本申請要求于2015年8月13日在韓國知識產(chǎn)權(quán)局提交的韓國專利申請No.10-2015-0114548的優(yōu)先權(quán)和權(quán)益，將其內(nèi)容全部引入本文作為參考。
技術(shù)領(lǐng)域：
本公開內(nèi)容涉及稠環(huán)化合物和包括所述稠環(huán)化合物的有機(jī)發(fā)光器件。
背景技術(shù)：
：有機(jī)發(fā)光器件(OLED)是具有寬的視角、高的對比度、和短的響應(yīng)時間的自發(fā)射器件。此外，OLED呈現(xiàn)出優(yōu)異的亮度、驅(qū)動電壓、和響應(yīng)速度特性，并且產(chǎn)生全色圖像。典型的有機(jī)發(fā)光器件包括陽極、陰極、以及設(shè)置在陽極和陰極之間并且包括發(fā)射層的有機(jī)層。空穴傳輸區(qū)域可設(shè)置在陽極和發(fā)射層之間，并且電子傳輸區(qū)域可設(shè)置在發(fā)射層和陰極之間。從陽極提供的空穴可通過空穴傳輸區(qū)域朝著發(fā)射層移動，并且從陰極提供的電子可通過電子傳輸區(qū)域朝著發(fā)射層移動?？昭ê碗娮釉诎l(fā)射層中復(fù)合以產(chǎn)生激子。這些激子從激發(fā)態(tài)變?yōu)榛鶓B(tài)從而產(chǎn)生光。已知不同類型的有機(jī)發(fā)光器件。然而，在具有低的驅(qū)動電壓、高的效率、高的亮度、和長的壽命的OLED方面仍然存在需要。技術(shù)實現(xiàn)要素：提供稠環(huán)化合物和包括所述稠環(huán)化合物的有機(jī)發(fā)光器件。另外的方面將在隨后的描述中部分地闡明，并且部分地將從所述描述明晰，或可通過所呈現(xiàn)的示例性實施方式的實踐而獲知。根據(jù)一個示例性實施方式的方面，提供由式1表示的稠環(huán)化合物：式1其中，在式1中，X1可選自單鍵、O、S、N(R11)和C(R12)(R13)，X2可為O或S，環(huán)A1到環(huán)A4可各自獨(dú)立地為C5-C60碳環(huán)基團(tuán)或C2-C60雜環(huán)基團(tuán)、環(huán)A5可選自苯、吡啶、嘧啶、吡嗪、噠嗪和三嗪，R1-R6和R11-R13可各自獨(dú)立地選自氫、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羥基、氰基、硝基、氨基、脒基、肼基、腙基、羧酸基團(tuán)或其鹽、磺酸基團(tuán)或其鹽、磷酸基團(tuán)或其鹽、取代或未取代的C1-C60烷基、取代或未取代的C2-C60烯基、取代或未取代的C2-C60炔基、取代或未取代的C1-C60烷氧基、取代或未取代的C3-C10環(huán)烷基、取代或未取代的C1-C10雜環(huán)烷基、取代或未取代的C3-C10環(huán)烯基、取代或未取代的C1-C10雜環(huán)烯基、取代或未取代的C6-C60芳基、取代或未取代的C6-C60芳氧基、取代或未取代的C6-C60芳硫基、取代或未取代的C7-C60芳烷基、取代或未取代的C1-C60雜芳基、取代或未取代的C1-C60雜芳氧基、取代或未取代的C1-C60雜芳硫基、取代或未取代的C2-C60雜芳烷基、取代或未取代的單價非芳族稠合多環(huán)基團(tuán)、取代或未取代的單價非芳族稠合雜多環(huán)基團(tuán)、-Si(Q1)(Q2)(Q3)、-N(Q4)(Q5)和-B(Q6)(Q7)，a1可為1-4的整數(shù)且a2-a6可各自獨(dú)立地為0-4的整數(shù)，L1可選自亞苯基、亞吡啶基、亞嘧啶基、亞吡嗪基、亞噠嗪基和亞三嗪基；和各自被選自如下的至少一個取代的亞苯基、亞吡啶基、亞嘧啶基、亞吡嗪基、亞噠嗪基和亞三嗪基：氘、-F、-Cl、-Br、-I、羥基、氰基、硝基、氨基、脒基、肼基、腙基、羧酸基團(tuán)或其鹽、磺酸基團(tuán)或其鹽、磷酸基團(tuán)或其鹽、C1-C10烷基、C1-C10烷氧基、苯基、萘基、吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、噠嗪基、三嗪基和-Si(Q8)(Q9)(Q10)，b1可為1-3的整數(shù)，n可為0-3的整數(shù)，式1中的氰基的數(shù)量可為1、2、3或4，所述取代的C1-C60芳基、取代的C2-C60烯基、取代的C2-C60炔基、取代的C1-C60烷氧基、取代的C3-C10環(huán)烷基、取代的C1-C10雜環(huán)烷基、取代的C3-C10環(huán)烯基、取代的C1-C10雜環(huán)烯基、取代的C6-C60芳基、取代的C6-C60芳氧基、取代的C6-C60芳硫基、取代的C7-C60芳烷基、取代的C1-C60雜芳基、取代的C1-C60雜芳氧基、取代的C1-C60雜芳硫基、取代的C2-C60雜芳烷基、取代的單價非芳族稠合多環(huán)基團(tuán)和取代的單價非芳族稠合雜多環(huán)基團(tuán)的至少一個取代基可選自氘、-F、-Cl、-Br、-I、-CD3、-CD2H、-CDH2、-CF3、-CF2H、-CFH2、羥基、氰基、硝基、氨基、脒基、肼基、腙基、羧酸基團(tuán)或其鹽、磺酸基團(tuán)或其鹽、磷酸基團(tuán)或其鹽、C1-C60烷基、C2-C60烯基、C2-C60炔基和C1-C60烷氧基；各自被選自如下的至少一個取代的C1-C60烷基、C2-C60烯基、C2-C60炔基和C1-C60烷氧基：氘、-F、-Cl、-Br、-I、-CD3、-CD2H、-CDH2、-CF3、-CF2H、-CFH2、羥基、氰基、硝基、氨基、脒基、肼基、腙基、羧酸基團(tuán)或其鹽、磺酸基團(tuán)或其鹽、磷酸基團(tuán)或其鹽、C3-C10環(huán)烷基、C1-C10雜環(huán)烷基、C3-C10環(huán)烯基、C1-C10雜環(huán)烯基、C6-C60芳基、C6-C60芳氧基、C6-C60芳硫基、C7-C60芳烷基、C1-C60雜芳基、C1-C60雜芳氧基、C1-C60雜芳硫基、C2-C60雜芳烷基、單價非芳族稠合多環(huán)基團(tuán)、單價非芳族稠合雜多環(huán)基團(tuán)、-Si(Q11)(Q12)(Q13)、-N(Q14)(Q15)和-B(Q16)(Q17)；C3-C10環(huán)烷基、C1-C10雜環(huán)烷基、C3-C10環(huán)烯基、C1-C10雜環(huán)烯基、C6-C60芳基、C6-C60芳氧基、C6-C60芳硫基、C7-C60芳烷基、C1-C60雜芳基、C1-C60雜芳氧基、C1-C60雜芳硫基、C2-C60雜芳烷基、單價非芳族稠合多環(huán)基團(tuán)和單價非芳族稠合雜多環(huán)基團(tuán)；各自被選自如下的至少一個取代的C3-C10環(huán)烷基、C1-C10雜環(huán)烷基、C3-C10環(huán)烯基、C1-C10雜環(huán)烯基、C6-C60芳基、C6-C60芳氧基、C6-C60芳硫基、C7-C60芳烷基、C1-C60雜芳基、C1-C60雜芳氧基、C1-C60雜芳硫基、C2-C60雜芳烷基、單價非芳族稠合多環(huán)基團(tuán)和單價非芳族稠合雜多環(huán)基團(tuán)：氘、-F、-Cl、-Br、-I、-CD3、-CD2H、-CDH2、-CF3、-CF2H、-CFH2、羥基、氰基、硝基、氨基、脒基、肼基、腙基、羧酸基團(tuán)或其鹽、磺酸基團(tuán)或其鹽、磷酸基團(tuán)或其鹽、C1-C60烷基、C2-C60烯基、C2-C60炔基、C1-C60烷氧基、C3-C10環(huán)烷基、C1-C10雜環(huán)烷基、C3-C10環(huán)烯基、C1-C10雜環(huán)烯基、C6-C60芳基、C6-C60芳氧基、C6-C60芳硫基、C7-C60芳烷基、C1-C60雜芳基、C1-C60雜芳氧基、C1-C60雜芳硫基、C2-C60雜芳烷基、單價非芳族稠合多環(huán)基團(tuán)、單價非芳族稠合雜多環(huán)基團(tuán)、-Si(Q21)(Q22)(Q23)、-N(Q24)(Q25)和-B(Q26)(Q27)；和-Si(Q31)(Q32)(Q33)、-N(Q34)(Q35)和-B(Q36)(Q37)，Q1-Q10、Q11-Q17、Q21-Q27和Q31-Q37可各自獨(dú)立地選自氫、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羥基、氰基、硝基、氨基、脒基、肼基、腙基、羧酸基團(tuán)或其鹽、磺酸基團(tuán)或其鹽、磷酸基團(tuán)或其鹽、取代或未取代的C1-C60烷基、取代或未取代的C2-C60烯基、取代或未取代的C2-C60炔基、取代或未取代的C1-C60烷氧基、取代或未取代的C3-C10環(huán)烷基、取代或未取代的C1-C10雜環(huán)烷基、取代或未取代的C3-C10環(huán)烯基、取代或未取代的C1-C10雜環(huán)烯基、取代或未取代的C6-C60芳基、取代或未取代的C6-C60芳氧基、取代或未取代的C6-C60芳硫基、取代或未取代的C7-C60芳烷基、取代或未取代的C1-C60雜芳基、取代或未取代的C1-C60雜芳氧基、取代或未取代的C1-C60雜芳硫基、取代或未取代的C2-C60雜芳烷基、取代或未取代的單價非芳族稠合多環(huán)基團(tuán)和取代或未取代的單價非芳族稠合雜多環(huán)基團(tuán)。根據(jù)另一示例性實施方式的方面，提供有機(jī)發(fā)光器件，其包括：第一電極；第二電極；以及設(shè)置在所述第一電極和所述第二電極之間的有機(jī)層，其中所述有機(jī)層包括發(fā)射層和至少一種由式1表示的稠環(huán)化合物。附圖說明由結(jié)合附圖考慮的示例性實施方式的以下描述，這些和/或其它方面將變得明晰和更容易領(lǐng)會，其中：圖1說明根據(jù)實施方式的有機(jī)發(fā)光器件的示意圖。具體實施方式現(xiàn)在將對示例性實施方式詳細(xì)地進(jìn)行介紹，其實例說明于附圖中，其中相同的附圖標(biāo)記始終指的是相同的元件。在這點(diǎn)上，本示例性實施方式可具有不同的形式并且不應(yīng)解釋為限于本文中所闡述的描述。因此，下面僅通過參考附圖描述示例性實施方式以說明本發(fā)明構(gòu)思的方面。表述例如“的至少一個(種)”當(dāng)在要素列表之前或之后時修飾整個要素列表而不修飾所述列表的單獨(dú)要素。將理解，當(dāng)一個元件被稱為“在”另外的元件“上”時，其可以直接與所述另外的元件接觸，或其間可存在中間元件。相反，當(dāng)一個元件被稱為“直接在”另外的元件“上”時，則不存在中間元件。將理解，盡管術(shù)語第一、第二、第三等可用在本文中描述各種元件、組分、區(qū)域、層和/或部分，但是這些元件、組分、區(qū)域、層和/或部分不應(yīng)受這些術(shù)語限制。這些術(shù)語僅用于將一個元件、組分、區(qū)域、層或部分與另外的元件、組分、區(qū)域、層或部分區(qū)分開。因此，在不脫離本實施方式的教導(dǎo)的情況下，下面討論的第一元件、組分、區(qū)域、層或部分可稱為第二元件、組分、區(qū)域、層或部分。本文中所使用的術(shù)語僅用于描述具體實施方式的目的，而不意圖為限制性的。如本文中使用的，單數(shù)形式“一個(種)(a，an)”和“該(所述)”也意圖包括復(fù)數(shù)形式，除非上下文清楚地另外指明。術(shù)語“或”意味著“和/或”。將進(jìn)一步理解，當(dāng)在本說明書中使用時，術(shù)語“包括”和/或“包含”、或“含有”和/或“含”表明存在所陳述的特征、區(qū)域、整體、步驟、操作、元件和/或組分，但是不排除存在或增加一個或多個其它特征、區(qū)域、整體、步驟、操作、元件、組分、和/或其集合。除非另外定義，在本文中所使用的所有術(shù)語(包括技術(shù)和科學(xué)術(shù)語)的含義與本總的發(fā)明構(gòu)思所屬領(lǐng)域的普通技術(shù)人員通常理解的含義相同。將進(jìn)一步理解，術(shù)語例如在常用詞典中定義的那些，應(yīng)被解釋為具有與它們在相關(guān)領(lǐng)域和本公開內(nèi)容的范圍中的含義一致的含義，并且將不以理想化或過于形式的意義進(jìn)行解釋，除非在本文中清楚地如此定義。在本文中參照作為理想化實施方式的示意圖的橫截面圖描述示例性實施方式。這樣，將預(yù)計到作為例如制造技術(shù)和/或公差的結(jié)果的與圖示形狀的偏差。因此，本文中描述的實施方式不應(yīng)被解釋為限于如本文中圖示的區(qū)域的特定形狀，而是包括由例如制造導(dǎo)致的形狀方面的偏差。例如，圖示或描述為平的區(qū)域可典型地具有粗糙的和/或非線性的特征。此外，所圖示的尖銳的角可為圓形的。因而，圖中所示的區(qū)域在本質(zhì)上是示意性的并且它們的形狀不意圖圖示區(qū)域的精確形狀，并且不意圖限制本權(quán)利要求的范圍。根據(jù)一個方面，提供由式1表示的稠環(huán)化合物：式1式1中的X1可選自單鍵、O、S、N(R11)和C(R12)(R13)，并且X2可為O或S。R11-R13的描述可通過參照下面的描述理解。根據(jù)一個實施方式，式1中的X1可為單鍵，但是實施方式不限于此。式1中的環(huán)A1到環(huán)A4可各自獨(dú)立地為C5-C60碳環(huán)基團(tuán)或C2-C60雜環(huán)基團(tuán)。例如，式1中的環(huán)A1到環(huán)A4可各自獨(dú)立地選自苯、吡啶、嘧啶、吡嗪、噠嗪、萘、喹啉、異喹啉、喹喔啉、喹唑啉、噌啉、茚、吲哚、苯并呋喃、苯并噻吩、芴、咔唑、二苯并呋喃和二苯并噻吩。根據(jù)一個實施方式，式1中的環(huán)A1到環(huán)A4可各自獨(dú)立地選自苯、苯并呋喃、苯并噻吩、芴、咔唑、二苯并呋喃和二苯并噻吩。在一些實施方式中，式1中的環(huán)A1到環(huán)A4可各自獨(dú)立地選自苯、芴、咔唑、二苯并呋喃和二苯并噻吩。在一些實施方式中，式1中的環(huán)A1到環(huán)A4可各自獨(dú)立地選自苯、芴、咔唑、二苯并呋喃和二苯并噻吩，環(huán)A1和環(huán)A2的至少一個可為苯，并且環(huán)A3和環(huán)A4的至少一個可為苯。在一些實施方式中，在式1中，環(huán)A1和環(huán)A2可各自獨(dú)立地選自苯、二苯并呋喃和二苯并噻吩；環(huán)A3和環(huán)A4可各自獨(dú)立地選自苯、芴、咔唑、二苯并呋喃和二苯并噻吩；環(huán)A1和環(huán)A2的至少一個可為苯；并且環(huán)A3和環(huán)A4的至少一個可為苯，但是實施方式不限于此。式1中的環(huán)A5可選自苯、吡啶、嘧啶、吡嗪、噠嗪和三嗪。例如，環(huán)A5可為苯，但是實施方式不限于此。式1中的R1-R6和R11-R13可各自獨(dú)立地選自氫、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羥基、氰基、硝基、氨基、脒基、肼基、腙基、羧酸基團(tuán)或其鹽、磺酸基團(tuán)或其鹽、磷酸基團(tuán)或其鹽、取代或未取代的C1-C60烷基、取代或未取代的C2-C60烯基、取代或未取代的C2-C60炔基、取代或未取代的C1-C60烷氧基、取代或未取代的C3-C10環(huán)烷基、取代或未取代的C1-C10雜環(huán)烷基、取代或未取代的C3-C10環(huán)烯基、取代或未取代的C1-C10雜環(huán)烯基、取代或未取代的C6-C60芳基、取代或未取代的C6-C60芳氧基、取代或未取代的C6-C60芳硫基、取代或未取代的C7-C60芳烷基、取代或未取代的C1-C60雜芳基、取代或未取代的C1-C60雜芳氧基、取代或未取代的C1-C60雜芳硫基、取代或未取代的C2-C60雜芳烷基、取代或未取代的單價非芳族稠合多環(huán)基團(tuán)、取代或未取代的單價非芳族稠合雜多環(huán)基團(tuán)、-Si(Q1)(Q2)(Q3)、-N(Q4)(Q5)和-B(Q6)(Q7)。例如，式1中的R1-R6和R11-R13可各自獨(dú)立地選自氫、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羥基、氰基、硝基、氨基、脒基、肼基、腙基、羧酸基團(tuán)或其鹽、磺酸基團(tuán)或其鹽、磷酸基團(tuán)或其鹽、C1-C20烷基和C1-C20烷氧基；各自被選自如下的至少一個取代的C1-C20烷基和C1-C20烷氧基：氘、-F、-Cl、-Br、-I、羥基、氰基、硝基、氨基、脒基、肼基、腙基、羧酸基團(tuán)或其鹽、磺酸基團(tuán)或其鹽、磷酸基團(tuán)或其鹽、苯基、萘基、吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、噠嗪基、和三嗪基；環(huán)戊基、環(huán)己基、環(huán)戊烯基、環(huán)己烯基、環(huán)庚烯基、苯基、并環(huán)戊二烯基、茚基、萘基、薁基、庚搭烯基、引達(dá)省基、苊基、芴基、螺二芴基、非那烯基、菲基、蒽基、熒蒽基、苯并[9,10]菲基、芘基、基、并四苯基、基、苝基、戊芬基、并六苯基、吡咯基、咪唑基、吡唑基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、噠嗪基、異吲哚基、吲哚基、吲唑基、嘌呤基、喹啉基、異喹啉基、苯并喹啉基、酞嗪基、萘啶基、喹喔啉基、喹唑啉基、噌啉基、菲啶基、吖啶基、菲咯啉基、吩嗪基、苯并唑基、苯并咪唑基、呋喃基、苯并呋喃基、噻吩基、苯并噻吩基、噻唑基、異噻唑基、苯并噻唑基、異唑基、唑基、三唑基、四唑基、二唑基、三嗪基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、咪唑并嘧啶基、和咪唑并吡啶基；各自被選自如下的至少一個取代的環(huán)戊基、環(huán)己基、環(huán)戊烯基、環(huán)己烯基、環(huán)庚烯基、苯基、并環(huán)戊二烯基、茚基、萘基、薁基、庚搭烯基、引達(dá)省基、苊基、芴基、螺二芴基、非那烯基、菲基、蒽基、熒蒽基、苯并[9,10]菲基、芘基、基、并四苯基、基、苝基、戊芬基、并六苯基、吡咯基、咪唑基、吡唑基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、噠嗪基、異吲哚基、吲哚基、吲唑基、嘌呤基、喹啉基、異喹啉基、苯并喹啉基、酞嗪基、萘啶基、喹喔啉基、喹唑啉基、噌啉基、菲啶基、吖啶基、菲咯啉基、吩嗪基、苯并唑基、苯并咪唑基、呋喃基、苯并呋喃基、噻吩基、苯并噻吩基、噻唑基、異噻唑基、苯并噻唑基、異唑基、唑基、三唑基、四唑基、二唑基、三嗪基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、咪唑并嘧啶、和咪唑并吡啶基：氘、-F、-Cl、-Br、-I、羥基、氰基、硝基、氨基、脒基、肼基、腙基、羧酸基團(tuán)或其鹽、磺酸基團(tuán)或其鹽、磷酸基團(tuán)或其鹽、C1-C20烷基、C2-C20烯基、C2-C20炔基、C1-C20烷氧基、苯基、萘基、蒽基、芘基、菲基、芴基、吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、噠嗪基、三嗪基、喹啉基、異喹啉基、酞嗪基、喹喔啉基、噌啉基、喹唑啉基和-Si(Q31)(Q32)(Q33)；和-Si(Q1)(Q2)(Q3)，其中Q1-Q3和Q31-Q33可各自獨(dú)立地選自氫、C1-C20烷基、C1-C20烷氧基、苯基、萘基、蒽基、芘基、菲基、芴基、吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、噠嗪基、三嗪基、喹啉基、異喹啉基、酞嗪基、喹喔啉基、噌啉基、和喹唑啉基。根據(jù)一個實施方式，式1中的R1-R6和R11-R13可各自獨(dú)立地選自：氫、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羥基、氰基、硝基、氨基、脒基、肼基、腙基、羧酸基團(tuán)或其鹽、磺酸基團(tuán)或其鹽、磷酸基團(tuán)或其鹽、C1-C10烷基和C1-C10烷氧基；各自被選自如下的至少一個取代的C1-C10烷基和C1-C10烷氧基：氘、-F、-Cl、-Br、-I、羥基、氰基、硝基、氨基、脒基、肼基、腙基、羧酸基團(tuán)或其鹽、磺酸基團(tuán)或其鹽、和磷酸基團(tuán)或其鹽；苯基、萘基、吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、噠嗪基和三嗪基；各自被選自如下的至少一個取代的苯基、萘基、吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、噠嗪基和三嗪基：氘、-F、-Cl、-Br、-I、羥基、氰基、硝基、氨基、脒基、肼基、腙基、羧酸基團(tuán)或其鹽、磺酸基團(tuán)或其鹽、磷酸基團(tuán)或其鹽、C1-C10烷基、C1-C10烷氧基、苯基、萘基、吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、噠嗪基、三嗪基和-Si(Q31)(Q32)(Q33)；和-Si(Q1)(Q2)(Q3)，其中Q1-Q3和Q31-Q33可各自獨(dú)立地選自氫、C1-C10烷基、C1-C10烷氧基、苯基、萘基、吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、噠嗪基和三嗪基，但是實施方式不限于此。在一些實施方式中，式1中的R1-R6和R11-R13可各自獨(dú)立地選自氫、氘、氰基、C1-C10烷基和C1-C10烷氧基；各自被選自氘和氰基的至少一個取代的C1-C10烷基和C1-C10烷氧基；苯基、吡啶基、嘧啶基和三嗪基；各自被選自如下的至少一個取代的苯基、吡啶基、嘧啶基和三嗪基：氘、氰基、C1-C10烷基、C1-C10烷氧基、苯基、吡啶基、嘧啶基、三嗪基和-Si(Q31)(Q32)(Q33)；和-Si(Q1)(Q2)(Q3)，其中Q1-Q3和Q31-Q33可各自獨(dú)立地選自氫、C1-C10烷基、C1-C10烷氧基、苯基、吡啶基、嘧啶基和三嗪基。式1中的a1表示R1的數(shù)量并且可為1-4的整數(shù)。當(dāng)a1為2或更大時，兩個或更多個R1可相同或不同。通過參照a1和式1的描述可理解a2-a6的描述。式1中的a1可為1-4的整數(shù)且式1中的a2-a6可各自獨(dú)立地為0-4的整數(shù)。例如，式1中的a1可為1、2或3且式1中的a2-a6可各自獨(dú)立地為0、1、2或3。式1中的L1可選自亞苯基、亞吡啶基、亞嘧啶基、亞吡嗪基、亞噠嗪基和亞三嗪基；和各自被選自如下的至少一個取代的亞苯基、亞吡啶基、亞嘧啶基、亞吡嗪基、亞噠嗪基和亞三嗪基：氘、-F、-Cl、-Br、-I、羥基、氰基、硝基、氨基、脒基、肼基、腙基、羧酸基團(tuán)或其鹽、磺酸基團(tuán)或其鹽、磷酸基團(tuán)或其鹽、C1-C10烷基、C1-C10烷氧基、苯基、萘基、吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、噠嗪基、三嗪基和-Si(Q8)(Q9)(Q10)。例如，式1中的L1可選自亞苯基、亞吡啶基、亞嘧啶基和亞三嗪基；和各自被選自如下的至少一個取代的亞苯基、亞吡啶基、亞嘧啶基和亞三嗪基：氘、氰基、C1-C10烷基、C1-C10烷氧基、苯基、吡啶基、嘧啶基、三嗪基和-Si(Q8)(Q9)(Q10)，其中Q8-Q10可各自獨(dú)立地選自氫、C1-C10烷基、C1-C10烷氧基、苯基、吡啶基、嘧啶基和三嗪基，但是實施方式不限于此。根據(jù)一個實施方式，式1中的L1可選自由式3-1至3-40表示的基團(tuán)：在式3-1至3-40中，Z1可選自氫、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羥基、氰基、硝基、氨基、脒基、肼基、腙基、羧酸基團(tuán)或其鹽、磺酸基團(tuán)或其鹽、磷酸基團(tuán)或其鹽、C1-C10烷基、C1-C10烷氧基、苯基、萘基、吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、噠嗪基、三嗪基和-Si(Q8)(Q9)(Q10)(例如，氫、氘、氰基、C1-C10烷基、C1-C10烷氧基、苯基、吡啶基、嘧啶基、三嗪基和-Si(Q8)(Q9)(Q10))，Q8-Q10可各自獨(dú)立地選自氫、C1-C10烷基、C1-C10烷氧基、苯基、吡啶基、嘧啶基和三嗪基，d4可為0-4的整數(shù)，d3可為0-3的整數(shù)，d2可為0-2的整數(shù)，和*和*'各自為與鄰近原子的結(jié)合位點(diǎn)。根據(jù)一個實施方式，數(shù)量為b1的基團(tuán)L1的至少一個可選自由式3-15至3-40表示的基團(tuán)。在一些實施方式中，數(shù)量為b1的基團(tuán)L1的全部可各自獨(dú)立地選自由式3-15至3-40表示的基團(tuán)。式1中的b1表示基團(tuán)L1的數(shù)量并且可為1-3的整數(shù)。當(dāng)b1為2或更大時，兩個或更多個基團(tuán)L1可相同或不同。根據(jù)一個實施方式，式1中的由*-(L1)b1-*'表示的基團(tuán)可選自由式4-1至4-39表示的基團(tuán)：在式4-1至4-39中，X21可為N或C(Z21)，X22可為N或C(Z22)，X23可為N或C(Z23)，X24可為N或C(Z24)，X31可為N或C(Z31)，X32可為N或C(Z32)，X33可為N或C(Z33)，X34可為N或C(Z34)，X41可為N或C(Z41)，X42可為N或C(Z42)，X43可為N或C(Z43)，X44可為N或C(Z44)，條件是并非X21-X24全部為N，條件是并非X31-X34全部為N，和條件是并非X41-X44全部為N，Z21-Z24、Z31-Z34、和Z41-Z44可各自獨(dú)立地選自氫、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羥基、氰基、硝基、氨基、脒基、肼基、腙基、羧酸基團(tuán)或其鹽、磺酸基團(tuán)或其鹽、磷酸基團(tuán)或其鹽、C1-C10烷基、C1-C10烷氧基、苯基、萘基、吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、噠嗪基、三嗪基和-Si(Q8)(Q9)(Q10)(例如，氫、氘、氰基、C1-C10烷基、C1-C10烷氧基、苯基、吡啶基、嘧啶基、三嗪基和-Si(Q8)(Q9)(Q10))，Q8-Q10可各自獨(dú)立地選自氫、C1-C10烷基、C1-C10烷氧基、苯基、吡啶基、嘧啶基和三嗪基，和*和*'各自為與鄰近原子的結(jié)合位點(diǎn)。例如，在式4-1至4-39中，X21可為C(Z21)，X22可為C(Z22)，X23可為C(Z23)，X24可為C(Z24)，X31可為C(Z31)，X32可為C(Z32)，X33可為C(Z33)，X34可為C(Z34)，X41可為C(Z41)，X42可為C(Z42)，X43可為C(Z43)，和X44可為C(Z44)。在一些實施方式中，式4-1至4-3中的X21-X24之一可為N，并且其的其它的可不為N。式1中的n表示由*-(L1)b1-(R6)a6表示的基團(tuán)的數(shù)量并且可為0-3的整數(shù)。例如，式1中的n可為0或1，但是實施方式不限于此。式1中的氰基的數(shù)量可為1、2、3或4。例如，式1中的氰基的數(shù)量可為1或2，但是實施方式不限于此。當(dāng)式1中的氰基的數(shù)量為1時，式1中的氰基可包括于環(huán)A2、環(huán)A3、環(huán)A4、環(huán)A5、數(shù)量為b1的基團(tuán)L1和數(shù)量為a6的基團(tuán)R6之一中。當(dāng)式1中的氰基的數(shù)量為2時，式1中的氰基可包括于環(huán)A2、環(huán)A3、環(huán)A4、環(huán)A5、數(shù)量為b1的L1和數(shù)量為a6的R6的兩個中。根據(jù)實施方式，在式1中，數(shù)量為a2的基團(tuán)R2的一到四個可各自獨(dú)立地為氰基或氰基取代的C6-C10芳基；數(shù)量為a3的基團(tuán)R3的一到四個可各自獨(dú)立地為氰基或氰基取代的C6-C10芳基；數(shù)量為a4的基團(tuán)R4的一到三個可各自獨(dú)立地為氰基或氰基取代的C6-C10芳基；數(shù)量為a5的基團(tuán)R5的一到三個可各自獨(dú)立地為氰基或氰基取代的C6-C10芳基；i)數(shù)量為a5的基團(tuán)R5的一個或兩個和ii)數(shù)量為a2的基團(tuán)R2的一個或兩個可各自獨(dú)立地為氰基或氰基取代的C6-C10芳基；i)數(shù)量為a5的基團(tuán)R5的一個或兩個和ii)數(shù)量為a3的基團(tuán)R3的一個或兩個可各自獨(dú)立地為氰基或氰基取代的C6-C10芳基；i)數(shù)量為a5的基團(tuán)R5的一個或兩個和ii)數(shù)量為a4的基團(tuán)R4的一個或兩個可各自獨(dú)立地為氰基或氰基取代的C6-C10芳基；i)數(shù)量為a2的基團(tuán)R2的一個或兩個和ii)數(shù)量為a3的基團(tuán)R3的一個或兩個可各自獨(dú)立地為氰基或氰基取代的C6-C10芳基；i)數(shù)量為a2的基團(tuán)R2的一個或兩個和ii)數(shù)量為a4的基團(tuán)R4的一個或兩個可各自獨(dú)立地為氰基或氰基取代的C6-C10芳基；或i)數(shù)量為a3的基團(tuán)R3的一個或兩個和ii)數(shù)量為a4的基團(tuán)R4的一個或兩個可各自獨(dú)立地為氰基或氰基取代的C6-C10芳基。如本文中所描述的“氰基取代的C6-C10芳基”的詳細(xì)實例可包括被至少一個氰基取代的苯基，但是實施方式不限于此。由式1表示的稠環(huán)化合物可由式1A-1H的一個表示：在式1A-1H、2A和2B中，X1、X2、環(huán)A1、環(huán)A2、環(huán)A5、R1-R6、a1-a6、L1、b1和n的描述與本文中描述的相同，環(huán)A3可選自苯、吡啶、嘧啶、吡嗪、噠嗪、茚、吲哚、苯并呋喃、苯并噻吩、芴、咔唑、二苯并呋喃和二苯并噻吩，環(huán)A6可由式2A表示，環(huán)A7可由式2B表示，X4可選自O(shè)、S、N(R4c)和C(R4d)(R4e)，R4a-R4e的描述與R4的描述相同，aa4可為0-3的整數(shù)，和ab4可為0-2的整數(shù)。根據(jù)一個實施方式，在式1A-1H中，X1可為單鍵，環(huán)A1和環(huán)A2可各自獨(dú)立地選自苯、芴、咔唑、二苯并呋喃和二苯并噻吩，并且環(huán)A1和環(huán)A2的至少一個可為苯，式1A-1D中的環(huán)A3可各自獨(dú)立地選自苯、芴、咔唑、二苯并呋喃和二苯并噻吩，并且式1E-1H中的環(huán)A3可為苯，環(huán)A5可為苯，R1-R6和R4a-R4e可各自獨(dú)立地選自氫、氘、氰基、C1-C10烷基和C1-C10烷氧基；各自被選自氘和氰基的至少一個取代的C1-C10烷基和C1-C10烷氧基；苯基、吡啶基、嘧啶基和三嗪基；各自被選自如下的至少一個取代的苯基、吡啶基、嘧啶基和三嗪基：氘、氰基、C1-C10烷基、C1-C10烷氧基、苯基、吡啶基、嘧啶基、三嗪基和-Si(Q31)(Q32)(Q33)；和-Si(Q1)(Q2)(Q3)，a1可為1-3的整數(shù)且a2-a6可各自獨(dú)立地為0-3的整數(shù)，aa4和ab4可各自獨(dú)立地為0-2的整數(shù)，L1可選自亞苯基、亞吡啶基、亞嘧啶基和亞三嗪基；和各自被選自如下的至少一個取代的亞苯基、亞吡啶基、亞嘧啶基和亞三嗪基：氘、氰基、C1-C10烷基、C1-C10烷氧基、苯基、吡啶基、嘧啶基、三嗪基和-Si(Q8)(Q9)(Q10)，b1可為1或2，和n可為0或1，其中Q1-Q3、Q31-Q33、和Q8-Q10可各自獨(dú)立地選自氫、C1-C10烷基、C1-C10烷氧基、苯基、吡啶基、嘧啶基和三嗪基。在式1A-1H中，數(shù)量為a2的基團(tuán)R2的一到三個可各自獨(dú)立地為氰基或氰基取代的C6-C10芳基；數(shù)量為a3的基團(tuán)R3的一到三個可各自獨(dú)立地為氰基或氰基取代的C6-C10芳基；數(shù)量為a4的基團(tuán)R4的一到三個(或者，數(shù)量為aa4基團(tuán)R4a的一到三個)可各自獨(dú)立地為氰基或氰基取代的C6-C10芳基；數(shù)量為a5的基團(tuán)R5的一到三個可各自獨(dú)立地為氰基或氰基取代的C6-C10芳基；i)數(shù)量為a5的基團(tuán)R5的一個或兩個和ii)數(shù)量為a2的基團(tuán)R2的一個或兩個可各自獨(dú)立地為氰基或氰基取代的C6-C10芳基；i)數(shù)量為a5的基團(tuán)R5的一個或兩個和ii)數(shù)量為a3的基團(tuán)R3的一個或兩個可各自獨(dú)立地為氰基或氰基取代的C6-C10芳基；i)數(shù)量為a5的基團(tuán)R5的一個或兩個和ii)數(shù)量為a4的基團(tuán)R4的一個或兩個(或者，數(shù)量為aa4的基團(tuán)R4a的一個或兩個)可各自獨(dú)立地為氰基或氰基取代的C6-C10芳基；i)數(shù)量為a2的基團(tuán)R2的一個或兩個和ii)數(shù)量為a3的基團(tuán)R3的一個或兩個可各自獨(dú)立地為氰基或氰基取代的C6-C10芳基；i)數(shù)量為a2的基團(tuán)R2的一個或兩個和ii)數(shù)量為a4的基團(tuán)R4的一個或兩個(或者，數(shù)量為aa4的基團(tuán)R4a的一個或兩個)可各自獨(dú)立地為氰基或氰基取代的C6-C10芳基；或i)數(shù)量為a3的基團(tuán)R3的一個或兩個和ii)數(shù)量為a4的基團(tuán)R4的一個或兩個(或者，數(shù)量為aa4的基團(tuán)R4a的一個或兩個)可各自獨(dú)立地為氰基或氰基取代的C6-C10芳基。例如，由式1表示的稠環(huán)化合物可由式1-1至1-19的一個表示：在式1-1至1-19中，X1、X2、環(huán)A5、R1-R6、a1-a6、L1、b1和n的描述與本文中描述的相同，X3可選自O(shè)、S、N(R3c)和C(R3d)(R3e)，X4可選自O(shè)、S、N(R4c)和C(R4d)(R4e)，X5可選自O(shè)、S、N(R2c)和C(R2d)(R2e)，R2a-R2e的描述與R2的描述相同，R3a-R3e的描述與R3的描述相同，R4a-R4e的描述與R4的描述相同，aa2和aa3可為0-2的整數(shù)，ab2和ab3可為0-4的整數(shù)，aa4可為0-3的整數(shù)，和ab4可為0-2的整數(shù)。根據(jù)一個實施方式，在式1-1至1-19中，X1可為單鍵，X3可選自O(shè)、S、N(R3c)和C(R3d)(R3e)，X4可選自O(shè)、S、N(R4c)和C(R4d)(R4e)，X5可為O或S，環(huán)A5可為苯，R1-R6、R2a-R2e、R3a-R3e、和R4a-R4e可各自獨(dú)立地選自氫、氘、氰基、C1-C10烷基和C1-C10烷氧基；各自被選自氘和氰基的至少一個取代的C1-C10烷基和C1-C10烷氧基；苯基、吡啶基、嘧啶基和三嗪基；各自被選自如下的至少一個取代的苯基、吡啶基、嘧啶基和三嗪基：氘、氰基、C1-C10烷基、C1-C10烷氧基、苯基、吡啶基、嘧啶基、三嗪基和-Si(Q31)(Q32)(Q33)；和-Si(Q1)(Q2)(Q3)，a1可為1-3的整數(shù)且a2-a6可各自獨(dú)立地為0-3的整數(shù)，L1可選自亞苯基、亞吡啶基、亞嘧啶基和亞三嗪基；和各自被選自如下的至少一個取代的亞苯基、亞吡啶基、亞嘧啶基和亞三嗪基：氘、氰基、C1-C10烷基、C1-C10烷氧基、苯基、吡啶基、嘧啶基、三嗪基和-Si(Q8)(Q9)(Q10)，b1可為1或2，n可為0或1，和Q1-Q3、Q31-Q33、和Q8-Q10可各自獨(dú)立地選自氫、C1-C10烷基、C1-C10烷氧基、苯基、吡啶基、嘧啶基和三嗪基。在式1-1至1-19中，數(shù)量為a2的基團(tuán)R2的一到三個(或者，數(shù)量為ab2的基團(tuán)R2b的一到三個)可各自獨(dú)立地為氰基或氰基取代的C6-C10芳基；數(shù)量為a3的基團(tuán)R3的一到三個(或者，數(shù)量為ab3的基團(tuán)R3b的一到三個)可各自獨(dú)立地為氰基或氰基取代的C6-C10芳基；數(shù)量為a4的基團(tuán)R4的一到三個(或者，數(shù)量為aa4的基團(tuán)R4a的一到三個)可各自獨(dú)立地為氰基或氰基取代的C6-C10芳基；數(shù)量為a5的基團(tuán)R5的一到三個可各自獨(dú)立地為氰基或氰基取代的C6-C10芳基；i)數(shù)量為a5的基團(tuán)R5的一個或兩個和ii)數(shù)量為a2的基團(tuán)R2的一個或兩個(或者，數(shù)量為ab2的基團(tuán)R2b的一個或兩個)可各自獨(dú)立地為氰基或氰基取代的C6-C10芳基；i)數(shù)量為a5的基團(tuán)R5的一個或兩個和ii)數(shù)量為a3的基團(tuán)R3的一個或兩個(或者，數(shù)量為ab3的基團(tuán)R3b的一個或兩個)可各自獨(dú)立地為氰基或氰基取代的C6-C10芳基；i)數(shù)量為a5的基團(tuán)R5的一個或兩個和ii)數(shù)量為a4的基團(tuán)R4的一個或兩個(或者，數(shù)量為aa4的基團(tuán)R4a的一個或兩個)可各自獨(dú)立地為氰基或氰基取代的C6-C10芳基；i)數(shù)量為a2的基團(tuán)R2的一個或兩個(或者，數(shù)量為ab2的基團(tuán)R2b的一個或兩個)和ii)數(shù)量為a3的基團(tuán)R3的一個或兩個(或者，數(shù)量為ab3的基團(tuán)R3b的一個或兩個)可各自獨(dú)立地為氰基或氰基取代的C6-C10芳基；i)數(shù)量為a2的基團(tuán)R2的一個或兩個(或者，數(shù)量為ab2的基團(tuán)R2b的一個或兩個)和ii)數(shù)量為a4的基團(tuán)R4的一個或兩個(或者，數(shù)量為aa4的基團(tuán)R4a的一個或兩個)可各自獨(dú)立地為氰基或氰基取代的C6-C10芳基；或i)數(shù)量為a3的基團(tuán)R3的一個或兩個(或者，數(shù)量為ab3的基團(tuán)R3b的一個或兩個)和ii)數(shù)量為a4的基團(tuán)R4的一個或兩個(或者，數(shù)量為aa4的基團(tuán)R4a的一個或兩個)可各自獨(dú)立地為氰基或氰基取代的C6-C10芳基。在一些實施方式中，由式1表示的稠環(huán)化合物可由式1(1)到1(12)表示：式1(1)到1(12)中的X1、X2、環(huán)A1到環(huán)A5、R1-R6、L1、b1和n的描述與本文中描述的相同，并且a1可為1-3的整數(shù)且a2-a6可各自獨(dú)立地為0-3的整數(shù)。例如，在式1(1)到1(12)中，X1可為單鍵、環(huán)A1和環(huán)A2可各自獨(dú)立地選自苯、芴、咔唑、二苯并呋喃和二苯并噻吩，并且環(huán)A1和環(huán)A2的至少一個可為苯，環(huán)A3和環(huán)A4可各自獨(dú)立地選自苯、芴、咔唑、二苯并呋喃和二苯并噻吩，并且環(huán)A3和環(huán)A4的至少一個可為苯，環(huán)A5可為苯，R1-R6可各自獨(dú)立地選自氫、氘、C1-C10烷基和C1-C10烷氧基；各自被至少一個氘取代的C1-C10烷基和C1-C10烷氧基；苯基、吡啶基、嘧啶基和三嗪基；各自被選自如下的至少一個取代的苯基、吡啶基、嘧啶基和三嗪基：氘、C1-C10烷基、C1-C10烷氧基、苯基、吡啶基、嘧啶基、三嗪基和-Si(Q31)(Q32)(Q33)；和-Si(Q1)(Q2)(Q3)，L1可選自亞苯基、亞吡啶基、亞嘧啶基和亞三嗪基；和各自被選自如下的至少一個取代的亞苯基、亞吡啶基、亞嘧啶基和亞三嗪基：氘、C1-C10烷基、C1-C10烷氧基、苯基、吡啶基、嘧啶基、三嗪基和-Si(Q8)(Q9)(Q10)，b1可為1或2，n可為0或1，和Q1-Q3、Q31-Q33、和Q8-Q10可各自獨(dú)立地選自氫、C1-C10烷基、C1-C10烷氧基、苯基、吡啶基、嘧啶基和三嗪基，但是實施方式不限于此。所述稠環(huán)化合物可為以下化合物1到482之一，但是實施方式不限于此：由式1表示的稠環(huán)化合物(見下式1')中的“環(huán)A”經(jīng)由“N”連接至環(huán)A5，并且“環(huán)B”連接至與“環(huán)A”的“N”連接的環(huán)A5的在鄰位上的碳原子。在這點(diǎn)上，由式1表示的稠環(huán)化合物的共軛長度縮短，并且因此由式1表示的稠環(huán)化合物可具有高的三線態(tài)能級。結(jié)果，雖然不希望受理論約束，但是認(rèn)為，由式1表示的稠環(huán)化合物可具有適合于電子器件例如有機(jī)發(fā)光器件的材料(例如，用于發(fā)射層的主體的材料)的三線態(tài)(T1)能級。式1中的“環(huán)B”的X2為O或S，并且由式1表示的稠環(huán)化合物包括1、2、3或4個氰基作為取代基。因此，可容易地控制由式1表示的稠環(huán)化合物的電特性(例如，HOMO、LUMO能級等)以改善電荷(例如，電子)遷移率。由式1表示的稠環(huán)化合物具有1、2、3或4個氰基作為取代基并且因此具有優(yōu)異的耐熱性。結(jié)果，由式1表示的稠環(huán)化合物可具有適合于電子器件例如用于有機(jī)發(fā)光器件的材料(例如，用于發(fā)射層的主體、和普通層的材料)的HOMO/LUMO能級，并且可具有長的壽命。例如，化合物3、4、9、16、28、408、409、413、415、421、423、424、429、437、450、459、B和C的HOMO、LUMO、T1、和S1能級可通過使用高斯程序的密度泛函理論(DFT)方法以B3LYP/6-31G(d,p)的水平進(jìn)行結(jié)構(gòu)優(yōu)化且通過模擬進(jìn)行評價。其結(jié)果顯示于下表1中：表1化合物B化合物C本領(lǐng)域普通技術(shù)人員可通過參照以下描述的合成實施例來理解合成由式1表示的稠環(huán)化合物的方法。在這點(diǎn)上，由式1表示的稠環(huán)化合物可適于用作用于有機(jī)發(fā)光器件的有機(jī)層的材料，例如用于有機(jī)層中的發(fā)射層的主體。根據(jù)另一方面，所述有機(jī)發(fā)光器件可包括：第一電極；第二電極；以及設(shè)置在所述第一電極和所述第二電極之間的有機(jī)層，其中所述有機(jī)層包括發(fā)射層和至少一種由式1表示的稠環(huán)化合物。所述有機(jī)發(fā)光器件包括包含由式1表示的稠環(huán)化合物的有機(jī)層，從而具有低的驅(qū)動電壓、高的效率和長的壽命。由式1表示的稠環(huán)化合物可用在有機(jī)發(fā)光器件中的電極對之間。例如，所述稠環(huán)化合物可包括于選自如下的至少一個中：i)發(fā)射層，ii)設(shè)置在第一電極和發(fā)射層之間的空穴傳輸區(qū)域(例如，所述空穴傳輸區(qū)域中包括選自空穴注入層、空穴傳輸層、和電子阻擋層的至少一個)，和iii)設(shè)置在發(fā)射層和第二電極之間的電子傳輸區(qū)域(例如，所述電子傳輸區(qū)域中包括選自空穴阻擋層、電子傳輸層、和電子注入層的至少一個)。例如，由式1表示的稠環(huán)化合物可包括在發(fā)射層中。這里，包括在發(fā)射層中的所述稠環(huán)化合物可起到主體的作用，并且所述發(fā)射層可進(jìn)一步包括摻雜劑(熒光摻雜劑、磷光摻雜劑或延遲熒光摻雜劑)。所述發(fā)射層可為分別發(fā)射紅色光、綠色光或藍(lán)色光的紅色發(fā)射層、綠色發(fā)射層、或藍(lán)色發(fā)射層。根據(jù)一個實施方式，由式1表示的稠環(huán)化合物可包括在發(fā)射層中，所述發(fā)射層可進(jìn)一步包括磷光摻雜劑，并且所述發(fā)射層可發(fā)射藍(lán)色光。如本文中使用的表述“(有機(jī)層)包括至少一種稠環(huán)化合物”可理解為“(有機(jī)層)可包括一種由式1表示的稠環(huán)化合物或者兩種或更多種不同的由式1表示的稠環(huán)化合物”。例如，所述有機(jī)層可僅包括化合物1作為所述稠環(huán)化合物。在這點(diǎn)上，化合物1可包括在所述有機(jī)發(fā)光器件的發(fā)射層中。替代地，所述有機(jī)層可包括化合物1和化合物2作為所述稠環(huán)化合物。在這點(diǎn)上，化合物1和化合物2可包括在相同的層中(例如，化合物1和化合物2兩者均可包括在所述發(fā)射層中)、或在不同的層中。所述第一電極可為作為空穴注入電極的陽極，和所述第二電極可為作為電子注入電極的陰極。替代地，所述第一電極可為作為電子注入電極的陰極，和所述第二電極可為作為空穴注入電極的陽極。例如，所述第一電極可為陽極，所述第二電極可為陰極，并且所述有機(jī)層可包括設(shè)置在所述第一電極和所述發(fā)射層之間的空穴傳輸區(qū)域、以及設(shè)置在所述發(fā)射層和所述第二電極之間的電子傳輸區(qū)域，其中所述空穴傳輸區(qū)域包括選自空穴注入層、空穴傳輸層、和電子阻擋層的至少一個，并且所述電子傳輸區(qū)域包括選自空穴阻擋層、電子傳輸層、和電子注入層的至少一個。如本文中使用的，術(shù)語“有機(jī)層”指的是設(shè)置在有機(jī)發(fā)光器件的第一電極和第二電極之間的單一和/或多個層。所述“有機(jī)層”可不僅包括有機(jī)化合物，而且包括包含金屬的有機(jī)金屬絡(luò)合物。圖1為根據(jù)實施方式的有機(jī)發(fā)光器件10的示意圖。在下文中，將參照圖1描述根據(jù)實施方式的有機(jī)發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)和制造方法。有機(jī)發(fā)光器件10包括：第一電極11、有機(jī)層15、和第二電極19，其以所陳述的次序順序地積層。可額外地在第一電極11下面或在第二電極19上設(shè)置基底。所述基底可為在有機(jī)發(fā)光器件中使用的常規(guī)基底，例如各自具有優(yōu)異的機(jī)械強(qiáng)度、熱穩(wěn)定性、透明性、表面光滑度、易操縱性和防水性的玻璃基底或透明塑料基底。第一電極11可通過在基底上真空沉積或濺射用于形成第一電極的材料而形成。第一電極11可為陽極。用于第一電極11的材料可選自具有高的功函的材料以促進(jìn)空穴注入。第一電極11可為反射性電極、半透射性電極、或透射性電極。用于第一電極11的材料可選自氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化錫(SnO2)、和氧化鋅(ZnO)。替代地，在本文中可使用金屬例如鎂(Mg)、鋁(Al)、鋁-鋰(Al-Li)、鈣(Ca)、鎂-銦(Mg-In)、和鎂-銀(Mg-Ag)。第一電極11可具有單層結(jié)構(gòu)或包括多個層的多層結(jié)構(gòu)。例如，第一電極11可具有ITO/Ag/ITO的三層結(jié)構(gòu)，但是實施方式不限于此。有機(jī)層15設(shè)置在第一電極11上有機(jī)層15可包括空穴傳輸區(qū)域、發(fā)射層、和電子傳輸區(qū)域。所述空穴傳輸區(qū)域可設(shè)置在第一電極11和所述發(fā)射層之間。所述空穴傳輸區(qū)域可包括選自如下的至少一個：空穴注入層、空穴傳輸層、電子阻擋層、和緩沖層。所述空穴傳輸區(qū)域可僅包括空穴注入層或空穴傳輸層。替代地，所述空穴傳輸區(qū)域可包括其中空穴注入層/空穴傳輸層或空穴注入層/空穴傳輸層/電子阻擋層在第一電極11上順序地積層的結(jié)構(gòu)。當(dāng)所述空穴傳輸區(qū)域包括空穴注入層時，可通過使用多種方法例如真空沉積、旋涂、流延、和朗繆爾-布羅杰特(LB)方法在第一電極11形成所述空穴注入層。當(dāng)通過真空沉積形成空穴注入層時，盡管條件可取決于用作空穴注入材料的化合物以及所期望的空穴注入層的結(jié)構(gòu)和熱性質(zhì)而變化，但是例如，真空沉積可在約100℃-約500℃范圍內(nèi)的沉積溫度下、在約10-8-約10-3托范圍內(nèi)的真空度下、和以在約-約/秒范圍內(nèi)的沉積速率進(jìn)行，但是實施方式不限于此。當(dāng)通過旋涂形成空穴注入層時，盡管條件可取決于用作空穴注入材料的化合物以及所期望的空穴注入層的結(jié)構(gòu)和熱性質(zhì)而變化，但是旋涂可以在約2,000轉(zhuǎn)/分鐘(rpm)-約5,000rpm范圍內(nèi)的涂布速率且在約80℃-約200℃范圍內(nèi)的用于在旋涂之后除去溶劑的溫度下進(jìn)行，但是實施方式不限于此。用于形成空穴傳輸層和電子阻擋層的條件可通過參照用于形成所述空穴注入層的條件而理解。所述空穴傳輸區(qū)域可包括選自如下的至少一種：m-MTDATA、TDATA、2-TNATA、NPB、β-NPB、TPD、螺-TPD、螺-NPB、甲基化的NPB、TAPC、HMTPD、4,4’,4”-三(N-咔唑基)三苯基胺(TCTA)、聚苯胺/十二烷基苯磺酸(Pani/DBSA)、聚(3,4-亞乙基二氧噻吩)/聚(4-磺苯乙烯)(PEDOT/PSS)、聚苯胺/樟腦磺酸(Pani/CSA)、(聚苯胺)/聚(4-磺苯乙烯)(Pani/PSS)、由下式201表示的化合物、和由下式202表示的化合物：式201中的Ar101和Ar102可各自獨(dú)立地選自亞苯基、亞并環(huán)戊二烯基、亞茚基、亞萘基、亞薁基、亞庚搭烯基、亞苊基、亞芴基、亞非那烯基、亞菲基、亞蒽基、亞熒蒽基、亞苯并[9,10]菲基、亞芘基、亞基、亞并四苯基、亞基、亞苝基、和亞戊芬基；和各自被選自如下的至少一個取代的亞苯基、亞并環(huán)戊二烯基、亞茚基、亞萘基、亞薁基、亞庚搭烯基、亞苊基、亞芴基、亞非那烯基、亞菲基、亞蒽基、亞熒蒽基、亞苯并[9,10]菲基、亞芘基、亞基、亞并四苯基、亞基、亞苝基、和亞戊芬基：氘、-F、-Cl、-Br、-I、羥基、氰基、硝基、氨基、脒基、肼基、腙基、羧酸基團(tuán)或其鹽、磺酸基團(tuán)或其鹽、磷酸基團(tuán)或其鹽、C1-C60烷基、C2-C60烯基、C2-C60炔基、C1-C60烷氧基、C3-C10環(huán)烷基、C3-C10環(huán)烯基、C1-C10雜環(huán)烷基、C1-C10雜環(huán)烯基、C6-C60芳基、C6-C60芳氧基、C6-C60芳硫基、C7-C60芳烷基、C1-C60雜芳基、C1-C60雜芳氧基、C1-C60雜芳硫基、C2-C60雜芳烷基、單價非芳族稠合多環(huán)基團(tuán)和單價非芳族稠合雜多環(huán)基團(tuán)。式201的xa和xb可各自獨(dú)立地為0-5的整數(shù)，或者可為0、1、或2。例如，xa可為1且xb可為0，但是實施方式不限于此。式201和202中的R101-R108、R111-R119和R121-R124可各自獨(dú)立地選自氫、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羥基、氰基、硝基、氨基、脒基、肼基、腙基、羧酸基團(tuán)或其鹽、磺酸基團(tuán)或其鹽、磷酸基團(tuán)或其鹽、C1-C10烷基(例如，甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基等)和C1-C10烷氧基(例如，甲氧基、乙氧基、丙氧基、丁氧基、戊氧基等)；各自被選自如下的至少一個取代的C1-C10烷基和C1-C10烷氧基：氘、-F、-Cl、-Br、-I、羥基、氰基、硝基、氨基、脒基、肼基、腙基、羧酸基團(tuán)或其鹽、磺酸基團(tuán)或其鹽、和磷酸基團(tuán)或其鹽；苯基、萘基、蒽基、芴基、和芘基；和各自被選自如下的至少一個取代的苯基、萘基、蒽基、芴基、和芘基：氘、-F、-Cl、-Br、-I、羥基、氰基、硝基、氨基、脒基、肼基、腙基、羧酸基團(tuán)或其鹽、磺酸基團(tuán)或其鹽、磷酸基團(tuán)或其鹽、C1-C10烷基和C1-C10烷氧基，但是實施方式不限于此。式201中的R109可選自苯基、萘基、蒽基、和吡啶基；和各自被選自如下的至少一個取代的苯基、萘基、蒽基、和吡啶基：氘、-F、-Cl、-Br、-I、羥基、氰基、硝基、氨基、脒基、肼基、腙基、羧酸基團(tuán)或其鹽、磺酸基團(tuán)或其鹽、磷酸基團(tuán)或其鹽、C1-C20烷基、C1-C20烷氧基、苯基、萘基、蒽基和吡啶基。根據(jù)一個實施方式，由式201表示的化合物可由式201A表示，但是實施方式不限于此：式201A式201A中的R101、R111、R112和R109的描述與本文中描述的相同。例如，由式201表示的化合物和由式202表示的化合物可包括化合物HT1至HT20，但是實施方式不限于此：所述空穴傳輸區(qū)域的厚度可在約-約10,000埃例如約-約的范圍內(nèi)。當(dāng)所述空穴傳輸區(qū)域包括空穴注入層和空穴傳輸層的至少一個時，所述空穴注入層的厚度可在約-約且例如約-約的范圍內(nèi)，和所述空穴傳輸層的厚度可在約-約且例如約-約的范圍內(nèi)。雖然不希望受理論約束，但是理解，當(dāng)所述空穴傳輸區(qū)域、所述空穴注入層、和所述空穴傳輸層的厚度在這些范圍內(nèi)時，可得到優(yōu)異的空穴傳輸特性而沒有驅(qū)動電壓的顯著增加。除了以上提及的材料之外，所述空穴傳輸區(qū)域可進(jìn)一步包括電荷產(chǎn)生材料以改善導(dǎo)電性質(zhì)。所述電荷產(chǎn)生材料可均勻地或不均勻地分散在整個空穴傳輸區(qū)域中。所述電荷產(chǎn)生材料可為例如p-摻雜劑。所述p-摻雜劑可為選自醌衍生物、金屬氧化物、和包含氰基的化合物的一種，但是實施方式不限于此。所述p-摻雜劑的非限制性實例為醌衍生物例如四氰基醌二甲烷(TCNQ)或2,3,5,6-四氟-四氰基-1,4-苯醌二甲烷(F4-TCNQ)；金屬氧化物例如氧化鎢或氧化鉬；和包含氰基的化合物例如化合物HT-D1或HP-1，但是實施方式不限于此。所述空穴傳輸區(qū)域可進(jìn)一步包括緩沖層。所述緩沖層可根據(jù)從所述發(fā)射層發(fā)射的光的波長補(bǔ)償光學(xué)諧振距離以改善有機(jī)發(fā)光器件的效率。可通過使用多種方法例如真空沉積、旋涂、流延、或LB方法在所述空穴傳輸區(qū)域上形成發(fā)射層。當(dāng)通過真空沉積或旋涂形成所述發(fā)射層時，盡管條件可取決于所使用的化合物而變化，但是用于所述發(fā)射層的真空沉積和涂布條件可大體上與用于形成空穴注入層的條件類似。所述空穴傳輸區(qū)域可進(jìn)一步包括電子阻擋層。所述電子阻擋層可包括已知的材料例如mCP，但是實施方式不限于此。當(dāng)所述有機(jī)發(fā)光器件為全色有機(jī)發(fā)光器件時，可將所述發(fā)射層圖案化為紅色發(fā)射層、綠色發(fā)射層、和藍(lán)色發(fā)射層。替代地，所述發(fā)射層可具有其中紅色發(fā)射層、綠色發(fā)射層、和/或藍(lán)色發(fā)射層積層以發(fā)射白色光的結(jié)構(gòu)，或者其它多種實施方式是可能的。所述發(fā)射層可包括由式1表示的稠環(huán)化合物。例如，所述發(fā)射層可包括主體和摻雜劑，并且所述主體可包括由式1表示的稠環(huán)化合物。發(fā)射層中的摻雜劑可包括選自如下的至少一種：根據(jù)熒光發(fā)射機(jī)理發(fā)射光的熒光摻雜劑、根據(jù)磷光發(fā)射機(jī)理發(fā)射光的磷光摻雜劑、和根據(jù)熱活化延遲熒光發(fā)射機(jī)理發(fā)射光的延遲熒光摻雜劑。根據(jù)一個實施方式，所述發(fā)射層中的摻雜劑可為磷光摻雜劑，并且所述磷光摻雜劑可包括由式81表示的有機(jī)金屬化合物：式81在式81中，M可選自銥(Ir)、鉑(Pt)、鋨(Os)、鈦(Ti)、鋯(Zr)、鉿(Hf)、銪(Eu)、鋱(Tb)、和銩(Tm)，Y1-Y4可各自獨(dú)立地為碳(C)或氮(N)，Y1和Y2可通過單鍵或雙鍵彼此連接，且Y3和Y4可通過單鍵或雙鍵彼此連接，CY1和CY2可各自獨(dú)立地為苯、萘、芴、螺二芴、茚、吡咯、噻吩、呋喃、咪唑、吡唑、噻唑、異噻唑、唑、異唑、吡啶、吡嗪、嘧啶、噠嗪、喹啉、異喹啉、苯并喹啉、喹喔啉、喹唑啉、咔唑、苯并咪唑、苯并呋喃、苯并噻吩、異苯并噻吩、苯并唑、異苯并唑、三唑、四唑、二唑、三嗪、二苯并呋喃、或二苯并噻吩，并且CY1和CY2可任選地進(jìn)一步通過有機(jī)連接基團(tuán)彼此連接，R81和R82可各自獨(dú)立地選自氫、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羥基、氰基、硝基、氨基、脒基、肼基、腙基、羧酸基團(tuán)或其鹽、磺酸基團(tuán)或其鹽、磷酸基團(tuán)或其鹽、-SF5、取代或未取代的C1-C60烷基、取代或未取代的C2-C60烯基、取代或未取代的C2-C60炔基、取代或未取代的C1-C60烷氧基、取代或未取代的C3-C10環(huán)烷基、取代或未取代的C1-C10雜環(huán)烷基、取代或未取代的C3-C10環(huán)烯基、取代或未取代的C1-C10雜環(huán)烯基、取代或未取代的C6-C60芳基、取代或未取代的C6-C60芳氧基、取代或未取代的C6-C60芳硫基、取代或未取代的C7-C60芳烷基、取代或未取代的C1-C60雜芳基、取代或未取代的C1-C60雜芳氧基、取代或未取代的C1-C60雜芳硫基、取代或未取代的C2-C60雜芳烷基、取代或未取代的單價非芳族稠合多環(huán)基團(tuán)、取代或未取代的單價非芳族稠合雜多環(huán)基團(tuán)、-N(Q1)(Q2)、-Si(Q3)(Q4)(Q5)和-B(Q6)(Q7)，a81和a82可各自獨(dú)立地為1-5的整數(shù)，n81可為0-4的整數(shù)，n82可為1、2或3，L81可為單價有機(jī)配體、二價有機(jī)配體、或三價有機(jī)配體，和Q1-Q7可具有與式1中的-Si(Q1)(Q2)(Q3)中的Q1-Q3相同的定義。R81和R82的描述可與本文中提供的R11的描述相同。磷光摻雜劑可包括選自化合物PD1-PD78、FIr6和PtOEP的至少一種，但是實施方式不限于此：在一些實施方式中，所述磷光摻雜劑可包括PtOEP：當(dāng)所述發(fā)射層包括主體和摻雜劑時，所述摻雜劑的量可選自基于約100重量份的所述主體的約0.01重量份-約20重量份的范圍，但是實施方式不限于此。所述發(fā)射層的厚度可在約-約例如約-約的范圍內(nèi)。雖然不希望受理論約束，但是理解，當(dāng)所述發(fā)射層的厚度在該范圍內(nèi)時，可得到優(yōu)異的發(fā)光特性而沒有驅(qū)動電壓的顯著增加。然后，電子傳輸區(qū)域可設(shè)置在所述發(fā)射層上。所述電子傳輸區(qū)域可包括選自空穴阻擋層、電子傳輸層、和電子注入層的至少一個，但不限于此。例如，所述電子傳輸區(qū)域可具有空穴阻擋層/電子傳輸層/電子注入層或電子傳輸層/電子注入層的結(jié)構(gòu)，但是其不限于此。所述電子傳輸層可具有單層結(jié)構(gòu)或包括兩個或更多個不同的層的多層結(jié)構(gòu)。用于形成空穴阻擋層、電子傳輸層、和電子注入層的條件可通過參照用于形成所述空穴注入層的條件而理解。當(dāng)所述電子傳輸區(qū)域包括空穴阻擋層時，所述空穴阻擋層可例如包括BCP、Bphen和TmPyPB的至少一種，但不限于此。所述空穴阻擋層的厚度可在約-約例如約-約的范圍內(nèi)。雖然不希望受理論約束，但是理解，當(dāng)所述空穴阻擋層的厚度在該范圍內(nèi)時，可得到優(yōu)異的空穴阻擋特性而沒有驅(qū)動電壓的顯著增加。所述電子傳輸層可包括選自BCP、BPhen、Alq3、BAlq、TAZ、和NTAZ的至少一種。在一些實施方式中，所述電子傳輸層可包括選自化合物ET1和ET2的至少一種，但其不限于此。所述電子傳輸層的厚度可在約-約例如約-約的范圍內(nèi)。雖然不希望受理論約束，但是理解，當(dāng)所述電子傳輸層的厚度在該范圍內(nèi)時，可得到優(yōu)異的電子傳輸特性而沒有驅(qū)動電壓的顯著增加。除了上述材料之外，所述電子傳輸層可進(jìn)一步包括含金屬的材料。所述含金屬的材料可包括Li絡(luò)合物。所述Li絡(luò)合物可包括，例如，化合物ET-D1(喹啉鋰，LiQ)或ET-D2。所述電子傳輸區(qū)域可包括促進(jìn)從第二電極19的電子注入的電子注入層(EIL)。所述電子注入層可包括選自LiF、NaCl、CsF、Li2O、和BaO的至少一種。所述電子注入層的厚度可在約-約例如約-約的范圍內(nèi)。雖然不希望受理論約束，但是理解，當(dāng)所述電子注入層的厚度在該范圍內(nèi)時，可得到優(yōu)異的電子注入特性而沒有驅(qū)動電壓的顯著增加。第二電極19設(shè)置在有機(jī)層15上。第二電極19可為陰極。用于第二電極19的材料可為具有相對低的功函的材料例如金屬、合金、導(dǎo)電化合物、及其混合物。用于形成第二電極19的材料的詳細(xì)實例為鋰(Li)、鎂(Mg)、鋁(Al)、鋁-鋰(Al-Li)、鈣(Ca)、鎂-銦(Mg-In)、和鎂-銀(Mg-Ag)。替代地，可使用ITO或IZO形成透射性第二電極19以制造頂發(fā)射發(fā)光器件，并且這樣的變化可為可能的。在上文中，已經(jīng)參照圖1描述了有機(jī)發(fā)光器件，但是實施方式不限于此。如本文中使用的C1-C60烷基指的是具有1-60個碳原子的直鏈或支化的脂族飽和烴單價基團(tuán)。其詳細(xì)實例為甲基、乙基、丙基、異丁基、仲丁基、叔丁基、戊基、異戊基、和己基。如本文中使用的C1-C60亞烷基指的是具有與C1-C60烷基相同的結(jié)構(gòu)的二價基團(tuán)。如本文中使用的C1-C60烷氧基指的是由-OA101表示的單價基團(tuán)(其中A101為C1-C60烷基)。其詳細(xì)實例為甲氧基、乙氧基、和異丙氧基。如本文中使用的C2-C60烯基指的是通過在C2-C60烷基的中間或末端處放置至少一個碳-碳雙鍵而形成的基團(tuán)。其詳細(xì)實例為乙烯基、丙烯基、和丁烯基。如本文中使用的C2-C60亞烯基指的是具有與C2-C60烯基相同的結(jié)構(gòu)的二價基團(tuán)。如本文中使用的C2-C60炔基指的是通過在C2-C60烷基的中間或末端處代入至少一個碳-碳三鍵而形成的基團(tuán)。其詳細(xì)實例為乙炔基和丙炔基。如本文中使用的C2-C60亞炔基指的是具有與C2-C60炔基相同的結(jié)構(gòu)的二價基團(tuán)。如本文中使用的C3-C10環(huán)烷基指的是包括3-10個碳原子的單價單環(huán)飽和烴基。其詳細(xì)實例為環(huán)丙基、環(huán)丁基、環(huán)戊基、環(huán)己基、和環(huán)庚基。如本文中使用的C3-C10亞環(huán)烷基指的是具有與C3-C10環(huán)烷基相同的結(jié)構(gòu)的二價基團(tuán)。如本文中使用的C1-C10雜環(huán)烷基指的是包括至少一個選自N、O、P、Si和S的雜原子作為成環(huán)原子和1-10個碳原子的單價單環(huán)飽和基團(tuán)。其詳細(xì)實例為四氫呋喃基和四氫噻吩基。如本文中使用的C1-C10亞雜環(huán)烷基指的是具有與C1-C10雜環(huán)烷基相同的結(jié)構(gòu)的二價基團(tuán)。如本文中使用的C3-C10環(huán)烯基指的是這樣的單價單環(huán)基團(tuán)：其在其環(huán)中具有3-10個碳原子和至少一個碳-碳雙鍵，并且其不是芳族的。其詳細(xì)實例為環(huán)戊烯基、環(huán)己烯基、和環(huán)庚烯基。如本文中使用的C3-C10亞環(huán)烯基指的是具有與C3-C10環(huán)烯基相同的結(jié)構(gòu)的二價基團(tuán)。如本文中使用的C1-C10雜環(huán)烯基指的是在其環(huán)中包括至少一個選自N、O、P、Si和S的雜原子作為成環(huán)原子、1-10個碳原子、和至少一個雙鍵的單價單環(huán)基團(tuán)。C1-C10雜環(huán)烯基的詳細(xì)實例為2,3-二氫呋喃基和2,3-二氫噻吩基。如本文中使用的C1-C10亞雜環(huán)烯基指的是具有與C1-C10雜環(huán)烯基相同的結(jié)構(gòu)的二價基團(tuán)。如本文中使用的C6-C60芳基指的是具有6-60個碳原子的具有碳環(huán)芳族體系的單價烴基，并且如本文中使用的C6-C60亞芳基指的是具有6-60個碳原子的具有碳環(huán)芳族體系的二價烴基。C6-C60芳基的詳細(xì)實例為苯基、萘基、蒽基、菲基、芘基、和基。當(dāng)C6-C60芳基和C6-C60亞芳基各自包括兩個或更多個環(huán)時，所述環(huán)可彼此稠合如本文中使用的C1-C60雜芳基指的是具有如下的雜環(huán)芳族體系和1-60個碳原子的單價基團(tuán)：所述雜環(huán)芳族體系包括至少一個選自N、O、P、Si和S的雜原子作為成環(huán)原子。如本文中使用的C1-C60亞雜芳基指的是具有如下的雜環(huán)芳族體系和1-60個碳原子的二價基團(tuán)：所述雜環(huán)芳族體系具有至少一個選自N、O、P、Si和S的雜原子作為成環(huán)原子。C1-C60雜芳基的詳細(xì)實例包括吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、噠嗪基、三嗪基、喹啉基、和異喹啉基。當(dāng)C1-C60雜芳基和C1-C60亞雜芳基各自包括多個環(huán)時，所述環(huán)可彼此稠合如本文中使用的C6-C60芳氧基表示-OA102(其中A102為C6-C60芳基)，和如本文中使用的C6-C60芳硫基表示-SA103(其中A103為C6-C60芳基)，和如本文中所使用的C7-C60芳烷基表示–A104A105(其中A104為C1-C60亞烷基且A105為C6-C60芳基)。如本文中使用的C1-C60雜芳氧基表示–OA106(其中A106為C1-C60雜芳基)，如本文中使用的C1-C60雜芳硫基表示–SA107(其中A107為C1-C60雜芳基)，和如本文中使用的C2-C60雜芳烷基表示–A108A109(其中A108為C1-C60亞烷基且A109為C1-C60雜芳基)。如本文中使用的單價非芳族稠合多環(huán)基團(tuán)指的是這樣的單價基團(tuán)：其具有兩個或更多個彼此稠合的環(huán)，僅具有碳原子(例如，碳原子數(shù)可在8-60的范圍內(nèi))作為成環(huán)原子，其中作為整體的分子結(jié)構(gòu)是非芳族的。非芳族稠合多環(huán)基團(tuán)的詳細(xì)實例包括芴基。如本文中使用的二價非芳族稠合多環(huán)基團(tuán)指的是具有與單價非芳族稠合多環(huán)基團(tuán)相同的結(jié)構(gòu)的二價基團(tuán)。如本文中使用的單價非芳族稠合雜多環(huán)基團(tuán)指的是這樣的單價基團(tuán)：其具有多個彼此稠合的環(huán)，除了碳原子(例如，碳原子數(shù)可在1-60的范圍內(nèi))之外還具有選自N、O、P、Si和S的雜原子作為成環(huán)原子，其中作為整體的分子結(jié)構(gòu)是非芳族的。單價非芳族稠合雜多環(huán)基團(tuán)包括咔唑基。如本文中使用的二價非芳族稠合雜多環(huán)基團(tuán)指的是具有與單價非芳族稠合雜多環(huán)基團(tuán)相同的結(jié)構(gòu)的二價基團(tuán)。所述取代的C3-C10亞環(huán)烷基、取代的C1-C10亞雜環(huán)烷基、取代的C3-C10亞環(huán)烯基、取代的C1-C10亞雜環(huán)烯基、取代的C6-C60亞芳基、取代的C1-C60亞雜芳基、取代的二價非芳族稠合多環(huán)基團(tuán)、取代的二價非芳族稠合雜多環(huán)基團(tuán)、取代的C1-C60烷基、取代的C2-C60烯基、取代的C2-C60炔基、取代的C3-C10環(huán)烷基、取代的C1-C10雜環(huán)烷基、取代的C3-C10環(huán)烯基、取代的C1-C10雜環(huán)烯基、取代的C6-C60芳基、取代的C6-C60芳氧基、取代的C6-C60芳硫基、取代的C7-C60芳烷基、取代的C1-C60雜芳基、取代的單價非芳族稠合多環(huán)基團(tuán)和取代的單價非芳族稠合雜多環(huán)基團(tuán)的至少一個取代基可選自氘、-F、-Cl、-Br、-I、-CD3、-CD2H、-CDH2、-CF3、-CF2H、-CFH2、羥基、氰基、硝基、氨基、脒基、肼基、腙基、羧酸基團(tuán)或其鹽、磺酸基團(tuán)或其鹽、磷酸基團(tuán)或其鹽、C1-C60烷基、C2-C60烯基、C2-C60炔基和C1-C60烷氧基；各自被選自如下的至少一個取代的C1-C60烷基、C2-C60烯基、C2-C60炔基和C1-C60烷氧基：氘、-F、-Cl、-Br、-I、-CD3、-CD2H、-CDH2、-CF3、-CF2H、-CFH2、羥基、氰基、硝基、氨基、脒基、肼基、腙基、羧酸基團(tuán)或其鹽、磺酸基團(tuán)或其鹽、磷酸基團(tuán)或其鹽、C3-C10環(huán)烷基、C1-C10雜環(huán)烷基、C3-C10環(huán)烯基、C1-C10雜環(huán)烯基、C6-C60芳基、C6-C60芳氧基、C6-C60芳硫基、C7-C60芳烷基、C1-C60雜芳基、單價非芳族稠合多環(huán)基團(tuán)、單價非芳族稠合雜多環(huán)基團(tuán)、-Si(Q11)(Q12)(Q13)、-N(Q14)(Q15)和-B(Q16)(Q17)；C3-C10環(huán)烷基、C1-C10雜環(huán)烷基、C3-C10環(huán)烯基、C1-C10雜環(huán)烯基、C6-C60芳基、C6-C60芳氧基、C6-C60芳硫基、C7-C60芳烷基、C1-C60雜芳基、單價非芳族稠合多環(huán)基團(tuán)和單價非芳族稠合雜多環(huán)基團(tuán)；各自被選自如下的至少一個取代的C3-C10環(huán)烷基、C1-C10雜環(huán)烷基、C3-C10環(huán)烯基、C1-C10雜環(huán)烯基、C6-C60芳基、C6-C60芳氧基、C6-C60芳硫基、C7-C60芳烷基、C1-C60雜芳基、單價非芳族稠合多環(huán)基團(tuán)和單價非芳族稠合雜多環(huán)基團(tuán)：氘、-F、-Cl、-Br、-I、-CD3、-CD2H、-CDH2、-CF3、-CF2H、-CFH2、羥基、氰基、硝基、氨基、脒基、肼基、腙基、羧酸基團(tuán)或其鹽、磺酸基團(tuán)或其鹽、磷酸基團(tuán)或其鹽、C1-C60烷基、C2-C60烯基、C2-C60炔基、C1-C60烷氧基、C3-C10環(huán)烷基、C1-C10雜環(huán)烷基、C3-C10環(huán)烯基、C1-C10雜環(huán)烯基、C6-C60芳基、C6-C60芳氧基、C6-C60芳硫基、C7-C60芳烷基、C1-C60雜芳基、單價非芳族稠合多環(huán)基團(tuán)、單價非芳族稠合雜多環(huán)基團(tuán)、-Si(Q21)(Q22)(Q23)、-N(Q24)(Q25)和-B(Q26)(Q27)；和-Si(Q31)(Q32)(Q33)、-N(Q34)(Q35)和-B(Q36)(Q37)，其中Q11-Q17、Q21-Q27和Q31-Q37可各自獨(dú)立地選自氫、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羥基、氰基、硝基、氨基、脒基、肼基、腙基、羧酸基團(tuán)或其鹽、磺酸基團(tuán)或其鹽、磷酸基團(tuán)或其鹽、取代或未取代的C1-C60烷基、取代或未取代的C2-C60烯基、取代或未取代的C2-C60炔基、取代或未取代的C1-C60烷氧基、取代或未取代的C3-C10環(huán)烷基、取代或未取代的C1-C10雜環(huán)烷基、取代或未取代的C3-C10環(huán)烯基、取代或未取代的C1-C10雜環(huán)烯基、取代或未取代的C6-C60芳基、取代或未取代的C6-C60芳氧基、取代或未取代的C6-C60芳硫基、取代或未取代的C7-C60芳烷基、取代或未取代的C1-C60雜芳基、取代或未取代的單價非芳族稠合多環(huán)基團(tuán)、和取代或未取代的單價非芳族稠合雜多環(huán)基團(tuán)。當(dāng)包含規(guī)定碳原子數(shù)的基團(tuán)被任意在前面的段落中列出的基團(tuán)取代時，在得到的“取代的”基團(tuán)中的碳原子數(shù)定義為原始(未取代的)基團(tuán)中包含的碳原子數(shù)與取代基中包含的碳原子(如果有的話)數(shù)之和。例如，當(dāng)術(shù)語“取代的C1-C30烷基”指代被C6-C60芳基取代的C1-C30烷基時，所得到的芳基取代的烷基中的碳原子的總數(shù)為C7-C90。如本文中使用的術(shù)語“聯(lián)苯基”指其中通過單鍵將兩個苯彼此連接的單價基團(tuán)。如本文中使用的術(shù)語“聯(lián)三苯基”指其中通過單鍵將三個苯彼此連接的單價基團(tuán)。在下文中，將參照合成實施例和實施例詳細(xì)地描述根據(jù)實施方式的化合物和有機(jī)發(fā)光器件，然而，本發(fā)明構(gòu)思不限于此。在描述合成實施例時使用的表述“使用B代替A”意味著基于摩爾當(dāng)量，所使用的B的量等于所使用的A的量。實施例合成實施例1：化合物3的合成根據(jù)以下反應(yīng)方案合成化合物3。中間體(1)的合成將10克(g)(47.2毫摩爾(mmol))的二苯并呋喃-2-基硼酸、9.43g(47.2mmol)的4-溴-3-氟苯甲腈、10.9g(9.4mmol)的四(三苯基膦)鈀Pd(PPh3)4、和19.6g(141.5mmol)的碳酸鉀(K2CO3)添加至100毫升(ml)的四氫呋喃和70ml的蒸餾水中，并將所得混合物加熱且然后回流。當(dāng)反應(yīng)完成時，將所得物冷卻至室溫，并且將有機(jī)層用乙酸乙酯萃取、用無水硫酸鈉(Na2SO4)干燥且然后濃縮。通過硅膠柱色譜法(二氯甲烷/己烷)將產(chǎn)物分離。將由以上步驟得到的固體重結(jié)晶(二氯甲烷/甲醇)以獲得中間體(1)的白色固體(11.9g，41.4mmol，產(chǎn)率88％)。LC-質(zhì)譜法(計算值：287.29g/mol，實測值：[M+1]＝288g/mol)化合物3的合成將20ml的N,N-二甲基甲酰胺在0℃下緩慢添加至1.9g(47.8mmol)的氫化鈉(NaH)(在礦物油中60％)，并且將所得混合物攪拌10分鐘。然后，將8g(47.8mmol)的咔唑溶解到30ml的N,N-二甲基甲酰胺中，并將所得混合物緩慢地添加至以上反應(yīng)溶液且在室溫下攪拌2小時。將90ml的N,N-二甲基甲酰胺和10.9g(38.0mmol)的中間體(1)的混合物添加至以上反應(yīng)溶液。將所得混合物加熱至120℃并且回流。當(dāng)反應(yīng)完成時，將反應(yīng)溶液添加至甲醇/水以得到沉淀物，并將所述沉淀物過濾，且用甲醇洗滌。將由以上步驟得到的所得物溶解在熱的甲苯中并且通過硅膠過濾以得到濾液。將所述濾液濃縮以得到固體，并將所述固體重結(jié)晶(二氯甲烷/甲醇，乙酸乙酯)兩次以合成化合物3(8.9g，20.5mmol，產(chǎn)率54％)。MALDI-TOF質(zhì)譜法(計算值：434.49g/mol，實測值：434.10g/mol)合成實施例2：化合物4的合成以與合成實施例1中相同的方式合成化合物4，除了如下之外：在合成中間體(1)時，使用3-溴-2-氟苯甲腈代替4-溴-3-氟苯甲腈(產(chǎn)率52％)。MALDI-TOF質(zhì)譜法(計算值：434.49g/mol，實測值：434.15g/mol)合成實施例3：化合物28的合成以與合成實施例1中相同的方式合成化合物28，除了如下之外：在合成中間體(1)時，使用3-溴-2-氟苯甲腈代替4-溴-3-氟苯甲腈，并且使用二苯并噻吩-2-基硼酸代替二苯并呋喃-2-基硼酸(產(chǎn)率47％)。MALDI-TOF質(zhì)譜法(計算值：405.55g/mol，實測值：405.11g/mol)合成實施例4：化合物409的合成以與合成實施例1中相同的方式合成化合物409，除了如下之外：i)在合成中間體(1)時，使用3-溴-2-氟苯甲腈代替4-溴-3-氟苯甲腈，和ii)在合成化合物3時，使用9H-咔唑-3-腈代替咔唑(產(chǎn)率35％)。MALDI-TOF質(zhì)譜法(計算值：459.50g/mol，實測值：459.18g/mol)合成實施例5：化合物413的合成中間體(2)的合成將3g(24.6mmol)的苯基硼酸、8.0g(24.6mmol)的3-溴-2-氟-5-碘苯甲腈、2.84g(2.46mmol)的四(三苯基膦)鈀(Pd(PPh3)4)、和10.2g(73.8mmol)的碳酸鉀(K2CO3)添加至70ml的四氫呋喃和36ml的蒸餾水中，并將所得混合物加熱且然后回流。當(dāng)反應(yīng)完成時，將所得物冷卻至室溫，并將有機(jī)層用乙酸乙酯萃取、用無水硫酸鈉(Na2SO4)干燥、且濃縮以通過硅膠柱色譜法(二氯甲烷/己烷)進(jìn)行分離過程，從而合成中間體(2)(5.8g，21mmol，產(chǎn)率85％)。LC-質(zhì)譜法(計算值：276.10g/mol，實測值：[M+1]＝277g/mol)化合物413的合成以與合成實施例1中相同的方式合成化合物413，除了如下之外：在合成中間體(1)時，使用中間體(2)代替4-溴-3-氟苯甲腈(產(chǎn)率45％)。MALDI-TOF質(zhì)譜法(計算值：510.58g/mol，實測值：510.17g/mol)合成實施例6：化合物415的合成中間體(2)-1的合成以與合成實施例5中的中間體(2)相同的方式合成中間體(2)-1，除了如下之外：在合成合成實施例5的中間體(2)時，使用2-吡啶硼酸代替苯基硼酸?；衔?15的合成以與合成實施例1相同的方式合成化合物415，除了如下之外：在合成中間體(1)時，使用中間體(2)-1代替4-溴-3-氟苯甲腈(產(chǎn)率23％)。MALDI-TOF質(zhì)譜法(計算值：511.57g/mol，實測值：511.17g/mol)合成實施例7：化合物9的合成以與合成實施例1中相同的方式合成化合物9，除了如下之外：在合成中間體(1)時，使用8-溴二苯并[b,d]呋喃-2-腈代替二苯并呋喃-2-基硼酸，并且使用2-氟苯基硼酸代替4-溴-3-氟苯甲腈(產(chǎn)率32％)。MALDI-TOF質(zhì)譜法(計算值：434.49g/mol，實測值：434.14g/mol)合成實施例8：化合物16的合成以與合成實施例1中相同的方式合成化合物16，除了如下之外：在合成中間體(1)時，使用8-溴二苯并[b,d]呋喃-2-腈代替二苯并呋喃-2-基硼酸，并且使用3-氰基-2-氟苯基硼酸代替4-溴-3-氟苯甲腈(產(chǎn)率40％)。MALDI-TOF質(zhì)譜法(計算值：459.50g/mol，實測值：459.17g/mol)合成實施例9：化合物408的合成以與合成實施例1中相同的方式合成化合物408，除了如下之外：i)在合成中間體(1)時，使用8-溴二苯并[b,d]呋喃-2-腈代替二苯并呋喃-2-基硼酸，和ii)在合成化合物3時，使用9H-咔唑-3-腈代替咔唑(產(chǎn)率30％)。MALDI-TOF質(zhì)譜法(計算值：459.50g/mol，實測值：459.15g/mol)合成實施例10：化合物421的合成以與合成實施例1中相同的方式合成化合物421，除了如下之外：i)在合成中間體(1)時，使用2-溴-3-氟苯甲腈代替4-溴-3-氟苯甲腈，和ii)在合成化合物3時，使用中間體(3)代替咔唑并且將反應(yīng)溫度變?yōu)?50℃(產(chǎn)率62％)。MALDI-TOF質(zhì)譜法(計算值：524.57g/mol，實測值：524.17g/mol)合成實施例11：化合物423的合成以與合成實施例1中相同的方式合成化合物423，除了如下之外：在合成化合物3時，使用中間體(3)代替咔唑并且將反應(yīng)溫度變?yōu)?50℃(產(chǎn)率57％)。MALDI-TOF質(zhì)譜法(計算值：524.57g/mol，實測值：524.16g/mol)合成實施例12：化合物424的合成以與合成實施例1中相同的方式合成化合物424，除了如下之外：i)在合成中間體(1)時，使用3-溴-2-氟苯甲腈代替4-溴-3-氟苯甲腈，和ii)在合成化合物3時，使用中間體(3)代替咔唑并且將反應(yīng)溫度變?yōu)?50℃(產(chǎn)率60％)。MALDI-TOF質(zhì)譜法(計算值：524.57g/mol，實測值：524.17g/mol)合成實施例13：化合物429的合成以與合成實施例1中相同的方式合成化合物429，除了如下之外：i)在合成中間體(1)時，使用8-溴二苯并[b,d]呋喃-2-腈代替二苯并呋喃-2-基硼酸并且使用3-氰基-2-氟苯基硼酸代替4-溴-3-氟苯甲腈，和ii)在合成化合物3時，使用中間體(3)代替咔唑并且將反應(yīng)溫度變?yōu)?50℃(產(chǎn)率33％)。MALDI-TOF質(zhì)譜法(計算值：549.58g/mol，實測值：549.18g/mol)合成實施例14：化合物437的合成以與合成實施例1中相同的方式合成化合物437，除了如下之外：i)在合成中間體(1)時，使用3-溴-2-氟苯甲腈代替4-溴-3-氟苯甲腈，和ii)在合成化合物3時，使用中間體(4)代替咔唑并且將反應(yīng)溫度變?yōu)?50℃(產(chǎn)率60％)。MALDI-TOF質(zhì)譜法(計算值：540.63g/mol，實測值：540.17g/mol)合成實施例15：化合物450的合成以與合成實施例1中相同的方式合成化合物450，除了如下之外：i)在合成中間體(1)時，使用3-溴-2-氟苯甲腈代替4-溴-3-氟苯甲腈，和ii)在合成化合物3時，使用中間體(5)代替咔唑并且將反應(yīng)溫度變?yōu)?50℃(產(chǎn)率17％)。MALDI-TOF質(zhì)譜法(計算值：524.57g/mol，實測值：524.19g/mol)合成實施例16：化合物459的合成以與合成實施例1中相同的方式合成化合物459，除了如下之外：i)在合成中間體(1)時，使用3-溴-2-氟苯甲腈代替4-溴-3-氟苯甲腈，和ii)在合成化合物3時，使用中間體(6)代替咔唑并且將反應(yīng)溫度變?yōu)?50℃(產(chǎn)率31％)。MALDI-TOF質(zhì)譜法(計算值：524.57g/mol，實測值：524.18g/mol)評價實施例1：熱特性的評價通過使用熱重分析(TGA)和差示掃描量熱法(DSC)對化合物3、4、413、424和A進(jìn)行熱分析(N2氣氛，溫度范圍：室溫～800℃(10℃/分鐘)-TGA，從室溫到400℃-DSC，托盤類型：在一次性Al托盤中的Pt托盤(TGA)，一次性Al托盤(DSC))。其結(jié)果示于表2中。表2顯示，與化合物A相比，化合物3、4、413和424具有優(yōu)異的熱穩(wěn)定性。表2化合物編號Tg(℃)分解開始溫度(℃)389292483285413106362424129393化合物A72317化合物A實施例1將其上具有擁有1,500埃的厚度的作為第一電極(陽極)的ITO(氧化銦錫)電極的玻璃基底用蒸餾水超聲處理，然后進(jìn)一步用溶劑例如異丙醇、丙酮和甲醇超聲處理并干燥以放置在等離子體清洗機(jī)中。接著，通過使用氧等離子體清洗所述玻璃基底5分鐘，然后將其安裝在真空沉積設(shè)備上。在所述玻璃基底的ITO電極上真空沉積化合物NPB以形成具有的厚度的空穴傳輸層，并且在所述空穴傳輸層上沉積mCP以形成具有的厚度的電子阻擋層。結(jié)果，形成了空穴傳輸區(qū)域。在所述空穴傳輸區(qū)域上共沉積化合物3(主體)和化合物FIr6(摻雜劑，10重量％(wt％))以形成具有的厚度的發(fā)射層。在所述發(fā)射層上真空沉積TmPyPB以形成具有的厚度的空穴阻擋層，并且在所述空穴阻擋層上沉積化合物Alq3以形成具有的厚度的電子傳輸層。然后，在所述電子傳輸層上沉積LiF以形成具有的厚度的電子注入層，并且在所述電子注入層上形成具有的厚度的Al第二電極(陰極)，從而制造有機(jī)發(fā)光器件。實施例2-16和對比例1-4以與實施例1中相同的方式制造有機(jī)發(fā)光器件，除了如下之外：當(dāng)形成發(fā)射層時，使用表3中的化合物代替化合物3作為主體。評價實施例2：有機(jī)發(fā)光器件的特性評價通過使用KeithleySMU236和亮度計PR650來評價實施例1-16和對比例1-4中制造的各有機(jī)發(fā)光器件的驅(qū)動電壓、電流效率和壽命。在表3中，實施例2-16和對比例1-4的驅(qū)動電壓和電流效率分別以與表示實施例1中的有機(jī)發(fā)光器件的驅(qū)動電壓和電流效率的“100”相比的相對值表示。表3中的壽命(T95)指直到亮度減小至其初始值的95％為止流逝的時間的量(小時，hr)，其中所述初始值以500尼特測量。實施例2-16和對比例1-4的壽命(T95)以與表示實施例1中的有機(jī)發(fā)光器件的壽命(T95)的“100”相比的相對值表示。表3表3顯示，與對比例1-4中的有機(jī)發(fā)光器件相比，實施例1-16中的有機(jī)發(fā)光器件具有更低或相當(dāng)?shù)尿?qū)動電壓、更高的電流效率和更長的壽命。應(yīng)理解，本文中描述的示例性實施方式應(yīng)僅在描述性意義上考慮并且不用于限制的目的。各示例性實施方式中的特征或方面的描述應(yīng)典型地被認(rèn)為可用于其它示例性實施方式中的其它類似特征或方面。雖然已經(jīng)參照附圖描述了一種或多種示例性實施方式，但是本領(lǐng)域普通技術(shù)人員將理解，在不背離如由所附權(quán)利要求所限定的本公開內(nèi)容的精神和范圍的情況下，可在其中進(jìn)行形式和細(xì)節(jié)上的各種變化。當(dāng)前第1頁1 2 3