專利名稱：發(fā)光元件用封裝件及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種用于搭載發(fā)光元件(素子)的封裝件(パツケ一ジ)和具有該封裝件的發(fā)光器件(デバイス)，以及該封裝件的制造方法。
背景技術(shù)：
以前，如圖10所示，發(fā)光元件用封裝件是把各個(gè)陶瓷制的基體7和框架體71接合成一體而構(gòu)成的，在框架體71的內(nèi)側(cè)，形成發(fā)光元件2的放置空間(腔體(キヤビテイ))，并在框架體71的內(nèi)周面形成包圍腔體的全周的金屬層50。還有，在基體7的上面，形成要分別與發(fā)光元件2的一對端子(供電端子和接地端子)連接的一對接合(ランド)層37、47，兩接合層37、47通過通孔38、48，分別與在基體7的背面配備的一對外部電極30、40連接(參照日本國公開特許公報(bào)第2002-232017號(hào))。
發(fā)光元件2搭載在一個(gè)接合層47的表面上，一個(gè)端子與該接合層47連接，同時(shí)，另一個(gè)端子則通過引線21與另一個(gè)接合層37連接。
在上述發(fā)光器件中，光從發(fā)光元件2全方位地出射，向前方(圖10的上方)出射的光直接向前方行進(jìn)，向側(cè)方出射的光則經(jīng)金屬層50的表面反射，改變行進(jìn)路線而向前方行進(jìn)，還有，接合層37、47也具有反射層的作用，使來自發(fā)光元件2的光向前方反射。
然而問題是，在圖10所示的發(fā)光器件中，在接合層37、47與金屬層50之間以及在接合層37、47之間，設(shè)有用于電絕緣的間隙G，因而來自發(fā)光元件2的光就通過該間隙G而向基體7的內(nèi)部漏掉，所以發(fā)光效率低。
對此，如圖11和圖12所示，本申請人開發(fā)出了以下發(fā)光器件包圍封裝件8的腔體80而形成金屬層51，并把從腔體80的底面露出的一對接合層81、82進(jìn)一步向周圍擴(kuò)大，在腔體80的底面上、接合層81、82和金屬層51之間沒有間隙。在該發(fā)光器件中，一對接合層81、82分別通過通孔83、85與一對外部電極84、86連接。
還有，一對接合層81、82與金屬層51接觸的話，兩接合層81、82之間就會(huì)發(fā)生電短路，因而金屬層51形成為其下端部不到接合層81、82的深度尺寸。
在上述發(fā)光器件中，從發(fā)光元件2向腔體底面出射的光基本上被接合層81、82的表面發(fā)射而向前方行進(jìn)，因而發(fā)光效率比以前提高了。
不過，由于如上所述的金屬層51和接合層81、82相分離，因而不能由金屬層51反射全部從發(fā)光元件2向側(cè)方出射的光。還有，由于接合層81、82之間的間隙不可少，因而不能把從發(fā)光元件2向該間隙區(qū)域出射的光向前方反射。因此，仍然存在不能獲得足夠高的發(fā)光效率的問題。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明的目的是提供一種獲得比以前有足夠高的發(fā)光效率的發(fā)光元件用封裝件及其制造方法。
本發(fā)明的發(fā)光元件用封裝件，在由絕緣材料構(gòu)成的基體11的上面設(shè)置由絕緣材料構(gòu)成的框架體14而構(gòu)成，在框架體14的內(nèi)側(cè)，形成用于放置發(fā)光元件的腔體10，在框架體14的內(nèi)周面，形成包圍腔體10的全周的反射層5。在基體11的上面，形成要分別與發(fā)光元件的一對端子連接的一對接合層31、41，兩接合層31、41的表面從腔體10的底面露出，兩接合層31、41分別與在基體11上配備的一對外部電極3、4連接。
還有，在上述基體11的上面形成的一對接合層31、41中的一個(gè)接合層41沿基體11的上面而擴(kuò)展，其外周部與反射層5的下端部連接，另一個(gè)接合層31由從基體11的上面露出的露出部33和從該露出部33向周圍擴(kuò)展并埋設(shè)在基體11的內(nèi)部的埋設(shè)部34構(gòu)成，該埋設(shè)部34的外周部達(dá)到反射層5的下端部的下方位置或者與該下方位置相比，伸向外側(cè)。另外，基體11和框架體14分別是陶瓷制的或者是合成樹脂制的。
在搭載了上述本發(fā)明的發(fā)光元件用封裝件而構(gòu)成的發(fā)光器件中，從發(fā)光元件2向側(cè)方出射的光，經(jīng)反射層5的表面反射而向前方行進(jìn)。此處，反射層5包圍封裝件1的腔體10而在全周形成，并且，其下端部形成了接觸到腔體10的底面的深度尺寸，因此，所有向腔體10的內(nèi)壁出射的光都會(huì)被反射。
從發(fā)光元件2向腔體10的底面出射的光，經(jīng)兩接合層31、41的表面反射而向前方行進(jìn)。此處，上述一個(gè)接合層41沿基體11的上面擴(kuò)展，其外周部與反射層5的下端部連接，因此，在該接合層41和反射層5之間沒有間隙，不會(huì)漏掉通過間隙的光。
還有，另一個(gè)接合層31中，從露出部33向周圍擴(kuò)展的埋設(shè)部34埋設(shè)在基體11的內(nèi)部，該埋設(shè)部34的外周部達(dá)到反射層5的下端部的下方位置或者與該下方位置相比，伸向外側(cè)，因此，入射到該接合層31的露出部33和反射層5的端部所夾著的區(qū)域的光，就由埋設(shè)部34反射到前方。
另外，在該接合層3 1和反射層5的下端部之間，有由基體11的表層部形成的絕緣層，因此，接合層31和反射層5就成為電絕緣的，在兩接合層31、41間不會(huì)產(chǎn)生短路。
按照上述本發(fā)明的發(fā)光元件用封裝件，在反射層和一對接合層31、41之間不存在光能夠通過的間隙，因此，能夠獲得比以前足夠高的發(fā)光效率。
本發(fā)明的發(fā)光元件用封裝件的制造方法，用于制造上述本發(fā)明的發(fā)光元件用封裝件，具有制作構(gòu)成上述基體11的1層或多層第1陶瓷坯片(せラミツクグリ一ンシ一ト)15、16的工序；制作構(gòu)成上述框架體14的1層或多層第2陶瓷坯片17的工序；以及，使第2陶瓷坯片17與第1陶瓷坯片15、16的上面接合，燒制這些陶瓷坯片的工序。
并且，上述第1陶瓷坯片15、16的制作工序具有在陶瓷坯片16a的上面，形成構(gòu)成上述一對接合層的一對金屬層36、46的第1工序；覆蓋包含上述一對金屬層36、46中的一個(gè)金屬層36的與第2陶瓷坯片17的接合區(qū)域的、陶瓷坯片16a的上面的一部分，而形成絕緣層9的第2工序；以及，在厚度方向?qū)π纬闪私^緣層9的陶瓷坯片16a進(jìn)行壓縮，使該陶瓷坯片16a的上面變得平坦的第3工序。
在上述本發(fā)明的發(fā)光元件用封裝件的制造方法中，在第1陶瓷坯片15、16的制作工序中，通過第3工序，在厚度方向壓縮陶瓷坯片16a，使該陶瓷坯片16a的上面變得平坦，從而，在第1工序形成的金屬層36、46和在第2工序形成的絕緣層9就被壓入陶瓷坯片16a的表面。在此過程中，被金屬層36的絕緣層9覆蓋的區(qū)域，由于受到絕緣層9的擠壓，與不被絕緣層9覆蓋的區(qū)域相比，被壓入得深了絕緣層9的厚度，被埋設(shè)在陶瓷坯片16a的內(nèi)部。使第2陶瓷坯片17與如此獲得的第1陶瓷坯片15、16的上面接合，并燒制這些陶瓷坯片，從而完成上述本發(fā)明的發(fā)光元件用封裝件。
按照上述本發(fā)明的發(fā)光元件用封裝件的制造方法，能夠采用不對以前的制造工序大幅度進(jìn)行改變的簡易的工序，來制造本發(fā)明的發(fā)光元件用封裝件。
還有，本發(fā)明的另一發(fā)光元件用封裝件，在由絕緣材料構(gòu)成的基體11的上面設(shè)置由絕緣材料構(gòu)成的框架體14而構(gòu)成，在框架體14的內(nèi)側(cè)，形成用于放置發(fā)光元件的腔體10，在框架體14的內(nèi)周面，形成包圍腔體10的全周的第1反射層5。在基體11的上面，相分離地形成要分別與發(fā)光元件的一對端子連接的一對接合層31、41，兩接合層31、41分別與在基體11上配備的一對外部電極3、4連接。還有，在上述基體11上，至少在從腔體10的底面露出的區(qū)域內(nèi)的、不形成上述接合層31、41的區(qū)域的下層位置，形成了第2反射層6。另外，基體11和框架體14分別是陶瓷制的或者是合成樹脂制的。
在搭載了上述本發(fā)明的發(fā)光元件用封裝件而構(gòu)成的發(fā)光器件中，從發(fā)光元件2向兩接合層31、41之間的間隙區(qū)域出射的光，透過基體11的表層部，不過，經(jīng)第2反射層6的表面反射，就會(huì)向前方行進(jìn)。此處，第2反射層6至少在從腔體10的底面露出的區(qū)域內(nèi)的、不形成上述接合層31、41的區(qū)域擴(kuò)展，因此，入射到兩接合層31、41之間的間隙區(qū)域的光不會(huì)漏掉，而是會(huì)被全部反射。另外，第2反射層6與兩接合層31、41相分離，因此，兩接合層31、41之間不會(huì)發(fā)生短路。
按照上述本發(fā)明的發(fā)光元件用封裝件，從發(fā)光元件2向封裝件1的腔體10出射的光全部被反射，因此，獲得了比以前足夠高的發(fā)光效率。


圖1是本發(fā)明的發(fā)光器件的透視圖。
圖2是該發(fā)光器件的剖視圖。
圖3是圖2的A部的放大剖視圖。
圖4是沿圖2的B-B線的放大剖視圖。
圖5是封裝件的透視圖。
圖6是封裝件的俯視圖。
圖7是封裝件的分解透視圖。
圖8(a)至圖8(c)是表示封裝件的制造工序的圖。
圖9(a)至圖9(c)是表示構(gòu)成基體上層部的坯片的制造工序的圖。
圖10是現(xiàn)有發(fā)光器件的剖視圖。
圖11是表示又一現(xiàn)有發(fā)光器件的剖視圖。
圖12是該發(fā)光器件的封裝件的俯視圖。
具體實(shí)施例方式
以下，按照本發(fā)明的實(shí)施方式，按照附圖具體進(jìn)行說明。
如圖10所示，本發(fā)明的發(fā)光器件把由LED構(gòu)成的發(fā)光元件2搭載在陶瓷制的封裝件1上而構(gòu)成。封裝件1上設(shè)有凹陷的用于放置發(fā)光元件2的腔體10，在該腔體10的底面，由銀等導(dǎo)電性材料相分離地形成第1接合層31和第2接合層41，設(shè)在發(fā)光元件2的上面的供電端子(未圖示)通過引線21與第1接合層31連接，并且，設(shè)在發(fā)光元件2的背面的接地端子(未圖示)直接與第2接合層41連接。還有，在封裝件1上，配備了一對外部電極3、4，如圖10所示，上述第1和第2接合層31、41分別通過通孔32、42與一對外部電極3、4連接。
圖1所示的發(fā)光器件使外部電極3、4向下，以橫躺的姿勢，表面貼裝在電路基板上，外部電極3、4用焊錫焊接在該電路基板上的一對接合層31、41上，并且，從電路基板對發(fā)光元件2進(jìn)行供電，使發(fā)光元件2工作，從而向全方位出射光。
圖7表示封裝件1的積層構(gòu)造。如圖所示，在由下層部12和上層部13構(gòu)成的平板狀的基體11的上面，設(shè)置了框架體14，該框架體14上開設(shè)了成為上述腔體10的中央孔10a，從而構(gòu)成了圖5和圖6所示的一體的封裝件1。另外，在圖6和圖7中，為圖示方便，在接合層31、41及外部電極3、4等金屬層露出的區(qū)域都加了陰影線。
如圖7所示，在構(gòu)成封裝件1的框架體14上，在中央孔10a的內(nèi)周面上，形成了由銀等金屬構(gòu)成的第1反射層5。在基體11的下層部12，在其側(cè)面配備了上述的一對外部電極3、4，并且，在其上面形成了分別與外部電極3、4連接的電極層39、49。再有，在電極層39、49之間形成了由銀等金屬構(gòu)成的第2反射層6。
還有，在基體11的上層部13，在其上面形成了上述第1和第2接合層31、41，并且，配備了把該接合層31、41和下層部12上面的電極層39、49互相連接起來的通孔32、42。在基體11的上層部13形成的第1接合層31由從上層部13的上面露出的露出部33和從該露出部33向周圍擴(kuò)展并埋設(shè)在上層部13的內(nèi)部的埋設(shè)部34構(gòu)成。而在基體11的上層部13形成的第2接合層41則整體沿上層部13的上面而擴(kuò)展。另外，在第1接合層31和第2接合層41之間，設(shè)有兩接合層31、41間的絕緣所需要的間隙。
如圖5和圖6所示，第1接合層31的露出部33從封裝件1的腔體10的底面露出，與其周圍的第1反射層5及第2接合層41相分離。第1接合層31的埋設(shè)部34與第1反射層5的下端部相比，伸向外側(cè)。而在第2接合層41，其外周部與第1反射層5的下端部連接。
圖3表示放大了的圖2的A部，圖4表示沿圖2的B-B線的剖面。如圖3和圖4所示，第1接合層31的埋設(shè)部34與第1反射層5的下端部隔開微小的間隙S(10～30μm)，與第1反射層5的下端部相比，伸向外側(cè)。
第2反射層6在包含在如圖6所示兩接合層31、41之間形成的間隙部的范圍形成，埋設(shè)在如圖2所示的基體11的內(nèi)部，在兩接合層31、41之間有由基體11的表層部形成的絕緣層。
圖8(a)至圖8(c)表示上述封裝件1的制造工序。首先，分別制作圖8(a)所示的具有貫通孔17a、構(gòu)成框架體14的陶瓷坯片17；圖8(b)所示的具有第1和第2接合層31、41、構(gòu)成上述基體11的上層部13的陶瓷坯片16；以及，圖8(c)所示的具有外部電極3、4和第2反射層6、構(gòu)成上述基體11的下層部12的陶瓷坯片15。接著把這3張?zhí)沾膳髌?5、16、17接合起來并進(jìn)行燒制。這樣就獲得如圖5和圖6所示的一體的封裝件1。
圖9(a)至圖9(c)表示圖8(b)所示的陶瓷坯片16的制造工序。如圖9(a)所示，在形成了通孔35、45的陶瓷坯片16a的上面形成一對金屬層36、46。接著如圖9(b)所示，形成覆蓋一個(gè)金屬層36、由外敷層(オ一バコ一ト)玻璃構(gòu)成的絕緣層9之后，在厚度方向壓縮該陶瓷坯片16a。結(jié)果，如圖9(c)所示，金屬層36、46和絕緣層9就被壓入陶瓷坯片16a的表面，并使陶瓷坯片16a的表面變得平坦。在此過程中，金屬層36的由絕緣層9覆蓋的區(qū)域由于受絕緣層9擠壓，與不被絕緣層9覆蓋的區(qū)域相比，被壓入得深了絕緣層9的厚度，這樣就獲得了埋設(shè)在陶瓷坯片16a的內(nèi)部、圖8(b)所示的陶瓷坯片16。此處，絕緣層9經(jīng)燒制而成為基體11的表層部的一部分。
把圖1和圖2所示的發(fā)光元件2搭載在通過上述制造工序制作的封裝件1上，本發(fā)明的發(fā)光器件就完成了。
在該發(fā)光器件中，從發(fā)光元件2向全方位出射的光中的、向反射層5的表面入射的光，經(jīng)該表面反射，就會(huì)向前方(圖1和圖2的上方)行進(jìn)。此處，反射層5形成了至腔體10的底面的深度尺寸，因此，從發(fā)光元件2向側(cè)方出射的所有的光就會(huì)被向前方反射。
還有，在該發(fā)光器件中，從發(fā)光元件2向腔體10的底面出射的光中的、向第1接合層31的露出部33和第2接合層41的表面入射的光，經(jīng)該表面反射，就會(huì)向前方行進(jìn)。還有，入射到反射層5的下端部和第1接合層31的露出部33之間的區(qū)域的光，透過基體11的表層部，不過，經(jīng)第1接合層31的埋設(shè)部34反射，就會(huì)向前方行進(jìn)。
再有，入射到第1接合層31和第2接合層41之間的間隙區(qū)域的光，透過基體11的上層部13，不過，經(jīng)第2反射層6的表面反射，就會(huì)向前方行進(jìn)。
在本發(fā)明的發(fā)光器件中，如上所述，從發(fā)光元件2出射的所有的光都會(huì)向前方行進(jìn)，因此，獲得了比以前足夠高的發(fā)光效率。
還有，按照上述本發(fā)明的發(fā)光元件用封裝件的制造方法，對圖9(a)至圖9(c)所示的坯片的制造工序的一部分加以改變，就能夠容易地制造本發(fā)明的發(fā)光元件用封裝件。
另外，本發(fā)明的各部構(gòu)成不限于上述實(shí)施方式，只要在不超出權(quán)利要求所記載的本發(fā)明的精神的范圍，如果是本技術(shù)領(lǐng)域的專家，就能夠進(jìn)行各種可能的變形。例如，封裝件1也可以選擇合成樹脂制的，而不限于陶瓷制的。
權(quán)利要求
1.一種發(fā)光元件用封裝件，在由絕緣材料構(gòu)成的基體(11)的上面設(shè)置由絕緣材料構(gòu)成的框架體(14)，在框架體(14)的內(nèi)側(cè)，形成用于放置發(fā)光元件的腔體(10)，在框架體(14)的內(nèi)周面，形成包圍腔體(10)的全周的反射層(5)，在基體(11)的上面，形成要分別與發(fā)光元件的一對端子連接的一對接合層(31、41)，兩接合層(31、41)的表面從腔體(10)的底面露出，兩接合層(31、41)分別與在基體(11)上配備的一對外部電極(3、4)連接，在所述基體(11)的上面形成的一對接合層(31、41)中的一個(gè)接合層(41)沿基體(11)的上面而擴(kuò)展，其外周部與反射層(5)的下端部連接，另一個(gè)接合層(31)由從基體(11)的上面露出的露出部(33)和從該露出部(33)向周圍擴(kuò)展并埋設(shè)在基體(11)的內(nèi)部的埋設(shè)部(34)構(gòu)成，該埋設(shè)部(34)的外周部達(dá)到反射層(5)的下端部的下方位置或者與該下方位置相比，伸向外側(cè)。
2.權(quán)利要求1所述的發(fā)光元件用封裝件，其中，基體(11)和框架體(14)分別是陶瓷制的或者是合成樹脂制的。
3.權(quán)利要求1所述的發(fā)光元件用封裝件，其中，在反射層(5)的下端部和所述另一個(gè)接合層(31)的埋設(shè)部(34)之間，有由基體(11)的表層部形成的厚度為(10)～30μm的絕緣層。
4.一種發(fā)光元件器件，在封裝件(1)上搭載了發(fā)光元件(2)而構(gòu)成，封裝件(1)在由絕緣材料構(gòu)成的基體(11)的上面設(shè)置由絕緣材料構(gòu)成的框架體(14)，在框架體(14)的內(nèi)側(cè)，形成用于放置發(fā)光元件的腔體(10)，在框架體(14)的內(nèi)周面，形成包圍腔體(10)的全周的反射層(5)，在基體(11)的上面，形成要分別與發(fā)光元件的一對端子連接的一對接合層(31、41)，兩接合層(31、41)的表面從腔體(10)的底面露出，兩接合層(31、41)分別與在基體(11)上配備的一對外部電極(3、4)連接，在封裝件(1)的基體(11)的上面形成的一對接合層(31、41)中的一個(gè)接合層(41)沿基體(11)的上面而擴(kuò)展，其外周部與反射層(5)的下端部連接，另一個(gè)接合層(31)由從基體(11)的上面露出的露出部(33)和從該露出部(33)向周圍擴(kuò)展并埋設(shè)在基體(11)的內(nèi)部的埋設(shè)部(34)構(gòu)成，該埋設(shè)部(34)的外周部達(dá)到反射層(5)的下端部的下方位置或者與該下方位置相比，伸向外側(cè)。
5.一種發(fā)光元件用封裝件的制造方法，用于制造發(fā)光元件用封裝件，所述發(fā)光元件用封裝件在由絕緣材料構(gòu)成的基體(11)的上面設(shè)置由絕緣材料構(gòu)成的框架體(14)，在框架體(14)的內(nèi)側(cè)，形成用于放置發(fā)光元件的腔體(10)，在框架體(14)的內(nèi)周面，形成包圍腔體(10)的全周的反射層(5)，在基體(11)的上面，形成要分別與發(fā)光元件的一對端子連接的一對接合層(31、41)，兩接合層(31、41)的表面從腔體(10)的底面露出，兩接合層(31、41)分別與在基體(11)上配備的一對外部電極(3、4)連接，所述發(fā)光元件用封裝件的制造方法具有制作構(gòu)成所述基體(11)的1層或多層第1陶瓷坯片(15、16)的工序；制作構(gòu)成所述框架體(14)的1層或多層第2陶瓷坯片(17)的工序；以及，使第2陶瓷坯片(17)與第1陶瓷坯片(15、16)的上面接合，燒制這些陶瓷坯片的工序，所述第1陶瓷坯片的制作工序具有在陶瓷坯片(16a)的上面，形成構(gòu)成所述一對接合層的一對金屬層(36、46)的第1工序；覆蓋包含所述一對金屬層(36、46)中的一個(gè)金屬層(36)的與第2陶瓷坯片(17)的接合區(qū)域的、陶瓷坯片(16a)的上面的一部分，而形成絕緣層(9)的第2工序；以及，在厚度方向?qū)π纬闪私^緣層(9)的陶瓷坯片(16a)進(jìn)行壓縮，使該陶瓷坯片(16a)的上面變得平坦的第3工序。
6.一種發(fā)光元件用封裝件，在由絕緣材料構(gòu)成的基體(11)的上面設(shè)置由絕緣材料構(gòu)成的框架體(14)，在框架體(14)的內(nèi)側(cè)，形成用于放置發(fā)光元件的腔體(10)，在框架體(14)的內(nèi)周面，形成包圍腔體(10)的全周的反射層(5)，在基體(11)的上面，相分離地形成要分別與發(fā)光元件的一對端子連接的一對接合層(31、41)，兩接合層(31、41)分別與在基體(11)上配備的一對外部電極(3、4)連接，在所述基體(11)上，至少在從腔體(10)的底面露出的區(qū)域內(nèi)的、不形成所述接合層(31、41)的區(qū)域的下層位置，形成了第2反射層(6)。
7.權(quán)利要求6所述的發(fā)光元件用封裝件，其中，基體(11)和框架體(14)分別是陶瓷制的或者是合成樹脂制的。
8.權(quán)利要求6所述的發(fā)光元件用封裝件，其中，基體(11)由下層部(12)和上層部(13)接合而構(gòu)成，在下層部(12)和上層部(13)的接合界面上形成了第2反射層(6)。
9.權(quán)利要求6所述的發(fā)光元件用封裝件，其中，在所述基體(11)的上面形成的一對接合層(31、41)中的一個(gè)接合層(41)沿基體(11)的上面而擴(kuò)展，其外周部與反射層(5)的下端部連接，另一個(gè)接合層(31)由從基體(11)的上面露出的露出部(33)和從該露出部(33)向周圍擴(kuò)展并埋設(shè)在基體(11)的內(nèi)部的埋設(shè)部(34)構(gòu)成，該埋設(shè)部(34)的外周部達(dá)到反射層(5)的下端部的下方位置或者與該下方位置相比，伸向外側(cè)。
10.一種發(fā)光器件，在封裝件(1)上搭載了發(fā)光元件(2)而構(gòu)成，封裝件(1)在由絕緣材料構(gòu)成的基體(11)的上面設(shè)置由絕緣材料構(gòu)成的框架體(14)而構(gòu)成，在框架體(14)的內(nèi)側(cè)，形成用于放置發(fā)光元件的腔體(10)，在框架體(14)的內(nèi)周面，形成包圍腔體(10)的全周的反射層(5)，在基體(11)的上面，相分離地形成要分別與發(fā)光元件的一對端子連接的一對接合層(31、41)，兩接合層(31、41)分別與在基體(11)上配備的一對外部電極(3、4)連接，在封裝件(1)的基體(11)上，至少在從腔體(10)的底面露出的區(qū)域內(nèi)的、不形成所述接合層(31、41)的區(qū)域的下層位置，形成了第2反射層(6)。
全文摘要
一種發(fā)光元件用封裝件，在基體的上面設(shè)置框架體(14)，形成用于放置發(fā)光元件的腔體，在框架體的內(nèi)周面，形成第1反射層。還有，在基體的上面，形成用于搭載發(fā)光元件的一對接合層。一個(gè)接合層沿基體的上面而擴(kuò)展，其外周部與反射層的下端部連接，另一個(gè)接合層由從基體的上面露出的露出部和從該露出部向周圍擴(kuò)展并埋設(shè)在基體的內(nèi)部的埋設(shè)部構(gòu)成，該埋設(shè)部與反射層的下端部相比，伸向外側(cè)。還有，在基體上，至少在從腔體的底面露出的區(qū)域內(nèi)的、不形成接合層的區(qū)域的下層位置，形成了第2反射層。
文檔編號(hào)G11B11/00GK1638160SQ20041009570
公開日2005年7月13日 申請日期2004年11月24日 優(yōu)先權(quán)日2003年12月26日
發(fā)明者本郷政紀(jì), 福山正美, 小倉隆 申請人:三洋電機(jī)株式會(huì)社