地講，向500mL的三頸圓底燒瓶中裝入苯基倍半硅氧烷水解產(chǎn)物(DowCorning217 薄片，9.00g, 0.0657 摩爾 Si)和甲苯(飛世爾科技公司(Fisher Scientific)，60.0g)，形成混合物。燒瓶裝配有溫度計(jì)、特氟隆攪拌槳和預(yù)先填充有甲苯并附接到水冷式冷凝器的Dean Stark裝置。然后施加氮?dú)鈱?。使用油浴加熱?br> 將混合物回流加熱30min，隨后將其冷卻至100°C。此時(shí)，加入采用上述方法形成的肟基封端的PDMS溶液。更具體地講，使用80.0g甲苯、51.0g以硅烷醇為末端的PDMS (DowCorning3-0213,400dp)以及1.09gMT0(得自蓋勒斯特公司(Gelest))形成廂基封端的PDMS。在100°C下，將肟基PDMS迅速加入苯基倍半硅氧烷水解產(chǎn)物中，回流加熱6小時(shí)，然后加入正丁醇(6g,飛世爾科技公司(Fisher Scientific))并再回流加熱I小時(shí)。這時(shí)，通過(guò)蒸餾將一些揮發(fā)物除去，從而將固體含量增加至約40重量％。隨后，將混合物冷卻至室溫。本文形成的有機(jī)硅氧烷嵌段共聚物為透明的。然后將有機(jī)硅氧烷嵌段共聚物傾倒在平坦表面上并在室溫下蒸發(fā)溶劑過(guò)夜，從而形成澆注片材。澆注片材看起來(lái)不透明。本實(shí)例的有機(jī)硅氧烷嵌段共聚物形成后，通過(guò)29Si核磁共振對(duì)其進(jìn)行分析，確認(rèn)其結(jié)構(gòu)為具有
1.78 摩爾％ OR3 的(Me2Si(V2)a 899 (MeSiOv2)acici5(PhSiOv2)aci96，其中 R3 如上文所述。比較例10:使用肟基封端的PDMS形成有機(jī)硅氧烷嵌段共聚物:在第十比較例中，使用肟基封端的PDMS形成有機(jī)硅氧烷嵌段共聚物，并且該有機(jī)硅氧烷嵌段共聚物具有大約 18摩爾％的苯基-T單元(其對(duì)應(yīng)于約28重量％的苯基-T單元)。更具體地講，向500mL的三頸圓底燒瓶中裝入苯基倍半硅氧烷水解產(chǎn)物(DowCorning217 薄片，16.93g, 0.124摩爾 Si)和甲苯(飛世爾科技公司(Fisher Scientific)，80.0g)，形成混合物。燒瓶裝配有溫度計(jì)、特氟隆攪拌槳和預(yù)先填充有甲苯并附接到水冷式冷凝器的Dean Stark裝置。然后施加氮?dú)鈱?。使用油浴加熱。將混合物回流加?0min，隨后將其冷卻至100°C。此時(shí)，加入采用上述方法形成的肟基封端的PDMS溶液。更具體地講，使用60.0g甲苯、43.07g以硅烷醇為末端的PDMS (DowCorning3-0213,400dp)以及0.918g MTO(得自蓋勒斯特公司(Gelest))形成肟基封端的PDMS。在100°C下，將肟基PDMS迅速加入苯基倍半硅氧烷水解產(chǎn)物中，回流加熱6小時(shí)，然后加入正丁醇(6g,飛世爾科技公司(Fisher Scientific))并再回流加熱3小時(shí)。這時(shí)，通過(guò)蒸餾將一些揮發(fā)物除去，從而將固體含量增加至約40重量％。隨后，將混合物冷卻至室溫。本文形成的有機(jī)硅氧烷嵌段共聚物為模糊/渾濁的。然后將有機(jī)硅氧烷嵌段共聚物傾倒在平坦表面上并在室溫下蒸發(fā)溶劑過(guò)夜，從而形成澆注片材。澆注片材看起來(lái)不透明。本實(shí)例的有機(jī)硅氧烷嵌段共聚物形成后，采用29Si核磁共振對(duì)其進(jìn)行分析，確認(rèn)其結(jié)構(gòu)為具有 5.49 摩爾 ％ OR3 的(Me2Si(V2)ci814(MeSiOv2)acici4(PhSiOv2)ai82，其中 R3 如上文所述。評(píng)價(jià)澆注片材的光學(xué)透明度:對(duì)實(shí)例1-3與比較例1-3和8的澆注片材進(jìn)行評(píng)估，確定光學(xué)透明度。更具體地講，測(cè)量波長(zhǎng)為約350至1000納米的光透過(guò)Imm厚樣品的透射率％。透射率％的值在下面示出。圖5從左到右分別示出了比較例1、實(shí)例1-3、比較例8、比較例2和比較例3的澆注片材的圖片。此外，圖6為比較例1、2和8以及實(shí)例1-3的澆注片材的透射率％對(duì)波長(zhǎng)的關(guān)系的光譜圖；圖5和6中示出的數(shù)據(jù)表明，本發(fā)明的特定重量百分比的直鏈二有機(jī)硅氧烷單元和特定重量百分比的非直鏈硅氧烷單元制備出的澆注片材對(duì)在寬光譜內(nèi)的光具有高的難以置信的透射率百分比。這些圖中示出的數(shù)據(jù)還表明，某些重量百分比的直鏈二有機(jī)硅氧烷單元和特定重量百分比的非直鏈硅氧烷單元(如比較例所示的那些)未產(chǎn)生此類結(jié)果。評(píng)價(jià)澆注片材的物理特性:還分別依據(jù)么5了] 方法0412、0412、02240、0624和0542對(duì)實(shí)例1_3和6以及比較例1、2、4、8、9和10的澆注片材進(jìn)行評(píng)估，確定拉伸強(qiáng)度、伸長(zhǎng)率、肖氏硬度A、撕裂強(qiáng)度(直角形(Die C))和折射率這些物理特性。將這些實(shí)例的澆注片材各自在約160°C的溫度下固化約3小時(shí)。這些評(píng)價(jià)的結(jié)果在下表中示出:
權(quán)利要求
1.一種有機(jī)娃氧燒嵌段共聚物,包含: A.65至90摩爾％的式為R12SiO2Z2 (I)的二有機(jī)硅氧烷單元，其中所述二有機(jī)硅氧烷單元以直鏈嵌段排布，每個(gè)所述直鏈嵌段具有平均10至400個(gè)二有機(jī)硅氧烷單元；以及 B.10至35摩爾％的平均式為R2x (OR3) ySiO(4_x_y)/2 (II)的硅氧烷單元，其中所述硅氧烷單元以非直鏈嵌段排布，每個(gè)所述非直鏈嵌段具有至少2個(gè)硅氧烷單元，0.5 < X < 1.5，并且O彡y彡I ; 其中每個(gè)R1獨(dú)立地為C1至Cltl烴基，每個(gè)R2獨(dú)立地為芳基或C4至Cltl烴基，至少50摩爾％的R2為芳基，每個(gè)R3獨(dú)立地為R1或H ;并且 其中所述有機(jī)硅氧烷嵌段共聚物的透光率為至少95%。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)硅氧烷嵌段共聚物，其中所述式為R12SiOy2(I)的二有機(jī)硅氧烷單元以79至89摩爾0A的量存在。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的有機(jī)硅氧烷嵌段共聚物，其中所述平均式為R2x(0R3)ySiO(4_x_y)/2(II)的硅氧烷單元以11至21摩爾％的量存在。
4.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的有機(jī)硅氧烷嵌段共聚物，其中所述直鏈嵌段具有平均50至400個(gè)二有機(jī)硅氧烷單元每個(gè)直連嵌段。
5.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項(xiàng)所述的有機(jī)硅氧烷嵌段共聚物，其中0.8 < X < 1.2并且O彡y彡0.2。
6.根據(jù)權(quán)利要求1至5中任一項(xiàng)所述的有機(jī)硅氧烷嵌段共聚物，其中R1為甲基，每個(gè)R2為芳基，并且每個(gè)R3為H。
7.根據(jù)權(quán)利要求1至6中任一項(xiàng)所述的有機(jī)硅氧烷嵌段共聚物，基本上由所述式為R12SiO272 (I)的二有機(jī)硅氧烷單元和平均式為R2x(0R3)ySi0(4_x_y)/2(II)的硅氧烷單元組成。
8.根據(jù)權(quán)利要求1至7中任一項(xiàng)所述的有機(jī)硅氧烷嵌段共聚物的固化產(chǎn)物。
9.一種形成有機(jī)硅氧烷嵌段共聚物的方法，所述有機(jī)硅氧烷嵌段共聚物包含65至90摩爾％的式為R12SiC^2 (I)的二有機(jī)硅氧烷單元，其中所述二有機(jī)硅氧烷單元以直鏈嵌段排布，每個(gè)所述直鏈嵌段具有平均10至400個(gè)二有機(jī)硅氧烷單元以及10至35摩爾％的平均式為R2x (OR3)ySiO(4_x_y)/2 (II)的硅氧烷單元，其中所述硅氧烷單元以非直鏈嵌段排布，每個(gè)所述非直鏈嵌段具有至少2個(gè)硅氧烷單元，其中0.5 < X < 1.5，O < y < I，每個(gè)R1獨(dú)立地為C1至Cltl烴基，每個(gè)R2獨(dú)立地為芳基或C4至Cltl烴基，至少50摩爾％的R2為芳基，每個(gè)R3獨(dú)立地為R1或H，并且其中所述有機(jī)硅氧烷嵌段共聚物的測(cè)得的透光率為至少95%，所述方法包括使(a)式為R1 (Z = N-0)20Si (R12SiO272)nSi (0-N = Z) J1(III)的直鏈有機(jī)硅氧烷；與 (b)平均單元式為R2x(0R3)ySi0(4_x_y)/2(II)的有機(jī)硅氧烷樹(shù)脂，在 (c)有機(jī)溶劑中反應(yīng)以形成所述有機(jī)硅氧烷嵌段共聚物的步驟，其中Z為=CR12或=CR4，其中R4為亞烴基，并且η的平均值為100至400。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中所述(a)直鏈有機(jī)硅氧烷以65至90摩爾％的量與10至35摩爾％的量的所述(b)有機(jī)硅氧烷樹(shù)脂進(jìn)行反應(yīng)。
11.根據(jù)權(quán)利要求9至10中任一項(xiàng)所述的方法，其中所述(a)直鏈有機(jī)硅氧烷以79至89摩爾％的量與11至21摩爾％的量的所述(b)進(jìn)行反應(yīng)。
12.根據(jù)權(quán)利要求9至11中任一項(xiàng)所述的方法，還包括除去所述有機(jī)溶劑的步驟。
13.根據(jù)權(quán)利要求9至12中任一項(xiàng)所述的方法，其中所述有機(jī)硅氧烷嵌段共聚物為片材。
14.根據(jù)權(quán)利要求9至13中任一項(xiàng)所述的方法，還包括使所述有機(jī)硅氧烷嵌段共聚物與具有I至10個(gè)碳原子的醇反應(yīng)以形成烷氧基封端的有機(jī)硅氧烷嵌段共聚物的步驟。
15.根據(jù)權(quán)利要求9至14中任一項(xiàng)所述的方法形成的有機(jī)聚硅氧烷嵌段共聚物。
16.—種形成有機(jī)娃氧燒嵌段共聚物的方法,所述有機(jī)娃氧燒嵌段共聚物包含65至90摩爾％的式為R12SiC^2 (I)的二有機(jī)硅氧烷單元，其中所述二有機(jī)硅氧烷單元以直鏈嵌段排布，每個(gè)所述直鏈嵌段具有平均10至400個(gè)二有機(jī)硅氧烷單元以及10至35摩爾％的平均式為R2x (OR3)ySiO(4_x_y)/2 (II)的硅氧烷單元，其中所述硅氧烷單元以非直鏈嵌段排布，每個(gè)所述非直鏈嵌段具有至少2個(gè)硅氧烷單元，其中0.5 < X < 1.5，O < y < I，每個(gè)R1獨(dú)立地為C1至Cltl烴基，每個(gè)R2獨(dú)立地為芳基或C4至Cltl烴基，至少50摩爾％的R2為芳基，每個(gè)R3獨(dú)立地為R1或H，并且其中所述有機(jī)硅氧烷嵌段共聚物的測(cè)得的透光率為至少95%，所述方法包括以下步驟: 使⑷式為 R1 [R1C( = 0)0]20Si (R12SiO272)nSi
的直鏈有機(jī)硅氧烷與(b)平均單元式為R2x(0R3)ySi0(4_x_y)/2(II)的有機(jī)硅氧烷樹(shù)脂在(c)有機(jī)溶劑中反應(yīng)以生成第一反應(yīng)產(chǎn)物；以及 使所述第一反應(yīng)產(chǎn)物與式為R5qSiX4-,的硅烷反應(yīng)以形成所述有機(jī)硅氧烷嵌段共聚物，其中R5為C1至C8烴基或C1至C8鹵素取代的烴基，X為可水解基團(tuán)，并且q為O、I或2。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，其中所述(d)直鏈有機(jī)硅氧烷以65至90摩爾％的量與10至35摩爾％的量的所述(b)有機(jī)硅氧烷樹(shù)脂反應(yīng)生成所述第一反應(yīng)產(chǎn)物。
18.根據(jù)權(quán)利要求16或17中任一項(xiàng)所述的方法，其中所述第一反應(yīng)產(chǎn)物以90至99.9摩爾％的量與0.1至10摩爾 ％的量的所述娃燒進(jìn)行反應(yīng)。
19.根據(jù)權(quán)利要求16至18中任一項(xiàng)所述的方法，還包括除去所述(c)有機(jī)溶劑的步驟。
20.根據(jù)權(quán)利要求16至19中任一項(xiàng)所述的方法，其中所述有機(jī)硅氧烷嵌段共聚物為片材。
21.根據(jù)權(quán)利要求16至20中任一項(xiàng)所述的方法，還包括使所述有機(jī)硅氧烷嵌段共聚物與具有I至10個(gè)碳原子的醇反應(yīng)以形成烷氧基封端的有機(jī)硅氧烷嵌段共聚物的步驟。
22.根據(jù)權(quán)利要求16至21中任一項(xiàng)所述的方法形成的有機(jī)聚硅氧烷嵌段共聚物。
23.一種電子制品，包括: A.光電半導(dǎo)體；以及 B.封裝材料，其設(shè)置在所述光電半導(dǎo)體上并包含有機(jī)硅氧烷嵌段共聚物，所述有機(jī)硅氧烷嵌段共聚物包含: (1)65至89摩爾％的式為R12SiO2Z2⑴的二有機(jī)硅氧烷單元，其中所述二有機(jī)硅氧烷單元以直鏈嵌段排布，每個(gè)所述直鏈嵌段具有平均10至400個(gè)二有機(jī)硅氧烷單元，和 (2)10至35摩爾％的平均式為R2x (OR3) ySiO(4_x_y)/2 (II)的硅氧烷單元，其中所述硅氧烷單元以非直鏈嵌段排布，每個(gè)所述非直鏈嵌段具有至少2個(gè)硅氧烷單元，0.5 < X < 1.5，并且O彡y彡1， 其中每個(gè)R1獨(dú)立地為C1至Cltl烴基，每個(gè)R2獨(dú)立地為芳基或C4至Cltl烴基，至少50摩爾％的R2為芳基，每個(gè)R3獨(dú)立地為R1或H ;并且 其中所述有機(jī)硅氧烷嵌段共聚物的透光率為至少95%。
24.根據(jù)權(quán)利要求23所述的電子制品，其中所述封裝材料為固化的。
25.根據(jù)權(quán)利 要求23或24中任一項(xiàng)所述的電子制品，還包括基板。
26.根據(jù)權(quán)利要求25所述的電子制品，其中所述基板包括根據(jù)權(quán)利要求23所述的有機(jī)硅氧烷嵌段共聚物。
27.根據(jù)權(quán)利要求25所述的電子制品，其中所述光電半導(dǎo)體直接設(shè)置在所述基板上，并且所述封裝材料設(shè)置在所述光電半導(dǎo)體上并將所述光電半導(dǎo)體包封住。
28.根據(jù)權(quán)利要求23至27中任一項(xiàng)所述的電子制品，還被定義為光伏電池模塊。
29.根據(jù)權(quán)利要求23至28中任一項(xiàng)所述的電子制品，還被定義為包括兩個(gè)或更多個(gè)光伏電池模塊的光伏陣列。
30.根據(jù)權(quán)利要求23至27中任一項(xiàng)所述的電子制品，還被定義為發(fā)光二極管。
31.一種制備根據(jù)權(quán)利要求23至30中任一項(xiàng)所述的電子制品的方法。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)了一種有機(jī)硅氧烷嵌段共聚物，其包含65至90摩爾％的式為R12SiO2/2(I)的二有機(jī)硅氧烷單元。這些二有機(jī)硅氧烷單元以直鏈嵌段排布，每個(gè)所述直鏈嵌段具有平均10至400個(gè)二有機(jī)硅氧烷單元。所述有機(jī)硅氧烷嵌段共聚物還包含10至35摩爾％的平均式為R2x(OR3)ySiO(4-x-y)/2(II)的硅氧烷單元。所述硅氧烷單元以非直鏈嵌段排布，每個(gè)所述非直鏈嵌段具有至少2個(gè)硅氧烷單元，其中0.5≤x≤1.5并且0≤y≤1。此外，每個(gè)R1獨(dú)立地為C1至C10烴基，每個(gè)R2獨(dú)立地為芳基或C4至C10烴基，至少50摩爾％的R2為芳基，并且每個(gè)R3獨(dú)立地為R1或H。并且，所述有機(jī)硅氧烷嵌段共聚物的透光率為至少95％。
文檔編號(hào)C08G77/54GK103189421SQ201180053369
公開(kāi)日2013年7月3日 申請(qǐng)日期2011年9月21日 優(yōu)先權(quán)日2010年9月22日
發(fā)明者J·霍斯特曼, A·諾里斯, S·斯維爾 申請(qǐng)人:道康寧公司