技術特征：

1.一種具有消旋結構的離子型磷光金屬配合物，其結構為如下式(I)或式(II)所示：

[PtAg₂{rac-(PPh₂CH₂PPhCH₂-)₂}(C≡CR)₂(PR'₃)₂]²⁺A^n-_2/n； (I)

或

[PtAg₂{meso-(PPh₂CH₂PPhCH₂-)₂}(C≡CR)₂(PR'₃)(μ-X)]⁺_mA^m- (II)

其中，

R可相同或不同，獨立地選自：烷基、芳基、雜芳基、雜芳基芳基，

R'可相同或不同，獨立地選自：烷基、芳基、雜芳基；

所述的烷基、芳基、雜芳基均可被一個或多個取代基取代，所述取代基選自烷基、烯基、炔基、烷氧基、氨基、鹵素、鹵烷基、芳基；

X選自鹵素；

A^m-、A^n-為一價或二價陰離子，m或n為1、2，所述陰離子例如為ClO₄^-、PF₆^-、SbF₆^-、BF₄^-、SiF₆^2-等，μ代表橋聯(lián)。

2.根據(jù)權利要求1所述的磷光金屬配合物，其中，所述式(I)、或式(II)磷光金屬配合物的立體結構如下：

。

3.根據(jù)權利要求1或2所述的磷光金屬配合物，其中，所述R優(yōu)選為芳基、咔唑基、吩噻嗪基、咔唑基芳基；所述芳基、咔唑基、吩噻嗪基可任選被一個或多個取代基取代，所述取代基選自烷基、烷氧基、氨基、鹵素、鹵烷基、芳基；所述R'優(yōu)選為芳基、含氮雜環(huán)(例如咔唑基)，所述芳基、含氮雜環(huán)可任選被一個或多個取代基取代，所述取代基選自烷基、烷氧基、氨基、鹵素、鹵 烷基、芳基；進一步優(yōu)選的，R為苯基、烷基-苯基、鹵烷基-苯基、咔唑基-苯基、咔唑基、烷基-咔唑基、苯基-咔唑基、吩噻嗪基、烷基-吩噻嗪基；R'為苯基、烷基苯基、咔唑基、烷基-咔唑基、苯基-咔唑基；

進一步優(yōu)選的，所述金屬配合物具體的為如下11個配合物：

。

4.權利要求1-3任一項所述的磷光金屬配合物的制備方法，其中，所述式(I)磷光金屬配合物的制備方法包括如下步驟：1)將rac-(PPh₂CH₂PPhCH₂-)₂和Pt(PPh₃)₂(C≡CR)₂在溶劑中反應，得到中間體；2)再將步驟1)中得到的中間體與[Ag(tht)](A^n-)和PR'₃在溶劑中反應，得到所述式(I)磷光配合物；其中，所述tht(tetrahydrothiophene)為四氫噻吩，所述A^n-、R、R'、X如權利要求1-3任一項所定義；

或者，

所述式(II)磷光配合物的制備方法包括如下步驟：A)將meso-(PPh₂CH₂PPhCH₂-)₂和Pt(PPh₃)₂(C≡CR)₂在溶劑中反應，得到中間體；B)將PR'₃、ⁿBu₄NX、[Ag(tht)](A^m-)與步驟A)中得到的中間體在溶劑中反應，得到所述式(II)磷光配合物；其中，所述tht(tetrahydrothiophene)為四氫噻吩，所述A^m-、R、R'、X如權利要求1-3任一項所定義；

優(yōu)選的，所述步驟1)、步驟A)中，所述溶劑為鹵代烴，例如二氯甲烷；

優(yōu)選的，所述步驟2)、步驟B)中，所述溶劑優(yōu)選為鹵代烴，例如二氯甲烷。

5.權利要求1-3任一項所述的磷光金屬配合物用于有機發(fā)光二極管的用途。

6.一種有機發(fā)光二極管，包括發(fā)光層，其中，所述發(fā)光層中含有權利要求1-3任一項所述的式(I)或式(II)磷光配合物；

優(yōu)選的，在所述發(fā)光層中，權利要求1-3任一項所述的式(I)磷光配合物優(yōu)選占所有材料的3-20％(重量百分比)，更優(yōu)選5-10％，進一步優(yōu)選的，所述的式(I)磷光配合物以6％的重量百分比摻雜到主體材料中作為發(fā)光層；權利要求1-3任一項所述的式(II)磷光配合物優(yōu)選占所有材料的5-25％(重量百分比)，更優(yōu)選8-15％，進一步優(yōu)選的，所述的式(II)磷光配合物以10％的重量百分比摻雜到主體材料中作為發(fā)光層。

7.權利要求6所述的有機發(fā)光二極管，其中，所述有機發(fā)光二極管還包括：陽極層、空穴注入層、任選地空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層、陰極層。

8.權利要求7所述的有機發(fā)光二極管，其中，所述陽極可為銦錫氧化物，所述空穴注入層可為PEDOT:PSS(PEDOT:PSS＝聚(3,4-亞乙二氧基噻吩)-聚(苯乙烯磺酸))；所述空穴傳輸層可為CuSCN、CuI、CuBr；所述發(fā)光層含有權利要求1-3任一項所述的磷光配合物，以及具有空穴傳輸特性的物質和/或具有電子傳輸特性的物質；其中，具有空穴傳輸特性的物質可以為2,6-DCZPPY(2,6-二(3-(9-咔唑)苯基)吡啶)、mCP(1,3-雙(9-咔唑基)苯)、CBP(4,4'-二 (9-咔唑)-1,1'-聯(lián)苯)、或TCTA(三(4-(9-咔唑)苯基)胺)中的一種或多種；具有電子傳輸特性的物質可以為OXD-7(1,3-雙(5-(4-(叔丁基)苯基)-1,3,4-噁二唑-2-基)苯)；所述電子傳輸層可為BmPyPB(3,3”,5,5”-四(3-吡啶基)-1,1':3',1”-三聯(lián)苯)、TPBi(1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并[d]咪唑-2-基)苯)、BCP(2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲珞啉)或OXD-7中的一種或多種；所述電子注入層為LiF，所述陰極為Al。

優(yōu)選的,含有所述式(I)磷光配合物的器件結構為：ITO/PEDOT:PSS(50nm)/CuSCN(30nm)/70.5％2,6-DCZPPY:23.5％OXD-7:6％wt本發(fā)明式(I)配合物(50nm)/BmPyPB(50nm)/LiF(1nm)/Al(100nm)，或者ITO/PEDOT:PSS(50nm)/70.5％mCP:23.5％OXD-7:6％wt本發(fā)明式(I)配合物(50nm)/BmPyPB(50nm)/LiF(1nm)/Al(100nm)；

優(yōu)選的，含有所述式(II)磷光配合物的器件結構為：ITO/PEDOT:PSS(50nm)/CuSCN(30nm)/90％2,6-DCZPPY:10％wt本發(fā)明式(II)配合物(50nm)/BmPyPB(50nm)/LiF(1nm)/Al(100nm)，或者ITO/PEDOT:PSS(50nm)/90％mCP:10％wt本發(fā)明式(II)配合物(50nm)/BmPyPB(50nm)/LiF(1nm)/Al(100nm)。

其中，ITO為氧化銦錫導電薄膜，PEDOT:PSS為聚(3,4-亞乙二氧基噻吩)-聚(苯乙烯磺酸)，2,6-DCZPPY為(2,6-二(3-(9-咔唑基)苯基)吡啶)、mCP為(1,3-雙(9-咔唑基)苯)，OXD-7為1,3-雙(5-(4-(叔丁基)苯基)-1,3,4-噁二唑-2-基)苯，BmPyPB為(3,3”,5,5”-四(3-吡啶基)-1,1':3',1”-三聯(lián)苯)。

9.權利要求6-8任一項所述的有機發(fā)光二極管的制備方法，包括：1)采用溶液法在陽極上制備有機發(fā)光二極管中的空穴注入層；2)任選地采用溶液法制備有機發(fā)光二極管中的空穴傳輸層；3)采用溶液法制備摻雜有本發(fā)明的磷光配合物的發(fā)光層；4)再依次利用真空熱蒸鍍方法制備電子傳輸層、電子注入層、以及陰極層。

10.權利要求6-8任一項所述的有機發(fā)光二極管的用途，其用于平板顯示和日常照明領域中。