專利名稱：高頻模塊的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種安裝在樹脂基板上的電子部件被樹脂覆蓋、且由電子部件構(gòu)成的電路被屏蔽的高頻模塊的制造方法。
背景技術(shù)：
通過附圖對(duì)以往的高頻模塊進(jìn)行說明。圖10是以往的高頻模塊的剖面圖。印刷線路板2由熱硬化性樹脂形成。在印刷線路板2的上表面安裝有電子部件3。另外，電子部件3是半導(dǎo)體元件等，半導(dǎo)體元件與印刷線路板2之間利用引線接合來連接。在印刷線路板2的上表面可以安裝電子部件3之外的部件。利用電子部件3形成高頻電路。在印刷線路板2的上表面形成樹脂部4，電子部件3埋設(shè)在樹脂部4內(nèi)。在印刷線路板2的上表面的周邊部形成與高頻電路的接地連接的連接圖案5。 屏蔽膜6是厚膜導(dǎo)體。屏蔽膜6以覆蓋樹脂部4的上表面和側(cè)面以及印刷線路板2的側(cè)面的一部分的方式形成。連接圖案5的端部以從樹脂部4的側(cè)面露出的方式設(shè)置，在連接圖案5的露出部與屏蔽膜6電連接。接下來，用圖11對(duì)以往的高頻模塊I的制造方法進(jìn)行說明。圖11是表示以往的高頻模塊的制造方法的流程圖。在步驟Sll中，在連接了多個(gè)印刷線路板2的狀態(tài)下，在各自的印刷線路板2上安裝電子部件3。在步驟S12中，在步驟Sll之后，在印刷線路板2的上表面利用傳遞成型法以覆蓋電子部件3的方式形成樹脂部4。形成樹脂部4的樹脂4A是熱硬化性樹脂。在步驟S13中，在步驟S12之后，在將印刷線路板2彼此連接的位置上形成凹部，使連接圖案5從樹脂部4的側(cè)面露出。在步驟S14中，在步驟S13之后，在樹脂部4的上表面涂覆導(dǎo)電性糊劑6A，并硬化。此時(shí)，導(dǎo)電性糊劑6A被埋入凹部內(nèi)。在步驟S15，在步驟S14之后，切斷印刷線路板2彼此的連接部分。由此，完成了高頻模塊I。近年來，在便攜式設(shè)備上安裝這種高頻模塊I的情況越來越多。薄型化高頻模塊I的要求也不斷提高。具體而言，要求其厚度為包括印刷線路板2的厚度在內(nèi)不到1mm。為了滿足這一要求，可以考慮使印刷線路板2或樹脂部4或電子部件3的厚度變薄，并且將電子部件3面朝下安裝。但是，由于以往的高頻模塊I是利用傳遞成型法形成的，因此，樹脂部4中容易產(chǎn)生內(nèi)部應(yīng)力(殘留應(yīng)力)。如果使印刷線路板2或樹脂部4或電子部件3的厚度變薄，則由于內(nèi)部應(yīng)力的緣故，印刷線路板2或樹脂部4或電子部件3或者高頻模塊整體容易產(chǎn)生變形。內(nèi)部應(yīng)力是由于傳遞成型法成型時(shí)的樹脂4A的流動(dòng)容易程度或流動(dòng)的不均勻性等諸多條件而產(chǎn)生的。該不均勻性當(dāng)在多個(gè)高頻模塊I上一并形成樹脂部4時(shí)特別明顯，各自的高頻模塊I中會(huì)產(chǎn)生內(nèi)部應(yīng)力之差。綜上所述，在以往的高頻模塊I中，由于用樹脂部4覆蓋高頻電路，因此，有時(shí)印刷線路板2或樹脂部4或電子部件3會(huì)變形，該變形會(huì)導(dǎo)致偏差。其結(jié)果是，高頻電路特性的偏差有時(shí)會(huì)變大。特別是，當(dāng)在印刷線路板2上形成高頻電路時(shí)，高頻電路特性的偏差對(duì)高頻模塊產(chǎn)生的影響非常顯著。另外，作為與本申請(qǐng)發(fā)明相關(guān)的現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)，例如有專利文獻(xiàn)I?，F(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)I JP特開2004-172176號(hào)公報(bào)

發(fā)明內(nèi)容
發(fā)明的概要本發(fā)明是具有樹脂基板、電子部件、樹脂部和屏蔽金屬膜的高頻模塊的制造方法。電子部件被安裝在樹脂基板上。樹脂部形成在樹脂基板上且埋設(shè)電子部件。屏蔽金屬膜覆 蓋樹脂部的表面。在樹脂基板上由電子部件形成高頻電路。本發(fā)明的高頻模塊的制造方法包括以下步驟。步驟I):將安裝了電子部件的樹脂基板以電子部件與樹脂槽相對(duì)置的方式放置；步驟2):直至樹脂槽內(nèi)的非流動(dòng)狀態(tài)的樹脂成為流動(dòng)狀態(tài)為止進(jìn)行軟化，并且抽吸在樹脂基板與樹脂之間所形成的空間的空氣；步驟3):然后，使樹脂基板與樹脂的液面接觸；步驟4):然后，對(duì)樹脂加壓，使樹脂流入樹脂基板與電子部件之間；步驟5):然后，硬化樹脂，在樹脂基板上形成樹脂部；以及步驟6):然后，在樹脂部的表面形成屏蔽金屬膜。利用該方法，能夠減小樹脂部內(nèi)的內(nèi)部應(yīng)力，實(shí)現(xiàn)電路特性的偏差小的高頻模塊。


圖I是本發(fā)明的實(shí)施方式中的高頻模塊的剖面圖。圖2是表示本發(fā)明的實(shí)施方式中的高頻模塊的制造方法的流程圖。圖3是本發(fā)明的實(shí)施方式中的樹脂部形成裝置的概略剖面圖。圖4是表示本發(fā)明的實(shí)施方式中的樹脂部形成步驟的制造方法的流程圖。圖5是本發(fā)明的實(shí)施方式的樹脂基板安裝步驟中的樹脂部形成裝置和制造中的高頻模塊的概略剖面圖。圖6是本發(fā)明的實(shí)施方式的浸潰步驟中的樹脂部形成裝置和制造中的高頻模塊的概略剖面圖。圖7是本發(fā)明的實(shí)施方式的加壓流入步驟中的樹脂部形成裝置和制造中的高頻模塊的概略剖面圖。圖8是本發(fā)明的實(shí)施方式中的其他高頻模塊的剖面圖。圖9是表示本發(fā)明的實(shí)施方式中的其他高頻模塊的制造方法的流程圖。圖10是以往的高頻模塊的剖面圖。圖11是表示以往的高頻模塊的制造方法的流程圖。
具體實(shí)施例方式以下，對(duì)本實(shí)施方式的高頻模塊21進(jìn)行說明。
圖I是本發(fā)明的實(shí)施方式中的高頻模塊的剖面圖。高頻模塊具有樹脂基板22、安裝于樹脂基板22的電子部件24、形成在樹脂基板22上并且埋設(shè)了電子部件24的樹脂部25以及覆蓋樹脂部25的表面的屏蔽金屬膜26。樹脂基板22是玻璃環(huán)氧樹脂材料的多層基板。樹脂基板22是例如四層基板，厚度為0. 2mm。在樹脂基板22上利用焊錫23安裝半導(dǎo)體元件或芯片部件等的電子部件24。作為電子部件24的半導(dǎo)體元件是厚度為0. 35mm的芯片尺寸的封裝，用焊錫凸塊以面朝下的狀態(tài)倒裝芯片安裝在樹脂基板22上。凸塊之間的間距為大約0. 25mm,凸塊之間的距離為大約0. 12mm,電子部件24和樹脂基板22之間的間隔為大約0. 12_。另外，在安裝芯片部件的情況下，芯片部件和樹脂基板22之間的間隔為大約0. 08_。
電子部件24形成高頻電路(圖中沒有表示)。通過在樹脂基板22上安裝電子部件24而在樹脂基板22上形成高頻電路(例如接收電路或發(fā)送電路等)。在本實(shí)施方式中，電子部件24是用焊錫凸塊與樹脂基板22連接的。但是，也可以在電子部件24上形成柱形凸塊等，并利用各向異性導(dǎo)電膜(ACF)或各向異性導(dǎo)電糊劑(ACP)或非導(dǎo)電膜(NCF)或非導(dǎo)電糊劑(NCP)等安裝在樹脂基板22上。樹脂部25形成在樹脂基板22的上表面，埋設(shè)有電子部件24。另外，在樹脂部25中使用了熱硬化性樹脂。屏蔽金屬膜26以覆蓋樹脂部25的表面(上表面和整個(gè)四個(gè)側(cè)面)的方式形成。屏蔽金屬膜26是例如厚度為大約I微米的濺射薄膜，因此，是非常薄并且針孔(pin hole)等很少的致密的膜。屏蔽金屬膜26使用了導(dǎo)電性良好的銅。因此，屏蔽性良好，聞?lì)l1旲塊21具有很強(qiáng)的抗干擾等的能力。在樹脂基板22上形成接地圖案27。接地圖案27直至設(shè)置到樹脂基板22的周邊部，在樹脂基板22的側(cè)面形成了接地圖案27的露出部。接地圖案27與屏蔽金屬膜26在露出部連接。在圖I中，接地圖案27雖然被設(shè)置在樹脂基板22的內(nèi)層，但也可以是被設(shè)置在樹脂基板22的表層(與樹脂部25接觸之處)。不過，理想的情況是接地圖案27與屏蔽金屬膜26的連接是通過內(nèi)層進(jìn)行的。由于接地圖案27是金屬，所以，與樹脂部25的附著力小。因此，如果將接地圖案27的露出部設(shè)在樹脂基板22的表層，則在后面要提到的分割步驟S53等中，在接地圖案27與樹脂部25之間的界面容易產(chǎn)生剝離等情況。通過從樹脂基板22的內(nèi)層延設(shè)接地圖案27，即使是厚度I微米的濺射薄膜，也能使屏蔽金屬膜26難以產(chǎn)生裂紋等情況。因此，能夠?qū)崿F(xiàn)屏蔽性良好的高頻模塊21。接地圖案27經(jīng)由連接導(dǎo)體29A與樹脂基板22的下表面的安裝焊盤30A連接。在高頻模塊21被安裝在主基板(圖中沒有表示)上的情況下，安裝焊盤30A與主基板的接地連接。由此，在樹脂基板22上形成的高頻電路的上方向和橫向方向由屏蔽金屬膜26包圍。因此，能夠降低在高頻電路處理的(或產(chǎn)生的)高頻信號(hào)泄漏到外部，或者在外部產(chǎn)生的高頻噪聲進(jìn)入高頻模塊21內(nèi)的高頻電路中的情況。其結(jié)果是，能夠?qū)崿F(xiàn)抗電干擾性能強(qiáng)的高頻模塊21。另外，在本實(shí)施方式中，如圖I所示，在電子部件24的下方的樹脂基板22的內(nèi)層形成了接地圖案27。由此，在樹脂基板22上形成的高頻電路被接地圖案27和屏蔽金屬膜26包圍。因此，能夠?qū)崿F(xiàn)抗電干擾性能更強(qiáng)的高頻模塊21。
接地圖案27不與高頻電路的接地(圖中沒有顯示)連接。高頻電路的接地與樹脂基板22的表面的接地端子28連接，并且經(jīng)由將樹脂基板22的上下表面之間導(dǎo)通的連接導(dǎo)體29B被導(dǎo)出到樹脂基板22的下表面的安裝焊盤30B。如上所述，高頻電路的接地與屏蔽金屬膜26高頻(電)分離。因此，很難發(fā)生高頻電路的高頻信號(hào)由屏蔽金屬膜26輻射到外部、或使附著到屏蔽金屬膜26的高頻噪聲進(jìn)入高頻電路內(nèi)的情況。接下來，通過附圖對(duì)高頻模塊21的制造方法進(jìn)行說明。圖2是表示本發(fā)明的實(shí)施方式中的高頻模塊的制造方法的流程圖。在安裝步驟S51中，在將多個(gè)樹脂基板22連接的狀態(tài)下，在樹脂基板22上安裝電子部件24，在樹脂基板22上形成高頻電路。具體而言，在樹脂基板22的上表面印刷油脂狀的焊錫23，安裝電子部件24，回流焊接在樹脂基板22上。另外，在電子部件24的下表面?zhèn)刃纬筛哳l電路，電子部件24被倒裝芯片地安裝在高頻電路的形成面與樹脂基板22相對(duì)置的方向上(面朝下)。
另外，在安裝步驟S51中，當(dāng)完成電子部件24的安裝之后，進(jìn)行高頻電路的特性檢查。在該檢查中，對(duì)成為規(guī)定的特性范圍之外的情況進(jìn)行修改作業(yè)。作為該修改作業(yè)，進(jìn)行常數(shù)不同的芯片部件的替換作業(yè)或模式電感(pattern inductor)的微調(diào)(triming)等。在樹脂部形成步驟S52中，在安裝步驟S51之后，在樹脂基板22的上表面形成樹脂部25。另外，在本實(shí)施方式的樹脂部25中使用熱硬化性的樹脂25A。在分割步驟S53中，在樹脂部形成步驟S52之后，使用切割旋轉(zhuǎn)齒將樹脂基板22從被連接的狀態(tài)分割成單片的狀態(tài)。由此，將在樹脂基板22的連接部上形成的樹脂部25和樹脂基板22的連接部除去，分割成一個(gè)一個(gè)的樹脂基板22。通過該分割而在樹脂基板22的側(cè)面形成接地圖案27的露出部。在屏蔽金屬膜形成步驟S54中，利用金屬濺射在樹脂部25的表面(上表面和側(cè)面)和樹脂基板22的側(cè)面形成金屬的濺射薄膜作為屏蔽金屬膜26。由此，屏蔽金屬膜26在被設(shè)置在樹脂基板22的側(cè)面的接地圖案27的露出部與接地圖案27連接。在屏蔽金屬膜形成步驟S54之后，對(duì)高頻模塊21進(jìn)行最終的特性檢查，完成高頻模塊21。根據(jù)以上的制造方法，由于屏蔽金屬膜26是在分割步驟S 53之后形成的，因此，不會(huì)因?yàn)榍懈疃鴮?duì)屏蔽金屬膜26造成損傷。這特別是在屏蔽金屬膜26的膜厚較薄的情況下非常有效。接下來，通過附圖對(duì)樹脂部形成步驟S52進(jìn)行說明。首先，對(duì)用于在樹脂基板22上形成樹脂部25的樹脂部形成裝置61進(jìn)行說明。圖3是本發(fā)明的實(shí)施方式的樹脂部形成裝置61的概略剖面圖。樹脂部形成裝置61具有樹脂基板搭載部62和樹脂槽63。在樹脂基板搭載部62上搭載樹脂基板22。在本實(shí)施方式中，以電子部件24朝向下方的方向(即，電子部件24與樹脂槽63相對(duì)置的方向)安裝樹脂基板22。在樹脂基板搭載部62上設(shè)置了吸著樹脂基板22的構(gòu)成。在樹脂基板搭載部62的下方設(shè)有具有注入樹脂25A的空間的樹脂槽63。樹脂槽63能夠在上下方向上移動(dòng)。另外，樹脂槽63的底部63A與整個(gè)樹脂槽63的移動(dòng)相獨(dú)立，能夠單獨(dú)地在上下方向(圖3的箭頭100的方向)上移動(dòng)。在樹脂基板搭載部62或樹脂槽63設(shè)置了加熱部(圖中沒有表示)，這些加熱部對(duì)樹脂基板22或樹脂25A加熱。另外，在樹脂部形成裝置61中設(shè)置壓縮機(jī)等，通過抽吸樹脂槽63內(nèi)或樹脂槽63與樹脂基板搭載部62之間的空氣，能夠在幾乎是真空的狀態(tài)下形成樹脂部25。圖4是表示本發(fā)明的實(shí)施方式的樹脂部形成步驟S52的制造方法的流程圖。圖5 圖7是表示構(gòu)成樹脂部形成步驟S52的各步驟的制造方法的圖。按照?qǐng)D4的步驟的順序，對(duì)使用樹脂部形成裝置61的情況下的樹脂部形成步驟S52進(jìn)行詳細(xì)說明。圖5是本發(fā)明的實(shí)施方式的樹脂基板搭載步驟中的樹脂部形成裝置和制造中的高頻模塊的概略剖面圖。在圖4和圖5中，在軟化步驟S71中，在安裝步驟S51之后，將樹脂基板22以電子部件24的搭載面一側(cè)朝向下方的方式安裝在樹脂基板搭載部62。另外，在樹脂槽63內(nèi)投入非流動(dòng)狀態(tài)(未熔融的固體或膠狀)的樹脂25A，加熱并軟化樹脂25A一直到成為能夠流動(dòng)的狀態(tài)為止。并且，與該處理并行地抽吸樹脂25A與樹脂基板22之間的空間64的空氣。該抽吸一直進(jìn)行到空間64成為幾乎真空狀態(tài)為止，在樹脂25A完全熔融之后結(jié)束。由于樹脂槽63或樹脂基板搭載部62是事先加熱到樹脂25A熔融的溫度，因此，能夠在短時(shí)間使樹脂25A軟化。另外，雖然抽吸空間64的空氣的作業(yè)和使樹脂25A軟化到能夠流動(dòng)的狀態(tài)的作業(yè)哪一個(gè)先進(jìn)行都可以，但如果并行地實(shí)施則能夠縮短時(shí)間。在投放至樹脂槽63之前的樹脂25A是粒狀，將用計(jì)量容器等所計(jì)量的規(guī)定量的樹脂25A投入樹脂槽63。在此，樹脂25A使用如下的熱硬化性樹脂該熱硬化性樹脂在小于第一溫度的情況下不具有流動(dòng)性，而在第一溫度以上且小于第二溫度的情況下產(chǎn)生流動(dòng)性，在第二溫度以上的第三溫度下硬化。如上所述，由于在將樹脂25A投放至樹脂槽63的階段，樹脂25A為粒狀，因此，能夠精確度高地計(jì)量。另外，也容易實(shí)現(xiàn)計(jì)量或投放的自動(dòng)化。軟化步驟S71按照以下的順序進(jìn)行。事先利用加熱部將樹脂基板搭載部62和樹脂槽63的溫度加熱到樹脂25A熔融(產(chǎn)生流動(dòng)性)的溫度(第一溫度)以上，而不到樹脂25A硬化的溫度(第二溫度)的溫度。本實(shí)施方式中的樹脂25A使用在大約小于140°C的溫度下流動(dòng)性小，而在大約140°C以上大約小于175°C的溫度下呈最軟化并產(chǎn)生流動(dòng)性，在大約175°C以上的第三溫度下硬化的環(huán)氧系熱硬化性樹脂。因此，將樹脂基板搭載部62和樹脂槽63的溫度設(shè)定為大約140°C以上大約小于175°C。樹脂基板搭載部62具有在圖3的水平方向上滑動(dòng)的結(jié)構(gòu)。通過樹脂基板搭載部62的滑動(dòng)，使樹脂槽63的上方成為開放狀態(tài)。在該狀態(tài)下，從樹脂槽63的上方投入規(guī)定量的樹脂25A。這樣一來，投入之后立即開始對(duì)樹脂25A的加熱。另一方面，通過樹脂基板搭載部62的滑動(dòng)，會(huì)使下方成為開放狀態(tài)，因此，在樹脂基板搭載部62的下表面上，以電子部件24成為下方的朝向來吸著樹脂基板22。然后，樹脂基板搭載部62再次滑動(dòng)，在樹脂槽63的上方的位置處停止。這樣一來，在樹脂25A的投入和樹脂基板22的搭載完成后，開始空間64的空氣的抽吸。然后，在樹脂25A熔融到完全成為能夠流動(dòng)的狀態(tài)之后，停止抽吸，維持該真空狀態(tài)。另外，在本實(shí)施方式的樹脂部形成裝置61中，雖然樹脂基板搭載部62進(jìn)行了水平滑動(dòng)，但也可以是樹脂槽63進(jìn)行滑動(dòng)。另外，也可以使樹脂基板搭載部62和樹脂槽63中的至少一方在上下方向上移動(dòng)。不過，在這種情況下，將樹脂槽63與樹脂基板搭載部62之間的距離要預(yù)先隔開到能夠進(jìn)行樹脂25A的投入或樹脂基板22的搭載作業(yè)的程度。圖6是本發(fā)明的實(shí)施方式的浸潰步驟中的樹脂部形成裝置和制造中的高頻模塊、的概略剖面圖。在浸潰步驟S72中，當(dāng)進(jìn)行軟化步驟S71之后，在熔融成能夠流動(dòng)的狀態(tài)的樹脂25A中浸潰電子部件24，使樹脂基板22的下表面與熔融的樹脂25A的液面接觸。具體而言，使樹脂槽63和底部63A以幾乎相同的速度向上方(圖5的箭頭101的方向)移動(dòng)，樹脂基板22夾在樹脂槽63與樹脂基板搭載部62之間。此時(shí)，需要在樹脂槽63與樹脂基板22之間不生成間隙。因此，在樹脂槽63中，優(yōu)選在與樹脂基板22的下表面相抵接之處設(shè)置橡膠密封圈(圖中沒有表示)等。然后，樹脂槽63在上升到規(guī)定位置(樹脂槽63與樹脂基板22相抵接的位置)之后停止。在該狀態(tài)下，樹脂25A的液面被設(shè)置成與樹脂基板22的下表面還未接觸。這樣一來，能夠減少樹脂25A從樹脂槽63溢出的情況。不過，此時(shí)，優(yōu)選使電子部件24與樹脂25A的液面接觸。由于樹脂25A的表面張力的原因，樹脂25A會(huì)沿著電子部件24的側(cè)面涌上?；蛘?，樹脂25A會(huì)進(jìn)入電子部件24與樹脂基板22之間的間隙。其結(jié)果是，在之后的加壓流入步驟S73中，樹脂25A易于被填充進(jìn)電子部件24與樹脂基板22之間的非常狹小的間隙內(nèi)。另一方面，底部63A在樹脂部25的移動(dòng)停止后還繼續(xù)向上方移動(dòng)。由此，樹脂25A的 液面會(huì)與樹脂基板22的下表面接觸。圖7是本發(fā)明的實(shí)施方式的加壓流入步驟中的樹脂部形成裝置和制造中的高頻模塊的概略剖面圖。浸潰步驟S72完成后，看上去電子部件3在樹脂25A內(nèi)的完全埋設(shè)好像已經(jīng)完成。但是，在電子部件24與樹脂基板22之間還存在沒有填充樹脂25A之處。因此，在浸潰步驟S72之后進(jìn)行加壓流入步驟S73。在加壓流入步驟S73中，對(duì)樹脂25A(朝圖7的箭頭102的方向)加壓，利用該壓力使樹脂25A強(qiáng)制性地流入未填充的間隙中。此時(shí)，由樹脂槽63和樹脂基板22圍起的空間，除了電子部件24與樹脂基板22之間的未填充的非常窄的間隙之外，都已被樹脂25A填埋。因此，即使對(duì)樹脂25A加壓，底部63A也幾乎不會(huì)上升，只有樹脂25A的壓力上升。然后，繼續(xù)加壓使該壓力達(dá)到規(guī)定值，并維持該壓力。另外，在加壓流入步驟S73中，樹脂25A的溫度在第一溫度以上且小于第二溫度這一點(diǎn)很重要。由此，能夠在電子部件24或芯片部件與樹脂基板22之間的非常狹窄的間隙中可靠地填充樹脂25A。另外，在本實(shí)施方式中，焊錫23是錫和銀系的無鉛焊錫，其熔點(diǎn)是大約200°C。如上所述，由于將焊錫23的熔點(diǎn)設(shè)為第二溫度以上，因此，在加壓流入步驟S73中，焊錫23不會(huì)熔融。因此，電子部件24很難與樹脂基板22剝離。 在硬化步驟S74中，在加壓流入步驟S73之后，通過進(jìn)一步將樹脂25A加熱到第二溫度以上的第三溫度從而使樹脂25A硬化。由此，會(huì)在樹脂基板22上形成樹脂部25。另夕卜，至少在樹脂25A的流動(dòng)性消失之前的期間內(nèi)，優(yōu)選在硬化步驟S74中也維持在加壓流入步驟S73所施加的壓力。由此，很難在電子部件24與樹脂基板22之間留有空間(void)等。通過以上的制造方法，由于在加壓流入步驟S73施加壓力，因此，樹脂25A也被可靠地填充到電子部件24與樹脂基板22之間的非常狹窄的間隙中。另外，由于只在加壓流入步驟S73施加壓力，所以，能夠減小向電子部件24施加的應(yīng)力。因此，電子部件24或樹脂基板22等的變形變小。其結(jié)果是，高頻電路與屏蔽金屬膜26之間、或高頻電路與樹脂基板22之間以及樹脂基板22與屏蔽金屬膜26之間的距離等的偏差能夠減小。由此，能夠減小它們之間具有的散雜電容值的偏差，因此，能夠?qū)崿F(xiàn)偏差少的高頻模塊21。另外，在浸潰步驟S72中只浸潰電子部件24，在加壓流入步驟S73中產(chǎn)生樹脂25A的流動(dòng)。因此，與傳遞成型法相比，樹脂25A的流動(dòng)距離非常短。因此，在硬化之后，因樹脂25A的流動(dòng)不均等原因?qū)е碌膬?nèi)部應(yīng)力也能夠減小。由此，還能夠減小電子部件24、樹脂基板22或樹脂部25本身的變形。因此，能夠更減小散雜電容值的偏差。其結(jié)果是，能夠?qū)崿F(xiàn)高頻電路特性的偏差小的高頻模塊21。特別是在本實(shí)施方式中，由于是面朝下地倒裝芯片式安裝電子部件24，所以，電子部件24與樹脂基板22之間變得非?？拷?。因此，在形成于電子部件24中的高頻電路與接地圖案27之間會(huì)具有很大的散雜電容。該散雜電容的偏差對(duì)電子部件24的高頻電路的特性會(huì)產(chǎn)生很大影響。這一點(diǎn)從在樹脂25A內(nèi)埋設(shè)高頻電路上來看非常重要。即，在安裝步驟 S11中的高頻特性的檢查中，即使在判斷為合格的范圍中，如果電子部件24、樹脂基板22或樹脂部25本身的變形很大，則也有可能在形成樹脂部25之后變成不合格。但是，在形成樹脂部25之后，由于修理非常困難，因此，除了廢棄之外別無對(duì)策，成品率變得非常惡化。因此，通過使用本實(shí)施方式的制造方法，減小樹脂25A的流動(dòng)距離來減小殘留在樹脂25A內(nèi)部的殘留應(yīng)力，減小對(duì)電子部件24、樹脂基板22或樹脂部25自身等施加的應(yīng)力。由此，能夠減小樹脂部25形成后的聞?lì)l特性的偏差，實(shí)現(xiàn)成品率聞的聞?lì)l|旲塊21。而且，減小該殘留應(yīng)力會(huì)對(duì)高頻模塊21的特性的長期可靠性也產(chǎn)生很大影響。即，可以認(rèn)為是由于溫度變化等原因，使樹脂部25或樹脂基板22產(chǎn)生伸縮，樹脂部25內(nèi)的內(nèi)部應(yīng)力的分布會(huì)發(fā)生變化。由此，電子部件24或樹脂基板22或樹脂部25等的變形量發(fā)生變化。其結(jié)果是，電子部件24和樹脂基板22或接地圖案27或屏蔽金屬膜26之間的散雜電容的值與制造階段的值相比會(huì)發(fā)生變化。因此，由于能夠利用上述制造方法減小內(nèi)部應(yīng)力，所以，能夠?qū)崿F(xiàn)面對(duì)溫度變化等情況也能夠長期地維持穩(wěn)定的特性的高頻模塊21。于是，由于在加壓流入步驟S73將樹脂25A強(qiáng)制地填充到間隙中，因此，與印刷法或接合法等方法相比，在電子部件24與樹脂基板22之間也能夠可靠地填充樹脂25A。因此，能夠?qū)崿F(xiàn)可靠性非常高的高頻模塊21。如上所述，根據(jù)本實(shí)施方式，能夠減少由于加壓壓力而導(dǎo)致電子部件24或芯片部件被破壞的情況，另外，也能夠減小電子部件24的變形。因此，能夠使電子部件24的厚度變得很薄。所以，與以往的傳遞成型相比，即使在電子部件24或芯片部件的上部形成的樹脂部25的厚度很薄，也能夠在電子部件24的上部可靠地形成樹脂部4。這是因?yàn)殡娮硬考?4的上部的樹脂部25是通過在浸潰步驟S72浸潰而形成的。由此，能夠?qū)崿F(xiàn)薄型的高頻模塊21。在本實(shí)施方式中制作了厚度為0. 8mm的高頻模塊21。另外，除了上述模塊之外，也能夠制造厚度為0. 5mm的高頻模塊21。雖然該高頻模塊21非常薄，樹脂基板22的厚度為0. Imm,電子部件24的厚度為0. 25mm，但變形也小，特性的偏差也小。另外，雖然電子部件24與樹脂基板22之間為0. 08mm，非常的窄，但在該間隙中也能夠可靠地填充樹脂25A。另外，雖然電子部件24的上部的樹脂部4的厚度為0. 07mm,非常的薄，但也形成了厚度穩(wěn)定的樹脂部4。接下來，通過附圖對(duì)本實(shí)施方式中的其他的高頻模塊進(jìn)行說明。圖8是本發(fā)明的實(shí)施方式中的其他的高頻模塊81的剖面圖。在圖I所示的高頻模塊21中，樹脂基板22的側(cè)面與樹脂部25的側(cè)面在一條直線上，屏蔽金屬膜26 —直形成到樹脂基板22的側(cè)面的下端為止。另一方面，高頻模塊81與高頻模塊21相比，在以下兩點(diǎn)上不同，第一點(diǎn)在樹脂基板22的側(cè)面的下部形成有帶階梯部82 ;第二點(diǎn)屏蔽金屬膜26在樹脂基板22的側(cè)面一直形成到帶階梯部82的上端為止。在樹脂基板22的側(cè)面比帶階梯部82更靠上的部分與樹脂部25的側(cè)面在一條直線上，接地圖案27的露出部分也形成在樹脂基板22的側(cè)面比帶階梯部82更靠上的部分。接下來，利用附圖對(duì)高頻模塊81的制造方法進(jìn)行說明。圖9是表示高頻模塊81的制造方法的流程圖。另外，在圖9中，對(duì)與圖2相同的步驟使用相同的編號(hào)，并省略其說明。在圖9中，到樹脂部形成步驟S52為止的步驟與高頻模塊21的制造方法相同。在樹脂部形成步驟S52之后進(jìn)行溝形成步驟S91。在溝形成步驟S91中，不將樹脂基板22切斷成單片的狀態(tài)，而留著樹脂基板22的連接部分，設(shè)為高頻模塊被連接的狀態(tài)。在連接部分，在樹脂部25和樹脂基板22上形成溝。
在溝形成步驟S91之后進(jìn)行屏蔽金屬膜形成步驟S54。在形成在樹脂部25的周圍(上面和側(cè)面)以及樹脂基板22上的溝部分(帶階梯部82的上表面和樹脂基板2的側(cè)面)形成屏蔽金屬膜26。在屏蔽金屬膜形成步驟S54之后進(jìn)行分割步驟S92。在該分割步驟S92中，使用寬度比溝窄的切割旋轉(zhuǎn)齒等，以比溝窄的寬度切斷樹脂基板22的連接部。這樣一來，在分割步驟S92中，很難對(duì)屏蔽金屬膜26造成傷害等。因此，能夠?qū)崿F(xiàn)良好的屏蔽作用。在本實(shí)施方式的情況下，能夠在樹脂基板22被連接的狀態(tài)下進(jìn)行屏蔽金屬膜形成步驟S54。另外，如果在屏蔽金屬膜形成步驟S54與分割步驟S92之間設(shè)置特性檢查步驟，則該檢查也能夠在連接狀態(tài)下進(jìn)行，因此，生產(chǎn)率非常好。另外，作為屏蔽金屬膜的形成方法，除了濺射法之外，也可以使用真空蒸鍍法、離子電鍍法和化學(xué)氣相沉積法(CVD(Chemical VaporDeposition))等方法。產(chǎn)業(yè)上的可利用性本發(fā)明的高頻模塊，具有即使在薄型化時(shí)特性的偏差也小的效果，作為安裝在便攜式電子設(shè)備等中的高頻模塊很有用。附圖標(biāo)記的說明21,81 高頻模塊22樹脂基板23焊錫24電子部件25樹脂部25A樹脂26屏蔽金屬膜28接地端子27接地圖案29A、29B 連接導(dǎo)體30A、30B 安裝焊盤61樹脂部形成裝置62樹脂基板搭載部63樹脂槽63A底部64空間
82帶階梯部100、101、102 箭頭權(quán)利要求
1.一種高頻模塊的制造方法，該高頻模塊具有 樹脂基板； 安裝在上述樹脂基板上的電子部件； 形成在上述樹脂基板上且埋設(shè)上述電子部件的樹脂部；以及 覆蓋上述樹脂部的表面的屏蔽金屬膜， 在上述樹脂基板上由上述電子部件形成高頻電路， 上述高頻模塊的制造方法包括 將安裝了上述電子部件的上述樹脂基板以上述電子部件與樹脂槽相對(duì)置的方式放置的步驟； 直至上述樹脂槽內(nèi)的非流動(dòng)狀態(tài)的樹脂成為流動(dòng)狀態(tài)為止進(jìn)行軟化，并且抽吸在上述樹脂基板與上述樹脂之間所形成的空間的空氣的步驟； 在使上述樹脂軟化，且抽吸了上述空間的空氣之后，使上述樹脂基板與上述樹脂的液面接觸的步驟； 在使上述樹脂基板與上述樹脂的液面接觸之后，對(duì)上述樹脂加壓，使上述樹脂流入上述樹脂基板與上述電子部件之間的步驟； 在使上述樹脂流入上述樹脂基板與上述電子部件之間之后，硬化上述樹脂，在上述樹脂基板上形成上述樹脂部的步驟；以及 當(dāng)在上述樹脂基板上形成了上述樹脂部之后，在上述樹脂部的表面形成屏蔽金屬膜的步驟。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的高頻模塊的制造方法，其中， 對(duì)于上述樹脂，使用在小于第一溫度的情況下不具有流動(dòng)性、在上述第一溫度以上而小于第二溫度的情況下產(chǎn)生流動(dòng)性、且在上述第二溫度以上的第三溫度下硬化的熱硬化性樹脂，在上述第一溫度以上而小于上述第二溫度的情況下，使上述樹脂流入上述樹脂基板與上述電子部件之間。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的高頻模塊的制造方法，其中， 使用具有上述第二溫度以上的熔點(diǎn)的焊錫來進(jìn)行上述電子部件與上述樹脂基板之間的連接。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的高頻模塊的制造方法，其中， 在硬化上述樹脂的步驟中，一邊向上述樹脂施加壓力、一邊將上述樹脂加熱到上述第三溫度以上。
5.根據(jù)權(quán)利要求I所述的高頻模塊的制造方法，其中， 上述高頻模塊構(gòu)成為上述樹脂基板是多層基板，在上述樹脂基板的與上述樹脂相接的面或內(nèi)層形成接地圖案，在上述樹脂基板的側(cè)面形成上述接地圖案的露出部，在上述露出部處，上述接地圖案與上述屏蔽金屬膜連接， 上述高頻模塊的制造方法還包括 在硬化上述樹脂的步驟之后，在形成上述屏蔽金屬膜的步驟之前，將上述樹脂部的一部分除去的步驟；以及 在除去了上述樹脂部之處，形成上述接地圖案的露出部的步驟， 在形成上述屏蔽金屬膜的步驟中，在上述露出部處，將上述屏蔽金屬膜與上述接地圖案連接。
6.根據(jù)權(quán)利要求I所述的高頻模塊的制造方法，其中， 上述電子部件包括半導(dǎo)體元件。
7.根據(jù)權(quán)利要求I所述的高頻模塊的制造方法，其中， 上述電子部件以面朝下的狀態(tài)被安裝在上述樹脂基板上。
全文摘要
將安裝了電子部件的樹脂基板以使電子部件與樹脂槽相對(duì)置的方式安置。直至使樹脂槽內(nèi)的非流動(dòng)狀態(tài)的樹脂成為流動(dòng)狀態(tài)為止一直進(jìn)行軟化，并且，抽吸在樹脂基板與樹脂之間所形成的空間的空氣。使樹脂基板與樹脂的液面接觸。對(duì)樹脂加壓，使樹脂流入樹脂基板與電子部件之間。使樹脂硬化，在樹脂基板上形成樹脂部。在樹脂部的表面形成屏蔽金屬膜。由此，能夠減小樹脂部內(nèi)的內(nèi)部應(yīng)力，并能夠?qū)崿F(xiàn)電路特性的偏差小的高頻模塊。
文檔編號(hào)H01L23/00GK102763205SQ20118000970
公開日2012年10月31日 申請(qǐng)日期2011年2月9日 優(yōu)先權(quán)日2010年2月19日
發(fā)明者中口昌久, 北川元祥, 小倉智英, 木村潤一, 神庭操, 蛭間孝之 申請(qǐng)人:松下電器產(chǎn)業(yè)株式會(huì)社