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      一種親水性有機(jī)硅膜的制備方法與流程

      文檔序號(hào):11793704閱讀:1150來(lái)源:國(guó)知局
      一種親水性有機(jī)硅膜的制備方法與流程

      本發(fā)明屬于有機(jī)硅膜材料領(lǐng)域,特別涉及一種親水性有機(jī)硅膜的制備方法。



      背景技術(shù):

      有機(jī)硅(或稱(chēng)有機(jī)無(wú)機(jī)雜化硅)膜具有優(yōu)異的水熱穩(wěn)定性和化學(xué)穩(wěn)定性,其應(yīng)用前景十分廣泛,如反滲透和滲透汽化等膜分離過(guò)程。但限制其發(fā)展的主要缺點(diǎn)是膜的對(duì)水的親和力較低,滲透率較小。



      技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:

      針對(duì)當(dāng)前有機(jī)硅膜存在的水親和力較差、滲透率較低的問(wèn)題,本發(fā)明提供了一種親水性有機(jī)硅膜的制備方法,將有機(jī)硅膜浸泡在臭氧溶液中,通過(guò)調(diào)節(jié)浸泡時(shí)間和臭氧溶液濃度,調(diào)節(jié)膜孔徑大小及其表面水親和力,從而增加了膜的水親和力和滲透率,

      具體方案為:

      (1)通過(guò)有機(jī)硅源前驅(qū)體的水解聚合反應(yīng)制備有機(jī)硅聚合溶膠,

      其中,采用鹽酸作為溶膠制備的催化劑,所得溶膠的濃度為0.1~0.5wt%,

      有機(jī)硅源前驅(qū)體為1,2-二(三乙氧基硅基)乙烷(BTESE)或1,2-二(三乙氧基硅基)乙烯(BTESEthy);

      (2)采用熱涂法將硅鋯溶膠擦涂在陶瓷支撐體上,高溫條件下煅燒得到膜的過(guò)渡層,

      擦涂溶膠以及煅燒的操作重復(fù)6~8次,

      硅鋯溶膠的濃度為0.3wt%,涂擦?xí)r采用脫脂棉蘸取硅鋯溶膠,按一個(gè)方向在陶瓷支撐體上快速擦涂,

      涂完后立即于400~550℃煅燒20~30min,

      過(guò)渡層不僅僅增加了膜的水熱穩(wěn)定性,更重要的是:涂覆過(guò)渡層是為了將膜層表面的孔徑降至5nm左右,這樣的過(guò)渡層能夠防止出現(xiàn)孔滲現(xiàn)象,便于后續(xù)涂覆分離層;

      (3)采用熱涂法將步驟(1)中得到的有機(jī)硅聚合溶膠擦涂在步驟(2)中得到的過(guò)渡層上,涂完后煅燒得到有機(jī)硅膜,

      擦涂溶膠以及煅燒的操作重復(fù)1~2次,

      涂擦?xí)r,采用脫脂棉蘸取有機(jī)硅聚合溶膠,按一個(gè)方向在陶瓷支撐體上的過(guò)渡層表面快速擦涂,涂完后立即于100~250℃下煅燒20~30min;

      (4)將步驟(3)中制得的有機(jī)硅膜在臭氧水溶液中浸泡得到改性后的有機(jī)硅膜,

      臭氧水溶液濃度為0.5~2.5ppm,浸泡時(shí)間為10~150min,浸泡溫度為常溫(25℃),

      臭氧改性后,膜的水滲透率有了顯著增加,達(dá)到了1.6×10-12(kg m-2s-1Pa-1)。由于步驟(3)中制得的有機(jī)硅膜內(nèi)部分子結(jié)構(gòu)上為Si-C鍵、C-C鍵、Si-O鍵所形成的交錯(cuò)網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)(其中Si-O鍵數(shù)量居多,并且是構(gòu)成網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)的基礎(chǔ),即在微觀上硅原子起到網(wǎng)絡(luò)交叉點(diǎn)作用,相當(dāng)于是十字路口的中心);在此基礎(chǔ)上加入臭氧攻擊橋連的乙烷、乙烯反應(yīng)生成了臭氧化物,之后發(fā)生Criegee重排(臭氧的開(kāi)環(huán)反應(yīng))形成中間體,中間體會(huì)生成甲硅烷基醛,而甲硅烷基醛遇水水解后導(dǎo)致Si-C鍵斷裂,鍵上的碳原子最終形成甲酸游離到膜之外,而Si原子上形成了硅醇基,增加了膜的親水性;但是Si-O鍵所形成的交錯(cuò)網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)并不會(huì)受到破壞,這確保了力學(xué)性能。具體的化學(xué)反應(yīng)機(jī)理如附圖1所示。

      附圖說(shuō)明

      圖1為實(shí)施例1中臭氧改性BTESEthy膜的化學(xué)反應(yīng)機(jī)理示意圖。

      圖2為實(shí)施例1中浸泡于臭氧溶液中的時(shí)間為60min和120min所制備的改性有機(jī)硅膜以及對(duì)比例1中有機(jī)硅膜的FTIR圖,

      從圖2中可以看出,經(jīng)過(guò)臭氧改性后,有機(jī)硅膜表面Si-C鍵、碳碳雙鍵的峰有所減弱(鍵的數(shù)量減少),而Si-OH鍵的峰有所增強(qiáng)(相應(yīng)鍵的數(shù)量增加)。

      圖3為實(shí)施例1中浸泡于臭氧溶液中的時(shí)間為40min和120min所制備的改性有機(jī)硅膜以及對(duì)比例1中有機(jī)硅膜的截留分子量變化圖,

      從圖3中可以看出,經(jīng)過(guò)臭氧改性后,有機(jī)硅膜的孔徑變大,孔徑變大會(huì)增加水滲透率。

      圖4為實(shí)施例1中膜的水滲透率隨浸泡于臭氧溶液中時(shí)間的變化關(guān)系圖(操作壓力:1.15MPa,鹽水溶液濃度:2000ppm-NaCl)。

      具體實(shí)施方式

      實(shí)施例1

      (1)在鹽酸的催化作用下,通過(guò)有機(jī)硅源前驅(qū)體BTESEthy的水解聚合反應(yīng)制備出有機(jī)硅聚合溶膠,并將溶膠濃度稀釋至0.4wt%;

      (2)采用熱涂法將硅鋯溶膠(0.3wt%)擦涂在陶瓷支撐體上,500℃的高溫條件下煅燒25min成膜,重復(fù)該擦涂溶膠以及煅燒的操作8次,得到膜的過(guò)渡層;

      (3)采用熱涂法將步驟(1)中得到的有機(jī)硅聚合溶膠擦涂在步驟(2)中得到的過(guò)渡層上,涂完后于200℃下煅燒20min,重復(fù)該擦涂溶膠以及煅燒的操作2次,得到有機(jī)硅膜,

      制備7份相同的上述有機(jī)硅膜;

      (4)將步驟(3)中制得的6份有機(jī)硅膜浸泡在25℃、濃度1ppm的臭氧水溶液中,分別浸泡10min、20min、40min、60min、90min、120min后取出、干燥,得到改性后的有機(jī)硅膜;

      而由上述步驟(3)中所制備但未浸泡的1份有機(jī)硅膜為對(duì)比例1,作為實(shí)驗(yàn)參照。

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