專(zhuān)利名稱(chēng)：供體基板及其制造方法以及有機(jī)發(fā)光顯示裝置的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及供體基板、供體基板的制造方法及使用供體基板的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的制造方法。本發(fā)明尤其涉及包括膨脹層或者抗靜電部件的供體基板、供體基板的制造方法及使用供體基板的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的制造方法。
背景技術(shù)：
通常，有機(jī)發(fā)光顯示(OLED)裝置的顯示基板包括設(shè)置于透明基板上的薄膜晶體管、像素電極、有機(jī)發(fā)光層、公共電極等。其中，所述有機(jī)發(fā)光層包括發(fā)射白色光、紅色光、綠色光、藍(lán)色光等的發(fā)光層，進(jìn)一步還可以包括空穴注入層(HIL)、空穴傳輸層(HTL)、電子傳輸層(ETL)、電子注入層(EIL)等。通過(guò)將具有有機(jī)轉(zhuǎn)印層的供體基板貼合在所述顯示基板的像素電極上之后照射激光以轉(zhuǎn)印所述有機(jī)轉(zhuǎn)印層的激光熱轉(zhuǎn)印(Laser Induced Thermal Imaging,簡(jiǎn)稱(chēng)為L(zhǎng)ITI)工序，形成所述有機(jī)發(fā)光層。當(dāng)使用所述激光熱轉(zhuǎn)印工序?qū)⑺龉w基板的有機(jī)轉(zhuǎn)印層向所述顯示基板轉(zhuǎn)印時(shí)，由于所述供體基板和所述顯示基板之間的摩擦等而產(chǎn)生的靜電，很難準(zhǔn)確地轉(zhuǎn)印所述有機(jī)轉(zhuǎn)印層，因此存在很難在所述顯示基板上均勻地形成所述有 機(jī)發(fā)光層的問(wèn)題。從而，會(huì)降低所述有機(jī)發(fā)光層的發(fā)光特性，并且這種有機(jī)發(fā)光層的發(fā)光特性的減少將成為降低由所述有機(jī)發(fā)光顯示裝置所顯示的影像質(zhì)量的原因。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的一目的在于提供通過(guò)減小靜電的產(chǎn)生以有效地轉(zhuǎn)印有機(jī)轉(zhuǎn)印層的供體基板。本發(fā)明的另一目的在于提供通過(guò)減小靜電的產(chǎn)生以有效地轉(zhuǎn)印有機(jī)轉(zhuǎn)印層的供體基板的制造方法。本發(fā)明的再一目的在于提供通過(guò)使用將靜電減小并且具有優(yōu)良的轉(zhuǎn)印效率的供體基板以制造具有均勻的有機(jī)層圖案的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的方法。本發(fā)明所要解決的技術(shù)問(wèn)題并不限于上述的技術(shù)問(wèn)題，在不脫離本發(fā)明的技術(shù)構(gòu)思及技術(shù)領(lǐng)域的范圍內(nèi)可以有多種展開(kāi)。為了實(shí)現(xiàn)上述本發(fā)明的一目的，根據(jù)本發(fā)明示例性的實(shí)施例的供體基板可以包括襯底基板、設(shè)置于所述襯底基板上的膨脹層、設(shè)置于所述膨脹層上的光熱轉(zhuǎn)換層、設(shè)置于所述光熱轉(zhuǎn)換層上的絕緣層以及設(shè)置于所述絕緣層上的有機(jī)轉(zhuǎn)印層。在示例性的實(shí)施例中，所述膨脹層可以包含熱膨脹系數(shù)在I. 5X10_5/°C以上的物質(zhì)。在示例性的實(shí)施例中，所述膨脹層可以包含熱塑性樹(shù)脂。例如，所述膨脹層可以包含聚苯乙烯、聚丙烯酸甲酯、聚丙烯酸乙酯、聚丙烯酸丙酯、聚丙烯酸異丙酯、聚丙烯酸正丁酯、聚丙烯酸仲丁酯、聚丙烯酸異丁酯、聚丙烯酸叔丁酯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚甲基丙烯酸乙酯、聚甲基丙烯酸正丁酯、聚甲基丙烯酸正癸酯、聚氯乙烯、聚偏氯乙烯、丙烯腈-丁二烯-苯乙烯共聚物等。在示例性的實(shí)施例中，所述襯底基板包含熱塑性樹(shù)脂，并且所述襯底基板和所述膨脹層可以形成為一體。為了實(shí)現(xiàn)上述本發(fā)明的另一目的，根據(jù)本發(fā)明示例性的實(shí)施例的供體基板可以包括襯底基板、設(shè)置于所述襯底基板的第一面上的光熱轉(zhuǎn)換層、設(shè)置于所述光熱轉(zhuǎn)換層上的絕緣層、設(shè)置于所述絕緣層上的有機(jī)轉(zhuǎn)印層以及設(shè)置于所述襯底基板或所述絕緣層的抗靜電部件?！ぴ谑纠缘膶?shí)施例中，所述抗靜電部件可以包含分散于所述襯底基板內(nèi)的抗靜電劑。在示例性的實(shí)施例中，所述抗靜電劑的含量可以為以所述襯底基板的重量為基準(zhǔn)時(shí)的O. 1%至2. 0%。在示例性的實(shí)施例中，所述抗靜電劑可以包含GMS類(lèi)抗靜電物質(zhì)、胺類(lèi)抗靜電物質(zhì)、具有磁性的金屬氧化物等。在示例性的實(shí)施例中，所述抗靜電部件可以包含分散于所述絕緣層內(nèi)的抗靜電劑。在示例性的實(shí)施例中，所述抗靜電部件可以包括設(shè)置于所述襯底基板的第二面上的透明導(dǎo)電層。在示例性的實(shí)施例中，所述透明導(dǎo)電層可以包含導(dǎo)電性金屬氧化物或者傳導(dǎo)性高分子物質(zhì)。例如，所述透明導(dǎo)電層可以包含聚苯胺、聚吡咯、聚噻吩、聚(3，4_乙烯基二氧噻吩)、銻錫氧化物(ATO)、銦錫氧化物(ITO)、銦鋅氧化物(IZO)、鈮氧化物、鋅氧化物、鎵氧化物、錫氧化物、銦氧化物等。為了實(shí)現(xiàn)上述本發(fā)明的再一目的，在根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的供體基板的制造方法中形成襯底基板。在所述襯底基板上形成膨脹層。在所述膨脹層上形成光熱轉(zhuǎn)換層。在所述光熱轉(zhuǎn)換層上形成絕緣層。在所述絕緣層上形成有機(jī)轉(zhuǎn)印層。在示例性的實(shí)施例中，可以通過(guò)旋涂工序、狹縫涂布工序或者凹印涂布工序?qū)崴苄詷?shù)脂涂覆于所述襯底基板上而形成所述膨脹層。在示例性的實(shí)施例中，可以通過(guò)使用包含熱塑性樹(shù)脂的聚對(duì)苯二甲酸乙二酯(PET)樹(shù)脂來(lái)形成所述膨脹層。在示例性的實(shí)施例中，可以將所述襯底基板和所述膨脹層形成為一體。在示例性的實(shí)施例中，可以通過(guò)實(shí)施雙軸拉伸(biaxial drawing)工序來(lái)形成所述膨脹層。為了實(shí)現(xiàn)上述本發(fā)明的再一目的，在根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的供體基板的制造方法中形成襯底基板。在所述襯底基板的第一面上形成光熱轉(zhuǎn)換層。在所述光熱轉(zhuǎn)換層上形成絕緣層。在所述絕緣層上形成有機(jī)轉(zhuǎn)印層。在所述襯底基板或所述絕緣層或者所述襯底基板的第二面上形成抗靜電部件。在示例性的實(shí)施例中，形成所述抗靜電部件的步驟可以包括將抗靜電劑分散于所述襯底基板內(nèi)的步驟。在示例性的實(shí)施例中，形成所述抗靜電部件的步驟可以包括使抗靜電劑分散于所述絕緣層內(nèi)的步驟。
在示例性的實(shí)施例中，形成所述抗靜電部件的步驟可以包括在所述襯底基板的第二面上形成透明導(dǎo)電層的步驟。為了實(shí)現(xiàn)上述本發(fā)明的再一目的，在根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的制造方法中，在基板上形成下部電極。在下部電極上形成像素限定膜，從而限定像素區(qū)域。形成包括襯底基板、形成于所述襯底基板上的膨脹層、形成于所述膨脹層上的光熱轉(zhuǎn)換層以及形成于所述光熱轉(zhuǎn)換層上的有機(jī)轉(zhuǎn)印層的供體基板。使所述有機(jī)轉(zhuǎn)印層與所述基板的像素區(qū)域?qū)?yīng)且將所述供體基板貼合于所述基板。向與所述像素區(qū)域?qū)?yīng)的所述供體基板照射激光，從而在所述像素區(qū)域上由所述有機(jī)轉(zhuǎn)印層形成有機(jī)層圖案。在示例性的實(shí)施例中，所述供體基板還可以包括形成于所述光熱轉(zhuǎn)換層和所述有機(jī)轉(zhuǎn)印層之間的絕緣層。為了實(shí)現(xiàn)上述本發(fā)明的再一目的，在根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的制造方法中，在基板上形成下部電極。在所述下部電極上形成限定像素區(qū)域的像素限 定膜。形成供體基板，所述供體基板包括襯底基板、形成于所述襯底基板的第一面上的光熱轉(zhuǎn)換層、形成于所述光熱轉(zhuǎn)換層上的絕緣層、形成于所述絕緣層上的有機(jī)轉(zhuǎn)印層以及形成于所述襯底基板或所述絕緣層或者所述襯底基板的第二面的抗靜電部件。使所述有機(jī)轉(zhuǎn)印層與所述基板的像素區(qū)域?qū)?yīng)，將所述供體基板貼合于所述基板。向與所述像素區(qū)域?qū)?yīng)的所述供體基板照射激光，從而在所述像素區(qū)域上由所述有機(jī)轉(zhuǎn)印層形成有機(jī)層圖案。在示例性的實(shí)施例中，所述抗靜電部件可以包括形成于所述襯底基板的第二面上的透明導(dǎo)電層。在示例性的實(shí)施例中，所述抗靜電部件可以包含分散于所述絕緣層內(nèi)的抗靜電劑。在示例性的實(shí)施例中，所述抗靜電部件可以包含分散于所述襯底基板內(nèi)的抗靜電劑。根據(jù)本發(fā)明示例性的實(shí)施例，由于供體基板可以包括膨脹層，因此能夠從具有膨脹層的所述供體基板中有效地分離出有機(jī)轉(zhuǎn)印層以在顯示基板上形成有機(jī)層圖案，并且即使使用能量相對(duì)小的激光，也可以有效地形成所述有機(jī)層圖案。根據(jù)其他示例性的實(shí)施例，由于供體基板包括用作抗靜電部件的抗靜電劑、抗靜電層或者透明導(dǎo)電層，因此將所述供體基板的有機(jī)轉(zhuǎn)印層向所述顯示基板上轉(zhuǎn)印時(shí)可以防止在所述供體基板上產(chǎn)生靜電。由此，可以由所述供體基板的有機(jī)轉(zhuǎn)印層均勻地形成所述顯示裝置的有機(jī)層圖案，因此可以改善所述有機(jī)層圖案的發(fā)光特性，并且可以提高所述有機(jī)發(fā)光顯示裝置所顯示的影像質(zhì)量。但是，本發(fā)明的效果并不限于上述的效果，在不脫離本發(fā)明的技術(shù)構(gòu)思及技術(shù)領(lǐng)域的范圍內(nèi)會(huì)有多種展開(kāi)。


圖I為用于說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的供體基板的截面圖；圖2為圖示根據(jù)本發(fā)明另一示例性實(shí)施例的供體基板的截面圖；圖3為用于說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明再一示例性實(shí)施例的供體基板的截面圖；圖4為圖示根據(jù)本發(fā)明再一示例性實(shí)施例的供體基板的截面圖5至圖7用于說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的制造方法的示意圖。附圖標(biāo)記說(shuō)明100、200、300、400 :供體基板；110、210、310、410 :襯底基板；120、220、320、420 :光熱轉(zhuǎn)換層；130、230、330、430 :色緣層；140、240、340、440 :有機(jī)轉(zhuǎn)印層；150 :膨脹層；250、350 :抗靜電劑；450 :透明導(dǎo)電層； 510 :基板；520 :半導(dǎo)體圖案； 521 :溝道區(qū)域；523 :源區(qū)域；525 :漏區(qū)域；530:柵絕緣膜；541:柵電極；543:源電極；545:漏電極；550 :第一層間絕緣膜；555 :第二層間絕緣膜；560 :第一電極；570 :像素限定膜；580:有機(jī)層圖案；590:第二電極。
具體實(shí)施例方式以下將參考附圖詳細(xì)地說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的供體基板、供體基板的制造方法及使用供體基板的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的制造方法，但是本發(fā)明并不限于下述實(shí)施例，所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員在不脫離本發(fā)明的技術(shù)思想的范圍內(nèi)，能夠以多種形態(tài)實(shí)施本發(fā)明。就本發(fā)明的說(shuō)明書(shū)，其特定的結(jié)構(gòu)或功能性說(shuō)明僅以示例性地說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施例為目的，本發(fā)明能夠以多種形式實(shí)施，不能解釋為僅限于本文中說(shuō)明的實(shí)施例，應(yīng)理解為包括本發(fā)明的思想以及技術(shù)范圍的所有變更、等同物以及代替物。某種組成要素與其它的組成要素“連接”或“接觸”，則表示其與其它的組成要素直接連接或接觸，也應(yīng)理解為中間還可以存在其它組成要素。相反，某種組成要素與其它組成要素“直接連接”或“直接接觸”，則應(yīng)理解為中間不存在其它組成要素。就描述組成要素之間關(guān)系的其他表述方式，即"...之間”、“就在...之間”或者“與...相鄰”和直接相鄰”也應(yīng)進(jìn)行相同的解釋。在本說(shuō)明書(shū)中所使用的用語(yǔ)僅用于說(shuō)明示例性的實(shí)施例，并不用于限定本發(fā)明。對(duì)于單數(shù)用語(yǔ)，在文字上沒(méi)有沖突的解釋的前提下，則應(yīng)當(dāng)包括多個(gè)的含義。在本說(shuō)明書(shū)中，“包括”、“具備”或“具有”等用語(yǔ)僅用于說(shuō)明實(shí)施本發(fā)明時(shí)可以存在數(shù)字、步驟、動(dòng)作、結(jié)構(gòu)要素、部件或者它們的組合，并且不應(yīng)當(dāng)理解為對(duì)增加數(shù)字、步驟、動(dòng)作、結(jié)構(gòu)要素、部件或者它們的組合的可能性予以排除。沒(méi)有其他定義的前提下，包括技術(shù)術(shù)語(yǔ)或科學(xué)術(shù)語(yǔ)在內(nèi)的在此使用的所有術(shù)語(yǔ)的含義與本發(fā)明所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員通常理解的含義相同。針對(duì)與在通常使用的詞典所定義的術(shù)語(yǔ)相同的術(shù)語(yǔ)，應(yīng)理解為與相關(guān)技術(shù)上下文所具有的含義一致，除本發(fā)明明確定義的以外，不應(yīng)解釋成理想或過(guò)于形式的含義。雖然第一、第二、第三等術(shù)語(yǔ)可以用于說(shuō)明多種組成要素，但所述組成要素不限于所述術(shù)語(yǔ)。使用所述術(shù)語(yǔ)的目的在于區(qū)別一個(gè)組成要素與另一個(gè)組成要素。例如，在不脫離本發(fā)明的保護(hù)范圍下，第一組成要素可以命名為第二或第三組成要素，類(lèi)似地，第二或者第三組成要素也可以交互命名。圖I為用于說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的供體基板的截面圖。如圖I所示，供體基板100可以包括襯底基板110、膨脹層150、光熱轉(zhuǎn)換層120、絕緣層130以及有機(jī)轉(zhuǎn)印層140等。在有機(jī)發(fā)光顯示裝置的顯示基板上形成有機(jī)層圖案(多個(gè))的激光轉(zhuǎn)印工序期間，襯底基板Iio可以起到讓激光經(jīng)過(guò)并傳輸至光熱轉(zhuǎn)換層120的功能。襯底基板110可以由基本上透明且具有預(yù)定的機(jī)械強(qiáng)度的物質(zhì)構(gòu)成。例如，襯底基板110可以包含透明樹(shù)脂、玻璃、石英等?？捎糜谝r底基板110的透明樹(shù)脂可以包括聚對(duì)苯二甲酸乙二酯(polyethylene terephthalate,簡(jiǎn)稱(chēng)為PET)類(lèi)樹(shù)脂、聚丙烯酸(polyacryl)類(lèi)樹(shù)脂、聚環(huán) 氧(polyepoxy)類(lèi)樹(shù)脂、聚乙烯(polyethylene)類(lèi)樹(shù)脂、聚苯乙烯(polystyrene)類(lèi)樹(shù)脂、聚酰亞胺(polyimide)類(lèi)樹(shù)脂、聚碳酸脂(polycarbonate)類(lèi)樹(shù)脂、聚醚(polyether)類(lèi)樹(shù)月旨、聚丙烯酸酯(polyacrylate)類(lèi)樹(shù)脂等。膨脹層150可以設(shè)置于襯底基板110上。根據(jù)在所述激光轉(zhuǎn)印工序期間在被激光照射的部分產(chǎn)生的熱量，會(huì)增加膨脹層150的體積。根據(jù)這種膨脹層150的膨脹，有機(jī)轉(zhuǎn)印層140有效地從襯底基板110被分離出，從而可以由供體基板100的有機(jī)轉(zhuǎn)印層140在所述有機(jī)發(fā)光顯示裝置的顯示基板上有效地形成所述有機(jī)層圖案。在示例性的實(shí)施例中，膨脹層150可以包含具有相對(duì)高的熱膨脹系數(shù)的物質(zhì)。此時(shí)，膨脹層150可以包含大約具有1.5X10_5/°C以上的熱膨脹系數(shù)的物質(zhì)。例如，膨脹層150可以包含具有相對(duì)大的熱膨脹系數(shù)的熱塑性樹(shù)脂(thermoplastic resin)?？捎糜谂蛎泴?50的熱塑性樹(shù)脂可以包括聚苯乙烯(polystyrene)、聚丙烯酸甲酯(polymethyl acrylate)、聚丙烯酸乙酯(polyethyl acrylate)、聚丙烯酸丙酯(polypropyl acrylate)、聚丙烯酸異丙酯(polyisopropyl acrylate)、聚丙烯酸正丁酉旨(polyn-butyl acrylate)、聚丙烯酸仲丁酯(polysec-butyl acrylate)、聚丙烯酸異丁酯(polyisobutyl acrylate)、聚丙烯酸叔丁酯(polytetra-butyl acrylate)、聚甲基丙烯酸甲酯(polymethyl methacrylate) >聚甲基丙烯酸乙酯(polyethyl methacrylate)、聚甲基丙烯酸正丁酯(polyn-butylmethacrylate)、聚甲基丙烯酸正癸酯(polyn-decyl methacrylate)、聚氯乙烯(polyvinylchloride)、聚偏氯乙烯(polyvinylidene chloride)、丙烯腈-丁二烯-苯乙烯共聚物(acrylonitrile butadiene-styrene copolymer)等熱塑性低分子聚合物。光熱轉(zhuǎn)換層120可以設(shè)置于膨脹層150上。光熱轉(zhuǎn)換層120可以起到吸收向襯底基板110照射的激光從而將其轉(zhuǎn)換為熱量的功能。光熱轉(zhuǎn)換層120可以包括金屬、金屬氧化物、金屬硫化物、含碳物質(zhì)等。例如，光熱轉(zhuǎn)換層120可以包括招(Al)、鎳(Ni)、鑰(Mo)、鈦(Ti)、鋯(Zr)、銅(Cu)、釩(V)、鉭(Ta)、鈀(Pd)、釕(Ru)、銥(Ir)、金(Au)、銀(Ag)、鉬(Pt)等金屬、這些金屬的氧化物、這些金屬的硫化物、碳黑(carbon black)、石墨等。這些可以單獨(dú)或互相組合而得以使用。絕緣層130可以位于光熱轉(zhuǎn)換層120上。絕緣層130可以防止有機(jī)轉(zhuǎn)印層140受到污染或者受損。并且，在所述激光熱轉(zhuǎn)印工序期間，絕緣層130控制光熱轉(zhuǎn)換層120和有機(jī)轉(zhuǎn)印層140之間的粘著力，從而可以提高在所述顯示基板上形成的有機(jī)層圖案的均勻性。根據(jù)示例性的實(shí)施例，絕緣層130可以由有機(jī)物質(zhì)或者無(wú)機(jī)物質(zhì)構(gòu)成。例如,絕緣層130可以包含丙烯酸樹(shù)脂(acrylic resin)、醇酸樹(shù)脂(alkyd resin)、娃氧化物(SiOx)、鋁氧化物(AlOx)、鎂氧化物(MgOx)等。有機(jī)轉(zhuǎn)印層140可以設(shè)置于絕緣層130上。根據(jù)由光熱轉(zhuǎn)換層120傳輸?shù)臒崮苡袡C(jī)轉(zhuǎn)印層140從供體基板100被分離出，從而其可以起到在所述顯示基板上形成所述有機(jī)層圖案(多個(gè))的功能。在示例性的實(shí)施例中，有機(jī)轉(zhuǎn)印層140可以包括發(fā)出紅色(R)光、綠色(G)光或者藍(lán)色(B)光的有機(jī)發(fā)光層，進(jìn)一步還可以包括空穴注入層、空穴傳輸層、電子注入層、電子傳輸層等。根據(jù)了另一示 例性的實(shí)施例，有機(jī)轉(zhuǎn)印層140的有機(jī)發(fā)光層還可以具有通過(guò)發(fā)出紅色光、綠色光以及藍(lán)色光以最終發(fā)出白色(W)光的多層結(jié)構(gòu)。在示例性的實(shí)施例中，當(dāng)有機(jī)轉(zhuǎn)印層140的有機(jī)發(fā)光層發(fā)出紅色光時(shí)，所述有機(jī)發(fā)光層可以包含作為紅色發(fā)光物質(zhì)的如Alq3 (主體)/DCJTB (熒光摻雜物)、Alq3 (主體)/DCM(熒光摻雜物)、CBP (主體)/PtOEP (磷光有機(jī)金屬?gòu)?fù)合物)等低分子物質(zhì)以及如PFO類(lèi)高分子物質(zhì)、PPV類(lèi)高分子物質(zhì)等高分子物質(zhì)。當(dāng)所述有機(jī)發(fā)光層發(fā)出綠色光時(shí)，所述有機(jī)發(fā)光層可以包含作為綠色發(fā)光物質(zhì)的如Alq3、Alq3(主體)/C545t(摻雜物)、CBP (主體)/IrPPy (磷光有機(jī)金屬?gòu)?fù)合物)等低分子物質(zhì)以及如PFO類(lèi)高分子物質(zhì)、PPV類(lèi)高分子物質(zhì)等高分子物質(zhì)。另外，當(dāng)所述有機(jī)發(fā)光層發(fā)出藍(lán)色光時(shí)，所述有機(jī)發(fā)光層可以包含作為藍(lán)色發(fā)光物質(zhì)的如DPVBi、螺-DPVBi、螺-6P、蒸餾苯(DSB)、亞甲基聯(lián)苯乙烯(DSA)等低分子物質(zhì)以及如PFO類(lèi)高分子物質(zhì)、PPV類(lèi)高分子物質(zhì)等高分子物質(zhì)。有機(jī)轉(zhuǎn)印層140的空穴注入層可以包含如CuPc, TNATA, TCTA, TDAPB等低分子物質(zhì)以及如PANI、PEDOT等高分子物質(zhì)；有機(jī)轉(zhuǎn)印層140的空穴傳輸層可以包含如芳胺(arylamine)類(lèi)低分子物質(zhì)、腙(hydrazone)類(lèi)低分子物質(zhì)、二苯乙烯(stilbene)類(lèi)低分子物質(zhì)、星爆(starburst)類(lèi)低分子物質(zhì)等低分子物質(zhì),或者可以包含如咔唑(carbazole)類(lèi)高分子物質(zhì)、芳胺(arylamine)類(lèi)高分子物質(zhì)、花(perylene)類(lèi)高分子物質(zhì)、批咯(pyrrole)類(lèi)高分子物質(zhì)等高分子物質(zhì)。有機(jī)轉(zhuǎn)印層140的電子傳輸層可以包含如PBD、TAZ、螺(spiro)-PBD等高分子物質(zhì)，或者可以包含Alq3、BAlq, SAlq等低分子物質(zhì)。并且，有機(jī)轉(zhuǎn)印層140的電子注入層可以包含如Alq3、鎵復(fù)合物(Ga complex)、PBD等低分子物質(zhì),或者可以包含11惡二唑(oxadiazol)類(lèi)高分子物質(zhì)。根據(jù)另一示例性的實(shí)施例，絕緣層130和有機(jī)轉(zhuǎn)印層140之間還可以設(shè)置有氣體生成層和/或金屬反射層。其中，所述氣體生成層根據(jù)因吸收光或者熱量而發(fā)生的分解反應(yīng)來(lái)釋放氮?dú)?、氫氣等，從而可以起到給有機(jī)轉(zhuǎn)印層140的轉(zhuǎn)印提供能量的功能。例如，所述氣體生成層可以包含季戍四醇四硝酸酯(pentaerythritol tetranitrate)、三硝基甲苯(trinitrotoluene)等。另外,所述金屬反射層通過(guò)反射向供體基板100照射的激光，以便于向光熱轉(zhuǎn)換層120傳輸更多的能量，并且可以防止從所述氣體生成層生成的氣體向有機(jī)轉(zhuǎn)印層140滲透。例如，所述金屬反射層可以包含如鋁、鑰、鈦、銀、鉬等具有相對(duì)高的反射性的金屬。根據(jù)本發(fā)明示例性的實(shí)施例，供體基板100具有膨脹層150，因此在激光熱轉(zhuǎn)印工序期間膨脹層150可以在被激光照射的部分發(fā)生局部膨脹。即，在所述激光熱轉(zhuǎn)印工序期間，位于轉(zhuǎn)印至顯示基板上的部分的有機(jī)轉(zhuǎn)印層140下方的膨脹層150 —部分可以發(fā)生膨脹。由此，供體基板100的有機(jī)轉(zhuǎn)印層140和在所述顯示基板上轉(zhuǎn)印有有機(jī)轉(zhuǎn)印層140的區(qū)域(形成有機(jī)層圖案的區(qū)域)之間的距離會(huì)減小，因此有效地使有機(jī)轉(zhuǎn)印層140從供體基板100向所述顯示基板上轉(zhuǎn)印，從而可以在所述顯示基板上形成均勻的有機(jī)層圖案。下面，根據(jù)本發(fā)明示例性的實(shí)施例，對(duì)具有與參考圖I進(jìn)行說(shuō)明的供體基板100基本上相同的構(gòu)成的供體基板的制造方法進(jìn)行說(shuō)明。根據(jù)示例性的實(shí)施例，首先準(zhǔn)備襯底基板110之后，可以在襯底基板110上形成膨脹層150。襯底基板110可以由如透明樹(shù)脂基板、玻璃基板、石英基板等透明基板構(gòu)成。例如，襯底基板110可以由包含聚對(duì)苯二甲酸乙二酯(PET)、聚丙烯酸、聚環(huán)氧、聚乙烯、聚苯乙烯、聚酰亞胺、聚碳酸脂、聚醚和/或聚丙烯酸酯等的透明樹(shù)脂基板構(gòu)成。膨脹層150可以由具有相對(duì)高的熱膨脹系數(shù)的熱塑性樹(shù)脂形成。從而，當(dāng)激光向膨脹層150照射時(shí)，膨脹層150的體積可以在局部或者整體上出現(xiàn)膨脹。例如，膨脹層150可以由具有約1.5X10_5/°C以上的熱膨脹系數(shù)的熱塑性低分子聚合物形成。此時(shí)，膨脹層 150可以通過(guò)使用下述樹(shù)脂中的一種或多種而得以形成聚苯乙烯、聚丙烯酸甲酯、聚丙烯酸乙酯、聚丙烯酸丙酯、聚丙烯酸異丙酯、聚丙烯酸正丁酯、聚丙烯酸仲丁酯、聚丙烯酸異丁酯、聚丙烯酸叔丁酯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚甲基丙烯酸乙酯、聚甲基丙烯酸正丁酯、聚甲基丙烯酸正癸酯、聚氯乙烯、聚偏氯乙烯、丙烯腈-丁二烯-苯乙烯共聚物等。并且，膨脹層150可以通過(guò)旋涂(spin coating)工序、狹縫涂布(slit coating)工序、凹印涂布(gravurecoating)工序等而形成于襯底基板110上。根據(jù)另一示例性的實(shí)施例，膨脹層150還可以由添加熱塑性樹(shù)脂的聚對(duì)苯二甲酸乙二酯(PET)薄膜形成。一般來(lái)講，在制造聚對(duì)苯二甲酸乙二酯(PET)薄膜的過(guò)程中，通過(guò)縮聚反應(yīng)形成聚對(duì)苯二甲酸乙二酯(PET)樹(shù)脂之后，使用熔融擠出工序而以無(wú)定形狀態(tài)的聚對(duì)苯二甲酸乙二酯(PET)芯(chip)的形態(tài)進(jìn)行切割。然后，使用雙軸拉伸(biaxialdrawing)工序形成聚對(duì)苯二甲酸乙二酯(PET)薄膜。在另一示例性的實(shí)施例中，通過(guò)縮聚反應(yīng)形成聚對(duì)苯二甲酸乙二酯(PET)樹(shù)脂之后，以預(yù)定的濃度向聚對(duì)苯二甲酸乙二酯(PET)樹(shù)脂添加熱塑性樹(shù)脂，從而可以形成添加有熱塑性樹(shù)脂的聚對(duì)苯二甲酸乙二酯(PET)芯。然后，在對(duì)添加有所述熱塑性樹(shù)脂的聚對(duì)苯二甲酸乙二酯(PET)芯實(shí)施雙軸拉伸工序時(shí)，可以得到由熱量膨脹性質(zhì)得以提高的聚對(duì)苯二甲酸乙二酯(PET)薄膜形成的膨脹層150。此時(shí)，由添加有熱塑性樹(shù)脂的聚對(duì)苯二甲酸乙二酯(PET)薄膜構(gòu)成的膨脹層150相比不包含熱塑性樹(shù)脂的聚對(duì)苯二甲酸乙二酯(PET)薄膜，可以具有約高出5倍以上的熱膨脹系數(shù)。并且，當(dāng)膨脹層150由添加有熱塑性樹(shù)脂的聚對(duì)苯二甲酸乙二酯(PET)薄膜形成，并且襯底基板110包括聚對(duì)苯二甲酸乙二酯(PET)時(shí)，實(shí)質(zhì)上襯底基板110和膨脹層150可以形成為一體。在膨脹層150上可以形成有光熱轉(zhuǎn)換層120?？梢酝ㄟ^(guò)使用金屬、金屬氧化物和/或金屬硫化物等而形成光熱轉(zhuǎn)換層120。例如，可以使用如鋁、鎳、鑰、鈦、鋯、銅、釩、鉭、鈀、釕、銥、金、銀、鉬等金屬、或者這些金屬的氧化物、或者這些金屬的硫化物等而形成光熱轉(zhuǎn)換層120。并且，光熱轉(zhuǎn)換層120可以通過(guò)真空沉積工序、電子束(e-beam)沉積工序和/或?yàn)R射工序等而形成于膨脹層150上。在另一示例性的實(shí)施例中，可以通過(guò)使用由包含碳黑、石墨或者紅外線(xiàn)顏料的高分子物質(zhì)形成的有機(jī)物質(zhì)形成光熱轉(zhuǎn)換層120。此時(shí)，光熱轉(zhuǎn)換層120可以通過(guò)輥涂工序、凹印涂布工序、旋涂工序和/或狹縫涂布工序等而形成于膨脹層150上。光熱轉(zhuǎn)換層120上可以形成有絕緣層130?？梢酝ㄟ^(guò)使用有機(jī)物質(zhì)或者無(wú)機(jī)物質(zhì)來(lái)形成絕緣層130。例如，絕緣層130可以通過(guò)使用丙烯酸樹(shù)脂、醇酸樹(shù)脂、硅氧化物、鋁氧化物和/或鎂氧化物等而得以形成。當(dāng)絕緣層130包含有機(jī)物質(zhì)時(shí)，可以通過(guò)實(shí)施涂覆工序和紫外線(xiàn)(UV)硬化工序而在光熱轉(zhuǎn)換層120上形成絕緣層130。當(dāng)絕緣層130包含金屬氧化物時(shí)，可以通過(guò)使用真空沉積工序、電子束沉積工序、濺射工序和/或化學(xué)氣相沉積(CVD)工序等而在光熱轉(zhuǎn)換層120上形成絕緣層130。絕緣層130上可以形成有有機(jī)轉(zhuǎn)印層140。由此，可以提供包括襯底基板110、膨脹層150、光熱轉(zhuǎn)換層120、絕緣層130以及有機(jī)轉(zhuǎn)印層140的供體基板。有機(jī)轉(zhuǎn)印層140可以包括有機(jī)發(fā)光層、空穴注入層、空穴傳輸層、電子注入層、電子傳輸層等。根據(jù)生成的光的顏色而可以使用多種物質(zhì)來(lái)形成有機(jī)轉(zhuǎn)印層140的組成要素。并且，通過(guò)使用旋涂工序、狹縫涂布工序、輥涂工序、凹印涂布工序、真空沉積工序和/或化學(xué)氣相沉積工序等而可以將有機(jī)轉(zhuǎn)印層140形成于絕緣層130上。
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圖2為圖示根據(jù)本發(fā)明另一示例性實(shí)施例的供體基板的截面圖。在圖2所示的供體基板200中，光熱轉(zhuǎn)換層220、絕緣層230以及有機(jī)轉(zhuǎn)印層240的構(gòu)成與參考圖I進(jìn)行說(shuō)明的光熱轉(zhuǎn)換層120、絕緣層130以及有機(jī)轉(zhuǎn)印層140的構(gòu)成基本上相同或者基本上類(lèi)似。如圖2所示，供體基板200可以包括含有用作抗靜電部件的抗靜電劑250的襯底基板210、光熱轉(zhuǎn)換層220、絕緣層230以及有機(jī)轉(zhuǎn)印層240等。襯底基板210可以包括添加有抗靜電劑250的透明基板。其中，所述透明基板可以包含聚對(duì)苯二甲酸乙二酯(PET)、聚丙烯酸、聚環(huán)氧、聚乙烯、聚苯乙烯、聚酰亞胺、聚碳酸脂、聚醚、聚丙烯酸酯等。在另一示例性的實(shí)施例中，襯底基板210和光熱轉(zhuǎn)換層220之間，可以設(shè)置有抗靜電層(未圖示)作為所述抗靜電部件。根據(jù)再一示例性的實(shí)施例，還可以為在襯底基板210的第一面上設(shè)置有光熱轉(zhuǎn)換層220、且襯底基板210的第二面上設(shè)置有抗靜電層(未圖示)。其中，所述第一面和所述第二面基本上可以互相相對(duì)。根據(jù)示例性的實(shí)施例，抗靜電劑250或者所述抗靜電層可以包含含有聚氧乙烯燒基胺(polyoxyethylene alkyl amine)的胺類(lèi)抗靜電物質(zhì)、甘油單體硬脂酸酯(glycerine monomer stearate,簡(jiǎn)稱(chēng)為GMS)類(lèi)抗靜電物質(zhì)、胺類(lèi)抗靜電物質(zhì)和GMS類(lèi)抗靜電物質(zhì)的混合物等。在另一示例性的實(shí)施例中，包含于襯底基板210的抗靜電劑250或者形成于襯底基板210上的抗靜電層還可以包含如注冊(cè)商標(biāo)FC-4400 (美國(guó)3M公司制造)等已得到商業(yè)應(yīng)用的抗靜電物質(zhì)。根據(jù)再一示例性的實(shí)施例，所述抗靜電層或者抗靜電劑250可以包含磺酸鹽(sulfonate)類(lèi)化合物、硫酸鹽(sulfate)類(lèi)化合物、磷酸鹽(phosphate)類(lèi)化合物、這些化合物的混合物等。例如，抗靜電劑250可以包含燒基磺酸鹽、烷基苯磺酸鹽、烷基硫酸鹽、烷基磷酸鹽等。在再一示例性的實(shí)施例中，包含于襯底基板210的抗靜電劑250或者形成于襯底基板210上的抗靜電層還可以包含如三氧化二鐵(Fe2O3)、一氧化鐵(FeO)等具有磁性的金屬氧化物。光熱轉(zhuǎn)換層220可以設(shè)置于包含抗靜電劑250的襯底基板210上。根據(jù)另一不例性的實(shí)施例，襯底基板210和光熱轉(zhuǎn)換層220之間還可以置有所述抗靜電層。在再一示例性的實(shí)施例中，光熱轉(zhuǎn)換層220和所述抗靜電層還可以設(shè)置于襯底基板210的互相相對(duì)的面上。即，光熱轉(zhuǎn)換層220和所述抗靜電層之間設(shè)置有襯底基板210，從而可以互相間隔。光熱轉(zhuǎn)換層220包含金屬、金屬氧化物或者金屬硫化物，或者可以由包含高分子物質(zhì)的有機(jī)物質(zhì)構(gòu)成，所述高分子物質(zhì)包含碳黑、石墨或者紅外線(xiàn)顏料。絕緣層230可以位于光熱轉(zhuǎn)換層220上。絕緣層230包含丙烯酸樹(shù)脂、醇酸樹(shù)脂等有機(jī)絕緣物質(zhì)，或者可以由硅氧化物、鋁氧化物和/或鎂氧化物等金屬氧化物構(gòu)成。絕緣層230上可以設(shè)置有有機(jī)轉(zhuǎn)印層240。有機(jī)轉(zhuǎn)印層240可以包括有機(jī)發(fā)光層、空穴注入層、空穴傳輸層、電子注入層、電子傳輸層等。根據(jù)有機(jī)轉(zhuǎn)印層240的構(gòu)成物質(zhì)，由有機(jī)轉(zhuǎn)印層240生成的、有機(jī)發(fā)光顯示裝置的有機(jī)層圖案(多個(gè))所發(fā)出的顏色光可以不同。當(dāng)使用現(xiàn)有的供體基板來(lái)在有機(jī)發(fā)光顯示裝置的顯示基板上形成有機(jī)層圖案時(shí)，在激光熱轉(zhuǎn)印工序期間，在所述供體基板產(chǎn)生靜電，并且為了去除這種靜電，在實(shí)施激光熱轉(zhuǎn)印工序的腔室內(nèi)設(shè)置了多個(gè)離子發(fā)生器(ionizer)。然而，當(dāng)所述腔室內(nèi)設(shè)置有多個(gè)離子 發(fā)生器時(shí)，用于制造有機(jī)發(fā)光顯示裝置的費(fèi)用會(huì)增加；在形成所述有機(jī)層圖案的期間，將所述腔室的內(nèi)部保持真空狀態(tài)或者以氮?dú)馓畛渌銮皇业膬?nèi)部時(shí)，即使使用離子發(fā)生器也難以去除所述供體基板的靜電。根據(jù)本發(fā)明示例性的實(shí)施例，由于供體基板200可以具有用作抗靜電部件的抗靜電劑250的襯底基板210、或者襯底基板210上設(shè)置有抗靜電層，因此可以防止為了在有機(jī)發(fā)光顯示裝置的顯示基板上形成有機(jī)層圖案而實(shí)施激光熱轉(zhuǎn)印工序的期間在供體基板200中產(chǎn)生靜電的現(xiàn)象。從而，可以從供體基板200的有機(jī)轉(zhuǎn)印層240在顯示基板上均勻地形成有機(jī)層圖案，因此可以提高所述有機(jī)層圖案的發(fā)光特性，并且可以改善有機(jī)發(fā)光顯示裝置的影像質(zhì)量。下面，根據(jù)本發(fā)明其它示例性的實(shí)施例，對(duì)制造具有與參考圖2進(jìn)行說(shuō)明的供體基板200基本上相同的構(gòu)成的供體基板的方法進(jìn)行說(shuō)明。在示例性的實(shí)施例中，可以在形成襯底基板210時(shí)將用作抗靜電部件的抗靜電劑250添加在襯底基板210內(nèi)。抗靜電劑250可以包含胺類(lèi)抗靜電劑、GMS類(lèi)抗靜電劑、或者胺類(lèi)和GMS類(lèi)抗靜電劑的混合物等。根據(jù)另一示例性的實(shí)施例，在襯底基板210的第一面(例如，襯底基板210的前面)或者襯底基板210的第二面(例如，襯底基板210的后面)上還可以形成有用作抗靜電部件的抗靜電層。當(dāng)將抗靜電劑250分散于襯底基板210內(nèi)時(shí)，向構(gòu)成襯底基板210的透明樹(shù)脂添加抗靜電劑250并進(jìn)行混合之后，對(duì)所述透明樹(shù)脂和抗靜電劑250的混合物實(shí)施雙軸拉伸工序,從而可以得到包含抗靜電劑250的襯底基板210。此時(shí)，根據(jù)襯底基板210的構(gòu)成物質(zhì)，以襯底基板210的重量為基準(zhǔn)，可以添加約O. 11 %至約2. 0%左右的含量的抗靜電劑250。例如，當(dāng)襯底基板210包含聚對(duì)苯二甲酸乙二酯(PET)樹(shù)脂時(shí)，可以添加占襯底基板210的全體重量的約O. I %至約O. 5%左右的抗靜電劑250。另一方面，當(dāng)襯底基板210包含聚丙烯樹(shù)脂時(shí)，可以添加以襯底基板210的重量為基準(zhǔn)時(shí)的約O. 5%至約I. 0%左右的含量的抗靜電劑250。另外，當(dāng)襯底基板210包含聚苯乙烯樹(shù)脂時(shí)，襯底基板210內(nèi)的抗靜電劑250的含量可以為襯底基板210重量的約I. 0%至約I. 5%左右?？梢栽谝r底基板210上形成光熱轉(zhuǎn)換層220。作為所述供體基板的抗靜電部件，襯底基板210包含抗靜電劑250或者在襯底基板210的第二面上形成所述抗靜電層時(shí)，可以直接在襯底基板210的第一面上形成光熱轉(zhuǎn)換層220。另外，在襯底基板210的第一面上設(shè)置有所述抗靜電層的情況下，光熱轉(zhuǎn)換層220還可以形成于所述抗靜電層上。
將金屬、金屬氧化物、金屬硫化物等通過(guò)真空沉積工序、電子束沉積工序和/或?yàn)R射工序等沉積于襯底基板210上，從而可以形成光熱轉(zhuǎn)換層220。根據(jù)另一示例性的實(shí)施例，可以通過(guò)使用輥涂工序、凹印涂布工序、旋涂工序和/或狹縫涂布工序等而在襯底基板210上沉積包括高分子物質(zhì)的有機(jī)物質(zhì)來(lái)得到光熱轉(zhuǎn)換層220，所述高分子物質(zhì)可以含有碳黑、石墨、紅外線(xiàn)顏料等?？梢栽诠鉄徂D(zhuǎn)換層220上形成絕緣層230。可以使用有機(jī)絕緣物質(zhì)或者金屬氧化物來(lái)形成絕緣層230。當(dāng)絕緣層230包含有機(jī)絕緣物質(zhì)的情況下，可以通過(guò)實(shí)施涂覆工序以及紫外線(xiàn)硬化工序來(lái)得到絕緣層230。當(dāng)絕緣層230包含金屬氧化物的情況下，可以通過(guò)使用真空沉積工序、電子束沉積工序、濺射工序和/或化學(xué)氣相沉積工序等而在光熱轉(zhuǎn)換層220上形成絕緣層230。在絕緣層230上可以形成有機(jī)轉(zhuǎn)印層240。有機(jī)轉(zhuǎn)印層240可以具有包括有機(jī)發(fā)光層、空穴注入層、空穴傳輸層、電子注入層、電子傳輸層等的多層結(jié)構(gòu)?？梢酝ㄟ^(guò)使用旋涂 工序、狹縫涂布工序、輥涂工序、凹印涂布工序、真空沉積工序和/或化學(xué)氣相沉積工序等來(lái)形成有機(jī)轉(zhuǎn)印層240。圖3為圖示根據(jù)本發(fā)明再一示例性實(shí)施例的供體基板的截面圖。在圖3所示的供體基板300中，襯底基板310、光熱轉(zhuǎn)換層320以及有機(jī)轉(zhuǎn)印層340的構(gòu)成與參考圖I進(jìn)行說(shuō)明的襯底基板110、光熱轉(zhuǎn)換層120以及有機(jī)轉(zhuǎn)印層140的構(gòu)成基本上相同或者基本上類(lèi)似。如圖3所示，供體基板300可以包括襯底基板310、光熱轉(zhuǎn)換層320、將抗靜電劑350作為抗靜電部件而包括的絕緣層330、有機(jī)轉(zhuǎn)印層340等。根據(jù)另一示例性的實(shí)施例，作為抗靜電部件，供體基板300還可以包括設(shè)置于光熱轉(zhuǎn)換層320和絕緣層330之間或者設(shè)置于絕緣層330和有機(jī)轉(zhuǎn)印層340之間的抗靜電層(未圖示)。在圖3中，襯底基板310可以包括如透明樹(shù)脂基板、玻璃基板、石英基板等透明基板。用作襯底基板310的所述透明樹(shù)脂基板可以包含聚對(duì)苯二甲酸乙二酯(PET)類(lèi)樹(shù)脂、聚丙烯酸類(lèi)樹(shù)脂、聚環(huán)氧類(lèi)樹(shù)脂、聚乙烯類(lèi)樹(shù)脂、聚苯乙烯類(lèi)樹(shù)脂、聚酰亞胺類(lèi)樹(shù)脂、聚碳酸脂類(lèi)樹(shù)脂、聚醚類(lèi)樹(shù)脂、聚丙烯酸酯類(lèi)樹(shù)脂等。光熱轉(zhuǎn)換層320可以設(shè)置于襯底基板310上。光熱轉(zhuǎn)換層320可以包含金屬、金屬氧化物、金屬硫化物、含碳物質(zhì)等。絕緣層330可以設(shè)置于光熱轉(zhuǎn)換層320上。當(dāng)光熱轉(zhuǎn)換層320上設(shè)置有所述抗靜電層的情況下，絕緣層330還可以設(shè)置于所述抗靜電層上。絕緣層330可以包含丙烯酸樹(shù)月旨、醇酸樹(shù)脂等有機(jī)絕緣物質(zhì)或者如硅氧化物、鋁氧化物、鎂氧化物等金屬氧化物。在示例性的實(shí)施例中，抗靜電劑350可以分散于絕緣層330內(nèi)。其中，根據(jù)絕緣層330的構(gòu)成物質(zhì)，以絕緣層330的整體重量為基準(zhǔn)，抗靜電劑350的含量可以為約O. 1%至約2. 0%左右。根據(jù)另一示例性的實(shí)施例，所述抗靜電層可以設(shè)置于光熱轉(zhuǎn)換層320和絕緣層330之間或者絕緣層330上?？轨o電劑350或者所述抗靜電層可以包含胺類(lèi)抗靜電物質(zhì)、GMS類(lèi)抗靜電物質(zhì)、胺類(lèi)和GMS類(lèi)抗靜電物質(zhì)的混合物等。在另一示例性的實(shí)施例中，抗靜電劑350或者所述抗靜電層可以包含磺酸鹽類(lèi)化合物、硫酸鹽類(lèi)化合物、磷酸鹽類(lèi)化合物、這些化合物的混合物等。根據(jù)再一示例性的實(shí)施例，抗靜電劑350或者所述抗靜電層還可以包含如一氧化鐵、三氧化二鐵等具有磁性的金屬氧化物。有機(jī)轉(zhuǎn)印層340可以設(shè)置于絕緣層330上或者所述抗靜電層上。有機(jī)轉(zhuǎn)印層340可以包含與參考圖I進(jìn)行說(shuō)明的供體基板100的有機(jī)轉(zhuǎn)印層140基本上相同或者基本上類(lèi)似的物質(zhì)。根據(jù)本發(fā)明示例性的實(shí)施例，由于供體基板300具有包含用作抗靜電部件的抗靜電劑350的絕緣層330或者具有在絕緣層330上設(shè)置的抗靜電層，因此可以有效地防止用于在顯示基板上形成有機(jī)層圖案的激光熱轉(zhuǎn)印工序期間在供體基板300產(chǎn)生靜電的現(xiàn)象。從而，不需要如離子發(fā)生器等進(jìn)一步的靜電發(fā)生防止裝置，從而可以降低有機(jī)發(fā)光顯示裝置的制造費(fèi)用，并可以在所述顯示基板上通過(guò)供體基板300的有機(jī)轉(zhuǎn)印層340均勻地形成有機(jī)層圖案，且提高所述有機(jī)層圖案的發(fā)光特性，從而可以改善有機(jī)發(fā)光顯示裝置的影像質(zhì)量。圖4為圖示根據(jù)本發(fā)明再一示例性實(shí)施例的供體基板的截面圖。在圖4所示的供體基板400中，襯底基板410、光熱轉(zhuǎn)換層420、絕緣層430以及有機(jī)轉(zhuǎn)印層440的構(gòu)成與參考圖I進(jìn)行說(shuō)明的襯底基板110、光熱轉(zhuǎn)換層120、絕緣層130以及有機(jī)轉(zhuǎn)印層140的構(gòu)成基本上相同或者基本上類(lèi)似。如圖4所示，供體基板400可以包括襯底基板410、光熱轉(zhuǎn)換層420、絕緣層430、有機(jī)轉(zhuǎn)印層440以及透明導(dǎo)電層450等，透明導(dǎo)電層450用作抗靜電部件?！ひr底基板410可以包括透明樹(shù)脂基板、玻璃基板、石英基板等。襯底基板410的第一面上可以設(shè)置有光熱轉(zhuǎn)換層420。例如，光熱轉(zhuǎn)換層420可以包含金屬、金屬氧化物、金屬硫化物、含碳物質(zhì)等。絕緣層430可以設(shè)置于光熱轉(zhuǎn)換層420上。例如，絕緣層430可以包含丙烯酸樹(shù)月旨、醇酸樹(shù)脂、硅氧化物、鋁氧化物、鎂氧化物等。有機(jī)轉(zhuǎn)印層440可以位于絕緣層430上。有機(jī)轉(zhuǎn)印層440可以包括有機(jī)發(fā)光層、空穴注入層、空穴傳輸層、電子注入層、電子傳輸層
坐寸ο根據(jù)示例性的實(shí)施例，與所述抗靜電部件相應(yīng)的透明導(dǎo)電層450可以設(shè)置于襯底基板410的第二面上。其中，襯底基板410的第二面基本上可以與所述第一面相對(duì)。S卩，透明導(dǎo)電層450和光熱轉(zhuǎn)換層420可以分別設(shè)置于襯底基板410的相對(duì)面上。透明導(dǎo)電層450是透明的，并且其可以包含具有透明性的導(dǎo)電性金屬氧化物或者具有透明性的傳導(dǎo)性高分子物質(zhì)，以便于其在激光熱轉(zhuǎn)印工序期間能夠使激光透射。例如，透明導(dǎo)電層450可以包含聚苯胺(polyaniline)、聚卩比咯(polypyrrole)、聚噻吩(polythiophene)、聚(3,4-乙烯基二氧噻吩)[poly (3,4-ethylenedioxythiophene)]等透明傳導(dǎo)性高分子物質(zhì)。在另一示例性的實(shí)施例中，透明導(dǎo)電層450可以包含如銻錫氧化物(antimony tin oxide,簡(jiǎn)稱(chēng)為 ΑΤΟ)、銦錫氧化物(indium tin oxide,簡(jiǎn)稱(chēng)為 ITO)、銦鋒氧化物(indium zinc oxide,簡(jiǎn)稱(chēng)為ΙΖ0)、銀氧化物(NbOx)、鋅氧化物(ZnOx)、鎵氧化物(GaOx)、錫氧化物(SnOx)、銦氧化物(InOx)等透明無(wú)機(jī)物質(zhì)。根據(jù)本發(fā)明示例性的實(shí)施例，供體基板400可以將設(shè)置于襯底基板410的一面的、使激光透射的、具有導(dǎo)電性的透明導(dǎo)電層450作為抗靜電部件，因此可以防止由有機(jī)轉(zhuǎn)印層440在顯示基板上形成有機(jī)層圖案的期間在供體基板400上產(chǎn)生的靜電。所以，不需要如離子發(fā)生器等額外的靜電發(fā)生防止裝置，從而可以降低有機(jī)發(fā)光顯示裝置的制造費(fèi)用，并且可以有效地在所述顯示基板上形成均勻的有機(jī)層圖案。圖5至圖7用于說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的制造方法的示意圖。在圖5至圖7中示例性的示出的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的制造方法中使用了具有與參考圖I進(jìn)行說(shuō)明的供體基板100基本上相同或者基本上類(lèi)似的構(gòu)成的供體基板；但是應(yīng)當(dāng)理解在圖5至圖7中示例性的示出的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的制造方法中使用參考圖2至圖4進(jìn)行說(shuō)明的供體基板200、供體基板300、供體基板400，也可以得到具有基本上相同或者基本上類(lèi)似的構(gòu)成的有機(jī)發(fā)光顯示裝置。如圖5所示，可以將具有與參考圖I進(jìn)行說(shuō)明的供體基板100基本上相同的構(gòu)成的供體基板貼緊于有機(jī)發(fā)光顯示裝置的顯示基板上。在示例性的實(shí)施例中，所述顯示基板可以包括形成于基板510上的晶體管、第一層間絕緣膜550、第二層間絕緣膜555、第一電極560、像素限定膜570等。根據(jù)示例性的實(shí)施例，在包含透明絕緣物質(zhì)的基板510上可以形成包括溝道區(qū)域521、源區(qū)域523以及漏區(qū)域525的半導(dǎo)體圖案520?？梢酝ㄟ^(guò)使用非晶硅、包含雜質(zhì)的 非晶硅、多晶硅、包含雜質(zhì)的多晶硅、半結(jié)晶硅和/或包括微結(jié)晶的硅等來(lái)形成半導(dǎo)體圖案520?？梢酝ㄟ^(guò)向半導(dǎo)體圖案520的兩側(cè)注入雜質(zhì)來(lái)形成源區(qū)域523和漏區(qū)域525 ;根據(jù)源區(qū)域523和漏區(qū)域525的形成，可以限定溝道區(qū)域521。可以在基板510上形成覆蓋半導(dǎo)體圖案520的柵絕緣膜530之后在柵絕緣膜530上形成柵電極541。可以通過(guò)使用硅化合物和/或金屬氧化物等來(lái)形成柵絕緣膜530，可以通過(guò)使用金屬、合金、金屬氮化物和/或?qū)щ娦越饘傺趸锏葋?lái)形成柵電極541。在柵絕緣膜530中，柵電極541可以設(shè)置于下部設(shè)置有溝道區(qū)域521的部分上。柵絕緣膜530上可以形成有覆蓋柵電極541的第一層間絕緣膜550?？梢酝ㄟ^(guò)使用硅化合物來(lái)形成第一層間絕緣膜550。第一層間絕緣膜550上可以形成有貫通第一層間絕緣膜550和柵絕緣膜530從而與源區(qū)域523以及漏區(qū)域525接觸的源電極543以及漏電極545。由此，基板510上可以提供有如包括半導(dǎo)體圖案520、柵絕緣膜530、柵電極541、源電極543和漏電極545的薄膜晶體管(TFT)等開(kāi)關(guān)器件。源電極543和漏電極545分別可以使用金屬、合金、金屬氮化物、導(dǎo)電性金屬氧化物等而得以形成。第一層間絕緣膜550上可以形成有覆蓋源電極543和漏電極545的第二層間絕緣膜555?？梢酝ㄟ^(guò)使用透明有機(jī)絕緣物質(zhì)來(lái)形成第二層間絕緣膜555。為了后續(xù)形成的所述有機(jī)發(fā)光顯示裝置的組成要素，第二層間絕緣膜555可以具有基本上平坦的上面。第二層間絕緣膜555上可以形成有貫通第二層間絕緣膜555而與漏電極545連接的第一電極560。第一電極560可以相當(dāng)于所述有機(jī)發(fā)光顯示裝置的像素電極。根據(jù)所述有機(jī)發(fā)光顯示裝置的發(fā)光方式，可以使用具有反射性的物質(zhì)或者透明導(dǎo)電性物質(zhì)來(lái)形成第一電極560。像素限定膜570可以形成于第一電極560的一部分之上?？梢酝ㄟ^(guò)使用有機(jī)物質(zhì)或者無(wú)機(jī)物質(zhì)來(lái)形成像素限定膜570。所述有機(jī)發(fā)光顯示裝置的發(fā)光區(qū)域I可以限定于像素限定膜570上。即，被像素限定膜570所露出的部分的第一電極560可以相當(dāng)于發(fā)光區(qū)域I。再次參考圖5，可以將所述供體基板和所述顯示基板排列成使所述供體基板的有機(jī)轉(zhuǎn)印層140與所述顯示基板的像素限定膜570的上面接觸。在這種情況下，由于像素限定膜570從發(fā)光區(qū)域I的第一電極560上突出，因此有機(jī)轉(zhuǎn)印層140和第一電極560可以間隔有第一間隔Dl。例如，當(dāng)像素限定膜570的厚度約為I μ m左右時(shí)，有機(jī)轉(zhuǎn)印層140和第一電極560之間的第一間隔Dl可以約為I μ m左右。如圖6所示，可以向位于發(fā)光區(qū)域I上部的所述供體基板上照射激光。其中，激光被光熱轉(zhuǎn)換層120吸收并被轉(zhuǎn)換為熱量，從而可以將有機(jī)轉(zhuǎn)印層140轉(zhuǎn)印至發(fā)光區(qū)域I的第一電極上。當(dāng)所述供體基板具有膨脹層150時(shí)，通過(guò)光熱轉(zhuǎn)換層120所吸收的熱量，膨脹層150可以發(fā)生部分膨脹。例如，包含熱膨脹系數(shù)相對(duì)大的熱塑性樹(shù)脂的膨脹層150在發(fā)光區(qū)域I上部發(fā)生膨脹，從而其厚度可以得以增加；由此有機(jī)轉(zhuǎn)印層140和第一電極560之間的第一間隔Dl的減少量相當(dāng)于膨脹層150的厚度的增加量，從而可以減少為第二間隔D2。由于第二間隔D2比第一間隔Dl實(shí)質(zhì)上小，因此即使照射具有相對(duì)而言較小能量的激光，也可以有效地將有機(jī)轉(zhuǎn)印層140向第一電極560上轉(zhuǎn)印。另一方面，根據(jù)膨脹層150的熱膨脹系數(shù)、厚度等和像素限定膜570的厚度來(lái)調(diào)節(jié)有機(jī)轉(zhuǎn)印層140和第一電極560之間的間隔，則可以提高有機(jī)轉(zhuǎn)印層140的轉(zhuǎn)印效率。根據(jù)另一示例性的實(shí)施例，當(dāng)所述供體基板包括用作抗靜電部件的抗靜電劑、抗靜電層或者透明導(dǎo)電層等時(shí)，可以防止在所述供體基板上產(chǎn)生的靜電，因此可以將有機(jī)轉(zhuǎn)印層均勻地轉(zhuǎn)印至第一電極560上。
如圖7所示，可以將所述供體基板從所述顯示基板分離出，從而可以在發(fā)光區(qū)域I的第一電極560和像素限定膜570的側(cè)壁上形成有機(jī)層圖案580。在像素限定膜570和有機(jī)層圖案580上形成第二電極590之后，在第二電極590上設(shè)置保護(hù)層(未圖示)、上部基板等，從而可以制造所述有機(jī)發(fā)光顯示裝置。根據(jù)所述有機(jī)發(fā)光顯示裝置的發(fā)光方式，第二電極590也可以通過(guò)使用具有反射性的物質(zhì)或者透明導(dǎo)電性物來(lái)得以形成。根據(jù)本發(fā)明示例性的實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的制造方法中，可以使用具有膨脹層150的供體基板來(lái)形成有機(jī)層圖案580。所述供體基板的有機(jī)轉(zhuǎn)印層140中，在轉(zhuǎn)印至第一電極560上的部分膨脹層150的厚度是增加的，因此可以減少有機(jī)轉(zhuǎn)印層140和第一電極560之間的距離。由此可以從所述供體基板有效地分離出有機(jī)轉(zhuǎn)印層140。并且，即使照射輸出較小的激光，也可以轉(zhuǎn)印有機(jī)轉(zhuǎn)印層140，因此可以在第一電極560上有效地形成有機(jī)層圖案580。另一方面，由于所述供體基板可以包括用作抗靜電部件的抗靜電劑、抗靜電層或者透明導(dǎo)電層，因此可以防止在將所述供體基板的有機(jī)轉(zhuǎn)印層向所述顯示基板上轉(zhuǎn)印的期間在所述供體基板產(chǎn)生的靜電。從而可以由所述供體基板的有機(jī)轉(zhuǎn)印層均勻地形成所述顯示裝置的有機(jī)層圖案，因此可以改善所述有機(jī)層圖案的發(fā)光特性，并且可以提高所述有機(jī)發(fā)光顯示裝置所顯示的影像的質(zhì)量。以上，說(shuō)明了本發(fā)明的示例性的實(shí)施例，但是所屬技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員能夠明白，在不脫離所述權(quán)利要求書(shū)中說(shuō)明的本發(fā)明的技術(shù)思想和技術(shù)領(lǐng)域的范圍內(nèi)能夠?qū)Ρ景l(fā)明進(jìn)行多種修改和變形。工業(yè)可利用性根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，供體基板包括膨脹層、抗靜電劑、抗靜電層或者透明導(dǎo)電層，從而可以由所述供體基板的有機(jī)轉(zhuǎn)印層在顯示基板上有效且均勻地形成發(fā)光性質(zhì)得以提高的有機(jī)層圖案。包括這種有機(jī)層圖案的有機(jī)發(fā)光顯示裝置可以呈現(xiàn)出質(zhì)量改善的影像，因此可以適用于如HD電視、智能手機(jī)、移動(dòng)通信器械等要求高分辨率影像的多種電子器械中。
權(quán)利要求
1.一種供體基板,包括 襯底基板； 膨脹層，設(shè)置于所述襯底基板上； 光熱轉(zhuǎn)換層，設(shè)置于所述膨脹層上； 絕緣層，設(shè)置于所述光熱轉(zhuǎn)換層上；以及 有機(jī)轉(zhuǎn)印層，設(shè)置于所述絕緣層上。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的供體基板，其特征在于， 所述膨脹層包含熱膨脹系數(shù)在I. 5X10_5/°C以上的物質(zhì)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的供體基板，其特征在于， 所述膨脹層包含熱塑性樹(shù)脂。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的供體基板，其特征在于， 所述膨脹層包含選自聚苯乙烯、聚丙烯酸甲酯、聚丙烯酸乙酯、聚丙烯酸丙酯、聚丙烯酸異丙酯、聚丙烯酸正丁酯、聚丙烯酸仲丁酯、聚丙烯酸異丁酯、聚丙烯酸叔丁酯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚甲基丙烯酸乙酯、聚甲基丙烯酸正丁酯、聚甲基丙烯酸正癸酯、聚氯乙烯、聚偏氯乙烯以及丙烯腈-丁二烯-苯乙烯共聚物中的任意一種。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的供體基板，其特征在于， 所述襯底基板包含熱塑性樹(shù)脂，并且所述襯底基板和所述膨脹層形成為一體。
6.—種供體基板,包括 襯底基板； 光熱轉(zhuǎn)換層，設(shè)置于所述襯底基板的第一面上； 絕緣層，設(shè)置于所述光熱轉(zhuǎn)換層上； 有機(jī)轉(zhuǎn)印層，設(shè)置于所述絕緣層上；以及 抗靜電部件，設(shè)置于所述襯底基板或所述絕緣層。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的供體基板，其特征在于， 所述抗靜電部件包含分散于所述襯底基板內(nèi)的抗靜電劑。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的供體基板，其特征在于， 所述抗靜電劑的含量為以所述襯底基板的重量為基準(zhǔn)時(shí)的O. 1%至2. 0%。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的供體基板，其特征在于， 所述抗靜電劑包含選自甘油單體硬脂酸酯類(lèi)抗靜電物質(zhì)、胺類(lèi)抗靜電物質(zhì)以及具有磁性的金屬氧化物的一種。
10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的供體基板，其特征在于，所述抗靜電部件包含分散于所述絕緣層內(nèi)的抗靜電劑。
11.根據(jù)權(quán)利要求6所述的供體基板，其特征在于，所述抗靜電部件包括設(shè)置于所述襯底基板的第二面上的透明導(dǎo)電層。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的供體基板，其特征在于， 所述透明導(dǎo)電層包含導(dǎo)電性金屬氧化物或者傳導(dǎo)性高分子物質(zhì)。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的供體基板，其特征在于， 所述透明導(dǎo)電層包含選自聚苯胺、聚吡咯、聚噻吩、聚(3，4_乙烯基二氧噻吩)、銻錫氧化物、銦錫氧化物、銦鋅氧化物、鈮氧化物、鋅氧化物、鎵氧化物、錫氧化物以及銦氧化物的一種。
14.一種供體基板的制造方法，包括 形成襯底基板； 在所述襯底基板上形成膨脹層； 在所述膨脹層上形成光熱轉(zhuǎn)換層； 在所述光熱轉(zhuǎn)換層上形成絕緣層；以及 在所述絕緣層上形成有機(jī)轉(zhuǎn)印層。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的供體基板的制造方法，其特征在于， 通過(guò)旋涂工序、狹縫涂布工序或者凹印涂布工序，將熱塑性樹(shù)脂涂覆于所述襯底基板上，從而形成所述膨脹層。
16.根據(jù)權(quán)利要求14所述的供體基板的制造方法，其特征在于， 使用包含熱塑性樹(shù)脂的聚對(duì)苯二甲酸乙二酯樹(shù)脂來(lái)形成所述膨脹層。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的供體基板的制造方法，其特征在于， 通過(guò)實(shí)施雙軸拉伸工序來(lái)形成所述膨脹層。
18.一種供體基板的制造方法，包括 形成襯底基板； 在所述襯底基板的第一面上形成光熱轉(zhuǎn)換層； 在所述光熱轉(zhuǎn)換層上形成絕緣層； 在所述絕緣層上形成有機(jī)轉(zhuǎn)印層；以及 在所述襯底基板或所述絕緣層或者所述襯底基板的第二面上形成抗靜電部件。
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的供體基板的制造方法，其特征在于， 形成所述抗靜電部件的步驟包括將抗靜電劑分散于所述襯底基板內(nèi)。
20.根據(jù)權(quán)利要求18所述的供體基板的制造方法，其特征在于， 形成所述抗靜電部件的步驟包括將抗靜電劑分散于所述絕緣層內(nèi)。
21.根據(jù)權(quán)利要求18所述的供體基板的制造方法，其特征在于， 形成所述抗靜電部件的步驟包括在所述襯底基板的第二面上形成透明導(dǎo)電層。
22.—種有機(jī)發(fā)光顯示裝置的制造方法，包括 在基板上形成下部電極； 在所述下部電極上形成限定像素區(qū)域的像素限定膜； 形成供體基板，所述供體基板包括 襯底基板； 膨脹層，形成于所述襯底基板上； 光熱轉(zhuǎn)換層，形成于所述膨脹層上；以及 有機(jī)轉(zhuǎn)印層，形成于所述光熱轉(zhuǎn)換層上； 使所述有機(jī)轉(zhuǎn)印層對(duì)應(yīng)于所述基板的像素區(qū)域并且將所述供體基板貼合于所述基板；以及 向與所述像素區(qū)域?qū)?yīng)的所述供體基板照射激光，從而由所述有機(jī)轉(zhuǎn)印層在所述像素區(qū)域上形成有機(jī)層圖案。
23.根據(jù)權(quán)利要求22所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的制造方法，其特征在于，所述供體基板還包括形成于所述光熱轉(zhuǎn)換層和所述有機(jī)轉(zhuǎn)印層之間的絕緣層。
24.一種有機(jī)發(fā)光顯示裝置的制造方法，包括 在基板上形成下部電極； 在所述下部電極上形成限定像素區(qū)域的像素限定膜； 形成供體基板，所述供體基板包括 襯底基板； 光熱轉(zhuǎn)換層，形成于所述襯底基板的第一面上； 絕緣層，形成于所述光熱轉(zhuǎn)換層上； 有機(jī)轉(zhuǎn)印層，形成于所述絕緣層上；以及 抗靜電部件，形成于所述襯底基板或所述絕緣層或者所述襯 底基板的第二面； 使所述有機(jī)轉(zhuǎn)印層對(duì)應(yīng)于所述基板的像素區(qū)域并且將所述供體基板貼合于所述基板；以及 向與所述像素區(qū)域?qū)?yīng)的所述供體基板照射激光，從而由所述有機(jī)轉(zhuǎn)印層在所述像素區(qū)域上形成有機(jī)層圖案。
25.根據(jù)權(quán)利要求24所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的制造方法，其特征在于， 所述抗靜電部件包括形成于所述襯底基板的第二面上的透明導(dǎo)電層，。
26.根據(jù)權(quán)利要求24所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的制造方法，其特征在于， 所述抗靜電部件包含分散于所述絕緣層內(nèi)的抗靜電劑。
27.根據(jù)權(quán)利要求24所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的制造方法，其特征在于， 所述抗靜電部件包含 分散于所述襯底基板內(nèi)的抗靜電劑。
全文摘要
供體基板包括襯底基板、設(shè)置于所述襯底基板上的膨脹層、設(shè)置于所述膨脹層上的光熱轉(zhuǎn)換層、設(shè)置于所述光熱轉(zhuǎn)換層上的絕緣層以及設(shè)置于所述絕緣層上的有機(jī)轉(zhuǎn)印層。所述供體基板可以向有機(jī)發(fā)光顯示裝置有效地轉(zhuǎn)印有機(jī)轉(zhuǎn)印層。
文檔編號(hào)H01L21/77GK102891263SQ20121008466
公開(kāi)日2013年1月23日 申請(qǐng)日期2012年3月27日 優(yōu)先權(quán)日2011年7月19日
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