專利名稱：：各向異性導電膜和其制造方法以及接合體的制作方法
技術領域：
：0001本發(fā)明涉及各向異性導電膜及其高效制造方法，以及使用所述各向異性導電膜的、電子部件與基板等的接合體，所述各向異性導電膜使得IC芯片、液晶顯示器(LCD)中的液晶面板(LCD面板)等電子部件與基板、以及基板之間能夠進行電連接和機械連接。
背景技術：
：0002以往，作為連接電子部件和電路板等的方法，使用各向異性導電性粘結膜(ACF;各向異性導電膜)。例如，以撓性印制電路板(FPC)和IC芯片的端子與在LCD面板的玻璃基板上形成的ITO(氧化銦錫)電極連接的情況為代表，這種各向異性導電性粘結膜在粘結各種端子之間的同時進行電連接的情況中使用。0003作為上述各向異性導電性粘結膜，一般情況下，使用在環(huán)氧樹脂類的絕緣性粘結劑層中分散有導電性粒子的單層結構的膜，例如，通過將導電性粒子夾壓在IC芯片的端子與玻璃基板的ITO電極之間，實現(xiàn)將上述IC芯片的端子與上述ITO電極的電連接。近年來，由于電子設備的小型化和高功能化，隨著連接端子的窄節(jié)距化，連接端子的連接面積減小，盡管端子面積變小，也需要保證高的導通可靠性。但是，對于上述單層結構的各向異性導電性粘結膜，由于連接時的熱壓，存在導電性粒子與絕緣性粘結劑一起流動的問題，為了確實進行電連接，在連接后，端子上載有的導電性粒子需要達到一定個數(shù)以上，絕緣性粘結劑中含有的導電性粒子的個數(shù)必須增加。0004與此相對，提出了下列的膜在同一組成的絕緣性粘結劑中分散導電性粒子的層(ACF)和不分散導電性粒子的層(NCF:非導電膜)的兩層結構的膜、以及分散導電性粒子的絕緣性粘結劑層和改變所述絕緣性粘結劑部分組成的絕緣性粘結劑形成的層的兩層結構的膜。使用這些各向異性導電性粘結膜時，IC芯片的端子進入不含導電性粒子的層，更進一步在分散導電性粒子的層中通過夾帶導電性粒子與ITO電極進行電連接。因此，流入IC芯片的端子之間的導電性粒子的數(shù)目減少，與上述單層結構的膜相比，盡管導電性粒子是少量的，也可以提高在連接端子上載有的導電性粒子的比例(粒子捕捉率)。0005但是，在端子的窄節(jié)距化加速推進的今日，使用上述兩層結構的各向異性導電性粘結膜的問題是，由于連接時的熱壓，與絕緣性粘結劑一起流動的導電性粒子在IC芯片的周圍移動并流入端子之間的空間而產(chǎn)生短路。此外，上述粒子捕捉率的確保也是不充分的。為此，希望開發(fā)能抑制連接時導電性粒子移動的技術。0006因此，提出了這樣的各向異性導電性粘結膜，例如，使用光硬化性樹脂作為絕緣性粘合劑，在所述光硬化性樹脂中，導電性粒子以單層處于分散配置的狀態(tài)下，通過紫外線照射來固定粘合劑中的導電性粒子(參考專利文獻l)。在這種情況下，由于導電性粒子被固定在粘合劑中，在端子與電極連接時導電性粒子不流動，從而可以在抑制短路發(fā)生的同時確保高粒子捕捉率。但是，由于在上述專利文獻l中記載的各向異性導電性粘結膜中含導電性粒子的層(導電性粒子層)完全硬化，因此，為了將IC芯片與玻璃基板機械粘結，需要形成用具有粘結性的兩個絕緣性樹脂層夾住上述導電性粒子層的三層結構，與兩層結構相比，除了存在制造工序數(shù)增加、生產(chǎn)率低下的問題之外，使用通常的輥涂機以及逗號涂布機(commacoater)以良好的精度形成厚度在5微米以下的導電性粒子層也是困難的。0007此外，提出了這樣的各向異性導電性粘結膜，例如，絕緣性粘結劑層與導電性粒子以單層埋入形成的絕緣性粘合劑層構成的兩層結構的各向異性導電性粘結膜，其絕緣性粘合劑層通過活性光線硬化，但使用前在未硬化狀態(tài)下表現(xiàn)出粘著性(參考專利文獻2)。在這種情況下，由于含有導電性粒子的層表現(xiàn)出粘著性，通過兩層結構，可以使IC芯片和玻璃基板機械連接。但是，由于將它們預壓接(仮圧著)之后需要通過照射活性光線將導電性粒子固定在粘合劑中，因此存在下列問題使用方為了照射活性光線必須引進新的裝置并且必須對熱及光照射的條件等進行控制，使用時使用方的負擔增大和便利性下降0008因而，目前還沒有提供這樣的兩層結構的各向異性導電膜其能夠在電子部件和基板等連接時，通過在抑制導電性粒子的流動而防止短路發(fā)生的同時確保高的粒子捕捉率而得到優(yōu)異的導通可靠性，并且能容易使用。0009專利文獻l:日本特開2001-52778號公報專利文獻2:日本特開2003-64324號公報
發(fā)明內(nèi)容0010本發(fā)明是為了解決以往存在的上述問題和實現(xiàn)以下目的。艮P，本發(fā)明的目的是提供兩層結構的各向異性導電膜及其高效制造方法，所述導電膜能夠在電子部件和基板等連接時，通過在抑制導電性粒子的流動而防止短路發(fā)生的同時確保高的粒子捕捉率而得到優(yōu)異的導通可靠性，并且能容易使用；以及提供電子部件和基板等的接合體，所述接合體使用所述各向異性導電膜、具有高粒子捕捉率和優(yōu)異的導通可靠性。0011如下是解決上述問題的方法。艮P:<1>各向異性導電膜，其特征是具有絕緣層和含導電性粒子層，所述絕緣層由絕緣性樹脂組合物形成，所述含導電性粒子層含有光及熱硬化性樹脂組合物以及導電性粒子，所述導電性粒子在所述絕緣層一側的界面上單層排列，在所述含導電性粒子層的厚度方向上，從存在所述導電性粒子的一側到不存在所述導電性粒子的一側，硬化度逐漸降低。在<1>中記載的各向異性導電膜中，在所述含導電性粒子層的厚度方向上，從存在所述導電性粒子的一側到不存在所述導電性粒子的一側，硬化度逐漸降低，即，存在所述導電性粒子的一側硬化度高，隨著接近不存在所述導電性粒子的一側，硬化度逐漸降低，所述硬化度是傾斜的。為此，在上述硬化度高的區(qū)域，上述導電性粒子在上述絕緣層一側的界面上以單層排列的狀態(tài)被固定，在將本發(fā)明的上述各向異性導電膜用于電子部件和基板等的接合時，在壓接它們時上述導電性粒子不流動、以高粒子捕捉率在端子處被捕捉、得到優(yōu)異的導通可靠性、能充分應對端子的窄節(jié)距化。此外，由于上述含導電性粒子層的不存在導電性粒子的一側處于硬化度低的狀態(tài)甚至未硬化狀態(tài)，上述光及熱硬化性樹脂組合物具有粘結性，能容易地與上述基板等壓接，本發(fā)明的上述各向異性導電膜具有兩層結構，同時具有與以往三層結構的各向異性導電膜同樣的功能，因此其使用便利性高。0012<2>上述<1>中記載的各向異性導電膜，其通過從含導電性粒子層中存在導電性粒子的表面?zhèn)日丈溆糜谟不墓舛玫健?lt;3>上述<2>中記載的各向異性導電膜，其中用于硬化的光的照射通過下列至少一種狀態(tài)實施使含導電性粒子層中不存在導電性粒子一側的表面與氧氣接觸；以及在含導電性粒子層中添加用于硬化的光的吸收材料。<4>上述<1>至<3>中任一項記載的各向異性導電膜，其中，在光及熱硬化性樹脂組合物中含有光聚合引發(fā)劑。<5>上述<1>至<4>中任一項記載的各向異性導電膜，其中，在光及熱硬化性樹脂組合物中含有熱硬化性引發(fā)劑。<6>上述<1>至<5>中任一項記載的各向異性導電膜，其中，在光及熱硬化性樹脂組合物中含有(甲基)丙烯酸類單體，在絕緣性樹脂組合物中含有環(huán)氧樹脂。0013<7>各向異性導電膜的制造方法，其特征是至少包括含導電性粒子層形成步驟，其中，使導電性粒子在含有光及熱硬化性樹脂組合物的層的一個表面?zhèn)葐螌优帕校ㄟ^從所述一個表面?zhèn)日丈溆糜谟不墓舛纬珊瑢щ娦粤Ｗ訉?；和絕緣層層積步驟，其中，在所述含導電性粒子層的所述一個表面，層積由絕緣性樹脂組合物形成的絕緣層。在<7>中記載的各向異性導電膜的制造方法中，在所述含導電性粒子層形成步驟中，在所述含有光及熱硬化性樹脂組合物的層的一個表面?zhèn)壬鲜顾鰧щ娦粤Ｗ訂螌优帕?，通過從所述一個表面?zhèn)日丈渌鲇糜谟不墓舛纬伤龊瑢щ娦粤Ｗ訉?。在所述絕緣層層積步驟中，在所述含導電性粒子層的所述一個表面，層積由所述絕緣性樹脂組合物形成的所述絕緣層。其結果是，各向異性導電膜被高效地制造。<8>上述<7>中記載的各向異性導電膜的制造方法，其中用于硬化的光的照射通過下列至少一種狀態(tài)實施使含導電性粒子層中不存在導電性粒子一側的表面與氧氣接觸；以及在含導電性粒子層中添加用于硬化的光的吸收材料。<9>上述<7>至<8>中任一項記載的各向異性導電膜的制造方法，其中，在光及熱硬化性樹脂組合物中含有光聚合弓I發(fā)劑。<10>上述<7>至<9>中任一項記載的各向異性導電膜的制造方法，其中，在光及熱硬化性樹脂組合物中含有熱硬化性引發(fā)劑。<11>上述<7>至<10>中任一項記載的各向異性導電膜的制造方法，其中，在光及熱硬化性樹脂組合物中含有(甲基)丙烯酸類單體，在絕緣性樹脂組合物中含有環(huán)氧樹脂。0014<12>接合體，其特征是，通過上述<1〉至<6>中任一項記載的各向異性導電膜，將從電子部件和基板中選擇的2種以上進行電接合而形成。由于在<12>中記載的接合體利用本發(fā)明的上述各向異性導電膜將從上述電子部件及基板中選擇的2種以上進行電接合，所以上述導電性粒子的粒子捕捉率高，導通可靠性優(yōu)異。<13>上述<12>中記載的接合體，其中，電子部件從IC芯片及液晶面板中選擇，基板從ITO玻璃基板、撓性基板、硬基板以及撓性印制電路板中選擇。<14>上述<12>至<13>的任一項中記載的接合體，其中，在從電子部件及基板中選擇的2種以上的接合部分，導電性粒子的粒子捕捉率在80%以上。0015通過本發(fā)明，可以解決以往的上述各個問題，能夠提供兩層結構的各向異性導電膜及其高效制造方法，所述導電膜能夠在電子部件和基板等連接時，通過在抑制導電性粒子的流動而防止短路發(fā)生的同時確保高的粒子捕捉率而得到優(yōu)異的導通可靠性，并且能容易使用，并且本發(fā)明能夠提供電子部件和基板等的接合體，所述接合體使用所述各向異性導電膜、具有高粒子捕捉率和優(yōu)異的導通可靠性。0016圖1圖1是示出本發(fā)明的各向異性導電膜的一個例子的示意性剖面圖。圖2圖2是示出導電性粒子的一個例子的概略說明圖。圖3圖3是為了說明剝離試驗的概念圖。圖4A圖4A是示出本發(fā)明的各向異性導電膜的使用實例的一個例子的概略說明圖(其l)。圖4B圖4B是示出本發(fā)明的各向異性導電膜的使用實例的一個例子的概略說明圖(其2)。圖5A圖5A是示出實施例1的各向異性導電膜的制造方法的工藝圖(其l)。圖5B圖5B是示出實施例1的各向異性導電膜的制造方法的工藝圖(其2)。圖5C圖5C是示出實施例1的各向異性導電膜的制造方法的工藝圖(其3)。圖5D圖5D是示出實施例1的各向異性導電膜的制造方法的工藝圖(其4)。圖5E圖5E是示出實施例1的各向異性導電膜的制造方法的工藝圖(其5)。圖5F圖5F是示出實施例1的各向異性導電膜的制造方法的工藝圖(其6)。圖5G圖5G是示出實施例1的各向異性導電膜的制造方法的工藝圖(其7)。圖5H圖5H是示出實施例1的各向異性導電膜的概略說明圖圖6A圖6A是示出實施例2的各向異性導電膜的制造方法中含導電性粒子層形成步驟的概略說明圖(其1)。圖6B圖6B是示出實施例2的各向異性導電膜的制造方法中含導電性粒子層形成步驟的概略說明圖(其2)。圖6C圖6C是示出實施例2的各向異性導電膜的概略說明圖圖7A圖7A是示出實施例3的各向異性導電膜的制造方法中紫外線照射方法的概略說明圖。圖7B圖7B是示出實施例3的各向異性導電膜的概略說明圖具體實施方式0017(各向異性導電膜)本發(fā)明的各向異性導電膜至少具有絕緣層和含導電性粒子層，也可以具有基膜，還可以具有其它層。0018在此，使用圖來說明本發(fā)明的各向異性導電膜的一個例子。圖1是示出本發(fā)明的各向異性導電膜的一個例子的示意性剖面圖如圖1所示，本發(fā)明的各向異性導電膜具有含導電性粒子層10和在含導電性粒子層10上層積的絕緣層20。絕緣層20由絕緣性樹脂組合物22形成。含導電性粒子層10含有光及熱硬化性樹脂組合物12和導電性粒子14，導電性粒子14在絕緣層20—側的界面單層排列。此外，在含導電性粒子層10的厚度方向上，從導電性粒子14存在的一側至導電性粒子14不存在的一側，硬化度逐漸降低，S卩，硬化度是傾斜的，在硬化度高的區(qū)域，導電性粒子14以單層排列的狀態(tài)固定在絕緣層20一側的界面。一方面，含導電性粒子層10中導電性粒子14不存在的一側處于硬化度低的狀態(tài)甚至未硬化狀態(tài)，光及熱硬化性樹脂組合物12具有粘結性。另外，上述未硬化狀態(tài)是指沒有完全地進行硬化，給予壓力后樹脂顯示出流動性的狀態(tài)。0019(絕緣層)上述絕緣層由絕緣性樹脂組合物形成。一絕緣性樹脂組合物—上述絕緣性樹脂組合物至少含有絕緣性樹脂，還含有根據(jù)需要適當選擇的其它成分。0020—_絕緣性樹脂_一對上述絕緣性樹脂沒有特別限制，可以根據(jù)目的適當選擇，但是從耐熱性及可靠性高的角度考慮，優(yōu)選熱硬化性樹脂，例如，優(yōu)選環(huán)氧樹脂。上述環(huán)氧樹脂例如，雙酚A型環(huán)氧樹脂、雙酚F型環(huán)氧樹脂、雙酚S型環(huán)氧樹脂、酚醛(phenolnovolak)型環(huán)氧樹脂、甲酚醛型環(huán)氧樹脂、雙酚A酚醛型環(huán)氧樹脂、雙酚F酚醛型環(huán)氧樹脂、脂環(huán)族環(huán)氧樹脂、縮水甘油酯型環(huán)氧樹脂、縮水甘油胺型環(huán)氧樹脂、乙內(nèi)酰脲型環(huán)氧樹脂、異氰尿酸酯型環(huán)氧樹脂、脂肪族鏈狀環(huán)氧樹脂等。這些環(huán)氧樹脂既可以被鹵化，也可以被氫化。此外，這些環(huán)氧樹脂可以單獨使用1種，也可以合并使用2種以上。0021一一其它成分一一在不損害本發(fā)明的效果的前提下，對上述其它成分沒有特別限制，可以根據(jù)目的從公知的添加劑中適當選擇，但優(yōu)選例如上述環(huán)氧樹脂的硬化劑(潛在性硬化劑)。上述潛在性硬化劑是指在特定溫度下發(fā)揮硬化劑功能的物質。所述硬化劑例如，胺類、酚類、酸酐類、咪唑類、雙氰胺等通常作為環(huán)氧樹脂的硬化劑使用的物質。進一步地，可以適當應用通常作為硬化促進劑使用的季胺類、有機磷類化合物。0022對于上述絕緣層的厚度沒有特別的限制，可以根據(jù)與下述含導電性粒子層的厚度的關系適當選擇，但其優(yōu)選為5-20pm，更優(yōu)選為8-15(im。上述厚度如果未達到5nm，則凸塊(bump)間的樹脂填充率減少，如果其超過20)iim，則引起連接不良。0023(含導電性粒子層)上述含導電性粒子層至少含有光及熱硬化性樹脂組合物和導電性粒子，進一步地，含有根據(jù)需要適當選擇的其它成分。0024一光及熱硬化性樹脂組合物一對上述光及熱硬化性樹脂組合物沒有特別限制，可以根據(jù)目的適當選擇，只要其至少含有光及熱硬化性樹脂(通過光以及熱硬化的樹脂)即可。0025一_光及熱硬化性樹脂一一對上述光及熱硬化性樹脂沒有特別限制，可以根據(jù)目的適當選擇，但優(yōu)選例如，(甲基)丙烯酸樹脂。對上述丙烯酸樹脂沒有特別限制，可以根據(jù)目進行適當選擇，例如，丙烯酸甲酯、丙烯酸乙酯、丙烯酸異丙酯、丙烯酸異丁酯、環(huán)氧丙烯酸酯、二丙烯酸乙二醇酯、二丙烯酸二甘醇酯、三羥甲基丙垸三丙烯酸酯、1,4-乙二醇四丙烯酸酯、2-羥基-l，3-二丙烯酰氧基丙垸、2,2-雙[4-(丙烯酰氧基甲氧基)苯基兩烷、2,2-雙[4-(丙烯酰氧基乙氧基)苯基]丙垸、丙烯酸雙環(huán)戊烯基酯丙烯酸三環(huán)癸烯基酯、三(丙烯酰氧基乙基)異氰尿酸酯、丙烯酸氨基甲酸酯等。這些可以單獨使用1種、也可以合并使用2種以上。此外，列舉出將上述丙烯酸酯變?yōu)榧谆┧狨サ奈镔|，它們可以單獨使用l種，也可以合并使用2種以上。0026此外，上述光及熱硬化性樹脂組合物優(yōu)選含有作為硬化成分的(甲基)丙烯酸類單體。對上述(甲基)丙烯酸類單體沒有特別限制，可以根據(jù)目的適當選擇，例如，丙烯酸氨基甲酸酯、環(huán)氧丙烯酸酯。0027就能通過用于硬化的光照射促進樹脂硬化而言，上述光及熱硬化性樹脂組合物優(yōu)選進一步含有光聚合引發(fā)劑；就使用本發(fā)明的上述各向異性導電膜將電子部件等和基板等接合時能通過加熱處理促進樹脂硬化而言，上述光及熱硬化性樹脂組合物優(yōu)選進一步含有熱硬化性引發(fā)劑。0028一一光聚合引發(fā)劑一一對上述光聚合引發(fā)劑沒有特別限制，可以根據(jù)目的適當選擇，例如，苯偶姻醚如苯偶姻乙醚、異丙基苯偶姻醚等；芐基縮酮如芐基羥基環(huán)己基二苯酮等；酮類如二苯甲酮、苯乙酮等及其衍生物；噻噸酮類；雙咪唑類及其它。它們可以單獨使用1種，也可以合并使用2種以上。此外，根據(jù)需要，可以在這些的光聚合引發(fā)劑中以任意比例添加增感劑如胺類、含硫化合物、磷化合物等。0029對上述光聚合引發(fā)劑的添加量沒有特別的限制，可以根據(jù)目的適當選擇，但相對100質量份的上述光及熱硬化性樹脂，優(yōu)選0.1-5質量份。上述添加量如果不到0.1質量份，則導致硬化不良，如果超過5質量份，導致粘結力的低下。0030一一熱硬化性引發(fā)劑一一對上述熱硬化性引發(fā)劑沒有特別的限制，可以根據(jù)目的適當選擇，例如，二?；^氧化物類、過氧化二碳酸酯類、過氧化酯、過氧縮酮類、二垸基過氧化物類、過氧化氫類、硅過氧化物類等。它們可以單獨使用1種，也可以合并使用2種以上。0031上述二酰基過氧化物類例如異丁基過氧化物、2，4-二氯苯甲酰過氧化物、3,5，5-三甲基己酰過氧化物、辛酰過氧化物、月桂酰過氧化物、硬脂酰過氧化物、琥珀酸(^^*二'7)過氧化物、苯甲酰過氧甲苯、苯甲酰過氧化物等。上述過氧化二碳酸酯類例如二正丙基過氧化二碳酸酯、二異丙基過氧化二碳酸酯、雙(4-叔丁基環(huán)己基)過氧化二碳酸酯、二-2-乙氧基甲氧基過氧化二碳酸酯、二(2-乙基己基過氧)二碳酸酯、二甲氧基丁基過氧化二碳酸酯、二(3-甲基-3-甲氧基丁基過氧)二碳酸酯等。上述過氧化酯類例如過氧化新癸酸枯基酯(cumylperoxyneodecanoate)、過氧化新癸酸1,1,3,3-四甲基丁酯、l-環(huán)己基-l-甲基乙基過氧7二于"力7二一卜、過氧化新癸酸叔己酯、過氧化新戊酸叔丁酯、已酸U，3，3-四甲基丁基過氧-2-乙酯、2,5-二甲基-2，5-二-(2-乙基已酰過氧)己烷、己酸l-環(huán)己基-l-甲基乙基過氧-2-乙酯、已酸叔己基過氧-2-乙酯、已酸叔丁基過氧-2-乙酯、過氧異丁酸叔丁酯、l，l-雙(叔丁基過氧)環(huán)己垸、叔己基過氧異丙基一碳酸酯、已酸叔丁基過氧-3,5，5-三甲酯、過氧月桂酸叔丁酯、2，5-二甲基-2,5-二(間-甲基苯甲酰過氧)己烷、叔丁基過氧異丙基一碳酸酯、叔丁基過氧-2-乙基己基一碳酸酯、過氧苯甲酸叔己酯、過氧乙酸叔丁酯等。上述過氧縮酮類例如1,1-雙(叔己基過氧)-3，3，5-三甲基環(huán)己烷、l，l-雙(叔己基過氧)環(huán)己烷、1,1-雙(叔丁基過氧)-3,3，5-三甲基環(huán)己垸、l，l-(叔丁基過氧)環(huán)十二烷、2，2-雙(叔丁基過氧)癸烷等。0032上述二烷基過氧化物類例如a，(x-雙(叔丁基過氧)二異丙基苯、二枯基過氧化物、2,5-二甲基-2,5-二(叔丁基過氧)己烷、叔丁基枯基過氧化物等。上述過氧化氫類例如二異丙基苯過氧氫、枯基過氧氫等。上述硅過氧化物類例如叔丁基三甲硅基過氧化物(t-butyltrimethylsilylperoxide)、雙(叔丁基)二甲硅基過氧化物、叔丁基三乙烯基甲硅垸基過氧化物(t-butyltrivinylsilylperoxide)、雙(叔丁基)二乙烯基甲硅垸基過氧化物、三(叔丁基)乙烯基甲硅垸基過氧化物、叔丁基三烯丙基甲硅烷基過氧化物、雙(叔丁基)二烯丙基甲硅烷基過氧化物、三(叔丁基)烯丙基甲硅烷基過氧化物等。0033對上述熱硬化性引發(fā)劑的添加量沒有特別的限制，可以根據(jù)目的適當選擇，但相對100質量份的上述光及熱硬化性樹脂，優(yōu)選1-15質量份。上述添加量如果不足1質量份，則導致硬化不良，如果超過15質量份，則導致保存穩(wěn)定性的低下。0034一一導電性粒子一一對于上述導電性粒子沒有特別的限制，可以使用與在以前的各向異性導電粘結劑中使用的導電性粒子組成相同的導電性粒子。例如，焊料、鎳等金屬離子；通過鍍金屬(鎳、金、鋁、銅等)而涂布的樹脂粒子、玻璃粒子或者陶瓷粒子；對它們進一步進行絕緣涂布的粒子等。如果使用這些的導電性粒子，則接合的端子以及基板配線的平滑性的偏移被吸收，除了能保證制造時的工藝裕度之外，即使由于應力導致連接點分離的情況下也能保證導通，從而得到高可靠性。在上述導電性粒子中，優(yōu)選金屬涂布的樹脂粒子，例如，鍍鎳金涂布的樹脂粒子，就可以防止由于端子之間摻入上述導電性粒子而產(chǎn)生短路而言，上述金屬涂布的樹脂粒子更優(yōu)選通過絕緣樹脂涂布而成的絕緣粒子。艮P，如圖2所示，例如，在與IC芯片和玻璃基板接合的情況下，由于上述導電性粒子夾壓在IC芯片的凸塊與玻璃基板的ITO電極之間，凸塊與ITO電極之間被電連接。此時，即使凸塊的高度有偏移，這種偏移也能被壓癟的上述導電性粒子吸收。一方面，對電連接沒有貢獻的上述導電性粒子被摻入凸塊間而進行阻塞。在此，上述導電性粒子——例如在具有圖2(A)所示的結構的NiAu涂布樹脂粒子的情況下，因為最外層由金屬形成而產(chǎn)生短路。與此相對的是，在具有圖2(B)所示結構的絕緣粒子的情況下，凸塊與ITO電極之間的壓癟粒子由于最外層的絕緣涂層破裂會導致凸塊與ITO電極之間的電連接。一方面，對導電連接沒有貢獻的絕緣粒子即使摻入凸塊間進行阻塞，由于其涂布有絕緣樹脂而不發(fā)生短路。因此，使用圖2(B)所示的絕緣粒子時，也可以組合多數(shù)導電性粒子，這對于凸塊面積狹小化造成的微小面積連接是有利的。0035上述導電性粒子的平均粒徑例如體積平均粒徑優(yōu)選2-10(im，更優(yōu)選2-5(am。上述平均粒徑如果不足2pm，則導通可靠性低下；如果超過10pm，則絕緣可靠性低下。0036對上述導電性粒子的添加量沒有特別的限制，可以根據(jù)目的適當選擇，但對100質量份的上述光及熱硬化性樹脂，優(yōu)選1-100質量份。上述添加量如果不足1質量份，則導通變得不充分；如果超過100質量份，則容易發(fā)生短路。0037上述導電性粒子需要在上述絕緣層側的界面上單層排列。在這種情況下使用本發(fā)明的上述各向異性導電膜，例如，在電子部件和基板接合的時候，即使在形成接合部分的端子(凸塊)面積小的情況下，就在所述凸塊處能更多捕獲上述導電性粒子而言也是有利的。0038一一其它成分一一對上述的其它成分沒有特別的限制，只要不損害本發(fā)明效果即可，其可以根據(jù)目的從公知的添加劑中適當選擇，例如，填充劑、軟化劑、促進劑、防老化劑、著色劑、阻燃劑、硅垸偶聯(lián)劑等。對上述其它成分的添加量沒有特別的限制，可以根據(jù)與上述光及熱硬化性樹脂、上述光聚合引發(fā)劑、上述熱硬化性引發(fā)劑、上述導電性粒子等的添加量的關系適當選擇。0039<硬化度>在上述含導電性粒子層的厚度方向上，從上述導電性粒子存在的一側至上述導電性粒子不存在的一側，硬化度逐漸降低是需要的。即，在上述導電性粒子存在的一側硬化度高，隨著朝向上述導電性粒子不存在的一側，硬化度逐漸降低，上述硬化度是傾斜的。在這種情況下，在上述硬化度高的區(qū)域，上述導電性粒子在上述絕緣層側的界面上以單層排列的狀態(tài)被固定，使用本發(fā)明的上述各向異性導電膜，例如將電子部件與基板等接合，在壓接它們時，由于上述導電性粒子不流動，因此在接合部分例如端子(凸塊)處能使捕捉到的上述導電性粒子的數(shù)目增加(提高粒子捕捉率)，在此方面是有利的。此外，由于上述含導電性粒子層中上述導電性粒子不存在的一側處于硬化度低的狀態(tài)甚至未硬化狀態(tài)，其具有粘性(粘著性)。因此，電子部件與基板等接合時，能確保與基板等的粘結性，能防止上述各向異性導電膜壓接時位置偏差。0040例如，可以進行剝離試驗，通過觀察在上述含導電性粒子層的剝離面上層界面是否明確存在來確認上述硬化度傾斜，在上述層界面不明確存在的情況下，可以判斷上述硬化度傾斜*,在上述層界面明確存在的情況下，可以判斷上述硬化度不傾斜(完全硬化狀態(tài)，上述含導電性粒子層的厚度方向上的硬化度均一)。0041如圖3所示，例如，通過在含導電性粒子層10中導電性粒子14不存在的一側的表面粘貼膠帶16后剝離膠帶16，進行上述剝離實驗。在上述硬化度傾斜的情況下，含導電性粒子層10中低硬化度狀態(tài)甚至未硬化狀態(tài)的樹脂與膠帶16—起被剝離，但由于上述硬化度在含導電性粒子層10的厚度方向上逐漸降低，因此剝離面是凹凸狀的，不存在明確的層界面。一方面，如以前的例子所示，在硬化度不傾斜的情況下，在與含導電性粒子層15接合的一個絕緣層20的表面上粘貼膠帶16后將膠帶16剝離，由于含導電性粒子層15是完全硬化狀態(tài)，因此在含導電性粒子層15與絕緣層20的層界面被剝離，絕緣層20轉移至膠帶16側，其剝離面是幾乎平面形狀并且層界面明確存在。0042上述含導電性粒子層優(yōu)選通過從上述導電性粒子存在的側面照射用于硬化的光而得到。通過從上述導電性粒子存在的側面照射用于硬化的光，可以將上述含導電性粒子層中上述導電性粒子存在側的上述光及熱硬化性樹脂組合物硬化。此外，上述用于硬化的光的照射優(yōu)選通過下列至少一種狀態(tài)實施:使上述含導電性粒子層中不存在導電性粒子一側的表面與氧氣接觸;以及在上述含導電性粒子層中添加用于硬化的光的吸收材料。在這些情況下，在上述含導電性粒子層的厚度方向上，可以將上述硬化度設置成傾斜。艮P，由于氧氣是自由基聚合反應的反應抑制劑，因此，通過使上述導電性粒子不存在的一側的表面處于與氧氣接觸的狀態(tài)，可以使上述導電性粒子不存在一側的硬化度低下。此外，由于上述用于硬化的光的吸收材料吸收上述用于硬化的光，從上述導電性粒子存在的側面照射的用于硬化的光的透過被遮蔽，可以使上述導電性粒子不存在的一側的硬化度低下。0043上述用于硬化的光照射時，優(yōu)選地，在上述含導電性粒子層中上述導電性粒子存在側的表面上粘貼透明剝離PET片等基材以遮蔽大氣中的氧氣。在此情況下，上述導電性粒子存在側的表面由于與作為上述自由基聚合反應的反應抑制劑的氧氣不接觸而被光硬化。并且，在上述含導電性粒子層中添加用于硬化的光的吸收材料的狀態(tài)下照射上述用于硬化的光的情況下，上述含導電性粒子層中上述導電性粒子不存在一側的表面可以作為開放系統(tǒng)與氧氣接觸，也可以通過粘貼上述透明剝離PET片等遮蔽氧氣。0044上述用于硬化的光可以根據(jù)使用的光及熱硬化性樹脂組合物的特性適當選擇，例如，紫外線、激光、X射線、電子束等。在上述光用于硬化的光是紫外線的情況下，該紫外線的光源例如水銀燈、金屬卣化物燈、無電極燈等。上述紫外線的照射量可以根據(jù)上述光源的性能適當選擇，但一般地，在0.2-20J/cn^范圍下可充分硬化。在具有吸收上述用于硬化的光并遮蔽所述用于硬化的光透過的機能的前提下，對上述用于硬化的光的吸收材料沒有特別的限制，可以根據(jù)目的適當選擇，但優(yōu)選例如碳等。0045對上述含導電性粒子的層的厚度沒有特別的限制，可以根據(jù)上述導電性粒子的平均粒徑、與上述絕緣層的厚度的關系適當選擇，但優(yōu)選3-20inm，更優(yōu)選4-10jiim。上述厚度如果不足3pm，則硬化度的傾斜難以得到；如果超過2(Him，則引起連接不良。0046在具有由上述含導電性粒子層以及上述絕緣層形成的層積結構的前提下，對本發(fā)明的上述各向異性導電膜的形狀沒有特別限制，可以根據(jù)目的適當選擇，但優(yōu)選例如，寬l-5mm、長10-300m的長條狀、巻在巻軸上。在此情況下易于搬送及保管。對本發(fā)明的上述各向異性導電膜的總厚度沒有特別的限制，可以根據(jù)上述絕緣層以及上述含導電性粒子層的厚度的關系適當選擇，但上述絕緣層以及上述含導電性粒子層的層積結構部分的總厚度優(yōu)選10-50|im，更優(yōu)選10-30pm。上述總厚度如果不足10pm，則凸塊間的樹脂填充率減少；如果超過50pm，則引起連接不良。0047一一應用實例一一在下文中，使用本發(fā)明的上述各向異性導電膜的應用實例，例如，用于控制液晶畫面的IC芯片與ITO玻璃基板的接合體的例子。如圖4A所示，使各向異性導電膜的含導電性粒子層10在ITO玻璃基板40的ITO電極42側進行接觸，使絕緣層20在控制液晶畫面的IC芯片30的凸塊32側進行接觸，如此配置圖1所示的各向異性導電膜并預壓接。然后，如圖4B所示，通過熱及壓力將它們壓接時，由于絕緣層20中的樹脂具有流動性，其在凸塊32處以擠壓狀態(tài)熱硬化。在含導電性粒子層10的厚度方向上，導電性粒子14存在的一側硬化度高，導電性粒子14被固定，因此，導電性粒子14不流動，以高捕捉率在凸塊32處被捕捉。一方面，朝著含導電性粒子層10的導電性粒子14不存在的一側，硬化度逐漸降低，因此，導電性粒子14不存在的一側的樹脂由于來自凸塊32的擠壓力而流動并被排出，以不妨礙ITO電極42與導電性粒子14的接觸的狀態(tài)下熱硬化。由此形成用于液晶顯示的IC芯片30與ITO玻璃基板40的接合體，通過導電性粒子14的介導來謀求凸塊32與ITO電極42的導通。0048對于本發(fā)明的各向異性導電膜，由于上述含導電性粒子層將硬化度設計為傾斜的，因此在上述含導電性粒子層的厚度方向上，在上述導電性粒子存在側，上述導電性粒子在上述絕緣層側的界面上以單層排列的狀態(tài)被固定，一方面，向著上述導電性粒子不存在的一側，上述硬化度逐漸降低并具有粘性。為此，在具有兩層結構(NCF/ACF)的同時，與以前的三層結構(NCF/ACF/NCF)的各向異性導電膜發(fā)揮同樣的功能。而且，本發(fā)明的上述各向異性導電膜可以容易使用，其用于電子部件與基板等的連接，在連接時，通過在抑制上述導電性粒子的流動并防止短路發(fā)生的同時確保高粒子捕捉率而得到優(yōu)異的導通可靠性。本發(fā)明的上述各向異性導電膜可以優(yōu)選地在各種電子部件等與基板、基板之間的接合中使用，例如，可以優(yōu)選地在IC標簽、IC卡、存儲卡、平板顯示器等的制造中使用。0049對于本發(fā)明的各向異性導電膜的制造方法沒有特別的限制，但優(yōu)選地，其可以通過以下的本發(fā)明各向異性導電膜的制造方法進行制造。0050(各向異性導電膜的制造方法)本發(fā)明的各向異性導電膜的制造方法至少包含導電性粒子層形成步驟和絕緣層層積步驟，進一步地，包括根據(jù)需要適當選擇的其它步驟。0051<含導電性粒子層形成步驟〉上述含導電性粒子層形成步驟是通過使導電性粒子在含有光及熱硬化性樹脂組合物層的一個表面?zhèn)葐螌优帕?、并從上述一個表面?zhèn)日丈溆糜谟不墓舛纬珊瑢щ娦粤Ｗ訉拥牟襟E。并且，上述光及熱硬化性樹脂組合物、上述導電性粒子、以及上述用于硬化的光的細節(jié)如上所述。0052使上述導電性粒子在含有光及熱硬化性樹脂組合物層的一個表面?zhèn)葐螌优帕械姆椒]有特別的限制，可以根據(jù)目的適當選擇，例如(l)在基材上施加上述導電性粒子后——例如，利用片狀部件等，使其在表面均勻單層排列，將排列的上述導電性粒子壓入含有上述光及熱硬化性樹脂組合物的層的方法；(2)使用空氣管以一定速度在水平方向上將上述導電性粒子在上述基材上散布并使其單層排列后，將排列的上述導電性粒子壓入含上述光及熱硬化性樹脂組合物的層的方法；。)使用刮棒涂布機等將含上述導電性粒子的光及熱硬化性樹脂溶液涂布在上述基材上后，使溶劑蒸發(fā)的方法等。在這些方法中，就易于操作并能以好的精度進行上述導電性粒子的單層化而言，優(yōu)選上述(3)的方法。并且，對上述基材的形狀、結構、大小、厚度、材料(材質)等沒有特別的限制，可以根據(jù)目的適當選擇，但優(yōu)選剝離性良好的基材，例如，優(yōu)選透明的剝離PET(聚對苯二甲酸乙二酯)片等。0053上述用于硬化的光的照射優(yōu)選通過下列至少一種狀態(tài)實施使上述含導電性粒子層中不存在導電性粒子一側的表面與氧氣接觸；以及在上述含導電性粒子層中添加用于硬化的光的吸收材料。在這些情況下，在上述含導電性粒子層的厚度方向上，可以將上述硬化度設置為傾斜的。艮口，由于氧氣是自由基聚合反應的反應抑制劑，因此，通過使上述導電性粒子不存在的一側的表面處于與氧氣接觸的狀態(tài)，可以使上述導電性粒子不存在一側的硬化度低下。此外，由于上述用于硬化的光的吸收材料吸收上述用于硬化的光，從上述導電性粒子存在的表面?zhèn)日丈涞挠糜谟不墓獾耐高^被遮蔽，可以使上述導電性粒子不存在的一側的硬化度低下。并且，上述用于硬化的光以及上述用于硬化的光的吸收材料的細節(jié)如上所述。0054上述用于硬化的光照射時，優(yōu)選地，在上述含導電性粒子層中上述導電性粒子存在側的表面上粘貼透明剝離PET片等上述基材以遮蔽大氣中的氧氣。在此情況下，上述導電性粒子存在側的表面由于與作為上述自由基聚合反應的反應抑制劑的氧氣不接觸而被光硬化。并且，在上述含導電性粒子層中添加用于硬化的光的吸收材料的狀態(tài)下照射上述用于硬化的光的情況下，上述含導電性粒子層中上述導電性粒子不存在一側的表面可以作為開放系統(tǒng)與氧氣接觸，也可以通過粘貼上述透明剝離PET片等遮蔽氧氣。0055通過以上步驟，通過將上述導電性粒子單層排列在含上述光及熱硬化性樹脂組合物層的一個表面?zhèn)取⒉纳鲜鲆粋€表面?zhèn)日丈渖鲜鲇糜谟不墓?，形成上述含導電性粒子層?056<絕緣層層積步驟〉述導電性粒子存在的側面)上層積由絕緣性樹脂組合物形成的絕緣層的步驟。0057對上述絕緣層的形成方法沒有特別的限制，可以根據(jù)目的適當選擇，例如，將含上述絕緣性樹脂組合物的溶液涂布在上述基材上的方法。并且，上述絕緣性樹脂組合物的細節(jié)以及上述絕緣層的厚度等各個物理性質如上所述。對上述絕緣層向上述含導電性粒子層的層積方法沒有特別的限制，可以根據(jù)目的適當選擇，例如，在上述含導電性粒子層上層壓上述絕緣層的方法。0058通過以上的步驟，在上述含導電性粒子層的上述一個表面層積由上述絕緣性樹脂組合物形成的上述絕緣層。0059通過以上步驟，得到由上述絕緣層以及上述含導電性粒子層形成的兩層結構的各向異性導電膜。根據(jù)本發(fā)明的各向異性導電膜的制造方法，可以使用兩層結構的各向異性導電膜的生產(chǎn)線，與以前的三層結構的各向異性導電膜的制造相比，其可以減少層形成的步驟數(shù)目并且高效。而且，以前的三層結構的各向異性導電膜需要形成5拜以下厚度的ACF層，難以以良好精度得到均一的涂布厚度，在本發(fā)明中，由于只要使ACF層以及NCF層一體化而形成上述含導電性粒子層就足夠了，所以不需要確保薄的涂布厚度，即使使用普通的涂布機也能容易地制造。因此，本發(fā)明的上述各向異性導電膜的制造方法對于本發(fā)明的上述各向異性導電膜的制造可以是特別優(yōu)選使用的。0060(接合體)本發(fā)明的接合體是借助本發(fā)明的上述各向異性導電膜使從電子部件以及基板選擇的2種以上電接合而形成的。g卩，在上述電子部件的端子與上述基板的電極或端子之間、或者上述各基板的端子之間，通過夾壓上述導電性粒子而謀求上述端子與上述電極的導通。并且，本發(fā)明的上述各向異性導電膜的細節(jié)如上所述。0061對上述電子部件沒有特別的限制，可以根據(jù)目的適當選擇，例如，IC芯片，例如，平板顯示器(FPD)中用于控制液晶畫面的IC芯片、液晶面板等。對上述基板沒有特別的限制，可以根據(jù)目的適當選擇，例如，ITO玻璃基板、撓性基板、硬板、撓性印制電路板等。0062對于上述電子部件與上述基板的接合部分(或者上述基板間的接合部分)，g卩，端子(凸塊)處的上述導電性粒子的粒子捕捉率，就確保導通可靠性而言，越高越優(yōu)選，例如，優(yōu)選80%以上，進一步優(yōu)選90%以上。在此，上述粒子捕捉率是指在上述電子部件與上述基板接合前后、每端子單位面積中上述導電性粒子的數(shù)目的比值。0063(粒子捕捉率的測定)上述粒子捕捉率可以通過下述方法進行測定。G)首先，用顯微鏡計數(shù)上述電子部件與上述基板壓接前上述含導電性粒子層中的上述導電性粒子的數(shù)目。(2)其次，用顯微鏡計數(shù)上述電子部件與上述基板壓接后端子(凸塊)上捕捉的上述導電性粒子的數(shù)目。此時，只計數(shù)被認定與導通明確相關的導電性粒子，只存在于上述凸塊端部的導電性粒子、其一部分從上述凸塊露出的導電性粒子以及粒子未充分壓癟的導電性粒子的數(shù)目不計數(shù)。(3)然后，計算通過上述(1)以及(2)得到的、上述電子部件與上述基板壓接前后每上述凸塊單位面積中上述導電性粒子數(shù)目的比值。這一比值相當于上述粒子捕捉率。0064由于本發(fā)明的上述接合體使用本發(fā)明的上述各向異性導電膜，上述導電性粒子的粒子捕捉率升高、具有優(yōu)異的導通可靠性并且可以抑制回路間短路的發(fā)生。0065以下對本發(fā)明的實施例進行說明，但本發(fā)明絕不限于下述實施例。0066(實施例1)一各向異性導電膜的制造一〈含導電性粒子層(ACF層)形成步驟>基于下述表1所示的組成配制形成含導電性粒子層所用的溶液。表1<table>tableseeoriginaldocumentpage23</column></row><table>通過使用刮棒涂布機將得到的形成含導電性粒子層的溶液涂布在剝離PET片S1上，并在6(TC下干燥IO分鐘使溶劑揮發(fā)，得到厚度lOpm的膜A(參照圖5A)。得到的膜A的表面有粘性。0067接著，將50g平均粒徑4pm的鍍Ni-Au導電性粒子P(「商標GNR-EHLCD」；日本化學工業(yè)社制)置入容積0.1L的容器內(nèi)，通過空氣噴射器使其流動，在空氣管圧力0.5MPa下，在剝離PET片S1上形成的膜A上，以18000個/mn^的比例進行散布。并且，使膜A以0.6m/分鐘的速度移動，空氣管在距膜A10cm高度的位置固定并以一定速度在水平方向上散布導電性粒子P。其結果是，導電性粒子P在膜A上單層排列(參照圖5B)。在膜A上單層化的導電性粒子P的表面上，層壓比剝離PET片Sl厚度薄的剝離PET片S2(參照圖5C)。接著，使用輥壓層壓機R，從剝離PET片S2側將導電性粒子P壓向膜A側，使導電性粒子P埋入膜A中(參照圖5D)。其后將剝離PET片S2剝離，如圖5E所示，得到含導電性粒子層100，其中導電性粒子P在膜A內(nèi)的膜A厚度方向的一個表面?zhèn)葐螌优帕小Ｔ诖?，單層排列的導電性粒子P的量是，數(shù)量均數(shù)為18000個/mm2，含導電性粒子層100中的導電性粒子P的含量是，體積均數(shù)為3voL%/10,厚。0068在膜A中導電性粒子P存在的一側層壓透明剝離PET片S3，另一方面，剝離對側的剝離PET片S1。接著，使用高壓水銀燈，以13mW/cm2的照射量從透明剝離PET片S3側對膜A照射作為上述用于硬化的光的紫外線1分鐘(參照圖5F)。之后，在含導電性粒子層100的厚度方向上，導電性粒子P存在側被光硬化；另一方面，大氣中的氧氣作為自由基聚合反應的反應抑制劑，導電性粒子P下側(導電性粒子P不存在的一側)不被光硬化，在紫外線照射前，含導電性粒子層100的兩面有粘性，但在紫外線的照射后，僅含導電性粒子層100中導電性粒子P存在的側面被判斷為粘性消失。0069〈絕緣層(NCF層)層積步驟>按照如下述表2所示的組成，配制用于形成絕緣層的溶液。表2組成混合量(質量份)環(huán)氧樹脂(「EP828」；Yuka-ShellEpoxy40Co丄td.(油化、〉i》工木。?！?制)苯氧基樹脂(「PKHH」；UnionCarbide30Corporation(:i二才^力一八、、仆、、)制)潛在性硬化劑(「HX39WHP」；旭化成制)30甲苯100合計200通過使用刮棒涂布機將得到的用于形成絕緣層的溶液涂布在剝離PET片S4上，并在6(TC下干燥10分鐘使溶劑揮發(fā)，得到厚度lO)am的膜B(絕緣層200)(參照圖5G)。0070接著，將在含導電性粒子層100上層積的透明剝離PET片S3剝離，在該剝離面上層積絕緣層200。此外，在含導電性粒子層100中導電性粒子P不存在的側面上層壓剝離PET片S5，得到各向異性導電膜(參照圖5H)。0071(實施例2)一各向異性導電膜的制造一與實施例1同樣地制造各向異性導電膜，除了在實施例1中通過以下方法進行上述含導電性粒子層形成步驟。0072〈含導電性粒子層(ACF層)形成步驟〉基于如下述表3所示的組成，配制用于形成含導電性粒子層的溶液。表3組成混合量(質量份)雙官能丙烯酸單體(「CN112C60」；70sartomer(廿-卜7-社)制)苯氧基樹脂(「PKHH」；UnionCarbide30Corporation帝U)光聚合引發(fā)劑(「IRGACURE369(^力'、牛i71369)」；CibaSpecialtyChemicals審lj)熱硬化性引發(fā)劑(有機過氧化物(「4PERHEXA(/、°—襯)3M」；日本油脂社制)4pm(p導電性粒子(「Bright(:T'W卜)80GNR-EHLCD」；日本化學工業(yè)社制)甲苯100合計285通過使用刮棒涂布機將得到的用于形成含導電性粒子層的溶液涂布在剝離PET片S6上，并在60。C烘箱中加熱10分鐘使溶劑揮發(fā)，得到厚度5,的膜A(含導電性粒子層120)(參照圖6A)。得到的膜A的表面有粘性。0073在膜A中導電性粒子P存在側面上層壓透明剝離PET片S7，另一方面，剝離對側面的剝離PET片S6。接著，使用UV照射機(「CureMax。-7t夕；^)」；大宮化成制)從透明剝離PET片S7側對膜A照射(參照圖6B)13mW/cm^照射量的紫外線1分鐘。結果是，剝離透明剝離PET片S7后，在紫外線照射前，含導電性粒子層120的兩面有粘性，但在紫外線照射后，僅含導電性粒子層120中導電性粒子P存在的側面被確認粘性消失。0074其后，與實施例1同樣形成絕緣層200并在含導電性粒子層120上層積，得到各向異性導電膜(參照圖6C)。0075(實施例3)與實施例1同樣地制造各向異性導電膜，除了在實施例1中，在上述用于形成含導電性粒子層的溶液中添加作為上述用于硬化的光的吸收材料的碳黑，同時用于形成所述含導電性粒子層的溶液的組成變?yōu)橄卤?所示的組成。0076〈含導電性粒子層(ACF層)形成步驟〉基于如下表4所示的組成，配制用于形成含導電性粒子層的溶液表4<table>tableseeoriginaldocumentpage26</column></row><table>通過使用刮棒涂布機將得到的用于形成含導電性粒子層的溶液涂布在剝離PET片Sl上，并在6(TC干燥10分鐘使溶劑揮發(fā)，得到厚度lO(im的膜A(參照圖5A)。得到的膜A的表面有粘性。0077然后，將50g平均粒徑4pm的鍍Ni-Au導電性粒子P(「BrightGNR-EHLCD」；日本化學工業(yè)社制)置入容積0.1L的容器內(nèi)，通過空氣噴射器使其流動，在空氣管圧力0.5MPa下，在剝離PET片S1上形成的膜A上，以數(shù)量均數(shù)18000個/mn^的比例進行散布。并且，使膜A以0.6m/分鐘的速度移動，空氣管在距膜A10cm高度的位置固定并以一定速度在水平方向上散布導電性粒子P。其結果是，導電性粒子P在膜A上單層排列(參照圖5B)。在膜A上單層化的導電性粒子P的表面上，層壓比剝離PET片SI厚度薄的剝離PET片S2(參照圖5C)。接著，使用輥壓層壓機R，從剝離PET片S2側將導電性粒子P壓向膜A側，使導電性粒子P埋入膜A中(參照圖5D)。其后將剝離PET片S2剝離，如圖5E所示，得到含導電性粒子層100，其中導電性粒子P在膜A內(nèi)的膜A厚度方向的一個表面?zhèn)葐螌优帕?。在此，單層排列的導電性粒子P的量是，數(shù)量均數(shù)為18000個/mm2，含導電性粒子層100中的導電性粒子P的含量是，體積均數(shù)為3voL%/10(im厚。0078在膜A中導電性粒子P存在的側面層壓透明剝離PET片S3。另外，剝離PET片Sl可以存在，也可以剝離。接著，使用高壓水銀燈，以13mW/cm2的照射量從透明剝離PET片S3側對膜A照射紫外線1分鐘(參照圖7A)。之后，在含導電性粒子層100的厚度方向上，導電性粒子P存在側被光硬化；另一方面，碳黑C吸收紫外線并遮蔽紫外線的透過，導電性粒子P下側(導電性粒子P不存在的一側)不被光硬化，在透明剝離PET片S3剝離后，在紫外線照射前，含導電性粒子層100的兩面有粘性，但在紫外線的照射后，僅含導電性粒子層100中導電性粒子P存在的側面被確認為粘性消失。0079其后，與實施例1同樣形成絕緣層200。接著，在含導電性粒子層100中透明剝離PET片S3的剝離面上層積絕緣層200，得到各向異性導電膜(參照圖7B)。0080(對比實施例1)一各向異性導電膜的制造一與實施例1同樣地制造各向異性導電膜，除了在實施例1中，不進行上述紫外線的照射。在得到的各向異性導電膜中，含導電性粒子層處于未硬化狀態(tài)，其兩面都有粘性。0081(對比實施例2)一各向異性導電膜的制造一與實施例1同樣地制造各向異性導電膜，除了在實施例1中，在上述紫外線照射時，不剝離膜A中導電性粒子P存在側面的對側面的剝離PET片Sl。得到的各向異性導電膜在上述紫外線照射時由于沒有將剝離PET片Sl剝離，因此沒有進行大氣中的氧氣對自由基聚合反應的阻礙，含導電性粒子層在厚度方向上被均一地光硬化，兩面都沒有粘性。0082(對比實施例3)一各向異性導電膜的制造一與實施例1同樣地制造各向異性導電膜，除了在實施例1中，用于形成上述含導電性粒子層的溶液的組成變?yōu)槿缦卤?所示的組成并形成含導電性粒子層后，不進行上述紫外線照射。得到的各向異性導電膜相當于以前的兩層結構的各向異性導電膜，含導電性粒子層通過在未硬化狀態(tài)的樹脂中分散導電性粒子而形成，其兩面都有粘性。0083表5組成混合量(質量份)環(huán)氧樹脂(「EP828」；Yuka-ShellEpoxy40Co丄td.制)苯氧基樹脂(「PKHH」；UnionCarbide30Corporation制)潛在性硬化劑(「HX3941HP」；旭化成制)304nmcp導電性粒子(「BrightGNR-EHLCD10」；日本化學工業(yè)社制)甲苯100合計2100084(對比實施例4)一各向異性導電膜的制造一與實施例3同樣地制造各向異性導電膜，除了在實施例3中，不進行上述紫外線照射。得到的各向異性導電膜中的含導電性粒子層處于未硬化狀態(tài)，其兩面均有粘性。0085(對比實施例5)一各向異性導電膜的制造一與實施例3同樣地制造各向異性導電膜，除了在實施例3中，在上述含導電性粒子層中不添加作為上述用于硬化的光的吸收材料的碳黑。由于在得到的各向異性導電膜中，上述含導電性粒子層中不含碳黑，所以在上述紫外線照射時，自由基聚合反應不被阻礙，含導電性粒子層在其厚度方向上被均一地光硬化，兩面都沒有粘性。0086<硬化度的傾斜確認實驗>通過下述剝離試驗確認在以上得到的實施例1-3以及對比實施例1-5的各向異性導電膜中、在上述含導電性粒子層的厚度方向上有無硬化度的傾斜。0087(剝離試驗)首先，在含導電性粒子層中導電性粒子不存在的側面(與絕緣層相對的側面)上粘貼膠帶(「T-4000」；SonyChemical&InformationDeviceCorporation(乂二一少$力A&<>7才j一、〉s>亍'^(株))制)后，將該膠帶剝離。接著，用顯微鏡觀察剝離面。0088其結果是，在實施例1-3的各向異性導電膜中，剝離面是凹凸形狀的，不明確存在層界面，因此判斷在含導電性粒子層的厚度方向上硬化度是傾斜的。另一方面，在對比實施例1、對比實施例3以及對比實施例4的各向異性導電膜中，含導電性粒子層在與絕緣層的界面上被剝離，其剝離面是接近平面形狀的并明確存在層界面，因此判斷硬化度不傾斜。此外，在對比實施例2以及對比實施例5的各向異性導電膜中，在含導電性粒子層與膠帶的粘結面被剝離，在其剝離面上明確存在層界面，因此判斷硬化度不傾斜。0089<接合體的制造實驗>使用與實施例1-3以及對比實施例l-5相同的方法分別制造的各向異性導電膜，制造如以下所示的ITO玻璃基板與IC芯片的接合體?！鯥TO玻璃基板在厚度0.7mm的玻璃基板的一面上形成ITO(氧化銦錫)電極?！鯥C芯片2mmx20mmx0.55mm(厚度)尺寸，具有凸塊面積2,500iAm2的凸塊。剝離各向異性導電膜的兩面上形成的剝離PET片，在分別將含導電性粒子層100配置于IC芯片側，將絕緣層200配置于ITO玻璃基板側的狀態(tài)下，通過各向異性導電膜使IC芯片與ITO玻璃基板接觸，在190°C、60MPa的條件下壓接10秒。0090對于得到的實施例1-3以及對比實施例1-5的接合體，通過下述方法測定粒子捕捉率以及導通電阻。結果在表6中示出。(粒子捕捉率)(1)首先，用顯微鏡計數(shù)IC芯片與ITO玻璃基板壓接前含導電性粒子層中導電性粒子的數(shù)目。(2)其次，用顯微鏡計數(shù)IC芯片與ITO玻璃基板壓接后IC芯片的凸塊上捕捉的導電性粒子的數(shù)目。此時，只計數(shù)被認定與導通明確相關的導電性粒子，只存在于凸塊端部的導電性粒子、其一部分從凸塊露出的導電性粒子以及粒子未充分壓癟的導電性粒子的數(shù)目不計數(shù)。(3)然后，計算通過上述(1)以及(2)得到的、IC芯片與ITO玻璃基板壓接前后每凸塊單位面積中導電性粒子數(shù)目的比值。這一比值相當于上述粒子捕捉率。0091(導通電阻)測定IC芯片的凸塊與ITO玻璃基板的ITO電極的導通電阻。此外，基于下述基準評價導通電阻的測定值?！u價基準一o:50mQ以下超過50mQ至不足200mQx:200mQ以上0092表6<table>tableseeoriginaldocumentpage30</column></row><table>0093由表6的結果可知，與相當于以前兩層結構的各向異性導電膜的對比實施例3的各向異性導電膜相比，實施例1-3的各向異性導電膜顯示出不遜色的導通電阻。此外，由于實施例1-3的粒子捕捉率比對比實施例3高，因此認為，即使在預測將來出現(xiàn)的極小尺寸的凸塊中，也能捕捉到充足數(shù)目的導電性粒子。另一方面，在對比實施例1以及對比實施例4中，由于沒有進行紫外線照射，導致IC芯片與ITO玻璃基板壓接時導電性粒子流動，因此判斷粒子捕捉率低。并且，雖然對比實施例3以及對比實施例4中的導通電阻值比較良好，但其粒子捕捉率極低，認為其對于極小尺寸凸塊的良好節(jié)距接合是困難的。此外，由于在對比實施例2以及對比實施例5中，在含導電性粒子層的厚度方向上沒有設置硬化度的傾斜并全部被均勻硬化，因此對ITO玻璃基板沒有粘結性，不能制造接合體。0094本發(fā)明的各向異性導電膜可以適用于各種電子部件等與基板、基板與基板等的接合，例如，可以適用于IC標簽、IC卡、存儲卡、平板顯示器等的制造。本發(fā)明的各向異性導電膜的制造方法可以高效制造各向異性導電膜，可以特別適用于本發(fā)明的各向異性導電膜的制造。本發(fā)明的接合體的導電性粒子的粒子捕捉率高、具有優(yōu)異的導通可靠性、并能抑制回路間短路的發(fā)生。權利要求1.各向異性導電膜，其特征是具有絕緣層和含導電性粒子層，所述絕緣層由絕緣性樹脂組合物形成，所述含導電性粒子層含有光及熱硬化性樹脂組合物以及導電性粒子，所述導電性粒子在所述絕緣層一側的界面上單層排列，在所述含導電性粒子層的厚度方向上，從存在所述導電性粒子的一側到不存在所述導電性粒子的一側，硬化度逐漸降低。2.權利要求1所述的各向異性導電膜，其通過從含導電性粒子層中存在導電性粒子的表面?zhèn)日丈溆糜谟不墓舛玫健?.權利要求2所述的各向異性導電膜，其中用于硬化的光的照射通過下列至少一種狀態(tài)實施使含導電性粒子層中不存在導電性粒子一側的表面與氧氣接觸；以及在所述含導電性粒子層中添加用于硬化的光的吸收材料。4.權利要求1至3中任一項所述的各向異性導電膜，其中，在光及熱硬化性樹脂組合物中含有光聚合引發(fā)劑。5.權利要求1至4中任一項所述的各向異性導電膜，其中，在光及熱硬化性樹脂組合物中含有熱硬化性引發(fā)劑。6.權利要求1至5中任一項所述的各向異性導電膜，其中，在光及熱硬化性樹脂組合物中含有(甲基)丙烯酸類單體，在絕緣性樹脂組合物中含有環(huán)氧樹脂。7.各向異性導電膜的制造方法，其特征是至少包括含導電性粒子層形成步驟，其中，使導電性粒子在含有光及熱硬化性樹脂組合物的層的一個表面?zhèn)葐螌优帕?，通過從所述一個表面?zhèn)日丈溆糜谟不墓舛纬珊瑢щ娦粤Ｗ訉樱缓徒^緣層層積步驟，其中，在所述含導電性粒子層的所述一個表面上，層積由絕緣性樹脂組合物形成的絕緣層。8.權利要求7所述的各向異性導電膜的制造方法，其中用于硬化的光的照射通過下列至少一種狀態(tài)實施使含導電性粒子層中不存在導電性粒子一側的表面與氧氣接觸；以及在含導電性粒子層中添加用于硬化的光的吸收材料。9.接合體，其特征是，通過權利要求1至6中任一項所述的各向異性導電膜，將從電子部件和基板中選擇的2種以上進行電接合而形成。10.權利要求9所述的接合體，其中，在從電子部件及基板中選擇的2種以上的接合部分，導電性粒子的粒子捕捉率是80%以上。全文摘要本發(fā)明的目的是提供兩層結構的各向異性導電膜及其高效制造方法，所述導電膜能夠在電子部件和基板等連接時，通過在抑制導電性粒子的流動而防止短路發(fā)生的同時確保高的粒子捕捉率而得到優(yōu)異的導通可靠性，并且能容易使用；以及提供電子部件和基板等的接合體，所述接合體使用所述各向異性導電膜、具有高粒子捕捉率和優(yōu)異的導通可靠性。本發(fā)明的各向異性導電膜的特征是具有由絕緣性樹脂組合物形成的絕緣層、和含有光及熱硬化性樹脂組合物以及導電性粒子并且上述導電性粒子在上述絕緣層一側的界面上單層排列形成的含導電性粒子層，在上述含導電性粒子層的厚度方向上，從上述導電性粒子存在的一側到上述導電性粒子不存在的一側，硬化度逐漸降低。文檔編號H01R43/00GK101601171SQ20088000375公開日2009年12月9日申請日期2008年6月12日優(yōu)先權日2007年7月3日發(fā)明者藤田泰浩申請人:索尼化學&信息部件株式會社