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      半導體存儲器件的制作方法

      文檔序號:12598562閱讀:305來源:國知局
      半導體存儲器件的制作方法與工藝

      本申請要求于2015年11月27日提交的申請?zhí)枮?0-2015-0167748的韓國專利申請的優(yōu)先權,其全部公開內(nèi)容通過引用整體合并于此。

      技術領域

      本發(fā)明的各種實施例總體而言涉及一種電子器件,更具體地,涉及一種半導體存儲器件。



      背景技術:

      半導體存儲器件可以分為易失性存儲器件和非易失性存儲器件。

      雖然非易失性存儲器件以比易失性存儲器件相對低的寫入速度和讀取速度操作,但是他們無論上電/斷電條件如何都保持他們儲存的數(shù)據(jù)。因此,非易失性存儲器件用來儲存即便在沒有電源的情況下仍需要維持的數(shù)據(jù)。非易失性存儲器的示例包括只讀存儲器(ROM)、掩模ROM(MROM)、可編程ROM(PROM)、可擦除可編程ROM(EPROM)、電可擦除可編程ROM(EEPROM)、快閃存儲器、相變隨機存取存儲器(PRAM)、磁性RAM(MRAM)、電阻式RAM(RRAM)和鐵電RAM(FRAM)??扉W存儲器被廣泛使用,且可以分為NOR型存儲器或NAND型存儲器。

      快閃存儲器享有RAM器件和ROM器件的優(yōu)點。例如,與RAM類似地,可以對快閃存儲器自由地進行編程和擦除。此外,類似于ROM,快閃存儲器即便在它們未被供電時仍可以保持儲存的數(shù)據(jù)。快閃存儲器已經(jīng)廣泛用作便攜式電子設備(諸如移動電話、數(shù)字相機、個人數(shù)字助理(PDA)以及MP3播放器)的儲存介質。



      技術實現(xiàn)要素:

      各個實施針對一種能夠降低數(shù)據(jù)輸出操作期間的功耗的半導體存儲器件。

      根據(jù)一個實施例,一種半導體存儲器件可以包括:第一存儲體和第二存儲體;地址計數(shù)器單元,包括第一地址計數(shù)器和第二地址計數(shù)器,第一地址計數(shù)器適用于輸出與第一存儲體相對應的第一計數(shù)地址信號,第二地址計數(shù)器適用于輸出與第二存儲體相對應的第二計數(shù)地址信號;第一輸出控制單元,適用于在數(shù)據(jù)輸入操作期間響應于第一計數(shù)地址信號而產(chǎn)生第一列地址信號,以及在數(shù)據(jù)輸出操作期間響應于第二計數(shù)地址信號而 產(chǎn)生第一列地址信號;以及第二輸出控制單元,在數(shù)據(jù)輸入操作和數(shù)據(jù)輸出操作期間響應于第二計數(shù)地址信號而產(chǎn)生第二列地址信號。

      根據(jù)一個實施例,一種半導體存儲器件可以包括:存儲單元陣列,包括第一存儲體和第二存儲體;頁緩沖器電路,適用于讀取儲存在第一存儲體和第二存儲體中的數(shù)據(jù)并暫時儲存所述數(shù)據(jù),以及響應于列選擇信號而將所述數(shù)據(jù)傳送給數(shù)據(jù)線;數(shù)據(jù)輸出電路,感測傳送給數(shù)據(jù)線的數(shù)據(jù)并儲存所述數(shù)據(jù),以及響應于管道鎖存器輸出信號而將所述數(shù)據(jù)傳送給輸入/輸出線;以及邏輯電路,包括分別與第一存儲體和第二存儲體相對應的第一地址計數(shù)器和第二地址計數(shù)器,并且適用于在數(shù)據(jù)輸出操作期間基于從第二地址計數(shù)器接收到的信號而產(chǎn)生列選擇信號。

      附圖說明

      圖1是圖示根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的半導體存儲器件的框圖。

      圖2是圖示圖1中所示的半導體存儲器件的第一頁緩沖器單元的示例性配置的電路圖。

      圖3是圖示圖1中所示的半導體存儲器件的數(shù)據(jù)輸出電路的示例性配置的框圖。

      圖4是圖示圖1中所示的半導體存儲器件的邏輯電路的示例性配置的框圖。

      圖5是圖示圖4中所示的邏輯電路的數(shù)據(jù)路徑邏輯單元的示例性配置的框圖。

      圖6是圖示圖4中所示的邏輯電路的第一輸出控制單元的示例性配置的框圖。

      圖7是圖示圖4中所示的邏輯電路的管道鎖存器控制電路的示例性配置的框圖。

      圖8是圖示根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的半導體存儲器件的數(shù)據(jù)輸出方法的信號波形圖。

      圖9是圖示根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的半導體存儲器件的數(shù)據(jù)輸出方法的信號波形圖。

      圖10是圖示根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的包括圖1中所示半導體存儲器件的存儲系統(tǒng)的框圖。

      圖11是圖示根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的、圖10中所示的存儲系統(tǒng)的應用的框圖。

      圖12是圖示根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的包括圖11中所示的存儲系統(tǒng)的計算系統(tǒng)的 框圖。

      具體實施方式

      在下文中,將參照附圖詳細描述本發(fā)明的各個示例性的實施例。在附圖中,可能為了圖示的方便而夸大了組件的尺寸。在下面的描述中,為了簡單和簡潔,可以省略對眾所周知的和/或相關的功能、結構和組成的詳細說明。相同的附圖標記在說明書和附圖中始終指代相同的元件。

      還要注意的是,在此說明書中,“連接/耦接”不僅指一個組件直接耦接另一組件,還指一個組件經(jīng)由中間組件間接耦接另一組件。此外,說明書中使用的“包括/包含”或“包括有/包含有”表示存在或添加了一個或多個組件、步驟、操作和元件。

      現(xiàn)在,參見圖1,提供了圖示根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的半導體存儲器件100的框圖。

      根據(jù)圖1,半導體存儲器件100可以包括存儲單元陣列110、頁緩沖器電路120、數(shù)據(jù)輸出電路130、輸入/輸出IO焊盤單元140、外圍電路150和邏輯電路160。

      存儲單元陣列110可以包括第一存儲體B0和第二存儲體B1。包括第一存儲體B0和第二存儲體B1的存儲單元陣列110可以被認定為單個存儲平面PLANE。

      第一存儲體B0和第二存儲體B1中的每個可以包括多個存儲塊(未示出)。多個存儲塊中的每個可以包括多個頁,每個頁經(jīng)由字線WL耦接至外圍電路150。因此,外圍電路150可以經(jīng)由多個字線電耦接至存儲單元陣列110的各個頁。此外,多個存儲塊可以經(jīng)由各個位線BL耦接至緩沖器電路120。多個存儲塊中的每個可以包括多個存儲串。多個存儲串中的每個可以包括串聯(lián)耦接在位線與源極線之間的漏極選擇晶體管、多個存儲單元以及源極選擇晶體管。根據(jù)一個實施例,多個存儲單元可以是非易失性存儲單元,諸如快閃存儲單元。多個存儲單元可以是電荷俘獲存儲單元。

      頁緩沖器電路120可以包括第一頁緩沖器單元121和第二頁緩沖器單元122。第一頁緩沖器單元121可以對應于第一存儲體B0,而第二頁緩沖器單元122可以對應于第二存儲體B1。

      第一頁緩沖器單元121和第二頁緩沖器單元122中的每個可以包括多個頁緩沖器(未示出)。多個頁緩沖器中的每個可以耦接至存儲單元陣列110的多個位線BL中的各個位線。

      多個頁緩沖器可以暫時地儲存要儲存在選中的存儲單元中的數(shù)據(jù)。多個頁緩沖器也可以讀取儲存在選中存儲單元中的數(shù)據(jù),并暫時的儲存所讀取的數(shù)據(jù)。

      多個頁緩沖器中的每個可以在數(shù)據(jù)輸出操作期間響應于列選擇信號CS而將暫時儲存在其中的數(shù)據(jù)輸出給從多個數(shù)據(jù)線DL之中選擇的各個數(shù)據(jù)線。

      數(shù)據(jù)輸出電路130可以執(zhí)行在頁緩沖器電路120與IO焊盤單元140之間的數(shù)據(jù)輸出操作。數(shù)據(jù)輸出電路130可以包括用于感測從頁緩沖器電路120接收到的數(shù)據(jù)的感測電路,并且將感測到的數(shù)據(jù)傳送給IO焊盤單元140。數(shù)據(jù)輸出電路130還可以包括管道鎖存器電路,管道鎖存器電路用于暫時儲存通過感測電路而感測到的數(shù)據(jù)。數(shù)據(jù)輸出電路130也可以輸出暫時儲存在管道鎖存器中的數(shù)據(jù)。下面將更詳細地進一步描述感測電路和管道鎖存器電路。

      IO焊盤單元140可以包括耦接至半導體存儲器件100的外部的一個或多個焊盤PAD??梢允褂萌魏魏线m的IO焊盤。

      外圍電路150可以包括在從存儲單元讀取數(shù)據(jù)或將數(shù)據(jù)儲存在存儲單元中時與頁緩沖器電路120協(xié)同操作的任何合適的電路。例如,外圍電路150可以包括電壓發(fā)生器和行解碼器。電壓發(fā)生器可以在包括例如編程操作和讀取操作的常規(guī)操作期間產(chǎn)生要施加給存儲單元的操作電壓。行解碼器可以基于從外部設備接收到的行地址而將通過電壓發(fā)生器而產(chǎn)生的操作電壓傳送給存儲單元。

      邏輯電路160可以輸出控制信號CS來控制頁緩沖器電路120的操作。邏輯電路160也可以輸出控制信號P_OUT來控制數(shù)據(jù)輸出電路130,以執(zhí)行數(shù)據(jù)輸出操作。

      圖2提供了用于圖1的第一頁緩沖器單元121的示例性電路圖。

      圖1中所示的第一頁緩沖器單元121和第二頁緩沖器單元122可以具有相同的配置。

      第一頁緩沖器單元121可以包括多個頁緩沖器PB0至PBi。

      頁緩沖器PB0至PBi中的每個可以耦接至多個位線BL0至BLi中的各個位線,并響應于多個第一列選擇信號CS_B0<i:0>中的對應的第一列選擇信號而將在讀取操作中感測到的讀取數(shù)據(jù)輸出給各個數(shù)據(jù)線對(DL和DLb)。第一列選擇信號CS_B0<i:0>和第二列選擇信號CS_B1<i:0>可以分別對應于第一存儲體B0和第二存儲體B1。

      多個頁緩沖器PB0至PBi中的每個可以包括儲存讀取數(shù)據(jù)的鎖存器LAT以及將儲存在鎖存器LAT中的數(shù)據(jù)傳送給數(shù)據(jù)線對(DL和DLb)的數(shù)據(jù)輸出單元(例如,N1 或N2)。

      現(xiàn)在,參見圖3,提供了圖示圖1中所示的數(shù)據(jù)輸出電路130的示例性配置的框圖。

      數(shù)據(jù)輸出電路130可以包括感測電路131和管道鎖存器電路132。

      感測電路131可以耦接至數(shù)據(jù)線DL,數(shù)據(jù)線DL耦接至圖1中所示的頁緩沖器電路120。感測電路131可以響應于第一選通信號IOSTB_B0和第二選通信號IOSTB_B1而感測數(shù)據(jù)線DL的電勢電平,并接收數(shù)據(jù)。第一選通信號IOSTB_B0和第二選通信號IOSTB_B1可以分別對應于第一存儲體B0和第二存儲體B1。

      感測電路131可以包括與第一存儲體B0相對應的第一感測組131_B0和與第二存儲體B1相對應的第二感測組131_B1。第一感測組131_B0和第二感測組131_B1中的每個可以包括多個感測單元SA<i:0>。

      多個感測單元SA<i:0>可以耦接在數(shù)據(jù)線DL與全局數(shù)據(jù)線GDL之間。多個感測單元SA<i:0>可以響應于第一選通信號IOSTB_B0和第二選通信號IOSTB_B1而感測數(shù)據(jù)線DL的電勢電平以鎖存所感測的數(shù)據(jù)。多個感測單元SA<i:0>可以將所感測的數(shù)據(jù)傳送給全局數(shù)據(jù)線GDL。第一選通信號IOSTB_B0和第二選通信號IOSTB_B1可以分別對應于第一存儲體B0和第二存儲體B1。

      管道鎖存器電路132可以經(jīng)由全局數(shù)據(jù)線GDL耦接至感測電路131,并且可以響應于第一管道數(shù)據(jù)輸出信號P_OUT_B0<i:0>和第二管道數(shù)據(jù)輸出信號P_OUT_B1<i:0>而將儲存在管道鎖存器電路132中的數(shù)據(jù)輸出給輸入/輸出線IO。第一管道數(shù)據(jù)輸出信號P_OUT_B0<i:0>和第二管道數(shù)據(jù)輸出信號P_OUT_B1<i:0>可以分別對應于第一存儲體B0和第二存儲體B1。

      管道鎖存器電路132可以包括與第一存儲體B0相對應的第一管道鎖存器組132_B0和與第二存儲體B1相對應的第二管道鎖存器組132_B1。第一管道鎖存器組132_B0和第二管道鎖存器組132_B1中的每個可以包括多個管道鎖存器LAT<i:0>。

      從第一存儲體B0讀取的數(shù)據(jù)可以暫時儲存在第一管道鎖存器組132_B0所包括的多個管道鎖存器LAT<i:0>中。第二管道鎖存器組132_B1所包括的多個管道鎖存器LAT<i:0>可以暫時儲存從第二存儲體B1讀取的數(shù)據(jù)。

      第一管道鎖存器組132_B0所包括的多個管道鎖存器LAT<i:0>可以響應于管道數(shù)據(jù)輸出信號P_OUT_B0<i:0>而將暫時儲存的數(shù)據(jù)輸出給輸入/輸出線IO。第二管道鎖存器組132_B1所包括的多個管道鎖存器LAT<i:0>可以響應于管道數(shù)據(jù)輸出信號 P_OUT_B1<i:0>而將暫時儲存的數(shù)據(jù)輸出給輸入/輸出線IO。

      圖4是圖示圖1中所示的邏輯電路160的示例性配置的框圖。

      參見圖4,邏輯電路160可以包括頁緩沖器控制電路161和管道鎖存器控制電路162。

      頁緩沖器控制電路161可以在數(shù)據(jù)輸出操作期間產(chǎn)生和輸出第一列選擇信號CS_B0<i:0>和第二列選擇信號CS_B1<i:0>以及第一選通信號ISOTB_B0和第二選通信號IOSTB_B1,以將儲存在頁緩沖器電路120中的數(shù)據(jù)傳送給感測電路131。

      頁緩沖器控制電路161可以包括數(shù)據(jù)路徑邏輯單元161A、地址計數(shù)器單元161B、第一輸出控制單元161C和第二輸出控制單元161D以及列選擇信號發(fā)生單元161E。

      數(shù)據(jù)路徑邏輯單元161A可以在數(shù)據(jù)輸出操作期間響應于數(shù)據(jù)路徑使能信號RE_N_DP而產(chǎn)生源時鐘CKCOL_B1。源時鐘CKCOL_B1可以對應于第二存儲體B1。

      數(shù)據(jù)路徑邏輯單元161A可以產(chǎn)生與第一存儲體B0相對應的第一源時鐘CKCPL_B0。數(shù)據(jù)路徑邏輯單元161A可以在數(shù)據(jù)輸入操作期間產(chǎn)生與第二存儲體B1相對應的第二源時鐘CKCOL_B1。

      數(shù)據(jù)路徑邏輯單元161A可以在數(shù)據(jù)輸出操作期間產(chǎn)生單個源時鐘,例如,第二源時鐘CKCOL_B1。下面將對此進行描述。第一源時鐘CKCOL_B0和第二源時鐘CKCOL_B1可以在數(shù)據(jù)輸出操作之前的數(shù)據(jù)預取操作期間切換預定次數(shù),從而在數(shù)據(jù)預取操作期間可以產(chǎn)生與所述預定次數(shù)一樣多的列地址,這允許半導體存儲器件100高速地執(zhí)行數(shù)據(jù)輸出操作。

      地址計數(shù)器單元161B可以包括與第一存儲體B0相對應的第一地址計數(shù)器161B_1和與第二存儲體B1相對應的第二地址計數(shù)器161B_2。

      第一地址計數(shù)器161B_1可以在數(shù)據(jù)輸入操作期間響應于從數(shù)據(jù)路徑邏輯單元161A接收到的第一源時鐘CKCPL_B0而產(chǎn)生與第一存儲體B0相對應的第一計數(shù)地址AX_B0<i:0>。在數(shù)據(jù)輸出操作期間,第一地址計數(shù)器161B_1可以停止執(zhí)行計數(shù)操作并被禁止。

      第二地址計數(shù)器161B_2可以在數(shù)據(jù)輸入操作和數(shù)據(jù)輸出操作期間響應于從數(shù)據(jù)路徑邏輯單元161A接收到的第二源時鐘CKCOL_B1而輸出與第二存儲體B1相對應的第二計數(shù)地址AX_B1<i:0>。

      第一輸出控制單元161C可以在數(shù)據(jù)輸入操作期間響應于從第一地址計數(shù)器161B_1 接收到的計數(shù)地址而產(chǎn)生第一列地址信號AX_B0_P<i:0>。

      第一輸出控制單元161C可以在數(shù)據(jù)輸出操作期間響應于從第二地址計數(shù)器161B_2接收到的第二計數(shù)地址AX_B1<i:0>而產(chǎn)生第一列地址信號AX_B0_P<i:0>和第一選通信號IOSTB_B0。第一輸出控制單元161C可以通過使從第一地址計數(shù)器161B_1接收到的計數(shù)地址和從第二地址計數(shù)器161B_2接收到的第二計數(shù)地址AX_B1<i:0>與第一地址同步信號ADD_SYNC_B0同步來產(chǎn)生第一列地址信號AX_B0_P<i:0>。

      第二輸出控制單元161D可以在數(shù)據(jù)輸入操作和數(shù)據(jù)輸出操作期間響應于從第二地址計數(shù)器161B_2接收到的第二計數(shù)地址AX_B1<i:0>而產(chǎn)生第二列地址信號AX_B1_P<i:0>和第二選通信號IOSTB_B1。第二輸出控制單元161D可以通過使從第二地址計數(shù)器161B_2接收到的第二計數(shù)地址AX_B1<i:0>與第二地址同步信號ADD_SYNC_B1同步來產(chǎn)生第二列地址信號AX_B1_P<i:0>。

      列選擇信號發(fā)生單元161E可以響應于從第一輸出控制單元161C和第二輸出控制單元161D接收到的第一列地址信號AX_B0_P<i:0>和第二列地址信號AX_B1_P<i:0>而產(chǎn)生第一列選擇信號CS_B0<i:0>和第二列選擇信號CS_B1<i:0>,并且將第一列選擇信號CS_B0<i:0>和第二列選擇信號CS_B1<i:0>輸出給頁緩沖器。

      管道鎖存器控制電路162可以在數(shù)據(jù)輸出操作期間產(chǎn)生和輸出第一管道數(shù)據(jù)輸出信號P_OUT_B0<i:0>和第二管道數(shù)據(jù)輸出信號P_OUT_B1<i:0>,以將儲存在管道鎖存器電路132中的數(shù)據(jù)輸出給輸入/輸出線IO。

      圖5是圖示圖4中所示的數(shù)據(jù)路徑邏輯單元161A的示例性配置的框圖。

      參見圖5,數(shù)據(jù)路徑邏輯單元161A可以在數(shù)據(jù)輸入操作期間響應于數(shù)據(jù)路徑使能信號RE_N_DP而產(chǎn)生與第一存儲體B0相對應的第一源時鐘CKCOL_B<0>和與第二存儲體B1相對應的第二源時鐘CKCOL_B<1>。

      此外,數(shù)據(jù)路徑邏輯單元161A可以在數(shù)據(jù)輸出操作期間響應于數(shù)據(jù)路徑使能信號RE_N_DP而產(chǎn)生與第二存儲體B1相對應的第二源時鐘CKCOL_B<1>。

      數(shù)據(jù)路徑邏輯單元161A可以包括時鐘發(fā)生器161A_1、第一輸出緩沖器161A_2和第二輸出緩沖器BF。

      時鐘發(fā)生器161A_1可以響應于數(shù)據(jù)路徑使能信號RE_N_DP而產(chǎn)生具有預定周期的時鐘信號。

      第一輸出緩沖器161A_2可以響應于從時鐘發(fā)生器161A_1接收到的時鐘信號而產(chǎn)生源時鐘CKCOL_B<0>,以及可以響應于在數(shù)據(jù)輸出操作期間使能的數(shù)據(jù)輸出使能信號DOUT_EN而被禁止。因此,時鐘發(fā)生器161A_1響應于數(shù)據(jù)輸出操作期間的數(shù)據(jù)輸出使能信號DOUT_EN而不產(chǎn)生第一源時鐘CKCOL_B<0>。

      第一輸出緩沖器161A_2可以包括反相器IV和NAND門。反相器IV可以接收、反相并輸出數(shù)據(jù)輸出使能信號DOUT_EN。NAND門可以對來自反相器IV的輸出信號以及從時鐘發(fā)生器161A_1接收到的時鐘信號執(zhí)行邏輯運算,以產(chǎn)生第一源時鐘CKCOL_B<0>。第一輸出緩沖器161A_2可以在數(shù)據(jù)輸出操作期間響應于數(shù)據(jù)輸出使能信號DOUT_EN而將第一源時鐘CKCOL_B<0>維持為邏輯高電平。

      第二輸出緩沖器BF可以在數(shù)據(jù)輸入操作和數(shù)據(jù)輸出操作期間緩沖從時鐘發(fā)生器161A_1接收到的時鐘信號并輸出第二源時鐘CKCOL_B<1>。

      圖6是圖示圖4中所示的第一輸出控制單元161C的示例性配置的框圖。

      參見圖6,第一輸出控制單元161C可以在數(shù)據(jù)輸入操作期間響應于與第一存儲體B0相對應的第一計數(shù)地址AX_B0<i:0>而產(chǎn)生第一列地址信號AX_B0_P<i:0>。

      第一輸出控制單元161C可以在數(shù)據(jù)輸出操作期間響應于與第二存儲體B1相對應且從第二地址計數(shù)器161B_2輸出的第二計數(shù)地址AX_B1<i:0>而產(chǎn)生第一列地址信號AX_B0_P<i:0>和第一選通信號IOSTB_B0。

      第一輸出控制單元161C可以包括地址選擇部分161C_1和輸出地址發(fā)生器161C_2。

      地址選擇部分161C_1可以響應于數(shù)據(jù)輸出使能信號DOUT_EN而將與第一存儲體B0相對應的第一計數(shù)地址AX_B0<i:0>和與第二存儲體B1相對應的第二計數(shù)地址AX_B1<i:0>中的一個輸出作為內(nèi)部計數(shù)地址AX_B0_INT<i:0>。例如,地址選擇部分161C_1可以在數(shù)據(jù)輸入操作期間響應于被禁止的數(shù)據(jù)輸出使能信號DOUT_EN而將第一計數(shù)地址AX_B0<i:0>輸出為內(nèi)部計數(shù)地址AX_B0_INT<i:0>,而地址選擇部分161C_1可以在數(shù)據(jù)輸出操作期間響應于被使能的數(shù)據(jù)輸出使能信號DOUT_EN而將第二計數(shù)地址AX_B1<i:0>輸出為內(nèi)部計數(shù)地址AX_B0_INT<i:0>。地址選擇部分161C_1可以包括多路復用器MUX。

      輸出地址發(fā)生器161C_2可以在數(shù)據(jù)輸入操作期間響應于內(nèi)部計數(shù)地址AX_B0_INT<i:0>而產(chǎn)生第一列地址信號AX_B0_P<i:0>。輸出地址發(fā)生器161C_2可以在數(shù)據(jù)輸出操作期間響應于內(nèi)部計數(shù)地址AX_B0_INT<i:0>而產(chǎn)生第一列地址信號AX_B0_P<i:0>和第一選通信號IOSTB_B0。輸出地址發(fā)生器161C_2可以通過使內(nèi)部計 數(shù)地址AX_B0_INT<i:0>與第一地址同步信號ADD_SYNC_B0同步來產(chǎn)生第一列地址信號AX_B0_P<i:0>。

      圖7是圖示圖4中所示的管道鎖存器控制電路162的示例性配置的框圖。

      參見圖7,管道鎖存器控制電路162可以包括或門OR、與非門ND1、時鐘發(fā)生器162_A和控制信號發(fā)生器162_B。

      或門OR可以響應于時鐘輸入信號CK_IN和預取信號PREFETCH_PULSE而產(chǎn)生輸出信號SIGNAL1。與非門ND1可以響應于延遲重置信號RESET_DELAY和第一存儲體啟動信號BANK1_START而產(chǎn)生輸出信號SIGNAL2。預取信號PREFETCH_PULSE可以允許管道鎖存器電路132根據(jù)第一管道數(shù)據(jù)輸出信號P_OUT_B0<i:0>和第二管道數(shù)據(jù)輸出信號P_OUT_B1<i:0>來將垃圾數(shù)據(jù)輸出給輸入/輸出線IO,第一管道數(shù)據(jù)輸出信號P_OUT_B0<i:0>和第二管道數(shù)據(jù)輸出信號P_OUT_B1<i:0>根據(jù)在數(shù)據(jù)輸出操作之前的數(shù)據(jù)預取操作期間切換的控制時鐘CLK_8D而產(chǎn)生,將參照圖9來對此進行描述。延遲重置信號RESET_DELAY可以通過將重置信號RESET延遲預定量的時間來獲得。存儲體啟動信號BANK1_START可以確定在數(shù)據(jù)輸出操作期間第一存儲體B0與第二存儲體B1之間的數(shù)據(jù)輸出次序。例如,當存儲體啟動信號BANK1_START具有低電平時,可以從第一存儲體B0和第二存儲體B1按照第一存儲體首先啟動來交替輸出第一存儲體B0和第二存儲體B1的數(shù)據(jù)。當存儲體啟動信號BANK1_START具有高電平時,可以從第二存儲體B1和第一存儲體B0按照第二存儲體B1首先啟動來交替輸出第一存儲體B0和第二存儲體B1的數(shù)據(jù)。

      時鐘發(fā)生器162_A可以響應于輸出信號SIGNAL1而內(nèi)部地輸出具有預定周期的控制時鐘CLK_8D。更具體地,時鐘發(fā)生器162_A可以包括觸發(fā)器。時鐘發(fā)生器162_A可以在其時鐘端子CK處接收輸出信號SIGNAL1,以及在其輸入端子D處接收反相控制時鐘CLK_8Db。因此,時鐘發(fā)生器162_A可以產(chǎn)生控制時鐘CLK_8D。此外,時鐘發(fā)生器162_A可以響應于重置信號RESET而將控制時鐘CLK_8D初始化為邏輯高電平,以及響應于輸出信號SIGNAL2而輸出邏輯低電平的控制時鐘CLK_8D。

      控制信號發(fā)生器162_B可以響應于控制時鐘CLK_8D而產(chǎn)生第一管道數(shù)據(jù)輸出信號P_OUT_B0<i:0>和第二管道數(shù)據(jù)輸出信號P_OUT_B1<i:0>。

      圖8是圖示根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的半導體存儲器件的數(shù)據(jù)輸出方法的信號波形圖。

      根據(jù)本發(fā)明的一個實施例,下面參照圖1至圖8來描述半導體存儲器件的數(shù)據(jù)輸出 操作。

      因此,在半導體存儲器件100的數(shù)據(jù)輸出操作期間,可以從第一存儲體B0和第二存儲體B1交替輸出第一存儲體B0的數(shù)據(jù)和第二存儲體B1的數(shù)據(jù)。

      可以在數(shù)據(jù)輸出操作“數(shù)據(jù)輸出操作”之前執(zhí)行數(shù)據(jù)預取操作“數(shù)據(jù)預取操作”,從而可以產(chǎn)生預定數(shù)量的第一列地址信號AX_B0_P<i:0>(0,1,2,3)和第二列地址信號AX_B1_P<i:0>(0,1,2,3)。下面將更詳細地對此進行描述。

      在數(shù)據(jù)預取操作“數(shù)據(jù)預取操作”期間,可以響應于重置信號RESET而將管道鎖存器控制電路162的時鐘發(fā)生器162_A初始化,以輸出高電平的控制時鐘CLK_8D。隨后,時鐘發(fā)生器162_A可以響應于預取脈沖信號PREFETCH_PULSE而將控制時鐘CLK_8D從高電平轉變?yōu)榈碗娖健?/p>

      數(shù)據(jù)路徑邏輯單元161A可以輸出第一源時鐘CKCOL_B0和第二源時鐘CKCOL_B1,第一源時鐘CKCOL_B0和第二源時鐘CKCOL_B1在數(shù)據(jù)預取操作“數(shù)據(jù)預取操作”期間可以切換預定次數(shù)。地址計數(shù)器單元161B可以響應于第一源時鐘CKCOL_B0和第二源時鐘CKCOL_B1而產(chǎn)生和輸出預定數(shù)量的第一計數(shù)地址AX_B0<i:0>(0,1,2,3)和第二計數(shù)地址AX_B1<i:0>(0,1,2,3)。

      第一輸出控制單元161C可以使從第一地址計數(shù)器161B_1接收到的第一計數(shù)地址AX_B0<i:0>(0,1,2,3)與第一地址同步信號ADD_SYNC_B0同步,并產(chǎn)生預定數(shù)量的第一列地址信號AX_B0_P<i:0>(0,1,2,3)。

      第二輸出控制單元161D可以使從第二地址計數(shù)器161B_2接收到的第二計數(shù)地址AX_B1<i:0>(0,1,2,3)與第二地址同步信號ADD_SYNC_B1同步,并將預定數(shù)量的第二列地址信號AX_B1_P<i:0>(0,1,2,3)產(chǎn)生為預定數(shù)量。

      列選擇信號發(fā)生單元161E可以響應于從第一輸出控制單元161C和第二輸出控制單元161D接收到的第一列地址信號AX_B0_P<i:0>(0,1,2,3)和第二列地址信號AX_B1_P<i:0>(0,1,2,3)而產(chǎn)生和輸出第一列選擇信號CS_B0<i:0>和第二列選擇信號CS_B1<i:0>給頁緩沖器。

      由于在數(shù)據(jù)預取操作“數(shù)據(jù)預取操作”期間產(chǎn)生了預定數(shù)量的第一列地址信號AX_B0_P<i:0>(0,1,2,3)和第二列地址信號AX_B1_P<i:0>(0,1,2,3)以及第一列選擇信號CS_B0<i:0>和第二列選擇信號CS_B1<i:0>,因此從第一存儲體B0和第二存儲體B1讀取且儲存在頁緩沖器中的一些數(shù)據(jù)可以儲存在數(shù)據(jù)輸出電路130中。

      在完成數(shù)據(jù)預取操作“數(shù)據(jù)預取操作”之后,可以執(zhí)行數(shù)據(jù)輸出操作“數(shù)據(jù)輸出操作”。

      在數(shù)據(jù)輸出操作期間,數(shù)據(jù)路徑邏輯單元161A可以響應于數(shù)據(jù)路徑使能信號RE_N_DP而產(chǎn)生與第二存儲體B1相對應的第二源時鐘CKCOL_B<1>。

      地址計數(shù)器單元161B的第一地址計數(shù)器161B_1可以在數(shù)據(jù)輸出操作期間被禁止以降低功耗。

      第二地址計數(shù)器161B_2可以響應于源時鐘CKCOL_B1而輸出計數(shù)地址AX_B1<i:0>(4,5,6)。在數(shù)據(jù)輸出操作“數(shù)據(jù)輸出操作”期間產(chǎn)生的第二計數(shù)地址AX_B1<i:0>可以為在數(shù)據(jù)預取操作“數(shù)據(jù)預取操作”期間產(chǎn)生的第二計數(shù)地址AX_B1<i:0>(0,1,2,3)的后續(xù)地址。

      第一輸出控制單元161C可以響應于從第二地址計數(shù)器161B_2接收到的第二計數(shù)地址AX_B1<i:0>(4,5,6)而產(chǎn)生第一列地址信號AX_B0_P<i:0>(4,5,6)和第一選通信號IOSTB_B0。第一輸出控制單元161C可以使從第二地址計數(shù)器161B_2接收到的第二計數(shù)地址AX_B1<i:0>(4,5,6)與第一地址同步信號ADD_SYNC_B0同步,以產(chǎn)生第一列地址信號AX_B0_P<i:0>(4,5,6)。

      第二輸出控制單元161D可以響應于從第二地址計數(shù)器161B_2接收到的第二計數(shù)地址AX_B1<i:0>(4,5,6)而產(chǎn)生第二列地址信號AX_B1_P<i:0>(4,5,6)和第二選通信號IOSTB_B1。第二輸出控制單元161D可以使第二計數(shù)地址AX_B1<i:0>(4,5,6)與第二地址同步信號ADD_SYNC_B1同步,以產(chǎn)生第二列地址信號AX_B1_P<i:0>(4,5,6)。

      列選擇信號發(fā)生單元161E可以響應于從第一輸出控制單元161C和第二輸出控制單元161D接收到的第一列地址信號AX_B0_P<i:0>和第二列地址信號AX_B1_P<i:0>(4,5,6)而產(chǎn)生和輸出第一列選擇信號CS_B0<i:0>和第二列選擇信號CS_B1<i:0>給頁緩沖器電路120。

      頁緩沖器電路120可以響應于第一列選擇信號CS_B0<i:0>和第二列選擇信號CS_B1<i:0>而將從第一存儲體B0和第二存儲體B1讀取和儲存的數(shù)據(jù)傳送給數(shù)據(jù)線DL。

      數(shù)據(jù)輸出電路130的感測電路131可以感測數(shù)據(jù)線DL的電勢電平,并且響應于第一選通信號IOSTB_B0和第二選通信號IOSTB_B1而將所感測的數(shù)據(jù)輸出給管道鎖存器電路132。

      管道鎖存器電路132可以儲存從感測電路131傳送來的數(shù)據(jù),并且響應于第一管道數(shù)據(jù)輸出信號P_OUT_B0<i:0>和第二管道數(shù)據(jù)輸出信號P_OUT_B1<i:0>而將儲存在其中的數(shù)據(jù)輸出給輸入/輸出線IO。

      如上所述,通過在數(shù)據(jù)輸出操作“數(shù)據(jù)輸出操作”期間禁止地址計數(shù)器單元161B的第一地址計數(shù)器161B_1,可以降低功耗。

      圖9是用于圖示根據(jù)一個實施例的半導體器件的數(shù)據(jù)輸出方法的信號波形圖。

      下面參照圖1至圖7以及圖9來描述根據(jù)一個實施例的半導體存儲器件的數(shù)據(jù)輸出操作。

      根據(jù)一個實施例,在半導體存儲器件100的數(shù)據(jù)輸出操作期間,可以從第一存儲體B0和第二存儲體B1按照第二存儲體首先啟動來交替輸出第一存儲體B0和第二存儲體B1的數(shù)據(jù)。

      可以在數(shù)據(jù)輸出操作“數(shù)據(jù)輸出操作”之前執(zhí)行數(shù)據(jù)預取操作“數(shù)據(jù)預取操作”,從而可以產(chǎn)生預定數(shù)量的第一列地址信號AX_B0_P<i:0>(0,1,2,3)和第二列地址信號AX_B1_P<i:0>(0,1,2,3)。下面將更詳細地對此進行描述。

      在數(shù)據(jù)預取操作“數(shù)據(jù)預取操作”期間,管道鎖存器控制電路162的時鐘發(fā)生器162_A可以響應于重置信號RESET而輸出高電平的控制時鐘CLK_8D??刂茣r鐘CLK_8D可以響應于延遲重置信號RESET_DELAY(其在重置信號RESET之后的預定時間段切換)和高電平的第一存儲體啟動信號BANK1_START而從高電平轉變?yōu)榈碗娖?。隨后,時鐘發(fā)生器162_A可以響應于預取脈沖信號PREFETCH_PULSE而將控制時鐘CLK_8D從低電平轉變?yōu)楦唠娖?。因此,控制時鐘CLK_8D可以從高電平切換至低電平,然后在數(shù)據(jù)預取操作“數(shù)據(jù)預取操作”期間切換至高電平。

      控制信號發(fā)生器162_B可以響應于在數(shù)據(jù)預取操作“數(shù)據(jù)預取操作”期間切換的控制時鐘CLK_8D而產(chǎn)生第一管道數(shù)據(jù)輸出信號P_OUT_B0<i:0>和第二管道數(shù)據(jù)輸出信號P_OUT_B1<i:0>(在圖9中用斜線表示)。因此,可以響應于在數(shù)據(jù)預取操作“數(shù)據(jù)預取操作”期間產(chǎn)生的第一管道數(shù)據(jù)輸出信號P_OUT_B0<i:0>和第二管道數(shù)據(jù)輸出信號P_OUT_B1<i:0>之后的第一管道數(shù)據(jù)輸出信號P_OUT_B0<i:0>和第二管道數(shù)據(jù)輸出信號P_OUT_B1<i:0>而執(zhí)行數(shù)據(jù)輸出操作。根據(jù)在數(shù)據(jù)預取操作“數(shù)據(jù)預取操作”期間產(chǎn)生的第一管道數(shù)據(jù)輸出信號P_OUT_B0<i:0>和第二管道數(shù)據(jù)輸出信號P_OUT_B1<i:0>而要輸出的數(shù)據(jù)優(yōu)選地是儲存在管道鎖存器電路132中的垃圾數(shù)據(jù)。由于在數(shù)據(jù)預取操作“數(shù)據(jù)預取操作”期間產(chǎn)生的第一管道數(shù)據(jù)輸出信號P_OUT_B0<i:0>和第二管道數(shù)據(jù) 輸出信號P_OUT_B1<i:0>的緣故,當?shù)诙鎯wB1是起始存儲體時,首先從第一存儲體B0接收到的數(shù)據(jù)可以為垃圾數(shù)據(jù),因而在數(shù)據(jù)輸出操作“數(shù)據(jù)輸出操作”期間可以不輸出垃圾數(shù)據(jù)而是跳過垃圾數(shù)據(jù),將更詳細地對此進行描述。

      數(shù)據(jù)路徑邏輯單元161A可以將在數(shù)據(jù)預取操作“數(shù)據(jù)預取操作”期間切換了預定次數(shù)的第一源時鐘CKCOL_B0和第二源時鐘CKCOL_B1輸出。地址計數(shù)器單元161B可以響應于第一源時鐘CKCOL_B0和第二源時鐘CKCOL_B1而產(chǎn)生和輸出預定數(shù)量的第一計數(shù)地址AX_B0<i:0>和第二計數(shù)地址AX_B1<i:0>。由于地址計數(shù)器單元161B使第二存儲體B1先于第一存儲體B0啟動數(shù)據(jù)輸出操作,因此第一計數(shù)地址AX_B0<i:0>可以按“1、2、3和4”的次序產(chǎn)生,而第二計數(shù)地址AX_B1<i:0>可以按“0、1、2和3”的次序產(chǎn)生,以便跳過第一存儲體B0的第一數(shù)據(jù)輸出操作。

      第一輸出控制單元161C可以使從第一地址計數(shù)器161B_1接收到的第一計數(shù)地址AX_B0<i:0>(1,2,3,4)與第一地址同步信號ADD_SYNC_B0同步,并且產(chǎn)生預定數(shù)量的第一列地址信號AX_B0_P<i:0>(0,1,2,3)。

      第二輸出控制單元161D可以使從第二地址計數(shù)器161B_2接收到的第二計數(shù)地址AX_B1_P<i:0>(0,1,2,3)與第二地址同步信號ADD_SYNC_B1同步,并且將預定數(shù)量的第二列地址信號AX_B1_P<i:0>(0,1,2,3)產(chǎn)生為預定數(shù)量。

      列選擇信號發(fā)生單元161E可以響應于從第一輸出控制單元161C和第二輸出控制單元161D接收到的第一列地址信號AX_B0_P<i:0>(0,1,2,3)和第二列地址信號AX_B1_P<i:0>(0,1,2,3)而產(chǎn)生和輸出第一列選擇信號CS_B0<i:0>和第二列選擇信號CS_B1<i:0>給頁緩沖器。

      由于在數(shù)據(jù)預取操作“數(shù)據(jù)預取操作”期間產(chǎn)生了預定數(shù)量的第一列地址信號AX_B0_P<i:0>(0,1,2,3)和第二列地址信號AX_B1_P<i:0>(0,1,2,3)以及第一列選擇信號CS_B0<i:0>和第二列選擇信號CS_B1<i:0>,因此從第一存儲體B0和第二存儲體B1讀取且儲存在頁緩沖器中的一些數(shù)據(jù)可以儲存在數(shù)據(jù)輸出電路130中。

      在完成數(shù)據(jù)預取操作“數(shù)據(jù)預取操作”之后,可以執(zhí)行數(shù)據(jù)輸出操作“數(shù)據(jù)輸出操作”。

      在數(shù)據(jù)輸出操作期間,數(shù)據(jù)路徑邏輯單元161A可以響應于數(shù)據(jù)路徑使能信號RE_N_DP而產(chǎn)生與第二存儲體B1相對應的第二源時鐘CKCOL_B<1>。

      地址計數(shù)器單元161B的第一地址計數(shù)器161B_1可以在數(shù)據(jù)輸出操作期間被禁止以降低功耗。

      第二地址計數(shù)器161B_2可以響應于源時鐘CKCOL_B1而輸出計數(shù)地址AX_B1<i:0>(4,5,6,7)。在數(shù)據(jù)輸出操作“數(shù)據(jù)輸出操作”期間產(chǎn)生的第二計數(shù)地址AX_B1<i:0>(4,5,6,7)可以為在數(shù)據(jù)預取操作“數(shù)據(jù)預取操作”期間產(chǎn)生的第二計數(shù)地址AX_B1<i:0>(0,1,2,3)的后續(xù)地址。

      第一輸出控制單元161C可以響應于從第二地址計數(shù)器161B_2接收到的第二計數(shù)地址AX_B1<i:0>(4,5,6,7)而產(chǎn)生第一列地址信號AX_B0_P<i:0>(4,5,6)和第一選通信號IOSTB_B0。第一輸出控制單元161C可以使從第二地址計數(shù)器161B_2接收到的第二計數(shù)地址AX_B1<i:0>(4,5,6,7)與第一地址同步信號ADD_SYNC_B0同步,以產(chǎn)生第一列地址信號AX_B0_P<i:0>(4,5,6)。

      第二輸出控制單元161D可以響應于從第二地址計數(shù)器161B_2接收到的第二計數(shù)地址AX_B1<i:0>(4,5,6,7)而產(chǎn)生第二列地址信號AX_B1_P<i:0>(4,5,6)和第二選通信號IOSTB_B1。第二輸出控制單元161D可以使第二計數(shù)地址AX_B1<i:0>(4,5,6,7)與第二地址同步信號ADD_SYNC_B1同步,以產(chǎn)生第二列地址信號AX_B1_P<i:0>(4,5,6)。

      列選擇信號發(fā)生單元161E可以響應于從第一輸出控制單元161C和第二輸出控制單元161D接收到的第一列地址信號AX_B0_P<i:0>(4,5,6)和第二列地址信號AX_B0_P<i:0>(4,5,6)而產(chǎn)生和輸出第一列選擇信號CS_B0<i:0>和第二列選擇信號CS_B1<i:0>給頁緩沖器電路120。

      頁緩沖器電路120可以響應于第一列選擇信號CS_B0<i:0>和第二列選擇信號CS_B1<i:0>而將從第一存儲體B0和第二存儲體B1讀取和儲存的數(shù)據(jù)傳送給數(shù)據(jù)線DL。

      數(shù)據(jù)輸出電路130的感測電路131可以感測數(shù)據(jù)線DL的電勢電平,并且響應于第一選通信號IOSTB_B0和第二選通信號IOSTB_B1而將所感測的電勢電平輸出給管道鎖存器電路132。

      管道鎖存器電路132可以儲存從感測電路131傳送來的數(shù)據(jù),并且響應于第一管道數(shù)據(jù)輸出信號P_OUT_B0<i:0>和第二管道數(shù)據(jù)輸出信號P_OUT_B1<i:0>而將儲存在其中的數(shù)據(jù)輸出給輸入/輸出線IO。

      在數(shù)據(jù)輸出操作“數(shù)據(jù)輸出操作”期間產(chǎn)生的第一管道數(shù)據(jù)輸出信號P_OUT_B0<i:0>和第二管道數(shù)據(jù)輸出信號P_OUT_B1<i:0>可以繼在數(shù)據(jù)預取操作“數(shù)據(jù)預取操作”期間產(chǎn)生的第一管道數(shù)據(jù)輸出信號P_OUT_B0<i:0>和第二管道數(shù)據(jù)輸出信號P_OUT_B1<i:0>(在圖9中用斜線表示)之后。如上所述,在數(shù)據(jù)預取操作“數(shù)據(jù)預取 操作”期間產(chǎn)生的第一管道數(shù)據(jù)輸出信號P_OUT_B0<i:0>和第二管道數(shù)據(jù)輸出信號P_OUT_B1<i:0>可以優(yōu)選地對應于垃圾數(shù)據(jù)。管道鎖存器電路132可以通過跳過與數(shù)據(jù)預取操作“數(shù)據(jù)預取操作”期間產(chǎn)生的第一管道數(shù)據(jù)輸出信號P_OUT_B0<i:0>和第二管道數(shù)據(jù)輸出信號P_OUT_B1<i:0>相對應的垃圾數(shù)據(jù),而根據(jù)數(shù)據(jù)輸出操作“數(shù)據(jù)輸出操作”期間的第一管道數(shù)據(jù)輸出信號P_OUT_B0<i:0>和第二管道數(shù)據(jù)輸出信號P_OUT_B1<i:0>來執(zhí)行后續(xù)的數(shù)據(jù)輸出操作。

      如上所述,通過在數(shù)據(jù)輸出操作期間禁止地址計數(shù)器單元161B的第一地址計數(shù)器161B_1,可以降低功耗。

      圖10是圖示根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的包括圖1中所示的半導體存儲器件的存儲系統(tǒng)1000的框圖。

      參見圖10,存儲系統(tǒng)1000可以包括半導體存儲器件100和控制器1100。

      半導體存儲器件100可以與以上參照圖1而描述的半導體存儲器件相同。將省略對其的詳細描述。

      控制器1100可以耦接至主機和半導體存儲器件100。控制器1100可以被配置為在主機的請求下訪問半導體存儲器件100。例如,控制器1100可以控制半導體存儲器件100的讀取操作、編程操作、擦除操作和/或后臺操作。控制器1100可以提供半導體存儲器件100與主機之間的接口??刂破?100可以驅動用于控制半導體存儲器件100的固件。

      控制器1100可以包括隨機存取存儲器(RAM)1110、處理單元1120、主機接口1130、存儲器接口1140以及錯誤校正塊1150。RAM 1110可以用作處理單元1120的操作存儲器、半導體存儲器件100與主機之間的高速緩沖存儲器和/或半導體存儲器件100與主機之間的緩沖存儲器。處理單元1120可以控制控制器1100的操作。此外,控制器1100可以在寫入操作期間暫時儲存從主機提供的程序數(shù)據(jù)。

      主機接口1130可以包括用于在主機與控制器1100之間交換數(shù)據(jù)的協(xié)議。例如,控制器1100可以經(jīng)由諸如通用串行總線(USB)協(xié)議、多媒體卡(MMC)協(xié)議、外圍組件互連(PCI)協(xié)議、PCI-快速(PCI-E)協(xié)議、高級技術附件(ATA)協(xié)議、串行ATA協(xié)議、并行ATA協(xié)議、小型計算機小接口(SCSI)協(xié)議、增強型小型磁盤接口(ESDI)協(xié)議、集成驅動電路(IDE)協(xié)議、私有協(xié)議等各種協(xié)議中的一種或多種來與主機通信。

      存儲器接口1140可以與半導體存儲器件100接口。例如,存儲器接口可以包括NAND閃存接口或NOR閃存接口。

      錯誤校正塊1150可以通過使用錯誤校正碼(ECC)來檢測并校正從半導體存儲器件100讀取的數(shù)據(jù)中的錯誤。處理單元1120可以基于錯誤校正塊1150的錯誤檢測結果來控制讀取電壓,并且執(zhí)行再讀取操作。根據(jù)一個實施例,錯誤校正塊可以被設置為控制器1100的組件。

      控制器1100和半導體存儲器件100可以集成至單個半導體器件中。根據(jù)一個實施例,控制器1100和半導體存儲器件100可以集成至單個半導體器件中,以形成存儲卡,諸如PC卡(個人計算機存儲卡國際協(xié)會(PCMCIA))、緊湊式閃存卡(CF)、智能媒體卡(SMC)、記憶棒、多媒體卡(MMC、RS-MMC或微型MMC)、SD卡(SD、迷你SD、微型SD或SDHC)、通用快閃儲存設備(UFS)等。

      控制器1100和半導體存儲器件100可以集成至單個半導體器件中,以形成固態(tài)驅動器(SSD)。SSD可以包括用于將數(shù)據(jù)儲存在半導體存儲器件中的儲存設備。當存儲系統(tǒng)1000用作SSD時,可以大幅提升耦接至存儲系統(tǒng)1000的主機的操作速度。

      在另一示例中,存儲系統(tǒng)1000可以用作諸如計算機、超移動PC(UMPC)、工作站、上網(wǎng)本、個人數(shù)字助理(PDA)、便攜式計算機、網(wǎng)絡平板、無線電話、移動電話、智能電話、電子書、便攜式多媒體播放器(PMP)、便攜式游戲機、導航設備、黑匣子、數(shù)字相機、三維電視、數(shù)字錄音機、數(shù)字音頻播放器、數(shù)字圖片記錄儀、數(shù)字圖片播放器、數(shù)字錄像機、數(shù)字視頻播放器、用于在無線環(huán)境中收發(fā)信息的設備、用于家用網(wǎng)絡的設備、用于計算機網(wǎng)絡的設備、用于遠程信息處理網(wǎng)絡的設備、RFID設備、用于計算系統(tǒng)的其他設備等的各種電子設備的若干元件之一。

      根據(jù)示例性實施例,半導體存儲器件100或存儲系統(tǒng)1000可以以各種形式來封裝。例如,半導體存儲器件100或存儲系統(tǒng)1000可以通過各種方法來封裝,諸如層疊封裝(PoP)、球柵陣列(BGA)、芯片級封裝(CSP)、塑料引線芯片載體(PLCC)、塑料雙列直插封裝(PDIP)、華夫包式裸片、晶片形式裸片、板上芯片(COB)、陶瓷雙列直插封裝(CERDIP)、塑料度量四方扁平封裝(MQFP)、薄型四方扁平封裝(TQFP)、小外形集成電路(SOIC)、收縮型小外形封裝(SSOP)、薄型小外形封裝(TSOP)、系統(tǒng)級封裝(SIP)、多芯片封裝(MCP)、晶片級制造封裝(WFP)、晶片級處理層疊封裝(WSP)等。

      圖11是圖示圖10中所示的存儲系統(tǒng)1000的應用示例(2000)的框圖。

      參見圖11,存儲系統(tǒng)2000可以包括半導體存儲器件2100和控制器2200。半導體存儲器件2100可以包括多個半導體存儲芯片。多個半導體存儲芯片可以被劃分成組。

      圖11圖示了經(jīng)由第一通道CH1至第k通道CHk與控制器2200通信的多個組??梢耘c以上參照圖1所描述的半導體存儲器件100基本相同的方式來配置和操作半導體存儲芯片中的每個。

      每個組可以經(jīng)由單個公共通道與控制器2200通信??刂破?200可以與參照圖8所描述的控制器1100基本相同的方式來配置,且可以被配置為經(jīng)由第一通道CH1至第k通道CHk來控制半導體存儲器件2100的多個存儲芯片。

      圖12是圖示根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的具有以上參照圖11所描述的存儲系統(tǒng)的計算系統(tǒng)3000的框圖。

      參見圖12,計算系統(tǒng)3000可以包括中央處理單元3100、隨機存取存儲器(RAM)3200、用戶接口3300和電源3400。

      存儲系統(tǒng)2000可以經(jīng)由系統(tǒng)總線3500與中央處理單元3100、RAM 3200、用戶接口3300和電源3400電連接。經(jīng)由用戶接口3300提供的數(shù)據(jù)或通過中央處理單元3100處理的數(shù)據(jù)可以儲存在存儲系統(tǒng)2000中。

      如圖12中所示,半導體存儲器件2100可以經(jīng)由控制器2200耦接至系統(tǒng)總線3500。然而,半導體存儲器件2100可以直接耦接至系統(tǒng)總線3500。中央處理單元3100和RAM 3200可以執(zhí)行控制器2200的功能。

      如圖12中所示,圖11中所示的存儲系統(tǒng)2000可以被包括為存儲系統(tǒng)3000。然而,可以用以上參照圖10所描述的存儲系統(tǒng)1000來取代存儲系統(tǒng)2000。根據(jù)一個實施例,計算系統(tǒng)3000可以包括以上分別參照圖10和圖11而描述的存儲系統(tǒng)1000和存儲系統(tǒng)2000二者。

      根據(jù)實施例,由于使用與各個存儲體相對應的多個地址計數(shù)器之一來執(zhí)行半導體存儲器件的數(shù)據(jù)輸出操作,因此可以降低數(shù)據(jù)輸出操作的功耗。

      對于本領域技術人員將明顯的是,在不脫離本發(fā)明的精神和/或范圍的情況下,可以對本發(fā)明的上述示例性實施例作出各種修改。因此,本發(fā)明意在覆蓋落入所附權利要求及其等價的范圍之內(nèi)的所有修改。

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