專利名稱：蝕刻液濃度控制方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是指一種濃度控制方法，尤指一種蝕刻液濃度控制方法。
背景技術(shù)：
利用酸性或堿性溶液的濕式蝕刻法，在當(dāng)前電子產(chǎn)品的制造過程中已經(jīng)成為相當(dāng) 普遍的制造方式，其應(yīng)用于包括顯示器面板、半導(dǎo)體、電路板等技術(shù)領(lǐng)域。由于采用蝕刻法 必須要維持蝕刻液濃度在一定的范圍內(nèi)不產(chǎn)生過大變動，才能確保蝕刻速率的穩(wěn)定，使制 品品質(zhì)能獲得控制。因此，蝕刻液濃度的控制方法成為制造過程中不可或缺的關(guān)鍵技術(shù)。
常用的濃度控制方法，例如臺灣專利證書號1297517，是在固定時間間隔內(nèi)將蝕刻 液采樣進行濃度分析，然后比對兩次分析所得到蝕刻液濃度的變化量后，補充一定量的酸 堿藥液，使蝕刻液濃度維持穩(wěn)定。但這種方法卻有缺點尚待克服，例如
( — )初始蝕刻液的濃度不易控制。開始進行蝕刻時，蝕刻液的濃度優(yōu)選要先調(diào)整 到適當(dāng)濃度。而常用技術(shù)只能根據(jù)兩次測量結(jié)果，將蝕刻液濃度補充至"上次測量濃度"，但 如果上次測量濃度不是初始的適當(dāng)濃度，那么就算補充藥液也永遠(yuǎn)無法補充到適當(dāng)濃度。
( 二 )補充藥液的管路所造成的補酸延遲因素未考慮進去。本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當(dāng) 知道，蝕刻液容易使管路產(chǎn)生阻塞導(dǎo)致流動速度受影響，連帶造成補藥的誤差，且管路的長 度也會影響補藥的速度。盡管常用技術(shù)采用預(yù)估蝕刻液消耗速率來補充藥液，試圖防止補 藥誤差，但實際運用上因其濃度控制方式過于簡單，依舊無法達到穩(wěn)定控酸的目的。因此更 容易發(fā)生補充不足或過多的狀況，難以達到穩(wěn)定補藥的要求。 上述這些問題點，都使蝕刻液濃度控制要耗費相當(dāng)時間與成本卻無法提高產(chǎn)品品 質(zhì)。因此，發(fā)明一種更精確的蝕刻液濃度控制方法，在本領(lǐng)域已屬刻不容緩。

發(fā)明內(nèi)容
申請人:鑒于已有技術(shù)中所產(chǎn)生的缺失，經(jīng)過悉心試驗與研究，并本著鍥而不舍的 精神，終得出本發(fā)明"蝕刻液濃度控制方法"，能夠克服上述缺點，以下是本發(fā)明的簡要說 明。 本發(fā)明的發(fā)明人在反復(fù)思考后提出本發(fā)明的蝕刻液濃度控制方法。當(dāng)依本發(fā)明所 揭示的方法進行蝕刻液的濃度控制時，需要在制造過程中持續(xù)測量蝕刻液濃度，然后根據(jù) 測量的濃度值與使用者期望的理想濃度值的差異，進行積分、微分以及比例化等計算方式 得到酸堿藥液的補充量以進行補藥維持蝕刻液濃度。由于本發(fā)明隨時監(jiān)控濃度變化，且能 隨濃度變化狀況調(diào)整計算公式的相關(guān)參數(shù)，因此能即時提供回饋控制信息，使藥液準(zhǔn)確且 持續(xù)地補充，維持蝕刻液濃度的穩(wěn)定。本發(fā)明具有提高生產(chǎn)效率與產(chǎn)品品質(zhì)的優(yōu)點。
根據(jù)本發(fā)明的構(gòu)想，提出一種蝕刻液濃度控制方法，包括下列步驟設(shè)定蝕刻液的 目標(biāo)濃度值；測量該蝕刻液得到測量濃度值；根據(jù)該目標(biāo)濃度值與該測量濃度值，而計算 出差值；比例化該差值而得比例值；比例化該差值的時間積分值而得比例積分值；比例化 該差值的時間微分值而得比例微分值；以及根據(jù)該比例值、該比例積分值及該比例微分值，
4補充該蝕刻液濃度至該目標(biāo)濃度值。 優(yōu)選地，本發(fā)明所提供的蝕刻液濃度控制方法，還包含采用離子層析法、滴定法以及光譜分析法中的任一種方式測量蝕刻液濃度。 優(yōu)選地，本發(fā)明所提供的蝕刻液濃度控制方法，其中所述滴定法用微泵(micropump)自所述蝕刻液中抽取蝕刻液樣本。 優(yōu)選地，本發(fā)明所提供的蝕刻液濃度控制方法，還包含從醇中選出稀釋液，以稀釋所述蝕刻液樣本。 優(yōu)選地，所述醇包括乙二醇、丙二醇、甘油和異丙醇等醇類。 優(yōu)選地，本發(fā)明所提供的蝕刻液濃度控制方法，還包含當(dāng)所述時間微分值落入第一范圍內(nèi)時，則該比例積分值是零。 優(yōu)選地，本發(fā)明所提供的蝕刻液濃度控制方法，還包含當(dāng)所述時間微分值落入第二范圍內(nèi)時，則該比例微分值是零。 優(yōu)選地，本發(fā)明所提供的蝕刻液濃度控制方法，還包含當(dāng)所述時間微分值落入第三范圍內(nèi)時，則該比例微分值是負(fù)值。 優(yōu)選地，本發(fā)明所提供的蝕刻液濃度控制方法，其中所述蝕刻液是酸或堿。 優(yōu)選地，所述酸可以是鹽酸、氫氟酸、硝酸、醋酸、磷酸、或硫酸等酸或其混合物。所
述堿可以是氫氧化鈉、氫氧化鉀、或氨等堿或其混合物。 優(yōu)選地，本發(fā)明所提供的蝕刻液濃度控制方法，還包含當(dāng)所述目標(biāo)濃度值大于所
述測量濃度值時，則根據(jù)所述差值增加所述蝕刻液濃度至所述目標(biāo)濃度值。 優(yōu)選地，本發(fā)明所提供的蝕刻液濃度控制方法，還包含當(dāng)所述目標(biāo)濃度值小于所
述測量濃度值時，則根據(jù)所述差值減少所述蝕刻液濃度至所述目標(biāo)濃度值。 又根據(jù)本發(fā)明的構(gòu)想，提出一種蝕刻液濃度控制方法，包括下列步驟監(jiān)控蝕刻液
的濃度變化值；比例化該濃度變化值而得比例值；比例化該濃度變化值的時間積分值而得
比例積分值；比例化該濃度變化值的時間微分值而得比例微分值；以及根據(jù)該比例值、該
比例積分值及該比例微分值，補充該蝕刻液。 優(yōu)選地，本發(fā)明所提供的蝕刻液濃度控制方法，還包含設(shè)定所述蝕刻液的第一濃度值，測量該蝕刻液得到第二濃度值，并根據(jù)該第一濃度值與該第二濃度值，得到所述濃度變化值。 優(yōu)選地，本發(fā)明所提供的蝕刻液濃度控制方法，還包含采用離子層析法、滴定法以及光譜分析法中的任一種方式測量蝕刻液濃度。 優(yōu)選地，本發(fā)明所提供的蝕刻液濃度控制方法，其中所述滴定法用微泵(micropump)自所述蝕刻液中抽取蝕刻液樣本。 優(yōu)選地，本發(fā)明所提供的蝕刻液濃度控制方法，還包含從醇中選出稀釋液，以稀釋所述蝕刻液樣本。 優(yōu)選地，所述醇包括乙二醇、丙二醇、甘油和異丙醇等醇類。 優(yōu)選地，本發(fā)明所提供的蝕刻液濃度控制方法，還包含當(dāng)所述時間微分值落入第一范圍內(nèi)時，則所述比例積分值是零。 優(yōu)選地，本發(fā)明所提供的蝕刻液濃度控制方法，還包含當(dāng)所述時間微分值落入第二范圍內(nèi)時，則所述比例微分值是零。
優(yōu)選地，本發(fā)明所提供的蝕刻液濃度控制方法，還包含當(dāng)所述時間微分值落入第三范圍內(nèi)時，則所述比例微分值是負(fù)值。 優(yōu)選地，本發(fā)明所提供的蝕刻液濃度控制方法，其中所述蝕刻液是酸或堿。 優(yōu)選地，所述酸可以是鹽酸、氫氟酸、硝酸、醋酸、磷酸、或硫酸等酸或其混合物。所
述堿可以是氫氧化鈉、氫氧化鉀、或氨等堿或其混合物。 優(yōu)選地，本發(fā)明所提供的蝕刻液濃度控制方法，其中所述比例值是所述濃度變化值與第一定值的乘積，所述比例積分值是所述時間積分值與第二定值的乘積，所述比例微分值是所述時間微分值與第三定值的乘積。 又根據(jù)本發(fā)明的構(gòu)想，提出一種能實施上述方法的裝置。


圖1是與本發(fā)明蝕刻液濃度控制方法配套的蝕刻液濃度分析及控制裝置示意 圖2是本發(fā)明蝕刻液濃度控制方法的一個實施例的流程圖；及
圖3是本發(fā)明蝕刻液濃度控制方法的一個實施例的控酸狀況折線圖。
具體實施例方式
本發(fā)明將可由以下的實施例說明而得到充分了解，使得本領(lǐng)域技術(shù)人員可以據(jù)以實施，然而本發(fā)明的實施并非可由下列實施例而被限制其實施。 請參閱圖1，其為本發(fā)明的方法所搭配的蝕刻液濃度分析及控制裝置示意圖。蝕刻機部分1大致上為常用的蝕刻機結(jié)構(gòu)，其包括蝕刻液槽10、循環(huán)泵11、循環(huán)管路12。蝕刻液槽IO用來儲存蝕刻液以進行蝕刻反應(yīng)，蝕刻液槽10內(nèi)的蝕刻液則包含例如氫氧化鈉、氫氧化鉀、氨等常用的堿性溶液及其混合溶液，以及例如鹽酸、氫氟酸、硝酸、醋酸、磷酸、硫酸等常用的酸性溶液及其混合溶液。循環(huán)泵11用來將蝕刻反應(yīng)后的蝕刻液抽回，經(jīng)過循環(huán)管路12送回蝕刻液槽10以重復(fù)進行蝕刻反應(yīng)。 濃度分析及控制部分2則包括藥液桶20、加藥機21、分析儀22。分析儀22連接分析管路23，分析管路23則連接循環(huán)管路12，使循環(huán)管路12內(nèi)流動的蝕刻液能被分析儀22用微泵(micro pump，圖未顯示)抽取，并在分析儀22內(nèi)對抽取出來的蝕刻液樣本進行分析。藥液桶20內(nèi)配備用來補充蝕刻液槽10內(nèi)蝕刻液的藥液，加藥機21則根據(jù)分析儀22的指示送出該藥液，通過加藥機21與蝕刻液槽10相連的控制管路24，將該藥液補充至蝕刻液槽10。 需要特別指出的是，加藥機21可連接多個藥液桶20 (圖未顯示)，能視情況需要進行不同種類藥液的補充，例如當(dāng)蝕刻液濃度過高時還可以補充水，用以降低蝕刻液濃度。
由于循環(huán)管路12內(nèi)的蝕刻液流動速度較慢，因此分析儀22內(nèi)需要配置微泵，才能通過分析管路23更有效率的抽取蝕刻液樣本，并減少氣泡產(chǎn)生而便于進行分析。分析儀22可向抽取到的蝕刻液樣本中，再加入乙二醇、丙二醇、甘油、異丙醇等醇類作為稀釋液進行稀釋，其中因丙二醇無毒，屬于較佳選擇。以非水性的酸堿中和滴定法，測量例如由酸性或堿性混合溶液所構(gòu)成的蝕刻液樣本中各酸性自由基的當(dāng)量濃度，得到測量濃度值。當(dāng)然，分析儀除了使用滴定法測量濃度外，還可以使用離子層析法或光譜分析法，來測量蝕刻液中各主要成分的濃度值。
在本發(fā)明中，分析儀22可以預(yù)先設(shè)定，并可隨需要改變蝕刻液的目標(biāo)濃度值，但通常是在蝕刻制造過程開始前或首次測量蝕刻液濃度前要設(shè)定好。本領(lǐng)域技術(shù)人員會經(jīng)過多次的實驗與制造過程，通過適當(dāng)選擇而決定較佳反應(yīng)的目標(biāo)濃度值的大致范圍，也因此目標(biāo)濃度值也可以設(shè)定為一個范圍區(qū)間，但本發(fā)明實施例將目標(biāo)濃度值以一個定值來說明。該目標(biāo)濃度值為進行蝕刻反應(yīng)時，作為與該測量濃度值比對的依據(jù)。
此外，當(dāng)分析儀22獲得該測量濃度值后，則將該測量濃度值與該目標(biāo)濃度值做比對，若該測量濃度值大于該目標(biāo)濃度值，則分析儀22會根據(jù)該測量濃度值與該目標(biāo)濃度值的差值P，指示加藥機21補充水或停止補藥程序，以降低蝕刻液槽10內(nèi)的蝕刻液濃度，使槽內(nèi)的蝕刻液濃度稀釋至目標(biāo)濃度值。若該測量濃度值小于該目標(biāo)濃度值，則分析儀22會根據(jù)該測量濃度值與該目標(biāo)濃度值的差值P，指示加藥機21補充特定種類的酸性或堿性藥液，以增加蝕刻液槽10內(nèi)的蝕刻液濃度，使槽內(nèi)的蝕刻液濃度增加至目標(biāo)濃度值。
請參見圖2，其為本發(fā)明所提出的蝕刻液濃度控制方法的一個實施例的流程圖。其步驟包括(Sl)設(shè)定蝕刻液的目標(biāo)濃度值；(S2)測量蝕刻液得到測量濃度值；(S3)根據(jù)該目標(biāo)濃度值與該測量濃度值，而計算出濃度差值P ;(S4)計算差值P的時間積分值I與時間微分值D ; (S5)根據(jù)時間微分值D，決定積分系數(shù)Ki與微分系數(shù)Kd ; (S6)根據(jù)比例系數(shù)Kp、積分系數(shù)Ki與微分系數(shù)Kd，分別比例化差值P、時間積分值I與時間微分值D ; (S7)根據(jù)S6結(jié)果計算補藥量U以補充藥液。 需要特別指出，圖2所示的實施例并不限定要以圖1的裝置進行，本實施方法僅列出優(yōu)選實施方式，因此只要能符合本發(fā)明權(quán)利要求所述的方法，都屬于本發(fā)明的范圍。此外，上述步驟S1并不限定為必須要第一個進行的步驟，實際上也可以與S2步驟同時進行，且每次測量到補藥完畢仍可重復(fù)這些測量補藥步驟。 本發(fā)明所采用的比例、積分、微分控制方法，簡單來說是如上述根據(jù)濃度差值P決定補藥量U，但其細(xì)節(jié)則如下所述。首先，計算出蝕刻液目標(biāo)濃度值與測量濃度值的差值P，再求得該差值P的時間微分D與時間積分1，根據(jù)差值P、時間積分1、時間微分D，分別乘上比例系數(shù)Kp、積分系數(shù)Ki、微分系數(shù)Kd、而計算出補酸量。其簡單公式如下述公式1 :
〈公式1>
<formula>formula see original document page 7</formula>
公式1是簡化公式，實際上是由下述公式2而來。
〈公式2> <formula>formula see original document page 7</formula>
在公式2中，Ti是積分時間，Td是微分時間，且<formula>formula see original document page 7</formula>通常僅有比例控制時，若在t時間的輸入值是U(t)以及輸出值是P(t)，且U。是維持P(t) =P。所必要的輸入值(P。為目標(biāo)濃度值)，因此在<formula>formula see original document page 7</formula>的關(guān)系成立的前提下，比例控制應(yīng)滿足<formula>formula see original document page 7</formula>的公式。 上述公式比例控制的概念就是消除目前的濃度差值P，即濃度差值P越大，需要的補藥量U也越大，兩者必然成一比例關(guān)系。積分控制的概念是平均過去的濃度差，用來消除目標(biāo)濃度值與測量濃度值的固定偏差，微分控制則是通過濃度差的變化趨勢來預(yù)測將來的濃度差，用來修正補酸量在目標(biāo)值上下來回波動的現(xiàn)象，綜合三個方向給予比已有技術(shù)更細(xì)致完整的濃度控制，而通常已有技術(shù)最多只能做到比例控制。
在本發(fā)明的蝕刻液濃度控制方法中，僅有比例控制時，由于藥液的補充與蝕刻液濃度的測量需要時間，這段時間濃度的變化需要積分控制來增加補藥量，而補藥時考慮到控制管路的阻塞程度，使得藥液補充可能會有延遲的現(xiàn)象。因此，為防止之后的測量濃度值又錯估了實際的狀況，最后導(dǎo)致補充過多的藥液。因此需要加入微分控制，且微分系數(shù)Kd應(yīng)優(yōu)選為負(fù)值。 但只是以比例、積分、微分來控制蝕刻液濃度其實仍有不足之處，受到蝕刻液的物理性質(zhì)較為濃稠的限制，藥液槽通往蝕刻槽的補藥管路也容易隨著蝕刻時間而產(chǎn)生相當(dāng)程度的遲滯阻塞，因此上述公式應(yīng)增加根據(jù)蝕刻狀況改變補藥量U的調(diào)整。
由于補藥延遲的狀況能以測量蝕刻液濃度差值變化得到依據(jù)，因此本發(fā)明可隨著所述D值的大小變化，例如當(dāng)D值落入第一范圍內(nèi)時，調(diào)整三種控制方式所采用的比例系數(shù)Kp、積分系數(shù)Ki、微分系數(shù)Kd的值，或任選一種上述系數(shù)值來調(diào)整，使比例值Kp XP、比例積分值Ki X I、比例微分值KdXD產(chǎn)生相對應(yīng)的改變，進而計算出根據(jù)D值改變的補藥量U (輸出量)。 在本發(fā)明的控制方法中，時間積分I與時間微分D需要累計多次測量結(jié)果，才能得到可充分利用的數(shù)據(jù)，因此盡管Kp、Ki、Kd通常是適當(dāng)選擇而設(shè)定的定值，但仍可在蝕刻制造過程開始后的前兩 三次濃度測量步驟時(蝕刻初期，該時段的D值以落入?yún)^(qū)間[a。，b。]來定義)，而當(dāng)D值落入該區(qū)間[a。，b。]時，則讓Ki與kd設(shè)為零，使比例積分值與比例微分值無效化。也就是說，初期可僅以比例控制來維持蝕刻液濃度，Ki與Kd的數(shù)值則可在D值計算出來并落入適當(dāng)選擇的預(yù)定區(qū)間[a。，b。]后開始變化，當(dāng)然僅讓Ki或Kd分別在D值落入?yún)^(qū)間[a。，b。]或區(qū)間[a' 。，b'。]內(nèi)時而設(shè)為零，也屬于本發(fā)明的范圍。
如果在濃度差值P較大的情況下(通常為蝕刻初期)，表示濃度的變化趨勢的時間微分D值通常也會增加(因補藥量大使?jié)舛茸兓?，這時可設(shè)定當(dāng)D值落入?yún)^(qū)間[a，b]或未落入?yún)^(qū)間[A，bJ內(nèi)時，Kd為負(fù)值，連帶使得比例微分值KdXD成為較大的負(fù)值，可抑制補藥過量的問題，一旦濃度進入穩(wěn)定狀態(tài)，即濃度變化量小(D變小)，則比例微分值KdXD的影響相對變小。 當(dāng)然，除了微分系數(shù)Kd外，積分系數(shù)Ki也可以根據(jù)D值作出相應(yīng)的變化設(shè)定。由于以本發(fā)明方法在進行蝕刻制造過程時，在蝕刻液濃度逐漸趨于穩(wěn)定值后，目標(biāo)濃度值與測量濃度值產(chǎn)生一個固定偏差。因此還可針對Ki值作出變化條件的設(shè)定。例如可針對特定狀況，在蝕刻初期積分控制還不需要運作時，或蝕刻液濃度逐漸趨于穩(wěn)定時，或蝕刻制造過程持續(xù)過長時間，導(dǎo)致管路阻塞程度逐漸嚴(yán)重時，分別針對D值設(shè)定第一區(qū)間[a2，b2]與第二區(qū)間[a3， b3]，使D值在落入該第一區(qū)間內(nèi)時Ki為第一定值，落入該第二區(qū)間時Ki為第二定值，未落入該第一區(qū)間與該第二區(qū)間時則Ki為零，以三種可變的Ki值來對應(yīng)上述的三種狀況。 請參閱圖3，其為本發(fā)明提出的蝕刻液濃度控制方法的一個實施例的控酸狀況折線圖。依據(jù)本發(fā)明所提出的蝕刻液濃度控制方法，設(shè)定前兩次控酸的Kp = 0. 5、Ki = 0、Kd=0，從第三次控酸后設(shè)定Kd = -0. 25，且當(dāng)D小于0. 01時Ki = 0. 25 ;D超過0. 01時Ki=0。至于目標(biāo)濃度則設(shè)定為1. 79%，蝕刻液初始濃度為1. 60%。在圖3中，左側(cè)Y座標(biāo)為控酸后的濃度，右側(cè)Y座標(biāo)為補酸量，該補酸量若為0. l，則代表添加的補酸量可使藥液濃度增加0. 1%的濃度。其控酸結(jié)果如圖3所示，由圖3可知在蝕刻液消耗速率不變的前提下，蝕刻液濃度會逐漸趨于穩(wěn)定。 通過以上所揭示的技術(shù)內(nèi)容，當(dāng)依照本發(fā)明所揭示的方法進行蝕刻液的濃度控制時，需要在制造過程中持續(xù)測量蝕刻液濃度，然后根據(jù)測量的濃度值與使用者期望的理想濃度值的差異，進行積分、微分以及比例化等計算方式得到酸堿藥液的補充量以進行補藥維持蝕刻液濃度。由于本發(fā)明隨時監(jiān)控濃度變化，且能隨濃度變化狀況調(diào)整計算公式的相關(guān)參數(shù)，因此能即時提供回饋控制信息，使藥液準(zhǔn)確且持續(xù)地補充，維持蝕刻液濃度的穩(wěn)定。本發(fā)明具有提高生產(chǎn)效率與產(chǎn)品品質(zhì)的優(yōu)點。 本發(fā)明以上所述內(nèi)容，僅是本發(fā)明的最佳實施例，不能用來限定本發(fā)明所實施的范圍。即只要是依照本發(fā)明權(quán)利要求所作的同等變化與修改，都應(yīng)仍屬于本發(fā)明專利涵蓋的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
一種蝕刻液濃度控制方法，其步驟包括設(shè)定蝕刻液的目標(biāo)濃度值；測量所述蝕刻液得到測量濃度值；根據(jù)所述目標(biāo)濃度值與所述測量濃度值，而計算出差值；比例化所述差值而得比例值；比例化所述差值的時間積分值而得比例積分值；比例化所述差值的時間微分值而得比例微分值；及根據(jù)所述比例值、所述比例積分值及所述比例微分值，補充所述蝕刻液濃度至所述目標(biāo)濃度值。
2. 如權(quán)利要求1所述的方法，其步驟還包括采用離子層析法、滴定法以及光譜分析法中的任一種方式測量蝕刻液濃度。
3. 如權(quán)利要求2所述的方法，其中所述滴定法用微泵自所述蝕刻液中抽取蝕刻液樣本。
4. 如權(quán)利要求3所述的方法，其步驟還包括從醇中選出稀釋液，以稀釋所述蝕刻液樣本。
5. 如權(quán)利要求4所述的方法，其中所述醇包括乙二醇、丙二醇、甘油和異丙醇。
6. 如權(quán)利要求1所述的方法，其中當(dāng)所述時間微分值落入第一范圍內(nèi)時，所述比例積分值是零；當(dāng)所述時間微分值落入第二范圍內(nèi)時，所述比例微分值是零；或當(dāng)所述時間微分值落入第三范圍內(nèi)時，所述比例微分值是負(fù)值。
7. 如權(quán)利要求1所述的方法，所述蝕刻液是酸或堿。
8. 如權(quán)利要求7所述的方法，其中所述酸包括鹽酸、氫氟酸、硝酸、醋酸、磷酸、硫酸或其混合物；所述堿包括氫氧化鈉、氫氧化鉀、氨或其混合物。
9. 如權(quán)利要求1所述的方法，其中當(dāng)所述目標(biāo)濃度值大于所述量測濃度值時，則根據(jù)所述差值增加所述蝕刻液濃度至所述目標(biāo)濃度值；或當(dāng)所述目標(biāo)濃度值小于所述量測濃度值時，則根據(jù)所述差值減少所述蝕刻液濃度至所述目標(biāo)濃度值。
10. —種蝕刻液濃度控制方法，其步驟包括監(jiān)控蝕刻液的濃度變化值；比例化所述濃度變化值而得比例值；比例化所述濃度變化值的時間積分值而得比例積分值；比例化所述濃度變化值的時間微分值而得比例微分值；及根據(jù)所述比例值、所述比例積分值及所述比例微分值，補充所述蝕刻液。
11. 如權(quán)利要求10所述的方法，其步驟還包括設(shè)定所述蝕刻液的第一濃度值，測量所述蝕刻液得到第二濃度值，并根據(jù)所述第一濃度值與所述第二濃度值，得到所述濃度變化值。
12. 如權(quán)利要求IO所述的方法，其中所述比例值是所述濃度變化值與第一定值的乘積，所述比例積分值是所述時間積分值與第二定值的乘積，所述比例微分值是所述時間微分值與第三定值的乘積c
全文摘要
本發(fā)明提出一種蝕刻液濃度控制方法，其步驟包括監(jiān)控蝕刻液的濃度變化值；比例化該濃度變化值而得比例值；比例化該濃度變化值的時間積分值而得比例積分值；比例化該濃度變化值的時間微分值而得比例微分值；以及根據(jù)該比例值、該比例積分值及該比例微分值，補充該蝕刻液。本發(fā)明采用積分、微分以及比例化等計算方式得到酸堿藥液的補充量，以進行補藥維持蝕刻液濃度。
文檔編號G01N31/16GK101727023SQ20081017204
公開日2010年6月9日 申請日期2008年10月28日 優(yōu)先權(quán)日2008年10月28日
發(fā)明者陳志行 申請人:浩碩科技股份有限公司