聚合物和器件的制作方法
【專利說明】聚合物和器件
[0001] 背景
[0002] 對于在器件諸如有機(jī)發(fā)光二極管（OLED)、有機(jī)光響應(yīng)器件（特別是有機(jī)光伏器件 和有機(jī)光傳感器）、有機(jī)晶體管和存儲器陣列器件中的應(yīng)用，含有活性有機(jī)材料的電子器件 正引起越來越多的關(guān)注。含有活性有機(jī)材料的器件提供諸如低重量、低功率消耗和柔性的 益處。此外，可溶有機(jī)材料的使用允許在器件制造中利用溶液加工，例如噴墨印刷或者旋 涂。
[0003] OLED器件可以包含帶有陽極的基底、陰極以及介于陽極和陰極之間的一個或多個 有機(jī)發(fā)光層。
[0004] 在器件工作期間空穴通過陽極被注入OLED器件并且電子通過陰極被注入器件。 OLED器件中存在的發(fā)光材料的最高已占分子軌道（HOMO)中的空穴和最低未占分子軌道 (LUMO)中的電子結(jié)合從而形成激子，所述激子以光的形式釋放其能量。在一些器件中也提 供空穴傳輸層，其用于幫助從陽極至發(fā)光層的空穴傳輸。
[0005] 發(fā)光層可以包含半導(dǎo)電主體材料和發(fā)光摻雜劑，其中能量從主體材料轉(zhuǎn)移至發(fā)光 摻雜劑。例如，J. Appl. Phys. 65, 3610, 1989公開了用熒光發(fā)光摻雜劑摻雜的主體材料（即， 其中通過單重態(tài)激子的衰變而發(fā)出光的發(fā)光材料）。
[0006] 磷光摻雜劑也是已知的（即，其中通過三重態(tài)激子的衰變而發(fā)出光的發(fā)光摻雜 劑）。
[0007] US2007/205714公開了包含由具有下式的單體形成的重復(fù)單元的共聚物：
[0008]
【主權(quán)項(xiàng)】
1. 一種共聚物，其包含式（I)的重復(fù)單元和至少一種另外的重復(fù)單元： 其中：
Ar1和Ar2各自獨(dú)立地選自芳基和雜芳基，所述芳基和雜芳基各自獨(dú)立地是未取代的或 取代有一個或多個取代基； 每個R獨(dú)立地是取代基； 每個η獨(dú)立地是0、1或2 ; 每個m獨(dú)立地是0、1、2或3,并且聚合物的重復(fù)單元中的至少之一是部分共軛的重復(fù)單 J Ll 〇
2. 根據(jù)權(quán)利要求1的共聚物，其中m和η中的至少一個是1，并且每個R獨(dú)立地選自如 下： -Cu烷基，其中一個或多個不相鄰的C原子可以被0、S、NRn、C = O和COO替換；其中 R11是取代基； -芳基或雜芳基，該芳基或雜芳基可以是未取代的或取代有一個或多個取代基； -芳基或者雜芳基的支化鏈或直鏈，其中每個芳基或雜芳基獨(dú)立地是未取代的或取代 有一個或多個取代基；以及 -可交聯(lián)基團(tuán)。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1或2的共聚物，其中每個R獨(dú)立地是C Htl烴基。
4. 根據(jù)任一前述權(quán)利要求的共聚物，其中η = 2。
5. 根據(jù)任一前述權(quán)利要求的共聚物，其中式（I)的重復(fù)單元具有式（II):
其中R1每次出現(xiàn)時是取代基；每個y獨(dú)立地是〇、1、2、3或4 ;并且每個z獨(dú)立地是0、 1、2、3、4 或 5〇
6. 根據(jù)任一前述權(quán)利要求的共聚物，其中式（I)的重復(fù)單元是部分共軛的重復(fù)單元。
7. 根據(jù)權(quán)利要求6的共聚物，其中式（I)的重復(fù)單元具有式（XIV):
其中l(wèi)U^Ar2、!!和m如權(quán)利要求1-5任一個中所定義；yl和y2各自獨(dú)立地是O或1， 條件是yl和y2的至少一個是1 ;并且每個y3獨(dú)立地是0、1或2。
8. 根據(jù)任一前述權(quán)利要求的共聚物，其中另外的重復(fù)單元是部分共軛的重復(fù)單元。
9. 根據(jù)權(quán)利要求8的共聚物，其中所述部分共軛的重復(fù)單元是式（Ilia)、（IIIb)或 (IIIc)的重復(fù)單元：
其中p是1、2或3 ;q每次出現(xiàn)時獨(dú)立地是1、2、3或4 ;w是0、1、2、3或4 ;并且R3每次 出現(xiàn)時獨(dú)立地是取代基。
10. 根據(jù)權(quán)利要求8的共聚物，其中所述部分共軛的另外的重復(fù)單元是式（VIIb)或 (VIIc)的重復(fù)單元：
其中R3和R8每次出現(xiàn)時獨(dú)立地是取代基。
11. 根據(jù)權(quán)利要求6-10任一項(xiàng)的共聚物，其中式（I)的重復(fù)單元不是部分共軛的重復(fù) 單元。
12. 根據(jù)任一前述權(quán)利要求的共聚物，其中Ar 2每次出現(xiàn)時獨(dú)立地選自如下：未取代的 苯基；取代有一個或多個取代基的苯基；和式（XIII)的基團(tuán)：
其中*代表式（XI I I)的基團(tuán)與式（I)重復(fù)單元的N原子的連接點(diǎn)；R3每次出現(xiàn)時是 相同的或不同的并且是取代基；R8每次出現(xiàn)時是相同的或不同的并且是取代基；e是0、1、2 或3 ;并且f是0、1、2、3或4。
13. 根據(jù)任一前述權(quán)利要求的共聚物，其中聚合物的至少一個重復(fù)單元取代有可交聯(lián) 基團(tuán)。
14. 一種配制物，其包含任一前述權(quán)利要求所述的共聚物和至少一種溶劑。
15. -種有機(jī)發(fā)光器件，該器件包含陽極、陰極、介于陽極和陰極之間的發(fā)光層以及介 于發(fā)光層和陽極之間的空穴傳輸層，其中所述空穴傳輸層包含根據(jù)權(quán)利要求1-12中任一 項(xiàng)的共聚物。
16. 根據(jù)權(quán)利要求15的有機(jī)發(fā)光器件，其中所述發(fā)光層包含焚光發(fā)光材料。
17. 根據(jù)權(quán)利要求15的有機(jī)發(fā)光器件，其中所述發(fā)光層包含磷光發(fā)光材料。
18. 形成根據(jù)權(quán)利要求15-17中任一項(xiàng)的有機(jī)發(fā)光器件的方法，該方法包含步驟：在陽 極上方形成空穴傳輸層；在空穴傳輸層上方形成發(fā)光層；和在發(fā)光層上方形成陰極。
19. 根據(jù)權(quán)利要求18的方法，其中通過在陽極上方沉積根據(jù)權(quán)利要求8的配制物并且 蒸發(fā)所述至少一種溶劑形成所述空穴傳輸層。
20. 根據(jù)權(quán)利要求19的方法，其中在形成發(fā)光層之前使所述空穴傳輸層交聯(lián)。
【專利摘要】一種共聚物，其包含式(I)的重復(fù)單元和至少一種另外的重復(fù)單元：其中：Ar1和Ar2各自獨(dú)立地選自芳基和雜芳基，所述芳基和雜芳基各自獨(dú)立地是未取代的或取代有一個或多個取代基；每個R獨(dú)立地是取代基；每個n獨(dú)立地是0、1或2；每個m獨(dú)立地是0、1、2或3，并且聚合物的重復(fù)單元中的至少一個是部分共軛的重復(fù)單元。
【IPC分類】C07C35-00, H05B33-00, C08G61-12, H01L51-00, H01B1-00, C07D235-00, C09K11-00
【公開號】CN104870414
【申請?zhí)枴緾N201380067717
【發(fā)明人】P·斯塔克豪斯, S·海登海因, R·佩京頓, J·皮洛, M·漢弗萊斯, 吉田大泰
【申請人】劍橋顯示技術(shù)有限公司, 住友化學(xué)株式會社
【公開日】2015年8月26日
【申請日】2013年12月23日
【公告號】WO2014102543A2, WO2014102543A3