專利名稱：供體襯底、制造供體襯底的方法、有機發(fā)光顯示裝置以及制造有機發(fā)光顯示裝置的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
示例性的實施方式涉及供體襯底、制造供體襯底的方法、有機發(fā)光顯示裝置以及制造有機發(fā)光顯示裝置的方法。示例性實施方式涉及用于轉(zhuǎn)移有機發(fā)光顯示裝置的有機層的供體襯底、制造該供體襯底的方法、利用該供體襯底制造的有機發(fā)光顯示裝置以及利用該供體襯底制造有機發(fā)光顯示裝置的方法。
背景技術(shù)：
有機發(fā)光顯示(OLED)裝置可以利用通過其有機層中的陽極提供的空穴與陰極提供的電子的結(jié)合而產(chǎn)生的光來顯示期望的信息，例如，圖像、文字和/或字符。為了形成OLED裝置的有機層，已采用了以下工序利用噴墨、旋涂或噴嘴的印刷工序、在將各層沉積之后的構(gòu)圖工序以及利用熱量或激光的轉(zhuǎn)印工序。例如，因為有機層可以通過相對簡單的步驟或工序進行精細構(gòu)圖，所以廣泛使用激光熱轉(zhuǎn)印(LITI)工序來形成有機層。對于LITI工序來說，光源產(chǎn)生的光可以被供體襯底的光熱轉(zhuǎn)換層吸收，以使光能可以轉(zhuǎn)換為熱能或熱量。通過熱能或熱量，可以將轉(zhuǎn)移層轉(zhuǎn)移到預(yù)定的裝置襯底上。然而，轉(zhuǎn)移層可能被熱能或熱量損壞。此外，可能不容易將轉(zhuǎn)移層與供體襯底分離或分開，因而不能精確地將轉(zhuǎn)移層轉(zhuǎn)移到裝置襯底的預(yù)定區(qū)域上。

發(fā)明內(nèi)容
示例性實施方式提供了供體襯底，以用于有效地轉(zhuǎn)移有機層并且改進電特性和物理特性。示例性實施方式提供了制造供體襯底的方法，以用于有效地轉(zhuǎn)移有機層，確保改進的電特性和物理特性。示例性實施方式提供了包括有機層的有機發(fā)光顯示裝置，其具有改進的電特性和物理特性。示例性實施方式提供了制造具有改進的電特性和物理特性的、包括有機層的有機發(fā)光顯示裝置的方法。根據(jù)示例性實施方式，提供了一種供體襯底。該供體襯底可具有基底層、在基底層上的光熱轉(zhuǎn)換層、在光熱轉(zhuǎn)換層上的中間層、在中間層上的低分子量轉(zhuǎn)移層以及在低分子量轉(zhuǎn)移層上的有機轉(zhuǎn)移層。低分子量轉(zhuǎn)移層可包括第I主族中的元素或者第I主族和第VII主族中的元素的化合物。
在示例性實施方式中，低分子量轉(zhuǎn)移層可包括鋰(Li)、鈉(Na)、銫(Cs)、鉀(K)、氟化鋰(LiF)、氟化鉀(KF)、氟化銫(CsF)、碘化鋰(LiI)或者碘化鉀(KI)。這些可以單獨地使用或者以其混合物使用。在示例性實施方式中，中間層可包括具有親水性的經(jīng)處理的上表面。低分子量轉(zhuǎn)移層可通過偶極相互作用或者靜電吸引與中間層的經(jīng)處理的上表面結(jié)合。根據(jù)示例性實施方式，提供了一種有機發(fā)光顯示裝置。該有機發(fā)光顯示裝置可包括在下部襯底上的第一電極、在所述第一電極上的空穴傳輸層、在所述空穴傳輸層上的發(fā)射層、在所述發(fā)射層上的低分子量層、在所述低分子量層上的電子傳輸層以及在所述電子傳輸層上的第二電極。低分子量層可包括第I主族中的元素或者第I主族和第VII主族中的元素的化合物。在示例性實施方式中，低分子量層可包括鋰(Li)、鈉(Na)、銫(Cs)、鉀(K)、氟化鋰(LiF),氟化鉀(KF)、氟化銫(CsF)、碘化鋰(LiI)或者碘化鉀(KI)。這些可以單獨地使用或者以其混合物使用。 在示例性實施方式中，低分子量層可具有約3A到約100人的厚度。根據(jù)示例性實施方式，提供了一種制造供體襯底的方法。在該方法中，可以在基底層上形成光熱轉(zhuǎn)換層?？梢栽谒龉鉄徂D(zhuǎn)換層上形成中間層?？梢栽谒鲋虚g層上進行包括紫外處理或者等離子體處理的表面處理，以形成所述中間層的經(jīng)處理的上表面?？梢栽谒鲋虚g層的所述經(jīng)處理的上表面上利用低分子量材料形成低分子量轉(zhuǎn)移層。低分子量材料可包括第I主族中的元素或者第I主族和第VII主族中的元素的化合物。可以在所述低分子量轉(zhuǎn)移層上形成有機轉(zhuǎn)移層。在示例性實施方式中，低分子量轉(zhuǎn)移層可包括鋰(Li)、鈉(Na)、銫(Cs)、鉀(K)、氟化鋰(LiF)、氟化鉀(KF)、氟化銫(CsF)、碘化鋰(LiI)或碘化鉀(KI)。這些可以單獨地使用或者以混合物使用。在示例性實施方式中，可以通過真空蒸發(fā)工序或者濺射工序形成所述低分子量轉(zhuǎn)移層。在示例性實施方式中，中間層的經(jīng)處理的上表面可具有親水性，經(jīng)處理的上表面可具有懸掛鍵。在示例性實施方式中，低分子量材料可以通過偶極相互作用或者靜電吸引與所述懸掛鍵結(jié)合。在示例性實施方式中，可以在進行紫外處理或者等離子體處理之前，在所述中間層上還進行熱處理。在示例性實施方式中，在約60° C到約150° C的溫度下進行所述熱處理。根據(jù)示例性實施方式，提供了一種制造有機發(fā)光顯示裝置的方法。在該方法中，可以制備包括第一電極和部分暴露所述第一電極的像素限定層的裝置襯底?？梢孕纬晒w襯底，所述供體襯底包括基底層、光熱轉(zhuǎn)換層、中間層、低分子量轉(zhuǎn)移層以及有機轉(zhuǎn)移層。低分子量轉(zhuǎn)移層可包括第I主族中的元素或者第I主族和第VII主族中的元素的化合物。可以在所述裝置襯底之上設(shè)置所述供體襯底，以使有機轉(zhuǎn)移層可以面對裝置襯底的第一電極?？梢詫⒓す馐丈湓谒龉w襯底上，以將所述低分子量轉(zhuǎn)移層的一部分和所述有機轉(zhuǎn)移層的一部分轉(zhuǎn)移到被暴露的第一電極上，從而形成相繼層疊在所述被暴露的第一電極上的有機層和低分子量層。可以在所述低分子量層上形成電子傳輸層?？梢栽谒鲭娮觽鬏攲由闲纬傻诙姌O。在示例性實施方式中，中間層可包括具有親水性的經(jīng)處理的上表面。低分子量轉(zhuǎn)移層可以通過偶極相互作用或者靜電吸引與所述中間層的經(jīng)處理的上表面結(jié)合。在示例性實施方式中，在制備所述裝置襯底之后，還可以在所述像素限定層和被暴露的第一電極上形成空穴傳輸層。有機層可以形成在所述空穴傳輸層的一部分上和所述像素限定層的側(cè)壁上。有機層可以對應(yīng)于所述有機發(fā)光顯示裝置的發(fā)射層。在示例性實施方式中，有機轉(zhuǎn)移層可包括形成在所述低分子量轉(zhuǎn)移層上的發(fā)射層和形成在所述發(fā)射層上的空穴傳輸層。
在示例性實施方式中，有機層可以形成在被暴露的第一電極上和所述像素限定層的側(cè)壁上，所述低分子量層可以形成在所述有機層上和所述像素限定層的所述側(cè)壁上。在示例性實施方式中，可以通過激光熱轉(zhuǎn)印(LITI)工序、噴嘴印刷工序、噴墨印刷工序、或者壓印工序形成所述電子傳輸層。在示例性實施方式中，所述有機層、所述低分子量層和所述電子傳輸層可以由凹槽限定。所述凹槽可以由被暴露的第一電極和所述像素限定層的側(cè)壁限定。根據(jù)示例性實施方式，可以在供體襯底的中間層上進行熱處理、等離子體處理和/或紫外處理，以使得中間層的表面性能可以得到改善。因此，形成在中間層上的有機轉(zhuǎn)移層可以具有改善的表面性能。此外，有機轉(zhuǎn)移層可以通過少量能量容易地轉(zhuǎn)移到裝置襯底上。另外，可以在中間層與有機轉(zhuǎn)移層之間形成包括第I主族中的元素或者第I-VII主族中的元素的化合物的低分子量轉(zhuǎn)移層，以使得有機轉(zhuǎn)移層可以更加容易地與中間層分離或者轉(zhuǎn)移到裝置襯底上。另外，可以提高有機轉(zhuǎn)移層的電特性。


示例性實施方式將通過以下詳細的說明連同考慮附圖得到更好的理解。圖I至7代表本文中描述的非限制性的、示例性的實施方式。圖I是示出依照示例性實施方式的供體襯底的截面圖；圖2至4是示出依照示例性實施方式的制造供體襯底的方法的截面圖；圖5是示出依照示例性實施方式的有機發(fā)光顯示裝置的截面圖；圖6是示出依照一些示例性實施方式的有機發(fā)光顯示裝置的截面圖；圖7是示出依照一些示例性實施方式的有機發(fā)光顯示裝置的截面圖；圖8至11是示出依照示例性實施方式的制造有機發(fā)光顯示裝置的方法的截面圖；圖12至14是示出依照一些示例性實施方式的制造有機發(fā)光顯示裝置的方法的截面圖；以及圖15和16是示出依照一些示例性實施方式的制造有機發(fā)光顯示裝置的方法的截面圖。
具體實施例方式下文中將參照附圖更全面地描述各種示例性實施方式，在附圖中示出了一些示例性實施方式。然而，本申請實施方式可以以不同的形式體現(xiàn)，而且不應(yīng)解釋為受本文所提及的示例性實施方式限制。相反，這些示例性實施方式被提供以使得說明書全面和完整，并且將本申請實施方式的范圍充分傳遞給本領(lǐng)域技術(shù)人員。在附圖中，層和區(qū)域的尺寸以及相對尺寸可以被夸大，以用于清楚地示出。應(yīng)該理解，當一個元件或一層被稱為“在”另一個元件或另一層“上”、“連接至”或者“耦接至”另一個元件或另一層時，其能夠直接在另一個元件或另一層上、連接至或者耦接至另一個元件或另一層、或者可存在介于它們之間的元件或?qū)印Ｏ喾?，當一個元件被稱為“直接在”另一個元件或另一層“上”、“直接連接至”或者“直接耦接至”另一個元件或另一層時，不存在介于它們之間的元件或?qū)?。在整個說明書中，相同的標號指示相同的元件。如本文所使用的，術(shù)語“和/或”包含一個或多個所列相關(guān)項的任何以及全部組合。應(yīng)該理解，雖然本文中可能使用第一、第二、第三等術(shù)語描述不同元件、部件、區(qū) 域、層和/或段，但是這些元件、部件、區(qū)域、層和/或段不應(yīng)該受到這些術(shù)語的限制。這些術(shù)語僅用于將一個元件、部件、區(qū)域、層或段與另一個區(qū)域、層或段區(qū)別。因此，以下所討論的第一元件、部件、區(qū)域、層或段能夠被稱為第二元件、部件、區(qū)域、層或段，而不偏離本申請實施方式的教導(dǎo)。為了便于說明，在本文中可以使用諸如“在…之下(beneath)”、“在…下面(below)”、“下部(l0Wer)”、“在…之上(above)”、“上部(upper)”等空間相對術(shù)語，來描述在附圖中示出的一個元件或特征與另一元件或特征的關(guān)系。應(yīng)該理解，除了附圖中描繪的方位之外，空間相對術(shù)語還旨在包含裝置在使用或運行時的不同方位。例如，如果附圖中的裝置被翻轉(zhuǎn)，那么被描述為“在”另一些元件或特征“下面”或“之下”的元件應(yīng)該被定為“在”所述另一些元件或特征“之上”。因此，示例性術(shù)語“在…下面”能夠包含上下兩個方位。裝置可以以其它方式定向(旋轉(zhuǎn)90度或者在其它方位上)，而且本文所使用的空間相對描述相應(yīng)地進行解釋。本文中使用的術(shù)語僅用于描述具體的示例性實施方式，而非旨在限制本申請實施方式。如本文所使用的，單數(shù)形式“a”、“an”和“the”旨在同樣包括復(fù)數(shù)形式，除非上下文中清楚地另有所指。還應(yīng)該理解，術(shù)語“包括(comprises)”和/或“包括(comprising)”在說明書中使用時，指定所規(guī)定的特征、整體、步驟、操作、元件和/或部件的存在，但是不排除一個或多個其它特征、整體、步驟、操作、元件、部件和/或其組合的存在或添加。本文中的示例性實施方式參照橫截面圖來描述，這些橫截面圖是理想化的示例性實施方式(和中間結(jié)構(gòu))的示意性示圖。因而，例如作為制造技術(shù)結(jié)果的圖示形狀的變化和/或容差應(yīng)在意料之中。因此，示例性實施方式應(yīng)該不被解釋為受到本文所示的特殊形狀的區(qū)域限制，而將包括例如因制造而導(dǎo)致的形狀偏差。例如，示出為矩形的注入?yún)^(qū)通?？删哂袌A形或彎曲的特征，和/或在其邊緣處注入濃度的梯度與注入非注入?yún)^(qū)之間不是二元變化。同樣地，通過注入形成的掩埋區(qū)可能在掩埋區(qū)與發(fā)生注入的表面之間的區(qū)域中產(chǎn)生一些注入。因此，附圖中示出的區(qū)域在本質(zhì)上是示意性地，并且其形狀并不試圖示出裝置區(qū)域的實際形狀，而且不試圖限制本申請實施方式的范圍。除非另有限定，本文所使用的所有術(shù)語(包括技術(shù)和科學(xué)術(shù)語)具有與本申請實施方式所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員通常理解的相同的含義。還應(yīng)該理解，諸如在常用字典中限定的那些術(shù)語應(yīng)該被解釋為具有與在相關(guān)領(lǐng)域的上下文中的含義一致的含義，并且將不在理想化或過度形式化意義下解釋，除非本文清楚地如此限定。圖I是示出依照示例性實施方式的供體襯底的截面圖。參見圖1，供體襯底10可包括基底層20、光熱轉(zhuǎn)換(LTHC)層30、中間層40、低分子量轉(zhuǎn)移層50 (在下文中，被稱為LMT層)以及有機轉(zhuǎn)移層60?；讓?0可以足夠透明，以將光透射到LTHC層30。此外，基底層20可具有預(yù)定的機械強度，以充當支撐層。例如，基底層20可包括透明聚合物，諸如基于聚對苯二甲酸乙二酯(PET)的樹脂、基于聚丙烯酸的樹脂、基于聚環(huán)氧的樹脂、基于聚乙烯的樹脂、基于聚苯乙烯的樹脂、基于聚酰亞胺的樹脂、基于聚碳酸酯的樹脂、基于聚醚的樹脂、基于聚丙烯酸酯的樹脂等。這些可單獨或者結(jié)合地使用?？蛇x地，基底層20可包括玻璃、石英或其他透明陶瓷材料。
在基底層20上可設(shè)置LTHC層30。LTHC層30可吸收具有紅外-紫外(IR-UV)波長的光，以將光轉(zhuǎn)換為熱能。因此，LTHC層30可包括具有預(yù)定光學(xué)密度和所需的光吸收率的材料。例如，LTHC層30可包括諸如鋁(Al)、鎳(Ni)、鑰(Mo)、鈦(Ti)、鋯(Zr)、銅(Cu)、鑰;(V)、鉭(Ta)、鈕(Pd)、釕(Ru)、銥(Ir)、金(Au)、銀(Ag)或鉬(Pt)的金屬、這些金屬的氧化物、這些金屬的硫化物、碳黑、石墨、包含諸如紅外顏料的光吸收材料的聚合物等。這些材料可以單獨使用或結(jié)合使用。LTHC層30可以具有單層結(jié)構(gòu)或者包括上述材料的多層結(jié)構(gòu)。在LTHC層30上可以設(shè)置中間層40。中間層40可以防止LMT層50和/或有機轉(zhuǎn)移層60被LTHC層30的光吸收材料污染。例如，中間層40可包括丙烯酸樹脂或醇酸樹脂。在示例性實施方式中，中間層40可具有上表面40a，可以通過包括熱處理、UV處理和/或等離子體處理的表面處理來處理上表面40a。上表面40a可以通過熱處理確保增強的表面均勻性，或者可以通過UV處理或等離子體處理而具有親水性。在中間層40上可以設(shè)置LMT層50。在示例性實施方式中，LMT層50可包括低分子量材料，該低分子量材料包含第I主族中的元素或者第I主族和第VII主族中的元素的化合物。例如，LMT層50可包括鋰(Li)、鈉(Na)、銫(Cs)、鉀(K)、氟化鋰(LiF)、氟化鉀(KF)、氟化銫(CsF)，碘化鋰(Lil)、碘化鉀(KI)等。這些材料可以單獨使用或者結(jié)合使用。在示例性實施方式中，LMT層50可以具有約3A到約100A的厚度。在示例性實施方式中，中間層40的上表面40a可以通過UV處理和/或等離子體處理而具有親水性，以使得上表面40a可以通過弱偶極相互作用和/或靜電吸引與暴露在LMT層50的表面處的低分子量材料結(jié)合。在LMT層50上可設(shè)置有機轉(zhuǎn)移層60。有機轉(zhuǎn)移層60可對應(yīng)于有機發(fā)光顯示(OLED)裝置的發(fā)射層(EML)。有機轉(zhuǎn)移層60可以附加地包括OLED裝置的可選有機層，例如，空穴注入層(HIL)、空穴傳輸層(HTL)、電子注入層(EIL)、電子傳輸層(ETL)等。有機轉(zhuǎn)移層60可以具有包括上述有機層之一的單層結(jié)構(gòu)，或者具有包括上述有機層中的至少兩個的多層結(jié)構(gòu)。有機轉(zhuǎn)移層60可以根據(jù)其中包含的有機層的類型而包括適當?shù)牟牧?。EML可包括用于產(chǎn)生不同顏色的光(例如，紅色光、綠色光或藍色光)的發(fā)光材料中的至少一種。在一些示例性實施方式中，EML可包括發(fā)光材料的混合物，以用于產(chǎn)生白色光。在一些示例性實施方式中，發(fā)光材料可以充當EML的摻雜物材料。在這種情況下，EML還可以包括主體材料。可以依照EML的發(fā)光機制(例如熒光機制或磷光機制)來選擇適當?shù)膿诫s物和主體材料。當EML產(chǎn)生紅色光時，EML例如可包括諸如Alq3(主體)/DCJTB(熒光摻雜物)、Alq3(主體)/DCM (熒光摻雜物)或CBP (主體)/PtOEP (磷光有機金屬絡(luò)合物)的低分子量材料，以及諸如基于PFO (聚(9，9-二辛基芴))的聚合物、基于PPV (聚(對亞苯基亞乙烯基))的聚合物等的聚合物。在EML產(chǎn)生綠色光的情況下，EML可包括諸如Alq3 (主體)/C545t (摻雜物)或者CBP (4，4’ -雙(咔唑-9-基)聯(lián)苯基)(主體)/IrPPy (磷光有機金屬絡(luò)合物)的低分子量材料以及諸如基于PFO的聚合物、基于PPV的聚合物等的聚合物。當EML產(chǎn)生藍色光時，EML可包括諸如DPVBi、螺-DPVBi、螺_6P、DSB或DSA的低分子量材料，以及諸如基于PFO的聚合物、基于PPV的聚合物等的聚合物。 HIL 可包括 TCTA (三(4_ 咔唑 _9_ 基苯基)胺)、m_MTDATA (4，4’，4”-三(N_3_ 甲基苯基-N-苯胺基)三苯胺)、m-MTDAPB (I, 3，5-三[4- (3-甲基苯基苯胺基)苯基]苯)、2-TNATA (4，4，，4”_三(N- (2-萘基)-N-苯基-氨基)-三苯基胺)等。HTL可包括NPB、TPD、a-NPD、N_苯基咔唑、聚乙烯基咔唑等。ETL可包括Alq、PBD、TAZ、紅熒烯等。EIL可包括諸如Alq3、Ga絡(luò)合物或PBD的低分子量材料,或者聚合物(諸如基于惡二唑的聚合物)。圖2至4是示出依照示例性實施方式的、制造供體襯底的方法的截面圖。參見圖2，可以在基底層20上相繼形成LTHC層30和中間層40?；讓?0可以利用透明聚合物形成，例如，基于聚對苯二甲酸乙二酯(PET)的樹月旨、基于聚丙烯酸的樹脂、基于聚環(huán)氧的樹脂、基于聚乙烯的樹脂、基于聚苯乙烯的樹脂、基于聚酰亞胺的樹脂、基于聚碳酸酯的樹脂、基于聚醚的樹脂、基于聚丙烯酸酯的樹脂等。這些材料可以單獨使用或者以其混合物使用。可選地，玻璃層或石英層可以應(yīng)用為基底層20?？梢岳媒饘佟⒔饘傺趸?、金屬硫化物、碳黑、石墨或者包含諸如紅外顏料的光吸收材料的聚合物形成LTHC層30。金屬的示例可包括鋁(Al)、鎳(Ni )、鑰(Mo)、鈦(Ti )、錯(Zr)、銅(Cu)、f凡(V)、鉭(Ta)、|fi(Pd)、釕(Ru)、銥(Ir)、金(Au)、銀(Ag)、鉬(Pt)等。當LTHC層30包括金屬、金屬氧化物、金屬硫化物、碳塊或碳黑時，可以通過真空蒸發(fā)工藝、電子束蒸發(fā)工藝、濺射工藝等獲得LTHC層30。當LTHC層30包括聚合物時，LTHC層30可以通過涂布工藝獲得，例如，輥式涂布工藝、擠壓涂布工藝、旋轉(zhuǎn)涂布工藝、刮刀涂布工藝等。LTHC層30可具有單層結(jié)構(gòu)或多層結(jié)構(gòu)?？梢酝ㄟ^在LTHC層30上沉積丙烯酸樹脂或醇酸樹脂，以在LTHC層30上形成中間層40。例如，可以通過真空蒸發(fā)工藝、熱蒸發(fā)工藝、狹縫涂布工藝、旋轉(zhuǎn)涂布工藝等獲得中間層40 ο參見圖3，可以通過例如熱處理、UV處理和/或等離子體處理的表面處理來處理中間層40的上表面40a。在中間層40的上部形成聚合物的一些鍵或鏈可能因表面處理而斷裂或損壞，從而產(chǎn)生鍵合損失點(bond-loss site)。因此,可以將懸掛鍵(dangling bond)40b暴露在中間層40的上表面40a上,從而可以調(diào)整中間層40的上表面40a，以確保親水性。在一些示例性實施方式中，可以在UV處理或等離子體處理之前在中間層40上進行熱處理?？梢酝ㄟ^熱處理去除可能出現(xiàn)在中間層40的上表面40a的不規(guī)則或不均勻，例如突出部和/或孔。因此，中間層40的上表面40a可以具有均勻的表面形貌。因而，相繼形成在中間層40上的LMT層50和有機轉(zhuǎn)移層60 (參見圖4)也可以具有均勻的表面形貌。因此，利用包括LMT層50和有機轉(zhuǎn)移層60的供體襯底制造的OLED裝置可以具有均勻的發(fā)光和增強的電特性。在一些示例性實施方式中，可以在包含諸如氮氣(N2)或氬氣(Ar)的惰性氣體的氣氛下，或者在真空氣氛下執(zhí)行熱處理，以防止環(huán)境空氣中的原子或雜質(zhì)被捕獲到中間層40中。在示例性實施方式中，可以在約60° C到約150° C的工藝溫度進行熱處理。當熱處理的工藝溫度小于約60° C，不規(guī)則或不均勻可能未充分固化。在工藝溫度超過約150° C的情況下，中間層40可能被熱處理損壞或變形，從而降低了其表面均勻性。 參見圖4，可以在中間層40上相繼形成LMT層50和有機轉(zhuǎn)移層60。在示例性實施方式中，可以利用低分子量材料形成LMT層50，該低分子量材料包含第I主族中的元素或者第I主族和第VII主族中的元素的化合物，諸如鋰(Li)、鈉(Na)、銫(Cs)、鉀(K)、氟化鋰(LiF)、氟化鉀(KF)、氟化銫(CsF)，碘化鋰(Lil)、碘化鉀(KI)等?？梢酝ㄟ^真空蒸發(fā)工藝或者濺射工藝獲得LMT層50。如圖3所示，懸掛鍵40b可以暴露在中間層40經(jīng)處理的上表面40a上，以使得低分子量材料和懸掛鍵40b可以通過偶極相互作用或靜電吸引在二者之間形成相對弱鍵。LMT層50可以具有相對薄的厚度。在示例性實施方式中，LMT層50可以具有約3A到約I OOA的厚度。可以在LMT層50上形成有機轉(zhuǎn)移層60。有機轉(zhuǎn)移層60可以對應(yīng)于OLED裝置的EML。有機轉(zhuǎn)移層60還可以包括OLED裝置的可選有機層。例如，有機轉(zhuǎn)移層60可以附加地包括HTL、HIL、EIL、ETL等。有機轉(zhuǎn)移層60可以依照其中所包含的有機層的類型，利用適當?shù)牟牧闲纬??？梢酝ㄟ^真空蒸發(fā)工藝、旋轉(zhuǎn)涂布工藝、熱蒸發(fā)工藝等獲得有機轉(zhuǎn)移層60。用于形成EML、HIL、HTL、EIL以及ETL的材料可以與參照圖I所描述的那些材料基本相同。因此，此處省略對其的詳細說明。根據(jù)示例性實施方式，可以將LMT層50形成在有機轉(zhuǎn)移層60與中間層40之間。通過偶極相互作用或者靜電吸引，LMT層50可以與中間層40的表面形成相對弱鍵。因此，在進行例如LITI過程的轉(zhuǎn)移過程時，可以通過相對較低的能量或者源功率容易地將LMT層50與中間層40分開或分離，以使得LMT層50可以與有機轉(zhuǎn)移層60 —起轉(zhuǎn)移到裝置襯底上。因此，可以防止在LITI過程中由熱能產(chǎn)生的、有機轉(zhuǎn)移層60的熱損壞或除氣作用(outgassing)。圖5是示出依照示例性實施方式的有機發(fā)光顯示裝置的截面圖。參見圖5，01^0裝置可包括下部襯底110、第一電極120、像素限定層(？00130、!111140、低分子量層160、EML 150、ETL 170以及第二電極180。下部襯底110可包括透明襯底，例如，玻璃襯底、石英襯底、透明塑料襯底等。下部襯底110可包括開關(guān)裝置(未示出)，該開關(guān)裝置具有源電極和漏電極、絕緣結(jié)構(gòu)等。開關(guān)裝置可具有薄膜晶體管(TFT)結(jié)構(gòu)或氧化物半導(dǎo)體裝置。在下部襯底110上可設(shè)置第一電極120。第一電極120可包括透明傳導(dǎo)材料，例如，氧化銦錫(ΙΤ0)、氧化鋅錫(ZTO)、氧化銦鋅(ΙΖ0)、鋅氧化物(ZnOx)、錫氧化物(SnOx)等。在示例性實施方式中，第一電極120可以電連接到開關(guān)裝置的漏電極。第一電極120可以充當向HTL 140中提供空穴的陽極。在第一電極120上可以設(shè)置F1DL 130,以部分暴露第一電極120的表面。因此,可以限定OLED裝置的像素區(qū)I和非像素區(qū)II。TOL 130可以包括感光材料，例如，基于丙烯基的樹脂、聚酰亞胺、苯并環(huán)丁烯(BCB)?？蛇x地，PDL 130可包括非感光材料或無機材料。在PDL 130和被暴露的第一電極120上可設(shè)置HTL 140。HTL 140可以包括例如NPB、TPD、a -NPD, N-苯基咔唑、聚乙烯基咔唑或者這些材料的混合物。在一些示例性實施方式中，HIL可以附加地設(shè)置在HTL 140之下。HIL可以包括例如TCTA、m-MTDATA、m-MTDAPB、2-TNATA或者這些材料的混合物。在像素區(qū)I中的HTL 140上可以設(shè)置EML 150。EML 150可以包括用于產(chǎn)生不同顏色的光(例如，紅色光、綠色光或藍色光)的至少一種發(fā)光材料。在一些不例性實施方式·中，EML 150可包括發(fā)光材料的混合物，以產(chǎn)生白色光。發(fā)光材料可以充當EML 150的摻雜物。在這種情況下，EML 150還可包括具有相對寬帶隙的主體材料。在EML 150上可以設(shè)置低分子量層160。低分子量層160可以包括低分子量材料，該低分子量材料包含第I主族中的元素或者第I主族和第VII主族中的元素的化合物，諸如鋰(Li)、鈉(Na)、銫(Cs)、鉀(K)、氟化鋰(LiF)、氟化鉀(KF)、氟化銫(CsF)，碘化鋰(Lil)、碘化鉀(KI)等。在示例性實施方式中，低分子量層160可以具有約3A到約100人的厚度。在低分子量層160和ETL 140在非像素區(qū)II中的一部分上可以設(shè)置ETL 170oETL170可以包括例如Alq、PBD、TAZ、紅熒烯或者這些材料的混合物。在ETL 170上可以設(shè)置第二電極180。第二電極180可以包括透明傳導(dǎo)材料，例如，氧化銦錫(ΙΤ0)、氧化鋅錫(ZTO)、氧化銦鋅(ΙΖ0)、鋅氧化物(ZnOx)、錫氧化物(SnOx)等。在示例性實施方式中，第二電極180可以充當向ETL 170提供電子的陰極。在一些示例性實施方式中，在ETL 170與第二電極180之間還可以設(shè)置EIL。該EIL可以包括諸如Alq3、Ga絡(luò)合物或PBD的低分子量材料，或者聚合物，諸如基于惡二唑的聚合物。在第二電極180上可以設(shè)置保護層(未示出)和上部襯底(未示出)。保護層和上部襯底中的每個均可包括透明絕緣材料。根據(jù)示例性實施方式，低分子量層160可以設(shè)置在EML 150與ETL 170之間。低分子量層160可以包括第I主族中的元素或者第I主族和第VII主族中的元素的化合物，因而低分子量層160可具有基本類似于ETL或EIL的最低未占用分子軌道(LUMO)能量以及基本比ETL或EIL的最高被占用分子軌道(HOMO)能量低的帶隙能量。因此，低分子量層160可以便于電子傳輸，以及可以阻止空穴傳輸。因此，可以改進EML 150與ETL 170之間的界面處的電特性。圖6是示出依照一些示例性實施方式的有機發(fā)光顯示裝置的截面圖。除了 HTL的形狀之外，圖6中示出的OLED裝置可具有與參照圖5所描述的OLED裝置基本相同或相似的構(gòu)造。因此，相同的參考標號指示相同的元件，并且省略對其的詳細描述。參見圖6，在第一電極120被暴露的部分和I3DL 130的側(cè)壁上可以相繼設(shè)置HTL140a、EML 150a以及低分子量層160a。例如，HTL140a可以選擇性地設(shè)置在像素區(qū)I中。圖7是示出依照一些示例性實施方式的有機發(fā)光顯示裝置的截面圖。除了 ETL的形狀之外，圖7中示出的OLED裝置可具有與參照圖6所描述的OLED裝置基本相同或相似的構(gòu)造。因此，相同的參考標號指示相同的元件，并且省略對其的詳細描述。參見圖7，在第一電極120被暴露的部分和I3DL 130的側(cè)壁上可以相繼設(shè)置HTL140b,EML 150b、低分子量層160b以及ETL 175。例如，包括HTL 140b,EML 150b、低分子量層160b以及ETL 175的有機發(fā)光結(jié)構(gòu)可以由設(shè)置在像素區(qū)I中的I3DL 130來限制。在這種情況下，在I3DL 130和ETL 175上可以設(shè)置第二電極180。有機發(fā)光結(jié)構(gòu)還可以包括位于第一電極120與HTL 140b之間的HIL (未示出)。有機發(fā)光結(jié)構(gòu)還可以包括位于ETL 175與第二電極180之間的EIL (未示出)。圖8至11是示出依照示例性實施方式的、制造有機發(fā)光顯示裝置的方法的截面圖?！⒁妶D8，可以制備裝置襯底100，裝置襯底100包括下部襯底110、形成在下部襯底Iio上的第一電極120以及部分暴露第一電極120的TOL 130。可以在TOL 130和被暴露的第一電極120上形成HTL140。下部襯底110可以是透明襯底，例如，玻璃襯底、石英襯底、透明塑料襯底等。下部襯底110可包括開關(guān)裝置(未示出)，該開關(guān)裝置具有源電極和漏電極、絕緣結(jié)構(gòu)等。開關(guān)裝置可具有TFT或氧化物半導(dǎo)體裝置。可以利用諸如氧化銦錫、氧化鋅錫、氧化銦鋅、鋅氧化物、錫氧化物等的透明傳導(dǎo)材料來形成第一電極120?？梢酝ㄟ^濺射工藝、原子層沉積(ALD)工藝、真空蒸發(fā)工藝、印刷工藝等來獲得第一電極120?？梢詫⒌谝浑姌O120電連接到開關(guān)裝置的漏電極?？梢栽诘谝浑姌O120上形成包括諸如基于丙烯酸的樹脂、聚酰亞胺或苯并環(huán)丁烯的感光材料層。可以通過曝光工序和顯影工序部分地移除感光材料層，以形成TOL 130。在一個不例性實施方式中，可以在第一電極120上形成非感光有機層或者無機材料層，并且可以將非感光有機層或者無機材料層部分地蝕刻，以形成TOL 130?？梢杂蒊3DL 130限定OLED裝置的像素區(qū)I和非像素區(qū)II。在示例性實施方式中，由PDL 130暴露的第一電極120可以位于像素區(qū)I中，PDL 130和第一電極120的一部分可以位于非像素區(qū)II中?？梢岳弥T如NPB、TPD、a _NPD、N_苯基咔唑或聚乙烯基咔唑的空穴傳輸材料，通過真空蒸發(fā)工序、熱蒸發(fā)工序、狹縫涂布工序、旋轉(zhuǎn)涂布工序等形成HTL 140。在一些示例性實施方式中，在形成HTL 140之前，可以在I3DL 130和被暴露的第一電極120上形成HIL(未示出)。在這種情況下，可以在HIL上形成HTL 140?？梢岳弥T如TCTA, m-MTDATA、m-MTDAPB或者2-TNATA，通過真空蒸發(fā)工序、熱蒸發(fā)工序、狹縫涂布工序、旋轉(zhuǎn)涂布工序等來形成HIL。參見圖9，可以在裝置襯底100上配置或者層壓通過與參照圖2至4所描述的工序基本相同或相似的工序而獲得的供體襯底10，以使得有機轉(zhuǎn)移層60可以基本面對裝置襯底100的第一電極120。在示例性實施方式中，有機轉(zhuǎn)移層60可包括OLED裝置的EML。參見圖10，可以通過例如LITI工序?qū)⒉糠諰MT層50和有機轉(zhuǎn)移層60轉(zhuǎn)移到裝置襯底100上。例如，可以將激光束如箭頭所示地照射至供體襯底10中，以使得LMT層50的部分和有機轉(zhuǎn)移層60基本與裝置襯底100的像素區(qū)I交疊的部分可以轉(zhuǎn)移到HTL 140上。因此，可以在HTL 140在像素區(qū)I中的部分上相繼形成EML 150和低分子量層160。
可以將激光束選擇性地照射至供體襯底10與裝置襯底100的像素區(qū)I基本交疊的區(qū)域中。在示例性實施方式中，可以利用掩模(未示出)來照射激光束，該掩模包括可與像素區(qū)I和非像素區(qū)II分別交疊的透明區(qū)和阻擋區(qū)。激光束可以被LTHC層30轉(zhuǎn)換為熱能，并且熱能可以被轉(zhuǎn)移到中間層40中。如上所述，可以通過偶極相互作用或靜電吸引，將LMT層50與具有經(jīng)處理的上表面40a的中間層40結(jié)合。因此，可以通過相對較弱的能量或者較小的激光源功率容易地將LMT層50與中間層40分離或分開，從而使LMT層50與有機轉(zhuǎn)移層60 —起轉(zhuǎn)移到裝置襯底100上。因此，可以避免在進行LITI工序時產(chǎn)生有機轉(zhuǎn)移層60的熱損壞或者除氣現(xiàn)象。參見圖11，可以在HTL 140和低分子量層160上形成ETL 170，然后可以在ETL170上形成第二電極180?？梢岳弥T如Alq、PBD、TAZ或紅熒烯，通過真空蒸發(fā)工序、熱蒸發(fā)工序、狹縫涂布工序、旋轉(zhuǎn)涂布工序等形成ETL 170?？梢岳弥T如氧化銦鋅、氧化銦錫、鋅氧化物或錫氧化物的透明傳導(dǎo)材料，通過濺射工序、ALD工序、真空蒸發(fā)工序、印刷工序等來形成第二電極180。 在示例性實施方式中，在形成第二電極180之前，還可以在ETL170上形成EIL(未示出)?？梢岳弥T如Alq3、Ga絡(luò)合物或PBD的低分子量材料，或者諸如基于惡二唑的聚合物的聚合物來形成EIL。此外，可以在第二電極180上形成保護層(未示出)和上部襯底(未示出)，以獲得根據(jù)示例性實施方式的OLED裝置。圖12至14是示出依照一些示例性實施方式的、制造有機發(fā)光顯示裝置的方法的截面圖。省略了與參照圖8至11所描述的基本相同或相似的工序的詳細說明。參見圖12，可以制備裝置襯底100，裝置襯底100包括下部襯底110、形成在下部襯底110上的第一電極120以及部分暴露第一電極120的TOL 130。可以在裝置襯底100上配置或者層壓通過與參照圖2至4所描述的工序基本相同或相似的工序獲得的供體襯底10，以使得供體襯底10的有機轉(zhuǎn)移層60可以基本面對裝置襯底100的第一電極120。在示例性實施方式中，有機轉(zhuǎn)移層60可以包括OLED裝置的EML和HTL的材料。例如，有機轉(zhuǎn)移層60可以包括相繼層疊在LMT層50上的預(yù)備EML 60a和預(yù)備HTL 60b。參見圖13，可以將激光束如箭頭所示地照射至供體襯底10中，以使得LMT層50和有機轉(zhuǎn)移層60與裝置襯底100的像素區(qū)I基本交疊的部分可以轉(zhuǎn)移到像素區(qū)I中的被暴露的第一電極120上和I3DL 130的側(cè)壁上。因此，可以在像素區(qū)I中的被暴露的電極120上相繼形成HTL 140a、EML 150a以及低分子量層160a。參見圖14，可以進行與參照圖11所示的工序基本相同或相似的工序。從而，可以在TOL 130和低分子量層160a上形成ETL 170，然后可以在ETL 170上形成第二電極180。在一個示例性實施方式中，還可以在ETL 170與第二電極180之間形成EIL (未示出)。此夕卜，可以在第二電極180上形成保護層(未示出)和上部襯底(未示出)，以獲得根據(jù)示例性實施方式的OLED裝置。圖15和16是示出依照一些示例性實施方式的、制造有機發(fā)光顯示裝置的方法的截面圖。參見圖15，可以進行與參照圖12和13所描述的工序基本相同或相似的工序。因此，可以在像素區(qū)I中的被暴露的第一電極120上和TOL 130的側(cè)壁上相繼形成HTL 140b、EML 150b以及低分子量層160b。在這種情況下，HTL 140b,EML 150b以及低分子量層160b可以部分填充凹槽135，凹槽135可由TOL 130的側(cè)壁和被暴露的第一電極120的表面限定。參見圖16，可以在低分子量層160b上和TOL 130的側(cè)壁上形成填充凹槽135的剩余部分的ETL 175。從而，可以形成由被暴露的第一電極120和TOL 130的側(cè)壁限制的、包括HTL 140b、EML 150b、低分子量層160b以及ETL 175的有機發(fā)光結(jié)構(gòu)?？梢岳弥T如Alq、PBD、TAZ或紅熒烯，通過LITI工序、噴嘴印刷工序、噴墨印刷工序、壓印工序等來形成ETL 175。可以在I3DL 130和ETL 175的表面上形成第二電極180。此外，可以在第二電極180上形成保護層(未示出)和上部襯底(未示出)，以獲得根據(jù)示例性實施方式的OLED裝置。
上文是對示例性實施方式的說明，并不應(yīng)解釋為對其的限制。雖然已描述了幾個示例性實施方式，但是本領(lǐng)域技術(shù)人員將容易領(lǐng)會，可以對示例性實施方式進行許多修改，而實質(zhì)上不偏離本申請實施方式的新穎性教導(dǎo)和優(yōu)點。因此，所有這種修改都旨在包含在如權(quán)利要求所限定的本申請實施方式的范圍內(nèi)。在權(quán)利要求書中，方法加功能句式旨在覆蓋本文中所描述的結(jié)構(gòu)，如同進行所列舉的功能那樣，并且不僅覆蓋結(jié)構(gòu)等同物，還覆蓋等同結(jié)構(gòu)。因此，應(yīng)該理解，上文是對各種示例性實施方式的說明，并不應(yīng)解釋為限制所公開的特殊示例性實施方式，并且對所公開的示例性實施方式以及其他示例性實施方式的修改將被包含在所附的權(quán)利要求的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.ー種供體襯底，包括 基底層； 光熱轉(zhuǎn)換層，在所述基底層上； 中間層，在所述光熱轉(zhuǎn)換層上； 低分子量轉(zhuǎn)移層，在所述中間層上，所述低分子量轉(zhuǎn)移層包括第I主族中的元素或者第I主族和第VII主族中的元素的化合物；以及有機轉(zhuǎn)移層，在所述低分子量轉(zhuǎn)移層上。
2.如權(quán)利要求I所述的供體襯底，其中所述低分子量轉(zhuǎn)移層包括選自由鋰、鈉、銫、鉀、氟化鋰、氟化鉀、氟化銫、碘化鋰以及碘化鉀組成的組中的至少ー種。
3.如權(quán)利要求I所述的供體襯底，其中所述中間層包括具有親水性的上表面；以及 其中所述低分子量轉(zhuǎn)移層通過偶極相互作用或者靜電吸引與所述中間層的所述上表面結(jié)合。
4.一種有機發(fā)光顯示裝置，包括 第一電極，在下部襯底上； 空穴傳輸層，在所述第一電極上； 發(fā)射層，在所述空穴傳輸層上； 低分子量層，在所述發(fā)射層上，所述低分子量層包括第I主族中的元素或者第I主族和第VII主族中的元素的化合物； 電子傳輸層，在所述低分子量層上；以及 第二電極，在所述電子傳輸層上。
5.如權(quán)利要求4所述的有機發(fā)光顯示裝置，其中所述低分子量層包括選自由鋰、鈉、銫、鉀、氟化鋰、氟化鉀、氟化銫、碘化鋰以及碘化鉀組成的組中的至少ー種。
6.如權(quán)利要求4所述的有機發(fā)光顯示裝置，其中所述低分子量層具有3A到100人的厚度。
7.一種制造供體襯底的方法，包括 在基底層上形成光熱轉(zhuǎn)換層； 在所述光熱轉(zhuǎn)換層上形成中間層； 在所述中間層上進行表面處理，以形成所述中間層的經(jīng)處理的上表面； 在所述中間層的所述經(jīng)處理的上表面上利用低分子量材料形成低分子量轉(zhuǎn)移層，所述低分子量材料包括第I主族中的元素或者第I主族和第VII主族中的元素的化合物；以及在所述低分子量轉(zhuǎn)移層上形成有機轉(zhuǎn)移層。
8.如權(quán)利要求7所述的方法，其中所述低分子量轉(zhuǎn)移層包括選自由鋰、鈉、銫、鉀、氟化鋰、氟化鉀、氟化銫、碘化鋰以及碘化鉀組成的組中的至少ー種。
9.如權(quán)利要求8所述的方法，其中通過真空蒸發(fā)エ序或者濺射エ序形成所述低分子量轉(zhuǎn)移層。
10.如權(quán)利要求7所述的方法，其中所述表面處理包括紫外處理或者等離子體處理，所述中間層的所述經(jīng)處理的上表面具有親水性，所述經(jīng)處理的上表面具有懸掛鍵。
11.如權(quán)利要求10所述的方法，其中所述低分子量材料通過偶極相互作用或者靜電吸引與所述懸掛鍵結(jié)合。
12.如權(quán)利要求7所述的方法，還包括在進行所述表面處理之前，在所述中間層上進行熱處理。
13.如權(quán)利要求12所述的方法，其中在60°C到150° C的溫度下進行所述熱處理。
14.一種制造有機發(fā)光顯示裝置的方法，包括 制備裝置襯底，所述裝置襯底包括第一電極和部分暴露所述第一電極的像素限定層； 形成供體襯底，所述供體襯底包括基底層、光熱轉(zhuǎn)換層、中間層、低分子量轉(zhuǎn)移層以及有機轉(zhuǎn)移層，所述低分子量轉(zhuǎn)移層包括第I主族中的元素或者第I主族和第VII主族中的元素的化合物； 在所述裝置襯底之上設(shè)置所述供體襯底，以使所述有機轉(zhuǎn)移層面對所述裝置襯底的所述第一電極； 通過將激光束照射在所述供體襯底上，以將所述低分子量轉(zhuǎn)移層的一部分和所述有機轉(zhuǎn)移層的一部分轉(zhuǎn)移到被暴露的第一電極上，從而形成相繼層疊在被暴露的第一電極上的有機層和低分子量層； 在所述低分子量層上形成電子傳輸層；以及 在所述電子傳輸層上形成第二電極。
15.如權(quán)利要求14所述的方法，其中所述中間層包括具有親水性的上表面，以及 其中所述低分子量轉(zhuǎn)移層通過偶極相互作用或者靜電吸引與所述中間層的所述上表面結(jié)合。
16.如權(quán)利要求14所述的方法，還包括在制備所述裝置襯底之后，在所述像素限定層和被暴露的第一電極上形成空穴傳輸層， 其中所述有機層形成在所述空穴傳輸層的一部分上和所述像素限定層的側(cè)壁上，以及 其中所述有機層對應(yīng)于所述有機發(fā)光顯示裝置的發(fā)射層。
17.如權(quán)利要求14所述的方法，其中所述有機轉(zhuǎn)移層包括形成在所述低分子量轉(zhuǎn)移層上的發(fā)射層和形成在所述發(fā)射層上的空穴傳輸層。
18.如權(quán)利要求17所述的方法，其中所述有機層形成在被暴露的第一電極上和所述像素限定層的側(cè)壁上，所述低分子量層形成在所述有機層上和所述像素限定層的所述側(cè)壁上。
19.如權(quán)利要求14所述的方法，其中通過激光熱轉(zhuǎn)印エ序、噴嘴印刷工序、噴墨印刷工序或者壓印エ序形成所述電子傳輸層。
20.如權(quán)利要求19所述的方法，其中所述有機層、所述低分子量層和所述電子傳輸層由凹槽限定，所述凹槽由被暴露的第一電極和所述像素限定層的側(cè)壁限定。
全文摘要
一種供體襯底，包括基底層、在基底層上的光熱轉(zhuǎn)換層、在光熱轉(zhuǎn)換層上的中間層、在中間層上的低分子量轉(zhuǎn)移層以及在低分子量轉(zhuǎn)移層上的有機轉(zhuǎn)移層。低分子量轉(zhuǎn)移層包括第I主族中的元素或者第I主族和第VII主族中的元素的化合物。
文檔編號H01L51/54GK102956831SQ201210301028
公開日2013年3月6日 申請日期2012年8月22日 優(yōu)先權(quán)日2011年8月26日
發(fā)明者宋河珍, 表相佑, 俞炳旭, 金孝妍, 權(quán)智英, 李寬熙 申請人:三星顯示有限公司