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      化合物、樹脂、光致抗蝕劑組合物和用于制備光致抗蝕劑圖案的方法

      文檔序號:3623686閱讀:220來源:國知局
      專利名稱:化合物、樹脂、光致抗蝕劑組合物和用于制備光致抗蝕劑圖案的方法
      技術領域
      本發(fā)明涉及化合物、樹脂、光致抗蝕劑組合物和用于制備光致抗蝕劑圖案的方法。
      背景技術
      作為利用光刻工藝的半導體微制造,已經(jīng)深入研究了使用ArF準分子激光器(波長193nm)作為曝光系統(tǒng)的光刻工藝。用于這種光刻工藝的光致抗蝕劑組合物通常包含酸生成劑和樹脂,所述樹脂的關于堿性水溶液的溶解性由于酸的作用而不同。US2007/122750公開了一種光致抗蝕劑組合物,其包含具有由下式表示的結構單
      元的樹脂
      權利要求
      1.一種由式(I)表示的化合物
      2.根據(jù)權利要求I所述的化合物,其中T1表示單鍵。
      3.根據(jù)權利要求I所述的化合物,其中m表示O。
      4.根據(jù)權利要求I或2所述的化合物,其中L2是羰基。
      5.根據(jù)權利要求I或2所述的化合物,其中L3是單鍵或亞甲基。
      6.根據(jù)權利要求I或2所述的化合物,其中L3是亞甲基。
      7.一種樹脂,所述樹脂包含衍生自根據(jù)權利要求I或2所述的化合物的結構單元。
      8.根據(jù)權利要求7所述的樹脂,所述樹脂還包含衍生自具有酸不穩(wěn)定基團但是不由式(I)表示的單體的結構單元。
      9.根據(jù)權利要求8所述的樹脂,其中所述具有酸不穩(wěn)定基團但是不由式(I)表示的單體由式(al-1)或式(al-2)表示
      10.根據(jù)權利要求7所述的樹脂,所述樹脂還包含衍生自不具有酸不穩(wěn)定基團但是具有羥基金剛烷基的單體的結構單元。
      11.根據(jù)權利要求10所述的樹脂,其中所述不具有酸不穩(wěn)定基團但是具有羥基金剛烷基的單體由式(a2_l)表示
      12.根據(jù)權利要求7所述的樹脂,所述樹脂還包含衍生自不具有酸不穩(wěn)定基團但是具有內(nèi)酯環(huán)的單體的結構單元。
      13.根據(jù)權利要求12所述的樹脂,其中所述不具有酸不穩(wěn)定基團但是具有內(nèi)酯環(huán)的單體是選自由下列各項單體組成的組中的至少一種單體由式(a3_l)表示的單體、由式(a3-2)表示的單體和由式(a3_3)表示的單體
      14.一種光致抗蝕劑組合物,所述光致抗蝕劑組合物包含根據(jù)權利要求7所述的樹脂、酸生成劑和溶劑。
      15.根據(jù)權利要求14所述的光致抗蝕劑組合物,所述光致抗蝕劑組合物還包含具有衍生自不具有酸不穩(wěn)定基團但是具有氟原子的單體的結構單元的樹脂。
      16.根據(jù)權利要求15所述的光致抗蝕劑組合物,其中所述不具有酸不穩(wěn)定基團但是具有氟原子的單體由式(a4_l)表示
      17.根據(jù)權利要求14、15或16所述的光致抗蝕劑組合物,其中所述酸生成劑是由式(BI)表不的鹽
      18.根據(jù)權利要求17所述的光致抗蝕劑組合物,其中Y表示可以具有取代基的C3-C18脂環(huán)族烴基。
      19.一種用于制備光致抗蝕劑圖案的方法,所述方法包括以下步驟(I)至(5) (1)將根據(jù)權利要求14、15或16所述的光致抗蝕劑組合物涂敷在基板上的步驟, (2)通過進行干燥而形成光致抗蝕劑膜的步驟, (3)將所述光致抗蝕劑膜曝光于輻射的步驟, (4)將曝光過的光致抗蝕劑膜烘焙的步驟,以及 (5)將烘焙過的光致抗蝕劑膜顯影,從而形成光致抗蝕劑圖案的步驟。
      全文摘要
      本發(fā)明提供化合物、樹脂、光致抗蝕劑組合物和用于制備光致抗蝕劑圖案的方法。所述化合物是由式(I)表示的化合物,其中,T1表示單鍵或C6-C14芳族烴基;L1表示C1-C17二價飽和烴基,其中亞甲基可以被氧原子或羰基代替;L2和L3各自獨立地表示單鍵或C1-C6二價飽和烴基,其中亞甲基可以被氧原子或羰基代替;環(huán)W1和環(huán)W2各自獨立地表示C3-C36烴環(huán);R1和R2各自獨立地表示氫原子、羥基或C1-C6烷基;R3和R4各自獨立地表示羥基或C1-C6烷基;R5表示羥基或甲基;m表示0或1;并且t和u各自獨立地表示0至2的整數(shù)。
      文檔編號C08F220/18GK102786419SQ20121015208
      公開日2012年11月21日 申請日期2012年5月16日 優(yōu)先權日2011年5月20日
      發(fā)明者吉田勛, 市川幸司 申請人:住友化學株式會社
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