專利名稱：基板清洗方法及基板清洗裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種向半導體基板、液晶顯示裝置用玻璃基板、光掩模用玻璃基板、光 盤用基板、陶瓷板等(以下僅稱為“基板”)噴出清洗液液滴進行清洗的基板清洗方法及基 板清洗裝置。
背景技術(shù)：
一直以來，在半導體基板等的制造工藝中，除去附著在基板上的顆粒的清洗工序 是不可或缺的。實施清洗工序的單張式清洗裝置采用向基板噴射純水等清洗液的微小液滴 來清洗基板的技術(shù)。在這樣的清洗裝置中，如專利文獻1所公開那樣，廣泛使用雙流體噴嘴，所述雙流 體噴嘴混合清洗液與加壓后的氣體來生成液滴，并向基板噴射所述液滴與氣體的混合流 體。附著在基板上的顆粒等異物通過清洗液的液滴的動能被物理除去。另外，專利文獻2 公開了一種清洗裝置，該清洗裝置以超聲波頻帶的頻率反復使壓電元件膨脹收縮，從而使 單方向加速后的清洗液的霧滴從噴出口向基板高速噴出。另一方面，作為噴出液滴的技術(shù)，專利文獻3公開了一種液滴噴射裝置，該液滴噴 射裝置使形成有倒錐形的噴出口的薄膜振動來生成液滴。另外，專利文獻4公開了一種噴 墨打印機的噴嘴頭，該噴墨打印機的噴嘴頭通過向形成缺口部的圓環(huán)狀管內(nèi)填充油墨，在 管的除缺口部之外的外周壁面上覆蓋振子而使油墨振動，從而噴出油墨的液滴。專利文獻1 日本特開2007-227878號公報；專利文獻2 日本特開2000-533號公報；專利文獻3 日本專利第3659593號公報；專利文獻4 日本實公平7-7164號公報。

發(fā)明內(nèi)容
發(fā)明要解決的問題但是，使用專利文獻1所公開的雙流體噴嘴時，所生成的液滴的速度和大小(液滴 的直徑)的分布范圍廣。在半導體基板的清洗工藝中，需要在不破壞基板上的器件的狀態(tài) 下可靠地除去顆粒，如果液滴的速度和大小的分布范圍廣，則一方面會存在無助于顆粒除 去的無用液滴，另一方面還會存在對器件造成損傷的有害液滴。其結(jié)果，存在如下問題，即， 清洗效率的提高受到抑制的同時，產(chǎn)生破壞器件的可能性。這樣的問題在其他基板的清洗 中也是相同的，成為不均勻清洗結(jié)果的原因。本發(fā)明是鑒于這樣的情況而提出的，其目的在于提供一種能夠提高基板清洗效率 的基板清洗方法及基板清洗裝置。用于解決問題的手段為解決上述問題，本發(fā)明的第1技術(shù)方案為一種基板清洗方法，向基板噴出清洗 液的液滴來進行清洗，生成如下的清洗液的液滴并向基板噴出，即，所述清洗液的液滴的平4均液滴直徑為15 μ m以上且200 μ m以下，液滴直徑的分布以3 ο (σ為標準偏差)表示處 于所述平均液滴直徑的10%以下。另外，第2技術(shù)方案是在第1技術(shù)方案的基板清洗方法的基礎上，向基板噴出如下 液滴，即，所述液滴的平均液滴速度為每秒20米以上且每秒100米以下，液滴速度的分布以 3σ (σ為標準偏差)表示處于所述平均液滴速度的10%以下。另外，第3技術(shù)方案是在第1或第2技術(shù)方案的基板清洗方法的基礎上，以每分鐘 10毫升以上的液滴流量向基板噴出所述液滴。另外，第4技術(shù)方案是一種基板清洗方法，向半導體基板噴出清洗液的液滴來 進行清洗，生成如下的清洗液的液滴并向半導體基板噴出，即，該液滴的平均液滴直徑為 15 μ m以上且30 μ m以下，液滴直徑的分布以3 O (σ為標準偏差)表示處于2μπι以下。另外，第5技術(shù)方案是在第4技術(shù)方案的基板清洗方法的技術(shù)上，向半導體基板噴 出如下的液滴，即，該液滴的平均液滴速度為每秒20米以上且每秒60米以下，液滴速度的 分布以3 ο (ο為標準偏差)表示處于每秒5米以下。另外，第6技術(shù)方案是在第4或第5技術(shù)方案的基板清洗方法的基礎上，以每分鐘 10毫升以上的液滴流量向半導體基板噴出所述液滴。另外，第7技術(shù)方案是一種基板清洗方法，向基板噴出清洗液的液滴來進行清洗， 向在壁面上穿設有多個噴出孔的筒狀體輸送清洗液，并對該清洗液賦予振動，從而從所述 多個噴出孔向基板噴出如下的清洗液的液滴，即，所述清洗液的液滴的平均液滴直徑為 15 μ m以上且200 μ m以下，液滴直徑的分布以3 ο (σ為標準偏差)表示處于所述平均液滴 直徑的10%以下。另外，第8技術(shù)方案是在第7技術(shù)方案的基板清洗方法的基礎上，從所述多個噴出 孔向基板噴出如下的液滴，即，該液滴的平均液滴速度為每秒20米以上且每秒100米以下， 液滴速度的分布以3 σ (σ為標準偏差)表示處于所述平均液滴速度的10%以下。另外，第9技術(shù)方案是在第7或第8技術(shù)方案的基板清洗方法的基礎上，以每分鐘 10毫升以上的液滴流量從所述多個噴出孔向基板噴出清洗液的液滴。另外，第10技術(shù)方案是一種基板清洗方法，向半導體基板噴出清洗液的液滴來進 行清洗，向在壁面上穿設有多個噴出孔的筒狀體輸送清洗液，并對該清洗液賦予振動，從而 從所述多個噴出孔向半導體基板噴出如下的清洗液的液滴，即，所述清洗液的液滴的平均 液滴直徑為15 μ m以上且30 μ m以下，液滴直徑的分布以3 σ (σ為標準偏差)表示處于 2μ 以下。另外，第11技術(shù)方案是在第10技術(shù)方案的基板清洗方法的基礎上，從所述多個噴 出孔向半導體基板噴出如下的液滴，該液滴的平均液滴速度為每秒20米以上且每秒60米 以下，液滴速度的分布以3 σ (σ為標準偏差)表示處于每秒5米以下。另外，第12技術(shù)方案是在第10或者第11技術(shù)方案的基板清洗方法的基礎上，以 每分鐘10毫升以上的液滴流量從所述多個噴出孔向半導體基板噴出清洗液的液滴。另外，第13技術(shù)方案為一種基板清洗裝置，向基板噴出清洗液的液滴來進行清 洗，該基板清洗裝置具有清洗噴嘴，所述清洗噴嘴具有筒狀體，其在壁面上穿設有多個噴出 孔；以及壓電元件，其貼設在所述壁面上，由壓電元件對輸送至所述筒狀體的清洗液賦予振 動，從而從所述多個噴出孔向基板噴出如下的清洗液的液滴，所述清洗液液滴的平均液滴5直徑為15 μ m以上且200 μ m以下，液滴直徑的分布以3 ο ( ο為標準偏差)表示處于所述 平均液滴直徑的10%以下。另外，第14技術(shù)方案是在第13技術(shù)方案的基板清洗裝置的基礎上，所述清洗噴嘴 從所述多個噴出孔向基板噴出如下的液滴，所述液滴的平均液滴速度為每秒20米以上且 每秒100米以下，液滴速度的分布以30 (σ為標準偏差)表示處于所述平均液滴速度的 10%以下。另外，第15技術(shù)方案是在第13或第14技術(shù)方案的基板清洗裝置的基礎上，所述 清洗噴嘴以每分鐘10毫升以上的液滴流量從所述多個噴出孔向基板噴出清洗液的液滴。另外，第16技術(shù)方案為一種基板清洗裝置，向半導體基板噴出清洗液的液滴來進 行清洗，該基板清洗裝置具有清洗噴嘴，所述清洗噴嘴具有筒狀體，其在壁面上穿設有多 個噴出孔；以及壓電元件，其貼設在所述壁面上，由所述壓電元件對輸送至所述筒狀體的清 洗液賦予振動，從而從所述多個噴出孔向半導體基板噴出如下的清洗液的液滴，所述清洗 液液滴的平均液滴直徑為15 μ m以上且30 μ m以下，液滴直徑的分布以3 O (σ為標準偏 差)表示處于2μπι以下。另外，第17技術(shù)方案是在第16技術(shù)方案的基板清洗裝置的基礎上，所述清洗噴嘴 從所述多個噴出孔向半導體基板噴出如下的液滴，即，所述液滴的平均液滴速度為每秒20 米以上且每秒60米以下，液滴速度的分布以3 ο (σ為標準偏差)表示處于每秒5米以下。另外，第18技術(shù)方案是在第16或第17技術(shù)方案的基板清洗裝置的基礎上，所述 清洗噴嘴以每分鐘10毫升以上的液滴流量，從所述多個噴出孔向半導體基板噴出清洗液 的液滴。另外，第19技術(shù)方案是在第13 第18中任一個技術(shù)方案的基板清洗裝置的基礎 上，所述筒狀體為圓筒。另外，第20技術(shù)方案是第13 第19中任一個技術(shù)方案的基板清洗裝置的基礎 上，還具有從所述筒狀體的一端側(cè)開口輸送清洗液的壓力泵，以及關(guān)閉所述筒狀體的另一 端側(cè)開口的閥。發(fā)明的效果根據(jù)第1 第3、第7 第9、第13 第15技術(shù)方案，由于向基板噴出平均液滴直 徑在15 μ m以上200 μ m以下并且液滴直徑的分布以3 σ表示處于平均液滴直徑的10%以 下的清洗液液滴，所以無助于清洗的無用液滴少，能夠提高基板的清洗效率。特別是，根據(jù)第2、8、14技術(shù)方案，由于向基板噴出平均液滴速度為每秒20米以上 且每秒100米以下并且液滴速度的分布以3 O表示處于平均液滴速度的10%以下的液滴， 所以能夠得到足夠的清洗效率。特別是，根據(jù)第3、9、15技術(shù)方案，由于以每分鐘10毫升以上的液滴流量向基板噴 出液滴，所以能夠在短時間內(nèi)進行充分的清洗。另外，根據(jù)本發(fā)明的第4 第6、第10 第12、第16 第18技術(shù)方案，由于向半 導體基板噴出平均液滴直徑為15 μ m以上30 μ m以下并且液滴直徑的分布以3 σ表示處于 2μπι以下的清洗液的液滴，所以無助于清洗的無用液滴及對半導體基板造成損傷的液滴 少，能夠提高基板的清洗效率。特別是根據(jù)第5、第11、第17技術(shù)方案，由于向半導體基板噴出平均液滴速度為每秒20米以上每秒60米以下并且液滴速度的分布以3 σ表示處于每秒5米以下的液滴，所 以能夠得到足夠的清洗效率。特別是根據(jù)第6、第12、第18技術(shù)方案，由于以每分鐘10毫升以上的液滴流量向 半導體基板噴出液滴，所以能夠在短時間內(nèi)進行充分的清洗。


圖1是表示適用于清洗半導體基板的基板清洗裝置的一個例子的圖。圖2是表示清洗噴嘴的概略構(gòu)成的圖。圖3是清洗噴嘴的立體圖。圖4是表示清洗液的液滴直徑的分布的圖。圖5是表示清洗液的液滴速度的分布的圖。圖6是表示所噴出的液滴的液滴直徑與對基板的損傷之間的相互關(guān)系的圖。圖7是表示所噴出的液滴的液滴速度與污染物質(zhì)的除去率之間的相互關(guān)系的圖。圖8是表示由所噴出的液滴的液滴流量的不同所引起的污染物質(zhì)的除去率的差 異的圖。圖9是表示對包括其他種類在內(nèi)的基板進行清洗處理的基板清洗裝置的圖。圖10是表示適于清洗包括其他種類在內(nèi)的基板的清洗液的液滴直徑的分布的 圖。圖11是表示適于清洗包括其他種類在內(nèi)的基板的清洗液的液滴速度的分布的 圖。圖12是表示清洗噴嘴的其他例子的圖。圖13是表示清洗噴嘴的其他例子的圖。圖14是表示清洗噴嘴的其他例子的圖。
具體實施例方式以下，參考附圖對本發(fā)明的實施方式進行詳細說明。圖1是表示適用于清洗半導體基板的基板清洗裝置的一個例子的圖。該基板清洗 裝置1是一種逐張清洗半導體基板W的單張式清洗裝置，通過除去附著在圓形的硅基板W 上的顆粒等污染物質(zhì)來進行清洗?；迩逑囱b置1的主要包括旋轉(zhuǎn)保持部10、處理杯20、 防濺罩30、噴嘴驅(qū)動部50、清洗噴嘴60和控制部90。旋轉(zhuǎn)保持部10具有旋轉(zhuǎn)基座11、旋轉(zhuǎn)軸13及馬達14。旋轉(zhuǎn)基座11為具有比基 板W的直徑大一些的直徑的圓板狀部件。在旋轉(zhuǎn)基座11的上表面周緣部上，沿同一圓周 上豎立設置有多個(本實施方式中為6個)支撐銷12。各支撐銷12包括從下方支撐基板 W下表面周緣部的圓筒狀支撐部和突出設置在該支撐部上表面上并接觸按壓在基板W的端 緣部上的銷部。6個支撐銷12中的3個為固定設置在旋轉(zhuǎn)基座11上的固定支撐銷。對于 固定支撐銷，在圓筒狀支撐部的軸心上突出設置有銷部。另一方面，6個支撐銷12中的剩余 3個為設置在旋轉(zhuǎn)基座11上的可動支撐銷，該可動支撐銷能夠自由旋轉(zhuǎn)(自轉(zhuǎn))。對于可 動支撐銷，從圓筒狀支撐部軸心偏離一些地突出設置有銷部。3個可動支撐銷被省略圖示的 連桿(link)機構(gòu)及驅(qū)動機構(gòu)驅(qū)動而連動地轉(zhuǎn)動。通過可動支撐銷的轉(zhuǎn)動，能夠?qū)崿F(xiàn)用6個銷部把持基板W的端緣部和解除對基板W的把持。通過利用6個支撐銷12把持基板W的 端緣部，旋轉(zhuǎn)基座11能夠在不與基板W的下表面中心部接觸的情況下將基板W保持為水平 姿勢。旋轉(zhuǎn)軸13垂設在旋轉(zhuǎn)基座11的下表面?zhèn)戎行牟俊ＰD(zhuǎn)軸13通過驅(qū)動帶15與馬 達14的驅(qū)動輪16連動并連接。當馬達14對驅(qū)動輪16進行驅(qū)動使其旋轉(zhuǎn)時，驅(qū)動帶15進 行傳動，而使旋轉(zhuǎn)軸13旋轉(zhuǎn)。由此，保持在旋轉(zhuǎn)基座11上的基板W與旋轉(zhuǎn)基座11及旋轉(zhuǎn) 軸13 —起，在水平面內(nèi)圍繞沿著鉛垂方向的中心軸RX旋轉(zhuǎn)。另外，旋轉(zhuǎn)軸13的內(nèi)側(cè)為中空，在其中空部分沿鉛垂方向插設有處理液噴嘴18。 處理液噴嘴18與省略圖示的處理液供給源連通并連接。處理液噴嘴18的前端朝向保持在 旋轉(zhuǎn)基座11上的基板W的下表面中心部開口。因此，能夠從處理液噴嘴18的前端向基板 W下表面中心部供給處理液。另外，旋轉(zhuǎn)軸13的內(nèi)壁面與處理液噴嘴18的外壁面之間的間隙為氣體供給流路， 與省略圖示的氣體供給源連通并連接。能夠從該間隙的上端向保持在旋轉(zhuǎn)基座11上的基 板W下表面供給氣體。以包圍旋轉(zhuǎn)保持部10的方式設置有處理杯20。在處理杯20的內(nèi)側(cè)，設置有圓筒 狀的分隔壁21。另外，以包圍旋轉(zhuǎn)保持部10的周圍的狀態(tài)，在分隔壁21的內(nèi)側(cè)形成有用于 排出在基板W的清洗處理中所使用的清洗液的排液空間22。進而，以包圍排液空間22的方 式，在處理杯20的外壁與分隔壁21之間，形成有用于回收在基板W的清洗處理中所使用的 清洗液的回收空間23。在排液空間22連接有用來向排液處理裝置(省略圖示)引導清洗液的排液管27， 在回收空間23連接有用來向回收處理裝置(省略圖示)引導清洗液的回收管觀。在處理杯20的上方，設置有用來防止來自基板W的清洗液向外飛散的防濺罩30。 該防濺罩30被設置為相對中心軸RX旋轉(zhuǎn)對稱的形狀。在防濺罩30的上端部的內(nèi)表面，呈 環(huán)狀地形成有剖面為V字形狀的排液引導槽31。另外，在防濺罩30的下端部內(nèi)表面，形成 有由向外側(cè)下方傾斜的傾斜面形成的回收液引導部32。在回收液引導部32的上端附近，形 成有用來收納處理杯20的分隔壁21的分隔壁收納槽33。該防濺罩30被由滾珠螺桿機構(gòu)等構(gòu)成的防濺罩升降驅(qū)動機構(gòu)35驅(qū)動而沿鉛垂方 向升降。防濺罩升降驅(qū)動機構(gòu)35使防濺罩30在回收位置與排液位置之問升降，所述回收 位置是回收液引導部32包圍保持在旋轉(zhuǎn)基座11上的基板W的端緣部的位置，所述排液位 置是排液引導槽31包圍保持在旋轉(zhuǎn)基座11上的基板W的端緣部的位置。在防濺罩30位 于回收位置(圖1所示的位置)時，從基板W的端緣部飛散出的清洗液被回收液引導部32 引導至回收空間23，通過回收管觀被回收。另一方面，在防濺罩30位于排液位置時，從基 板W的端緣部飛散出的清洗液被排液引導槽31引導至排液空間22，通過排液管27被排出。 這樣一來，能夠在清洗液的排出及回收之間進行切換。另外，相對于旋轉(zhuǎn)基座11交接基板W 時，防濺罩升降驅(qū)動機構(gòu)35使防濺罩30下降至旋轉(zhuǎn)基座11比防濺罩30上端更突出的高 度位置。噴嘴驅(qū)動部50具有升降馬達51，回轉(zhuǎn)馬達(Swing Motor) 53及噴嘴臂58。在噴 嘴臂58的前端安裝有清洗噴嘴60。噴嘴臂58的基端側(cè)連接在回轉(zhuǎn)馬達53的馬達軸53a 上?；剞D(zhuǎn)馬達53使清洗噴嘴60以馬達軸53a為中心在水平面內(nèi)轉(zhuǎn)動。8
回轉(zhuǎn)馬達53安裝在升降基座M上。升降基座M與直接連接在被固定設置的升 降馬達51的馬達軸上的滾珠絲杠52螺合，并且該升降基座M安裝在引導部件55上并能 夠自由滑動。當升降馬達51使?jié)L珠絲杠52旋轉(zhuǎn)時，清洗噴嘴60與升降基座M —起升降。通過噴嘴驅(qū)動部50的升降馬達51及回轉(zhuǎn)馬達53，清洗噴嘴60在位于防濺罩30 的外方的等待位置和位于旋轉(zhuǎn)基座11上方的清洗位置之間移動。另外，在旋轉(zhuǎn)基座11上 方，通過回轉(zhuǎn)馬達53在基板W中心部上方與端緣部上方之間使清洗噴嘴60擺動。另外，控制部90對設置在基板清洗裝置1上的各種動作機構(gòu)進行控制。作為控制 部90的硬件的構(gòu)成與通常的計算機相同。即，控制部90具有進行各種運算處理的CPU、存 儲基本程序的只讀存儲器ROM、存儲各種信息的可自由讀寫的存儲器RAM及存儲控制用軟 件及數(shù)據(jù)等的磁盤。圖2是表示清洗噴嘴60的概略構(gòu)成的圖。另外，圖3是清洗噴嘴60的立體圖。作 為清洗頭的清洗噴嘴60是在圓筒形的筒狀體61上貼設壓電元件62而構(gòu)成的。清洗噴嘴 60通過樹脂制的保持架63安裝在噴嘴臂58的前端。此外，在圖3中省略了保持架63。在圓筒形的筒狀體61內(nèi)側(cè)形成有中空空間，其兩端開口。在本實施方式中，筒狀 體61由石英形成，其長度方向的長度為50mm。此外，筒狀體61也可以由氧化鋯( )等 陶瓷形成。在筒狀體61的壁面上穿設有多個(本實施方式中為20個)噴出孔64。20個噴 出孔64沿著筒狀體61的長度方向排成一列。各噴出孔64為貫通筒狀體61的側(cè)壁的大致 圓筒形狀。20個噴出孔64的直徑均勻，處在7μπι以上且12μπι以下的范圍。20個噴出孔 64的排列間距(相鄰噴出孔64之間的距離)為Imm0另外，在筒狀體61的壁面中的與多個噴出孔64相對的部位的外壁面上貼設有壓 電元件62。壓電元件62與具有高頻發(fā)生器的電源65電連接。電源65向壓電元件62施加 規(guī)定頻率的交流電壓。筒狀體61內(nèi)側(cè)空間的一端側(cè)開口通過供給配管70與清洗液供給源71連通并連 接。在供給配管70的路徑途中，安裝有壓力泵72及過濾器73。壓力泵72從清洗液供給源 71向清洗噴嘴60壓送清洗液(本實施方式中為純水)。過濾器73除去由清洗液供給源71 輸送來的清洗液中所包含的異物。另一方面，筒狀體61的內(nèi)側(cè)空間的另一端側(cè)開口與排出配管75連通并連接。在 排出配管75的路徑途中安裝有閥76。當從供給配管70向筒狀體61的內(nèi)側(cè)空間供給清洗 液并打開閥76時，從排出配管75向裝置外部排出清洗液。下面，對具有上述結(jié)構(gòu)的基板清洗裝置1的處理動作進行說明?？刂撇?0執(zhí)行規(guī) 定的清洗處理用軟件，來控制基板清洗裝置1的各機構(gòu)，從而進行以下所說明的處理動作。首先，在防濺罩30下降并且旋轉(zhuǎn)基座11露出到防濺罩30的上方的狀態(tài)下，向旋 轉(zhuǎn)基座11交給基板W。接著，防濺罩30上升到上述排液位置，并且噴嘴驅(qū)動部50使清洗噴 嘴60移動至旋轉(zhuǎn)基座11所保持的基板W上方的清洗位置。在清洗位置，將清洗噴嘴60的 多個噴出孔64與基板W之間的間隔設置為5mm以上且25mm以下。在不進行清洗處理時也總是持續(xù)地由壓力泵72向清洗噴嘴60輸送清洗液。在不 進行清洗處理時打開閥76，將輸送至筒狀體61內(nèi)部的清洗液直接從排出配管75持續(xù)向裝 置外部排出。即，在清洗噴嘴60位于防濺罩30的外方的等待位置進行待機時以及清洗噴9嘴60從等待位置向基板W上方的清洗位置移動時，均向清洗噴嘴60持續(xù)供給清洗液，并將 該清洗液持續(xù)向裝置外部排出。然后，通過旋轉(zhuǎn)保持部10開始旋轉(zhuǎn)基板W，并且從清洗噴嘴60向基板W的上表面 噴出清洗液的液滴。此時，也可以從處理液噴嘴18向基板W下表面噴出清洗液。另外，通過 噴嘴驅(qū)動部50在基板W的中心部上方和端緣部上方之間擺動清洗噴嘴60進行清洗處理。 在進行清洗處理時，向清洗噴嘴60輸送清洗液并關(guān)閉閥76。因此，筒狀體61內(nèi)部的清洗液 的液壓上升，從而從20個噴出孔64噴出清洗液。在本實施方式中，將筒狀體61內(nèi)部的清 洗液的液壓設置為IOMPa以下。另外，在進行清洗處理時，電源65對壓電元件62施加規(guī)定頻率的交流電壓。由此， 壓電元件62反復膨脹收縮，對筒狀體61內(nèi)部的清洗液施加規(guī)定頻率的振動。當提高筒狀體 61內(nèi)部的清洗液的液壓并對該清洗液賦予振動時，從20個噴出孔64借助液壓而流出的清 洗液因振動被分散、裂開，生成清洗液的液滴而被噴出。在此，從噴出孔64流出的液流裂開 而生成液滴的過程如下。向筒狀體61內(nèi)供給清洗液并維持在恒定壓力或者具有窄范圍的 壓力(D. C. pressure 直流壓力)。通過該壓力，清洗液以在20個噴出孔64中實際上相同的 排出率從噴出孔64流出。在該狀態(tài)下，若向壓電元件62施加固定的規(guī)定頻率交流電壓，則 液流被所產(chǎn)生的振動分散、裂開而形成液滴。在此的由壓力泵72所產(chǎn)生的清洗液的供給壓 力與施加至壓電元件62上的交流頻率，是如現(xiàn)有技術(shù)所記載那樣的連續(xù)噴墨(continuous inkjet)裝置的通常操作范圍以外的值。附著在基板W上的顆粒等污染物質(zhì)通過從清洗噴 嘴60噴出的液滴的動能被物理除去。在此，控制部90控制壓力泵72來調(diào)整筒狀體61內(nèi)部的清洗液的液壓，并控制電 源65來調(diào)整施加給清洗液的振動，從而能夠規(guī)定從20個噴出孔64噴出的液滴的噴出條件 (參數(shù))。除此之外，噴出孔64的直徑及個數(shù)也影響液滴的噴出條件。在本實施方式中，從20個噴出孔64向基板W噴出的清洗液的液滴的平均液滴直 徑設置為15 μ m以上且30 μ m以下。在此，重要的一點是，從清洗噴嘴60噴出的液滴的液 滴直徑并不是廣泛分布在15 μ m到30 μ m的范圍內(nèi)，而是偏差極小。具體來說，液滴直徑的 分布以3 σ ( σ為標準偏差)表示處于2 μ m以下。圖4是表示清洗液的液滴直徑的分布的圖。在該圖中，實線表示從本實施方式的 清洗噴嘴60噴出的液滴的液滴直徑分布，虛線表示從以往的雙流體噴嘴噴出的液滴的液 滴直徑的分布。從以往的雙流體噴嘴噴出的液滴的液滴直徑分布廣，包括液滴直徑為15 μ m 到30 μ m的液滴，還包括很多液滴直徑在該范圍之外的液滴。與此相比，從本實施方式的清 洗噴嘴60噴出的液滴的液滴直徑的分布極窄，幾乎沒有偏差。另外，在本實施方式中，從20個噴出孔64向基板W噴出的清洗液的液滴的平均液 滴速度設置為每秒20米以上且每秒60米以下。與液滴直徑的情況相同，從清洗噴嘴60噴 出的液滴的液滴速度并不是廣泛分布在每秒20米到每秒60米的范圍內(nèi)，而是偏差極小。具 體來說，液滴速度的分布以3σ表示處于每秒5米以下。圖5是表示清洗液的液滴速度的分布的圖。在該圖中，也是實線表示從本實施方 式的清洗噴嘴60噴出的液滴的液滴速度分布，虛線表示從以往的雙流體噴嘴噴出的液滴 的液滴速度分布。從以往的雙流體噴嘴噴出的液滴的液滴速度的分布范圍非常廣，與此相 比，從本實施方式的清洗噴嘴60噴出的液滴的液滴速度的分布范圍極窄。
這樣，之所以能夠使從本實施方式的清洗噴嘴60噴出的液滴的液滴直徑及液滴 速度的偏差處于小范圍內(nèi)，是因為從壓電元件62向以高壓填充在筒狀體61內(nèi)部的清洗液 賦予振動并從多個噴出孔64噴出。即，由于在以往的雙流體噴嘴中，使加壓后的氣體與液 體產(chǎn)生沖突來生成液滴，所以液滴作為與氣體的混相流被噴出而難以進行控制，導致液滴 的液滴直徑及液滴速度分布范圍廣并且偏差大。與此相對，由于本實施方式的清洗噴嘴60 一邊對加壓后的液體賦予振動，一邊從多個噴出孔64噴出，所以僅噴出液滴，而能夠使液 滴的液滴直徑及液滴速度的分布范圍窄并且偏差小。圖6是表示所噴出液滴的液滴直徑和對基板W的損傷之間的相互關(guān)系的圖。如該 圖所示，當液滴直徑超過30 μ m時就會對基板W造成損傷，液滴直徑越大對基板造成的損傷 越大。由于從清洗噴嘴60噴出的清洗液的液滴的平均液滴直徑為15μπι以上且30μπι以 下，所以在清洗處理中能夠防止對基板W造成損傷。另外，由于液滴直徑的偏差極小且以 3 σ表示處于2 μ m以下，所以無助于清洗的無用液滴及對基板W造成損傷的有害液滴均不 存在。因此，能夠在不對基板W造成損傷的情況下提高清洗效率。另外，圖7是表示所噴出的液滴的液滴速度與污染物質(zhì)的除去率之間的相互關(guān)系 的圖。如該圖所示，所噴出的液滴的液滴速度越大，污染物質(zhì)的除去率越高。從本實施方式 的清洗噴嘴60噴出的清洗液液滴的平均液滴速度為每秒20米以上且每秒60米以下，所以 能夠得到所需要的除去性能。而且，由于液滴速度的偏差極小，且以3 ο表示處于每秒5米 以下，所以幾乎不存在無助于清洗的無用液滴。另外，清洗噴嘴60上設置有20個噴出孔64。在本實施方式中，從20個噴出孔64 向基板W噴出的清洗液的液滴的總流量為每分鐘10毫升以上。圖8是表示由所噴出的液 滴的液滴流量的不同引起的污染物質(zhì)除去率的差異的圖。在該圖中，虛線表示以每分鐘1 毫升的液滴流量噴出清洗液的液滴時的污染物質(zhì)的除去率，實線表示以每分鐘10毫升的 液滴流量噴出清洗液的液滴時的污染物質(zhì)的除去率。液滴流量大的一方清洗效率高，以每 分鐘1毫升的液滴流量噴出清洗液的液滴時，要得到充分的除去率需要300秒，但是若以每 分鐘10毫升的液滴流量噴出液滴，則用30秒就能達到相同的除去率。在單張式基板清洗 裝置1中，1張基板W的清洗處理所需要的時間為30秒大體上是妥當?shù)?。如上所述，在進行清洗處理時，從清洗噴嘴60向基板W噴出清洗液的液滴。從清 洗噴嘴60噴出的液滴的平均液滴直徑為15 μ m以上且30 μ m以下，其分布以3 σ表示處于 2 μ m以下。另外，所噴出的液滴的平均液滴速度為每秒20米以上且每秒60米以下，該分布 以30表示處于每秒5米以下。進而，所噴出的液滴的液滴流量為每分鐘10毫升以上。若 一邊滿足這些噴出條件，一邊從清洗噴嘴60向基板W噴出清洗液的液滴，則能夠在不對基 板W造成損傷的情況下提高清洗效率，并能夠在短時間內(nèi)達到充分的污染物質(zhì)除去率。另外，在清洗處理中，清洗噴嘴60在基板W的中心部上方與端緣部上方之間反復 擺動，對基板W的整個面均勻地進行清洗處理。并且，借助離心力而從旋轉(zhuǎn)的基板W飛散出 的液體被排液引導槽31引導至排液空間22，并從排液管27排出。經(jīng)過規(guī)定的清洗處理時間后，打開閥76，并停止從清洗噴嘴60噴出液滴，通過噴 嘴驅(qū)動部50使清洗噴嘴60移動至等待位置。接下來，使基板W的轉(zhuǎn)速上升，對基板W進行 干燥處理。在干燥處理結(jié)束后，停止旋轉(zhuǎn)基板W并使防濺罩30下降，從旋轉(zhuǎn)基座11搬出處 理后的基板W。至此，基板清洗裝置1中的一系列處理動作結(jié)束。并且，清洗及干燥處理中的防濺罩30位置，優(yōu)選根據(jù)清洗液的回收或者排出的需要進行適當變更。以上對本發(fā)明的實施方式進行了說明，但該發(fā)明也可以在不脫離該主旨的條件下 進行上述情況之外的各種變更。例如，雖然在上述實施方式的基板清洗裝置1中，將筒狀體 61內(nèi)部的清洗液的液壓設為IOMPa以下，但是液壓并不局限于此。例如，當將噴出孔64的 直徑設置為小于上述實施方式的直徑時，需要液壓為更高的壓力。另外，在上述實施方式的基板清洗裝置1中，不進行清洗處理時也向清洗噴嘴60 供給清洗液，雖然該清洗液排出至裝置外部，但也可以將其構(gòu)成為循環(huán)系統(tǒng)。即，也可以將 閥76下游側(cè)的配管通過過濾器與清洗液供給源71相連接，而將來自清洗噴嘴60的清洗液 回流至供給源71。另外，雖然上述實施方式的基板清洗裝置1適于清洗作為基板W的半導體基板，但 本發(fā)明的清洗技術(shù)也能夠適用于清洗其他種類的基板W。作為其他種類的基板W，可以列舉 出液晶顯示裝置用玻璃基板、盤等陶瓷板。圖9是表示對包括其他種類在內(nèi)的基板W進行清洗處理的基板清洗裝置的圖?；?板W由支撐臺111保持。作為清洗頭的清洗噴嘴60相對于保持在支撐臺111上的基板W相 對移動。既可以通過省略圖示的滑動移動機構(gòu)使清洗噴嘴60在基板W的上方移動，又可以 在固定清洗噴嘴60的狀態(tài)下驅(qū)動支撐臺111。另外，還可以通過手動來移動清洗噴嘴60。清洗噴嘴60的結(jié)構(gòu)與上述實施方式中已說明的圖2、3所示結(jié)構(gòu)相同。S卩，一邊向 清洗噴嘴60輸送清洗液一邊關(guān)閉閥76，使筒狀體61內(nèi)部的清洗液的液壓升高，并且，當通 過壓電元件62對筒狀體61內(nèi)部的清洗液賦予振動時，從20個噴出孔64生成并噴出清洗 液的液滴。附著在基板W上的污染物質(zhì)被從清洗噴嘴60噴出的液滴物理除去。在清洗包括其他種類在內(nèi)的基板W時，控制部90控制壓力泵72來調(diào)整筒狀體61 內(nèi)部清洗液的液壓，并且，控制電源65來調(diào)整施加于清洗液的振動，從而規(guī)定從20個噴出 孔64噴出的液滴的噴出條件。關(guān)于液滴直徑，將從20個噴出孔64向基板W噴出的清洗液 的液滴的平均液滴直徑設置為15 μ m以上且200 μ m以下。與上述實施方式相同，從清洗噴 嘴60噴出的液滴的液滴直徑并不是廣泛分布在15 μ m到200 μ m的范圍內(nèi)，而是偏差極小。 具體來說，液滴直徑的分布以3 0 (σ為標準偏差)表示處于平均液滴直徑的10%以下。圖10是表示清洗液的液滴直徑的分布的圖。分布DA的液滴的平均液滴直徑較小， 適于半導體基板的清洗。另一方面，分布DB的液滴的平均液滴直徑較大，適于陶瓷板的清 洗。不管平均液滴直徑如何，從清洗噴嘴60噴出的液滴的液滴直徑的分布以30表示極窄 至平均液滴直徑的10%以下，幾乎不存在偏差。因此，無助于清洗的無用液滴及對基板W造 成損傷的有害液滴均不存在。所以，能夠不對基板W造成損傷的情況下提高清洗效率。話 雖如此，隨著平均液滴直徑的增大，偏差也逐漸變大，當超過200 μ m時，難以將液滴直徑的 分布以3σ表示處于平均液滴直徑的10%以下。另外，在清洗噴嘴60的制造中，當平均液 滴直徑超過200 μ m時難以抑制偏差，并不實用。另外，關(guān)于液滴速度，從20個噴出孔64向基板W噴出的清洗液的液滴的平均液滴 速度為每秒20米以上且每秒100米以下。與液滴直徑的情況相同，從清洗噴嘴60噴出的 液滴的液滴速度并不是廣泛分布在每秒20米到每秒100米的范圍內(nèi)，而是偏差極小。具體 來說，液滴速度的分布以3 0 (ο為標準偏差)表示處于平均液滴速度的10%以下。并且， 向清洗噴嘴60供給的清洗液的液壓并不限定在IOMPa以下，根據(jù)噴出孔64的直徑等條件12有時需要高壓供給。圖11是表示清洗液的液滴速度的分布的圖。根據(jù)成為清洗對象的基板W的種類， 可以如分布DC那樣使用平均液滴速度較小的液滴，也可以如分布DD那樣使用平均液滴速 度較大的液滴。不管平均液滴速度如何，從清洗噴嘴60噴出的液滴的液滴速度的分布以 3σ表示極窄至平均液滴速度的10%以下，幾乎不存在偏差。由此，無助于清洗的無用液滴 幾乎不存在。話雖如此，隨著平均液滴速度的增大偏差也逐漸增大，當超過每秒100米時， 難以將液滴速度的分布以30表示處于平均液滴速度的10%以下。另外，關(guān)于液滴流量，將從20個噴出孔64向基板W噴出的清洗液的液滴的總流量 設為每分鐘10毫升以上。如果根據(jù)基板W的種類，一邊滿足這些噴出條件一邊從清洗噴嘴 60向基板W吐出清洗液的液滴，則無助于清洗的無用液滴及對基板W造成損傷的有害液滴 均不存在，能夠在不對基板W造成損傷的情況下提高清洗效率，能夠在短時間內(nèi)達到充分 的污染物質(zhì)除去率。另外，雖然在上述實施方式中，以上述噴出條件從圓筒狀的清洗噴嘴60噴出清洗 液的液滴，但是清洗噴嘴60的形式并不局限于此。圖12是表示清洗噴嘴的其他例子的圖。圖12中的清洗噴嘴160是在四棱柱形的筒狀體161上貼設壓電元件162而形成 的。筒狀體161具有四棱柱形的外形，其內(nèi)側(cè)形成有四棱柱形的中空空間。筒狀體161的 中空空間的兩端開口，與上述實施方式相同，其一端與供給配管70連接，并且另一端與排 出配管75連接(參考圖2、。筒狀體161可以由石英或者氧化鋯等陶瓷形成。筒狀體161的一側(cè)壁面上穿設有多個(例如20個)噴出孔164。20個噴出孔164 沿筒狀體161的長度方向排成一列。多個噴出孔164的大小及排列間距與上述實施方式的 多個噴出孔64相同。設置有多個噴出孔164的側(cè)壁面的寬度為10mm。另外，在筒狀體161 的另一側(cè)壁(與設置有多個噴出孔164的側(cè)壁相對的側(cè)壁)的外壁面上，貼設有壓電元件 162。壓電元件162與電源65電連接。電源65向壓電元件162施加規(guī)定頻率的交流電壓。具有清洗噴嘴160的基板清洗裝置的整體結(jié)構(gòu)及清洗噴嘴160周邊的構(gòu)成與上述 實施方式相同。持續(xù)向清洗噴嘴160供給清洗液，在進行清洗處理時關(guān)閉閥76，從而清洗 液從多個噴出孔164噴出。另外，進行清洗處理時，通過壓電元件162對筒狀體161內(nèi)部的 清洗液賦予振動。由此，與上述實施方式同樣地，從多個噴出孔164生成并噴出清洗液的液 滴。另外，清洗噴嘴也可以是如圖13那樣的噴嘴。圖13中的清洗噴嘴260具有多棱 柱形的筒狀體261。筒狀體261具有多棱柱形的外形，其內(nèi)側(cè)形成有多棱柱形的中空空間。 筒狀體261的中空空間的兩端開口，與上述實施方式相同，其一端與供給配管70相連接，另 一端與排出配管75相連接(參考圖幻。筒狀體261也可以由石英或者氧化鋯等陶瓷形成。筒狀體的一側(cè)壁面上呈一列地穿設有多個(例如20個)噴出孔沈4。多個噴 出孔沈4的大小及排列間距與上述實施方式的多個噴出孔64的情況相同。另外，在與設有 多個噴出孔264的側(cè)壁相對的側(cè)壁的外壁面上，貼設有壓電元件262。壓電元件262與電源 65電連接。具有清洗噴嘴260的基板清洗裝置的整體結(jié)構(gòu)及清洗噴嘴260周邊的構(gòu)成與上述 實施方式相同。持續(xù)向清洗噴嘴260供給清洗液，在進行清洗處理時關(guān)閉閥76，從而清洗液 從多個噴出孔264噴出。另外，在進行清洗處理時，通過壓電元件262對筒狀體沈1內(nèi)部的清洗液賦予振動。由此，與上述實施方式同樣地從多個噴出孔264生成并噴出清洗液的液 滴。另外，清洗噴嘴可以是如圖14所示那樣的噴嘴。圖14的(a)是清洗噴嘴360的 縱向剖視圖，圖14的(b)是清洗噴嘴360的橫向剖視圖。圖14中的清洗噴嘴360具有長 方體形的筒狀體361。筒狀體361的內(nèi)側(cè)空間被多個分隔板365劃分成多個區(qū)。并且，分隔 板365并不是完全分隔多個區(qū)，多個區(qū)相互連通。在筒狀體361上形成有導入口 366及排出口 367。導入口 366及排出口 367與筒 狀體361內(nèi)部空間連通。導入口 366與供給配管70連接，并且排出口 367與排出配管75 連接。筒狀體361也可以由石英或者氧化鋯等陶瓷形成。被多個分隔板365劃分出的多個區(qū)分別穿設有噴出孔364。在清洗噴嘴360中，多 個噴出孔364也穿設成一列，各噴出孔364的大小及排列間距與上述實施方式中的多個噴 出孔64的情況相同。另外，筒狀體361的兩側(cè)壁的外表面上貼設有壓電元件362。壓電元 件362與電源65電連接。具有清洗噴嘴360的基板清洗裝置的整體結(jié)構(gòu)及清洗噴嘴360周邊的構(gòu)成與上述 實施方式相同。持續(xù)向清洗噴嘴360供給清洗液，在進行清洗處理時關(guān)閉閥76，從而從多個 噴出孔364噴出清洗液。另外，在進行清洗處理時，通過壓電元件362對筒狀體361內(nèi)部的 清洗液賦予振動。由此，與上述實施方式同樣地從多個噴出孔364生成并噴出清洗液的液 滴。在使用圖12所示清洗噴嘴160、圖13所示清洗噴嘴260或者圖14所示清洗噴嘴 360向基板W噴出清洗液的液滴時，液滴的噴出條件也與上述條件相同。如果一邊滿足上述 噴出條件一邊向基板W噴出清洗液的液滴，則與上述實施方式相同，無助于清洗的無用液 滴及對基板W造成損傷的有害液滴均不存在，能夠不對基板W造成損傷的情況下提高清洗 效率，并能夠在短時間內(nèi)達到充分的污染物質(zhì)除去率。另外，如果是能夠以上述噴出條件噴出清洗液的液滴的清洗噴嘴，則也可以使用 除圖2、圖3、圖12 圖14所示之外的形式的清洗噴嘴向基板W噴出清洗液的液滴。另外，清洗液并不限于純水，也可以是清洗用藥液的水溶液。另外，基板清洗裝置1的整體結(jié)構(gòu)并不限于圖1的形式，例如也可以設置向清洗處 理后的基板W噴出氮氣來干燥基板W的氣體噴嘴。附圖標記說明如下1基板清洗裝置10旋轉(zhuǎn)保持部11旋轉(zhuǎn)基座20處理杯30防濺罩50噴嘴驅(qū)動部60,160,260,360 清洗噴嘴61、161、261、361 筒狀體62、162、262、362 壓電元件64、164，264、364 噴出孔
65 電源70供給配管75排出配管76 閥90控制部111支撐臺W 基板
權(quán)利要求
1.一種基板清洗方法，向基板(W)噴出清洗液的液滴來進行清洗，其特征在于， 生成平均液滴直徑為15 μ m以上且200 μ m以下并且液滴直徑的分布以3 σ ( σ為標準偏差)表示處于所述平均液滴直徑的10%以下的清洗液的液滴來向基板噴出。
2.如權(quán)利要求1所述的基板清洗方法，其特征在于，向基板噴出平均液滴速度為每秒20米以上且每秒100米以下并且液滴速度的分布以 3σ (σ為標準偏差)表示處于所述平均液滴速度的10%以下的液滴。
3.如權(quán)利要求1或2所述的基板清洗方法，其特征在于， 以每分鐘10毫升以上的液滴流量向基板噴出所述液滴。
4.一種基板清洗方法，向半導體基板(W)噴出清洗液的液滴來進行清洗，其特征在于， 生成平均液滴直徑為15 μ m以上且30 μ m以下并且液滴直徑的分布以3 0 (σ為標準偏差)表示處于2μπι以下的清洗液的液滴來向半導體基板噴出。
5.如權(quán)利要求4所述的基板清洗方法，其特征在于，向半導體基板噴出平均液滴速度為每秒20米以上且每秒60米以下并且液滴速度的分 布以3 σ (σ為標準偏差)表示處于每秒5米以下的液滴。
6.如權(quán)利要求4或5所述的基板清洗方法，其特征在于，以每分鐘10毫升以上的液滴流量向半導體基板噴出所述液滴。
7.一種基板清洗方法，向基板(W)噴出清洗液的液滴來進行清洗，其特征在于，向在壁面上穿設有多個噴出孔(64、164、264、364)的筒狀體(61、161、261、361)輸送 清洗液，并對該清洗液賦予振動，從而從所述多個噴出孔向基板噴出平均液滴直徑為15 μ m 以上且200 μ m以下并且液滴直徑的分布以3o(o為標準偏差)表示處于所述平均液滴直 徑的10%以下的清洗液的液滴。
8.如權(quán)利要求7所述的基板清洗方法，其特征在于，從所述多個噴出孔向基板噴出平均液滴速度為每秒20米以上且每秒100米以下并且 液滴速度的分布以3 σ (σ為標準偏差)表示處于所述平均液滴速度的10%以下的液滴。
9.如權(quán)利要求7或8所述的基板清洗方法，其特征在于，以每分鐘10毫升以上的液滴流量從所述多個噴出孔向基板噴出清洗液的液滴。
10.一種基板清洗方法，向半導體基板(W)噴出清洗液的液滴來進行清洗，其特征在于，向在壁面上穿設有多個噴出孔(64、164、沈4、364)的筒狀體(61、16U61、361)輸送清 洗液，并對該清洗液賦予振動，從而從所述多個噴出孔向半導體基板噴出平均液滴直徑為 15 μ m以上且30 μ m以下并且液滴直徑的分布以3 ο ( ο為標準偏差)表示處于2 μ m以下 的清洗液的液滴。
11.如權(quán)利要求10所述的基板清洗方法，其特征在于，從所述多個噴出孔向半導體基板噴出平均液滴速度為每秒20米以上且每秒60米以下 并且液滴速度的分布以3 σ (σ為標準偏差)表示處于每秒5米以下的液滴。
12.如權(quán)利要求10或11所述的基板清洗方法，其特征在于，以每分鐘10毫升以上的液滴流量從所述多個噴出孔向半導體基板噴出清洗液的液滴。
13.—種基板清洗裝置，向基板(W)噴出清洗液的液滴來進行清洗，其特征在于，該基板清洗裝置具有清洗噴嘴(60、160J60、360)，所述清洗噴嘴(60、160、沈0、360)具有筒狀體(61、161、261、361)，其在壁面上穿設有 多個噴出孔(64、164、沈4、364)；壓電元件(62、162、沈2、362)，其貼設在所述壁面上，由所述壓電元件對輸送至所述筒狀體的清洗液賦予振動，從而從所述多個噴出孔向基 板噴出平均液滴直徑為15 μ m以上且200 μ m以下，液滴直徑的分布以3 ο (σ為標準偏差) 表示處于所述平均液滴直徑的10%以下的清洗液的液滴。
14.如權(quán)利要求13所述的基板清洗裝置，其特征在于，所述清洗噴嘴從所述多個噴出孔向基板噴出平均液滴速度為每秒20米以上且每秒 100米以下并且液滴速度的分布以3 ο (σ為標準偏差)表示處于所述平均液滴速度的 10%以下的液滴。
15.如權(quán)利要求13或14所述的基板清洗裝置，其特征在于，所述清洗噴嘴以每分鐘10毫升以上的液滴流量從所述多個噴出孔向基板噴出清洗液 的液滴。
16.一種基板清洗裝置，向半導體基板(W)噴出清洗液的液滴來進行清洗，其特征在于，該基板清洗裝置具有清洗噴嘴(60、160J60、360)，所述清洗噴嘴(60、160、沈0、360)具有筒狀體(61、161、261、361)，其在壁面上穿設有 多個噴出孔(64、164、沈4、364)；壓電元件(62、162、沈2、362)，其貼設在所述壁面上，由壓電元件對輸送至所述筒狀體的清洗液賦予振動，從而從所述多個噴出孔向基板噴 出平均液滴直徑為15 μ m以上且30 μ m以下，液滴直徑的分布以3 σ (σ為標準偏差)表示 處于2 μ m以下的清洗液的液滴。
17.如權(quán)利要求16所述的基板清洗裝置，其特征在于，所述清洗噴嘴從所述多個噴出孔向半導體基板噴出如下的液滴，即，所述液滴的平均 液滴速度為每秒20米以上且每秒60米以下，液滴速度的分布以3 ο (σ為標準偏差)表示 處于每秒5米以下。
18.如權(quán)利要求16或17所述的基板清洗裝置，其特征在于，所述清洗噴嘴以每分鐘10毫升以上的液滴流量，從所述多個噴出孔向半導體基板噴 出清洗液的液滴。
19.如權(quán)利要求13 18中任一項所述的基板清洗裝置，其特征在于，所述筒狀體為圓筒。
20.如權(quán)利要求13 19中任一項所述的基板清洗裝置，其特征在于，該基板清洗裝置 還具有壓力泵(72)，其從所述筒狀體的一端側(cè)開口輸送清洗液；閥(76)，其關(guān)閉所述筒狀體的另一端側(cè)開口。
全文摘要
一邊向清洗噴嘴(60)的筒狀體(61)內(nèi)部供給清洗液一邊關(guān)閉閥(76)，由壓電元件(62)對清洗液賦予振動，從而從多個噴出孔(64)生成并噴出清洗液的液滴。所噴出的液滴的液滴直徑為15μm以上且200μm以下，其分布以3σ表示處于平均液滴直徑的10％以下。另外，液滴速度為每秒20米以上且每秒100米以下，其分布以3σ表示處于平均液滴速度的10％以下。并且，液滴流量為每分鐘10毫升以上。如果一邊滿足這些噴出條件一邊從清洗噴嘴60向基板噴出清洗液的液滴，則能夠在不對基板造成損傷的情況下提高清洗效率。
文檔編號H01L21/304GK102057468SQ200980121060
公開日2011年5月11日 申請日期2009年7月17日 優(yōu)先權(quán)日2008年8月29日
發(fā)明者佐藤雅伸 申請人:大日本網(wǎng)屏制造株式會社