I族金屬和第1B族金屬接觸以形成加氫催化劑。
[0149] 第三十三種實(shí)施方式，其為第三十二種實(shí)施方式所述的方法，其進(jìn)一步包括使煅 燒的載體與含氯化合物接觸以形成氯化的載體;使該氯化的載體與洗液接觸以形成沖洗的 載體;使該沖洗的載體與第VIII族金屬和第1B族金屬接觸以形成加氫催化劑。
[0150]第三十四種實(shí)施方式，其為第三十二種至第三十三種實(shí)施方式的任何一項(xiàng)所述的 方法，其中該無(wú)機(jī)材料包括高表面積氧化鋁
[0151]第三十五種實(shí)施方式，其為第三十四種實(shí)施方式所述的方法，其中高表面積氧化 鋁包括活性氧化鋁、γ氧化鋁、p氧化鋁、勃姆石、假勃姆石、三羥鋁石或其組合。
[0152]第三十六種實(shí)施方式，其為第三十四種實(shí)施方式所述的方法，其中高表面積氧化 錯(cuò)基本上由活性氧化錯(cuò)和/或γ氧化錯(cuò)組成。
[0153] 第三十七種實(shí)施方式，其為在富含烯烴的烴流中將高度不飽和烴選擇性加氫至較 不飽和烴的方法，其包括在將高度不飽和烴轉(zhuǎn)化至較不飽和烴的有效條件下，在存在氫和 催化劑組合物的情況下，將包括高度不飽和烴的烴流體流引入至反應(yīng)器中，其中催化劑組 合物的至少50%包括根據(jù)第三十二種實(shí)施方式所述的方法生產(chǎn)的加氫催化劑。
[0154] 第三十八種實(shí)施方式，其為一種方法，包括制備基本上由α-氧化鋁組成的多個(gè)低 曲率顆粒狀載體，該α-氧化鋁由高表面積氧化鋁形成，其中低曲率成形載體具有從約 0.05%至約5%的磨損;繪制低曲率顆粒狀載體的作為微分汞壓入的對(duì)數(shù)函數(shù)的孔徑;和識(shí) 別具有至少兩個(gè)峰的低曲率顆粒狀載體，每個(gè)峰具有最大值，其中第一個(gè)峰包括具有等于 或大于約200nm的第一個(gè)孔徑最大值的孔，和其中孔徑的第一個(gè)峰表示大于或等于低曲率 顆粒狀載體的總孔容的約5%。
[0155] 第三十九種實(shí)施方式，其為第三十八種實(shí)施方式所述的方法，其進(jìn)一步包括售賣 低曲率顆粒狀載體用于制備選擇性加氫催化劑。
[0156] 第四十種實(shí)施方式，其為包括第10族金屬、第1B族金屬和第三十八種實(shí)施方式所 述的至少一種識(shí)別的低曲率顆粒狀載體的加氫催化劑。
[0157] 第四十一種實(shí)施方式，其為包裝產(chǎn)品，其包括第三十八種實(shí)施方式所述的至少一 種識(shí)別的低曲率顆粒狀載體和描述識(shí)別的低曲率顆粒狀載體在制備具有降低的結(jié)垢速率 的加氫催化劑中的用途的書面材料。
[0158]盡管已經(jīng)顯示和描述了本發(fā)明的實(shí)施方式，但在不背離本發(fā)明精神和教導(dǎo)的情況 下本領(lǐng)域技術(shù)人員可對(duì)其進(jìn)行修飾。本文描述的實(shí)施方式僅僅是示例性的，并且不旨在是 限制性的。本文公開(kāi)的本發(fā)明的許多變型和修飾是可能的并且在本發(fā)明的范圍內(nèi)。在明確 表述了范圍或界限的地方，這些表達(dá)范圍或界限應(yīng)理解為包括落在所明確表述的范圍或界 限內(nèi)的同樣量級(jí)的迭代范圍或界限(例如，從約1至約10包括2,3,4,等;大于0.10包括0.11， 0.12,0.13,等）。就權(quán)利要求的任何要素使用術(shù)語(yǔ)"任選地"旨在表示該主題要素是必需的， 或可選地不是必需的。兩種選擇旨在在權(quán)利要求的范圍內(nèi)。較寬術(shù)語(yǔ)的使用，比如包括、包 含、具有等，應(yīng)理解為提供對(duì)較窄術(shù)語(yǔ)比如由......組成、基本上由......組成、基本上包 括等的支持。
[0159]所以，保護(hù)范圍不受上述說(shuō)明書的限制，而是僅僅受所附權(quán)利要求限制，其范圍包 括權(quán)利要求主題的所有等同方案。將每個(gè)和所有權(quán)利要求作為本發(fā)明的實(shí)施方式并入說(shuō)明 書。因此，權(quán)利要求是進(jìn)一步描述并且是本發(fā)明實(shí)施方式的附加。本文引用的全部專利、專 利申請(qǐng)和出版物的公開(kāi)內(nèi)容通過(guò)引用并入，程度是它們?yōu)楸疚年U釋的那些提供示例性、程 序性或其他的詳細(xì)補(bǔ)充。
【主權(quán)項(xiàng)】
1. 一種組合物，其包括： 載體，其由高表面積氧化鋁形成并且具有低曲率顆粒形狀;和 至少一種催化活性金屬， 其中所述載體具有孔、總孔容和孔徑分布;其中所述孔徑分布顯示孔徑的至少兩個(gè)峰， 每個(gè)峰具有最大值;其中第一個(gè)峰具有等于或大于約200nm的孔徑的第一個(gè)最大值，和第二 個(gè)峰具有小于約200nm的孔徑的第二個(gè)最大值;并且其中大于或等于所述載體的總孔容的 約5 %包含在孔徑的第一個(gè)峰內(nèi)。2. 權(quán)利要求1所述的組合物，其中所述低曲率顆粒形狀是球體。3. 權(quán)利要求1所述的組合物，其中所述低曲率顆粒形狀是精制的擠出物。4. 任一前述權(quán)利要求所述的組合物，其中所述高表面積氧化鋁包括活性氧化鋁、γ氧 化鋁、Ρ氧化鋁、勃姆石、假勃姆石、三羥鋁石或其組合。5. 權(quán)利要求1-3任一項(xiàng)所述的組合物，其中所述高表面積氧化鋁基本上由活性氧化鋁 和/或γ氧化鋁組成。6. 任一前述權(quán)利要求所述的組合物，其中所述孔徑的第一個(gè)峰的第一個(gè)最大值從約 200nm 至約 9000nm。7. 任一前述權(quán)利要求所述的組合物，其中大于或等于所述載體的總孔容的約10%包含 在孔徑的第一個(gè)峰內(nèi)。8. 任一前述權(quán)利要求所述的組合物，其中所述孔徑的第一個(gè)峰的第一個(gè)最大值從約 400nm 至約 8000nm。9. 任一前述權(quán)利要求所述的組合物，其中大于或等于所述載體的總孔容的約15%包含 在孔徑的第一個(gè)峰內(nèi)。10. 任一前述權(quán)利要求所述的組合物，其具有從約lm2/g至約35m2/g的表面積。11. 任一前述權(quán)利要求所述的組合物，其具有從約0. lcc/g至約0.9cc/g的總孔容，通過(guò) 微分汞壓入確定。12. 任一前述權(quán)利要求所述的組合物，其中在第一個(gè)峰的第一個(gè)最大值和第二個(gè)峰的 第二個(gè)最大值之間的距離至少約400nm。13. 任一前述權(quán)利要求所述的組合物，其中第一個(gè)峰是非高斯的，并且具有大于第二個(gè) 峰的半高峰寬度的半高峰寬度。14. 任一前述權(quán)利要求所述的組合物，其中所述載體具有從約llbf至約501bf的壓碎強(qiáng) 度。15. 任一前述權(quán)利要求所述的組合物，其中所述載體具有從約0.05 %至約5 %的磨損。16. 權(quán)利要求2所述的組合物，其中所述球體具有從約1mm至約10mm的直徑。17. 任一前述權(quán)利要求所述的組合物，其進(jìn)一步包括鹵化物。18. 任一前述權(quán)利要求所述的組合物，其進(jìn)一步包括第10族金屬。19. 任一前述權(quán)利要求所述的組合物，其進(jìn)一步包括第1B族金屬。20. 任一前述權(quán)利要求所述的組合物，其進(jìn)一步包括氯化物。21. -種制備加氫催化劑的方法，其包括： 使包括高表面積氧化鋁、成孔劑和水的混合物成形以形成成形載體，其中所述成形載 體包括低曲率顆粒形狀； 干燥所述成形載體以形成干燥的載體； 煅燒所述干燥的載體以形成煅燒的載體； 使所述煅燒的載體與含氯化合物接觸以形成氯化的載體； 降低所述氯化的載體中氯化物的量以形成清潔的載體;和 使所述清潔的載體與第10族金屬和第1B族金屬接觸以形成加氫催化劑， 其中所述加氫催化劑的孔徑分布顯示孔徑的至少兩個(gè)峰，每個(gè)峰具有最大值，其中第 一個(gè)峰具有等于或大于約2〇〇nm的孔徑的第一個(gè)最大值，和第二個(gè)峰具有小于約200nm的孔 徑的第二個(gè)最大值。22. 權(quán)利要求21所述的方法，其中所述煅燒的載體、所述氯化的載體、所述清潔的載體 或所述加氫催化劑具有從約lm2/g至約35m 2/g的表面積。23. 權(quán)利要求21或22所述的方法，其中所述煅燒的載體、所述氯化的載體、所述清潔的 載體或所述加氫催化劑具有從約〇. lcc/g至約0.9cc/g的總孔容，通過(guò)壓萊法確定。24. 權(quán)利要求21、22或23所述的方法，其中所述成形載體是球體或精制的擠出物。25. 權(quán)利要求24所述的方法，其中所述球體具有從約1mm至約10mm的直徑。26. 權(quán)利要求21至25任一項(xiàng)所述的方法，其中所述煅燒的載體、所述氯化的載體、所述 清潔的載體或所述加氫催化劑具有從約llbf至約501bf的壓碎強(qiáng)度。27. 權(quán)利要求21至26任一項(xiàng)所述的方法，其中所述煅燒的載體、所述氯化的載體、所述 清潔的載體或所述加氫催化劑具有從約0.05%至約5%的磨損。28. 權(quán)利要求21至27任一項(xiàng)所述的方法，其中大于或等于加氫催化劑的總孔容的約5% 包含在孔徑的第一個(gè)峰內(nèi)。29. 權(quán)利要求21至28任一項(xiàng)所述的方法，其中所述高表面積氧化鋁包括活性氧化鋁、γ 氧化鋁、Ρ氧化鋁、勃姆石、假勃姆石、三羥鋁石或其組合。30. 權(quán)利要求21至29任一項(xiàng)所述的方法，其中所述高表面積氧化鋁基本上由活性氧化 錯(cuò)和/或γ氧化錯(cuò)組成。31. -種由高表面積氧化鋁形成的低曲率顆粒形狀載體，其中所述低曲率顆粒形狀載 體的孔徑分布顯示孔徑的至少兩個(gè)峰，每個(gè)峰具有最大值;其中第一個(gè)峰具有等于或大于 約200nm的孔徑的第一個(gè)最大值，和第二個(gè)峰具有小于約200nm的孔徑的第二個(gè)最大值;其 中大于或等于低曲率顆粒形狀載體的總孔容的約15%包含在孔徑的第一個(gè)峰內(nèi)；并且其中 所述低曲率顆粒形狀載體是球體或精制的擠出物并且具有從約0.05%至約5%的磨損。32. -種制備加氫催化劑的方法，其包括： 選擇具有孔徑的多峰分布的無(wú)機(jī)材料，其中孔徑的至少一種分布包括具有等于或大于 約200nm的直徑的孔； 使包括所述無(wú)機(jī)材料和水的混合物成形以形成成形載體，其中所述成形載體具有低曲 率顆粒形狀和從約〇. 05 %至約5 %的磨損； 干燥所述成形載體以形成干燥的載體； 煅燒所述干燥的載體以形成煅燒的載體;和 使所述煅燒的載體與第VIII族金屬和第1B族金屬接觸以形成加氫催化劑。33. 權(quán)利要求32所述的方法，其進(jìn)一步包括使所述煅燒的載體與含氯化合物接觸以形 成氯化的載體;使氯化的載體與洗液接觸以形成沖洗的載體;使沖洗的載體與第VIII族金 屬和第1B族金屬接觸以形成加氫催化劑。34. 權(quán)利要求32或33所述的方法，其中所述無(wú)機(jī)材料包括高表面積氧化鋁。35. 權(quán)利要求34所述的方法，其中所述高表面積氧化鋁包括活性氧化鋁、γ氧化鋁、P氧 化鋁、勃姆石、假勃姆石、三羥鋁石或其組合。36. 權(quán)利要求35所述的方法，其中所述高表面積氧化鋁基本上由活性氧化鋁和/或γ氧 化鋁組成。37. -種在富含烯烴的烴流中將高度不飽和烴選擇性加氫為較不飽和烴的方法，其包 括在將高度不飽和烴轉(zhuǎn)化為較不飽和烴的有效條件下，在存在氫和催化劑組合物的情況 下，將包括高度不飽和烴的烴流體流引入至反應(yīng)器中， 其中所述催化劑組合物的至少50%包括根據(jù)權(quán)利要求32生產(chǎn)的加氫催化劑。38. -種方法，其包括： 制備多個(gè)低曲率顆粒狀載體，其基本上由氧化鋁組成，所述氧化鋁由高表面積氧 化鋁形成，其中所述低曲率狀載體具有從約0.05%至約5%的磨損； 繪制所述低曲率顆粒狀載體的作為微分汞壓入的對(duì)數(shù)函數(shù)的孔徑;和 識(shí)別具有至少兩個(gè)峰的所述低曲率顆粒狀載體，每個(gè)峰具有最大值，其中第一個(gè)峰包 括具有等于或大于約200nm的第一個(gè)孔徑最大值的孔，并且其中所述孔徑的第一個(gè)峰表示 大于或等于所述低曲率顆粒狀載體的總孔容的約5%。39. 權(quán)利要求38所述的方法，其進(jìn)一步包括售賣所述低曲率顆粒狀載體用于制備選擇 性加氫催化劑。40. -種加氫催化劑，其包括第10族金屬、第1B族金屬和權(quán)利要求38所述的至少一種識(shí) 別的低曲率顆粒狀載體。41. 一種包裝產(chǎn)品，其包括權(quán)利要求38所述的至少一種識(shí)別的低曲率顆粒狀載體和描 述識(shí)別的低曲率顆粒狀載體在制備具有降低的結(jié)垢速率的加氫催化劑中的用途的書面材 料。
【專利摘要】一種組合物，其包括由高表面積氧化鋁形成并且具有低曲率顆粒形狀的載體；和至少一種催化活性金屬，其中所述載體具有孔、總孔容和孔徑分布；其中所述孔徑分布顯示孔徑的至少兩個(gè)峰，每個(gè)峰具有最大值；其中第一個(gè)峰具有等于或大于約200nm的孔徑的第一個(gè)最大值，和第二個(gè)峰具有小于約200nm的孔徑的第二個(gè)最大值；并且其中大于或等于所述載體的總孔容的約5％包含在孔徑的第一個(gè)峰內(nèi)。
【IPC分類】B01J37/00, B01J35/00, B01J37/06, C07C29/50, B01J21/04, B01J23/50, B01J23/58, B01J35/02, B01J23/44, B01J35/10, B01J27/13, B01J37/02
【公開(kāi)號(hào)】CN105555404
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201380079219
【發(fā)明人】T-T·P·張, J·貝格曼斯特三世, S·L·凱利, M·J·布林, J·C·德拉馬塔, D·R·穆尼
【申請(qǐng)人】切弗朗菲利浦化學(xué)公司, 巴斯夫公司
【公開(kāi)日】2016年5月4日
【申請(qǐng)日】2013年9月6日
【公告號(hào)】CA2922259A1, EP3041608A1, WO2015034521A1