国产精品1024永久观看,大尺度欧美暖暖视频在线观看,亚洲宅男精品一区在线观看,欧美日韩一区二区三区视频,2021中文字幕在线观看

  • <option id="fbvk0"></option>
    1. <rt id="fbvk0"><tr id="fbvk0"></tr></rt>
      <center id="fbvk0"><optgroup id="fbvk0"></optgroup></center>
      <center id="fbvk0"></center>

      <li id="fbvk0"><abbr id="fbvk0"><dl id="fbvk0"></dl></abbr></li>

      一種解決薄膜剝落的方法

      文檔序號:6787429閱讀:301來源:國知局
      專利名稱:一種解決薄膜剝落的方法
      技術(shù)領(lǐng)域
      本發(fā)明涉及半導體制造領(lǐng)域,具體的是一種解決薄膜剝落的方法。
      背景技術(shù)
      氧化鉭在背照式影像傳感器作為抗反射層使用,然而其有剝落的問題,該問題被認為是鉭的氧化物與底部之間的高應力造成的,這一脫落問題迫切需要解決?,F(xiàn)階段,暫沒有相關(guān)的解決方法。

      發(fā)明內(nèi)容
      本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是提供一種解決薄膜剝落的方法解決上述問題。本發(fā)明解決上述技術(shù)問題的技術(shù)方案如下:一種解決薄膜剝落的方法,包括以下步驟:步驟一:在晶圓的上表面淀積一層氧化層,所述淀積是指通過化學反應或物理堆積的方式增加;步驟二:在所述氧化層的上表面淀積一層高介質(zhì)層,所述高介質(zhì)層是指介電常數(shù)較高的物質(zhì)構(gòu)成的層,例如=PECVD (等離子體增強化學氣相淀積)SiO2的介電常數(shù)為4.1 4.3 ;步驟三:在所述高介質(zhì)層的上表面通過射頻發(fā)生器淀積一層抗反射層。在上述技術(shù)方案的基礎(chǔ)上,本發(fā)明還可以做如下改進。進一步,淀積所述抗反射層使用的射頻發(fā)生器的功率為1000 2000W。進一步,所述抗反射層為鉭的氧化物。本發(fā)明的有益效果是:現(xiàn)有工藝使用的射頻發(fā)生器的功率4000 6000W,由于RF(Radio Frequency:無線電頻率)射頻功率與薄膜應力表現(xiàn)出較強的相關(guān)性,本發(fā)明優(yōu)化了該工藝參數(shù),將現(xiàn)有工藝使用的射頻發(fā)生器的功率4000 6000W改進為1000 2000W,減少了抗反射層與底部之間的界面應力,在現(xiàn)實生產(chǎn)中可以有效避免薄膜(抗反射層)脫落的問題。


      圖1為本發(fā)明的操作流程圖;圖2為本發(fā)明的結(jié)構(gòu)示意圖。附圖中,各標號所代表的部件列表如下:1、晶圓,2、氧化層,3、高介質(zhì)層,4、抗反射層。
      具體實施例方式以下結(jié)合附圖對本發(fā)明的原理和特征進行描述,所舉實例只用于解釋本發(fā)明,并非用于限定本發(fā)明的范圍。
      如圖1所示,一種解決薄膜剝落的方法,包括以下步驟:步驟01:在晶圓I的上表面淀積一層氧化層2,圖2為本發(fā)明的結(jié)構(gòu)示意圖,其結(jié)構(gòu)如圖2所示;步驟02:在所述氧化層2的上表面淀積一層高介質(zhì)層3,所述高介質(zhì)層3是指介電常數(shù)較高的物質(zhì)構(gòu)成的層,例如=PECVD (等離子體增強化學氣相淀積)Si02的介電常數(shù)為
      4.1 4.3 ;步驟03:在所述高介質(zhì)層3的上表面通過射頻發(fā)生器淀積一層抗反射層4。淀積所述抗反射層4使用的射頻發(fā)生器的功率為1000 2000W。所述抗反射層為鉭的氧化物,例如氧化鉭。本發(fā)明將現(xiàn)有工藝使用的射頻發(fā)生器的功率4000 6000W改進為1000 2000W,
      減少了抗反射層與底部之間的界面應力,在現(xiàn)實生產(chǎn)中可以有效避免薄膜(抗反射層)脫落的問題。以上所述僅為本發(fā)明的較佳實施例,并不用以限制本發(fā)明,凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi),所作的任何修改、等同替換、改進等,均應包含在本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。
      權(quán)利要求
      1.一種解決薄膜剝落的方法,其特征在于,包括以下步驟: 步驟一:在晶圓的上表面淀積一層氧化層; 步驟二:在所述氧化層的上表面淀積一層高介質(zhì)層; 步驟三:在所述高介質(zhì)層的上表面通過射頻發(fā)生器淀積一層抗反射層。
      2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種解決薄膜剝落的方法,其特征在于,淀積所述抗反射層使用的射頻發(fā)生器的功率為1000 2000W。
      3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的一種解決薄膜剝落的方法,其特征在于,所述抗反射層為鉭的氧化物。
      全文摘要
      本發(fā)明涉及半導體制造領(lǐng)域,具體的是一種解決薄膜剝落的方法。包括以下步驟步驟一在晶圓的上表面淀積一層氧化層;步驟二在所述氧化層的上表面淀積一層高介質(zhì)層;步驟三在所述高介質(zhì)層的上表面淀積一層抗反射層,所述抗反射層即鉭的氧化物,如氧化鉭,淀積所述抗反射層使用的射頻發(fā)生器的功率為1000~2000W?,F(xiàn)有工藝使用的射頻發(fā)生器的功率4000~6000W,由于RF(Radio Frequency)射頻功率與薄膜應力表現(xiàn)出較強的相關(guān)性,本發(fā)明優(yōu)化了該工藝參數(shù),減少了抗反射層與底部之間的界面應力,在現(xiàn)實生產(chǎn)中可以有效避免抗反射層脫落的問題。
      文檔編號H01L21/02GK103077884SQ20131001194
      公開日2013年5月1日 申請日期2013年1月14日 優(yōu)先權(quán)日2013年1月14日
      發(fā)明者李平 申請人:陸偉
      網(wǎng)友詢問留言 已有0條留言
      • 還沒有人留言評論。精彩留言會獲得點贊!
      1