電子部件的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明旨在提供一種在進行焊接安裝時能在不發(fā)生焊料爆裂的情況下實施可靠性高的焊接安裝的電子部件，進一步提供一種在進行焊接安裝時不會出現(xiàn)須晶且高溫下的接合強度優(yōu)異的電子部件。在包括電子部件主體(陶瓷層疊體)1和形成在電子部件主體1的表面上的外部電極5的電子部件A1中，外部電極具有選自Cu-Ni合金層和Cu-Mn合金層中的至少一種合金層10和形成在合金層10外側(cè)的含有Sn的含Sn層20。將含Sn層形成在外部電極的最外層。將含Sn層形成為與合金層接觸。含Sn層為鍍層。合金層為鍍層。合金層為厚膜電極。
【專利說明】電子部件

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及一種電子部件，更詳細地，涉及一種具有外部電極、該外部電極通過焊 接接合到安裝用陸地電極（land electrode)等接合對象物上的電子部件。

【背景技術(shù)】
[0002] 芯片電容器、芯片電感器等表面安裝型電子部件通常通過將形成在電子部件主體 上的外部電極焊接在例如設(shè)置在基板上的安裝用陸地電極等上進行安裝。
[0003] 并且，作為這種電子部件，以提高外部電極的焊料潤濕性為目的，包括表面具有Sn 鍍層等的外部電極的電子部件正被廣泛使用。
[0004] 然而，對實施鍍敷、在表面上形成有鍍層的電子部件進行焊接安裝時，存在殘留在 外部電極內(nèi)部的鍍液、清洗液暴露在焊接時的高溫下而急劇蒸發(fā)，引起焊料爆裂，鄰接的電 極間、電子部件間發(fā)生短路的問題。
[0005] 因此，為了制造能夠解決這種問題的電子部件，已提出的技術(shù)方案例如有以下的 電容器（層疊陶瓷電容器）的制造方法：在將電介質(zhì)層和內(nèi)部電極層交互層疊而形成的長 方體狀層疊體的側(cè)面上涂布含有球狀Cu粉、薄片狀Cu粉和玻璃粉末的導(dǎo)電膏、焙燒，將其 燒結(jié)在層疊體側(cè)面上，由此形成與內(nèi)部電極層導(dǎo)通的外部電極，進一步在該外部電極的表 面用濕鍍法形成鍍層，得到電容器（層疊陶瓷電容器）；所述導(dǎo)電膏中，相對于總Cu粉100 重量份，薄片狀Cu粉為2?33重量份，相對于總Cu粉100重量份，玻璃粉末為6?10重 量份（可參見專利文獻1)。
[0006] 這樣，在為用該方法制得的電容器的情況下，由于形成了致密的外部電極（Cu厚 膜電極），因而在用濕鍍法形Ni鍍層、Sn鍍層時，水、Ni的結(jié)晶水等不易進入外部電極的內(nèi) 部，例如，在將電容器搭載在底板上的部件衰減電極上時，即使在部件衰減電極上的焊料在 回流焊工序中順著電容器的側(cè)面上升的情況下，由于從外部電極的內(nèi)部滲出、與高溫的熔 融焊料接觸而發(fā)生水蒸氣爆炸所需的水的量不足，因此，被認為能抑制焊料向外爆裂，防止 與鄰接的電子部件之間出現(xiàn)短路（專利文獻1的段落0008)。
[0007] 然而，由于在Cu厚膜電極中使用了雖在溶解程度上有一定差異、但會在鍍液中溶 解的玻璃成分，因而僅通過將外部電極優(yōu)化（致密化）的方法來完全防止焊料爆裂的發(fā)生 是困難的。
[0008] 此外，也有不少通過鍍液加以改善的嘗試，但實際情況是，即使這樣，仍不能完全 防止玻璃成分的溶解，不能完全使焊料爆裂不發(fā)生。
[0009] 此外，如專利文獻1的實施例中所示的電容器那樣，在形成在外部電極上的鍍層 的最外層為Sn鍍層的情況下，存在其表面上Sn結(jié)晶會生成須狀延伸的晶須、該晶須成為短 路的原因的問題。
[0010] 專利文獻：
[0011] 專利文獻1 :日本特開2005-101470號公報


【發(fā)明內(nèi)容】

[0012] 本發(fā)明是為了解決上述問題而作出的，旨在提供一種在進行焊接安裝時能在不發(fā) 生焊料爆裂的情況下實施可靠性高的焊接安裝的電子部件，進一步提供一種在進行焊接安 裝時不會出現(xiàn)須晶且高溫下的接合強度優(yōu)異的電子部件。
[0013] 為解決上述問題，本發(fā)明的電子部件具有電子部件主體和形成在所述電子部件主 體的表面上的外部電極，其特征在于，
[0014] 所述外部電極具有選自Cu-Ni合金層和Cu-Mn合金層中的至少一種合金層和
[0015] 形成在所述合金層外側(cè)的含有Sn的含Sn層。
[0016] 另外，在本發(fā)明中，形成在電子部件主體表面上的外部電極例如包括芯片電容器、 芯片電感器等表面安裝型電子部件的外部電極、形成在多層基板表面上的表面電極等。
[0017] 此外，在本發(fā)明中，上述合金層的下層側(cè)還可具有Cu厚膜電極層等其他電極層。
[0018] 在本發(fā)明中，上述含Sn層可作為上述外部電極的最外層而形成。
[0019] 在以往的電子部件中，在外部電極的最外層為含Sn層的情況下，容易發(fā)生須晶， 但即使是在這種情況下，根據(jù)本發(fā)明的電子部件，也能抑制、防止須晶的發(fā)生。這是因為，由 于Cu-Ni合金層和/或Cu-Mn合金層與含Sn層的界面的快速擴散作用，合金層和含Sn層 迅速反應(yīng)，生成金屬間化合物，最外層的Sn被驅(qū)除之故。
[0020] 此外，上述含Sn層在與上述合金層接觸時尤其有意義。含Sn層與合金層接觸時， 合金層和含Sn層更迅速地反應(yīng)，迅速生成高熔點（例如熔點在400°C以上）的金屬間化合 物而固體化，因此，能高效地抑制、防止由水蒸汽從外部電極內(nèi)部急速發(fā)生、即外部電極的 內(nèi)部壓力的上升引起的焊料爆裂的發(fā)生。
[0021] 此外，上述含Sn層優(yōu)選為鍍層。
[0022] 對電子部件的外部電極而言，為了提高焊料潤濕性，有時會在其表面上形成Sn或 Sn系合金的鍍層，但這種情況下本發(fā)明更有意義。
[0023] 此外，上述合金層可以是鍍層，還可以是厚膜電極。
[0024] 合金層可以是由鍍敷形成的鍍層，還可以是涂布導(dǎo)電膏（Cu-Ni膏或Cu-Mn膏）進 行烘烤而形成的厚膜電極，任一情況下均能得到本發(fā)明的效果。
[0025] 上述合金層優(yōu)選為以5?30重量％的比例含有Ni的Cu-Ni合金層和以5?30 重量％的比例含有Μη的Cu-Mn合金層中的任一種。
[0026] 滿足上述必要條件能實現(xiàn)構(gòu)成外部電極的合金層的金屬材料和Sn的快速擴散作 用，得到上述那樣的本發(fā)明的效果。
[0027] 上述合金層更優(yōu)選為以5?20重量％的比例含有Ni的Cu-Ni合金層和以5?20 重量％的比例含有Μη的Cu-Mn合金層中的任一種。
[0028] 滿足上述必要條件能實現(xiàn)構(gòu)成外部電極的合金層的金屬材料和Sn的快速擴散作 用，更切實地得到上述那樣的本發(fā)明的效果。
[0029] 此外，優(yōu)選的是，上述電子部件主體是具有多個陶瓷層和在上述陶瓷層之間以一 部分導(dǎo)出到端面的方式配設(shè)的內(nèi)部電極層的陶瓷層疊體，上述外部電極以與上述內(nèi)部電極 層導(dǎo)通的方式配置在上述內(nèi)部電極層所導(dǎo)出的端面上。
[0030] 通常，層疊陶瓷電子部件具有上述那樣的構(gòu)成，本發(fā)明能良好地用于那樣的層疊 陶瓷電子部件中。
[0031] 本發(fā)明的電子部件具有電子部件主體和形成在電子部件主體表面上的外部電極， 外部電極具有選自Cu-Ni合金層和Cu-Mn合金層中的至少一種合金層和形成在合金層外側(cè) 的含有Sn的含Sn層，因此，由于Cu-Ni合金層和/或Cu-Mn合金層與含Sn層的界面的快 速擴散作用，合金層和含Sn層迅速反應(yīng)，生成高熔點（例如熔點在400°C以上）的金屬間化 合物而固體化，因而能高效地抑制、防止由水蒸汽從外部電極內(nèi)部迅速發(fā)生、即外部電極的 內(nèi)部壓力的上升引起的焊料爆裂的發(fā)生。
[0032] 另外，上述Cu-Ni合金層和/或Cu-Mn合金層與Sn的快速擴散通過金屬間化合物 在由熱處理工序而熔融的Sn中邊剝離、分散邊重復(fù)反應(yīng)而發(fā)生。
[0033] 此外，通過上述快速擴散，合金層外側(cè)的含Sn層中的Sn基本上被迅速驅(qū)除，因而， 即使在例如設(shè)置在外部電極外側(cè)的含Sn層位于最外層的情況下，也能高效地抑制、防止作 為本發(fā)明問題的須晶的發(fā)生。
[0034] 此夕卜，由于Cu-Ni合金層和/或Cu-Mn合金層與Sn的快速擴散，Sn的大部分迅速 被驅(qū)除，在電子部件與接合對象物（例如基板的安裝用陸地電極）的接合部上生成熔點在 400°C以上的金屬間化合物，因此，在安裝電子部件后的階段，在實施多次回流焊的情況下， 以及在安裝的電子部件（例如車載用電子部件）在高溫環(huán)境下使用等情況下，均可形成不 會引起電子部件脫落、高溫強度高的接合部（焊接接合部）。
[0035] 此外，在外部電極的最外層為選自Cu-Ni合金層和Cu-Mn合金層中的至少一種的 情況下，會有合金層被氧化、無法得到充分的焊料潤濕性的情況，但在本發(fā)明中，在合金層 的外側(cè)設(shè)有含Sn層，因而能防止由合金層被氧化引起的焊料潤濕性降低，確保良好的焊接 性。
[0036] 另外，為了更切實地得到本發(fā)明的效果，優(yōu)選使Cu-Ni合金層和/或Cu-Mn合金層 的厚度與抗氧化膜（含Sn膜）的厚度的關(guān)系在相對于合金層10 μ m，含Sn膜的厚度為2? 3μπι的范圍內(nèi)。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0037] 圖1是示意性地顯示本發(fā)明的實施方式一的電子部件（層疊陶瓷電容器）Α1的構(gòu) 成的截面圖。
[0038] 圖2是示意性地顯示本發(fā)明的實施方式二的電子部件（層疊陶瓷電容器）Α2的構(gòu) 成的截面圖。

【具體實施方式】
[0039] 下面顯示本發(fā)明的實施方式，對本發(fā)明的特征部分進行更詳細的說明。
[0040] 這里，作為本發(fā)明實施方式的電子部件，制作具有圖1所示結(jié)構(gòu)的層疊陶瓷電容 器（實施方式一）A1和具有圖2所示結(jié)構(gòu)的層疊陶瓷電容器（實施方式二）Α2。
[0041] 圖1所示的實施方式一的電子部件（層疊陶瓷電容器）Α1通過在作為電子部件主 體的陶瓷層疊體（層疊陶瓷元件）1的兩端面4、4上以與內(nèi)部電極2導(dǎo)通的方式配設(shè)一對外 部電極5、5而形成，在陶瓷層疊體1的結(jié)構(gòu)中，內(nèi)部電極2夾著作為電介質(zhì)層的陶瓷層（電 介質(zhì)陶瓷層）3而層疊，交互地引出到陶瓷層疊體1的兩端面4、4上。
[0042] 外部電極5具有Cu厚膜電極層50、在該Cu厚膜電極層50上通過鍍敷形成的 Cu-Ni合金層或Cu-Mn合金層（下面也僅稱作"合金層"）10和在合金層10上通過鍍敷形 成的Sn鍍層（本發(fā)明中的含Sn層）20。
[0043] 此外，圖2所示的實施方式二的電子部件（層疊陶瓷電容器）A2也與圖1所示的 電子部件（層疊陶瓷電容器）A1相同，通過在作為電子部件主體的陶瓷層疊體（層疊陶瓷 元件）1的兩端面4、4上以與內(nèi)部電極2導(dǎo)通的方式配設(shè)一對外部電極5、5而形成，在陶瓷 層疊體1的結(jié)構(gòu)中，內(nèi)部電極2夾著作為電介質(zhì)層的陶瓷層（電介質(zhì)陶瓷層）3而層疊，交 互地引出到陶瓷層疊體1的兩端面4、4上。
[0044] 但是，在圖2的電子部件A2中，外部電極5、5具有形成在陶瓷層疊體（層疊陶瓷元 件）1的兩端面4、4上的Cu-Ni合金層（厚膜Cu-Ni合金層）或Cu-Mn合金層（厚膜Cu-Mn 合金層）l〇a和在該厚膜Cu-Ni合金層或厚膜Cu-Mn合金層10a上通過鍍敷形成的Sn鍍層 (本發(fā)明的含Sn層）20。
[0045] 〔實施方式一的電子部件（層疊陶瓷電容器）A1的制造〕
[0046] 下面對實施方式一的電子部件（層疊陶瓷電容器）A1(可參見圖1)的制造方法進 行說明。
[0047] (1)首先，制作以鈦酸鋇為主要成分的陶瓷生片。然后，在該陶瓷生片的表面上絲 網(wǎng)印刷以Ni粉為導(dǎo)電成分的導(dǎo)電膏（內(nèi)部電極用膏），形成內(nèi)部電極膏圖案。
[0048] (2)接著，將形成有內(nèi)部電極膏圖案的陶瓷生片多片層疊，壓粘，形成層疊體。
[0049] (3)然后，將該層疊體沿層疊方向、即厚度方向切割，得到芯片層疊體（焙燒后形 成陶瓷層疊體1 (圖1)的未焙燒層疊體），該芯片層疊體中，內(nèi)部電極膏圖案在彼此相向的 端面（切割端面）的一側(cè)和另一側(cè)上交替露出。
[0050] (4)接著，將該未焙燒層疊體在空氣中于1300°C下焙燒1小時，得到陶瓷層疊體 1 (圖1)。該陶瓷層疊體1的尺寸為寬（W) = 0· 8mm，長（L) = 1. 6mm，厚（W) = 0· 8mm。
[0051] (5)然后，向該陶瓷層疊體1的兩端面上涂布焙燒型Cu膏（以Cu粉末為導(dǎo)電成分 的Cu厚膜膏），通過焙燒形成作為外部電極主體的Cu厚膜電極50。
[0052] (6)接著，使用Cu-Ni合金鍍液在形成在上述陶瓷層疊體1的兩端面上的Cu厚膜 電極50上進行電鍍，形成Cu-Ni合金層（鍍層）或Cu-Mn合金層（鍍層）10。
[0053] 此時，通過改變鍍液中的Cu金屬鹽和Ni金屬鹽的比率形成具有表1的試樣編號 1?14的合金組成的Cu-Ni合金層或Cu-Mn合金層。
[0054] 另外，例如，表1的試樣編號1的合金層的組成欄中的"Cu_5Ni"的數(shù)字5表不該 成分（這種情況下為Ni)的重量％的值。即，這種情況下，表示Cu-Ni合金粉末中所占的Ni 的比例為5重量％。對其他試樣而言，Ni的比例和Μη的比例也用同樣的方法進行表示。
[0055] 此外，通過改變鍍敷處理的時間調(diào)整表1的試樣編號1?14所示的Cu-Ni合金層 (鍍層）或Cu-Mn合金層（鍍層）的厚度。
[0056] (7)然后，繼續(xù)使用Sn鍍液在用上述（6)的工序形成的Cu-Ni合金層或Cu-Mn合 金層上形成厚2 μ m的Sn鍍層（含Sn層）20,從而制得表1的試樣編號1?14的、本發(fā)明 的實施方式一的電子部件（層疊陶瓷電容器）A1 (可參見圖1)。
[0057] 此外，為了進行比較，制得表1的試樣編號15的試樣（與實施方式一的電子部件 A1相對應(yīng)的比較例1的試樣），其除了不包括上述Cu-Ni合金層或Cu-Mn合金層，而包括厚 10 μ m的Ni層（鍍Ni層）以外，與上述試樣編號1?14的試樣具有相同的結(jié)構(gòu)。
[0058] 〔實施方式二的電子部件（層疊陶瓷電容器）A2的制造〕
[0059] 下面對實施方式二的電子部件（層疊陶瓷電容器）A2(可參見圖2)的制造方法進 行說明。
[0060] (1)首先，制作以鈦酸鋇為主要成分的陶瓷生片。然后，在該陶瓷生片的表面上絲 網(wǎng)印刷以Ni粉為導(dǎo)電成分的導(dǎo)電膏（內(nèi)部電極用膏），形成內(nèi)部電極膏圖案。
[0061] (2)接著，將形成有內(nèi)部電極膏圖案的陶瓷生片多片層疊，壓粘，形成層疊體。
[0062] (3)然后，將該層疊體沿層疊方向、即厚度方向切割，得到芯片層疊體（焙燒后形 成陶瓷層疊體1 (圖2)的未焙燒層疊體），該芯片層疊體中，內(nèi)部電極膏圖案在彼此相向的 端面（切割端面）的一側(cè)和另一側(cè)上交替露出。
[0063] (4)接著，將該未焙燒層疊體在空氣中于1300°C下焙燒1小時，得到陶瓷層疊體 1 (圖2)。該陶瓷層疊體1的尺寸為寬（W) = 0· 8mm，長（L) = 1. 6mm，厚（W) = 0· 8mm。
[0064] (5)然后，向該陶瓷層疊體1的兩端面4、4上涂布焙燒型Cu-Ni厚膜膏或Cu-Mn厚 膜膏作為外部電極形成用導(dǎo)電膏。
[0065] 作為Cu-Ni厚膜膏，使用將粒徑3 μ m的Cu-Ni粉末、玻璃粉、有機粘合劑、分散劑 和有機溶劑混合、用球磨機和輥磨機分散、混煉而形成的膏狀物。
[0066] 此外，作為Cu-Mn厚膜膏，同樣地，使用將粒徑3 μ m的Cu-Mn粉末、玻璃粉、有機粘 合劑、分散劑和有機溶劑混合、用球磨機和輥磨機分散、混煉而形成的膏狀物。
[0067] 而且，使構(gòu)成Cu-Ni厚膜膏的Cu-Ni合金粉末中所占的Ni的比例和構(gòu)成Cu-Mn厚 膜膏的Cu-Mn合金粉末中所占的Μη的比例在表2的試樣編號21?30所示的范圍內(nèi)變化。
[0068] (6)然后，對在兩端面4、4上涂布了按上述那樣制得的Cu-Ni厚膜膏或Cu-Mn厚膜 膏的陶瓷層疊體1進行焙燒，形成厚膜Cu-Ni合金層或厚膜Cu-Mn合金層10a (圖2)。
[0069] 另外，通過觀察截面，確認焙燒后的合金層l〇a的厚度為100?150 μ m。
[0070] (7)接著，使用Sn鍍液在用上述（6)的工序形成的厚膜Cu-Ni合金層或厚膜Cu-Mn 合金層l〇a上形成厚2 μ m的Sn鍍層（含Sn層）20,從而制得本發(fā)明的實施方式二的、表2 的試樣編號21?30的電子部件（層疊陶瓷電容器）A2 (可參見圖2)。
[0071] 此外，為了進行比較，制作了表2的試樣編號31的試樣（與實施方式二的電子部 件A2相對應(yīng)的比較例2的試樣），該試樣除了不包括上述厚膜Cu-Ni合金層或厚膜Cu-Mn 合金層而包括厚100?150μπι的Cu厚膜層以外，與上述試樣編號21?30的試樣具有相 同的構(gòu)成。
[0072] 然后，對按上述方法制得的表1的試樣編號1?14的試樣（本發(fā)明的實施方式一 的試樣）和試樣編號15的比較例1的試樣，以及表2的試樣編號21?30的試樣（本發(fā)明 的實施方式二的試樣）和試樣編號31的比較例2的試樣進行下述特性評價。
[0073] 〔特性評價〕
[0074] 在評價特性時，準備具有Cu電極（接合對象物）的基板（用于層疊陶瓷電子部件 的貼覆有Cu的FR4玻璃環(huán)氧基板），將其作為焊接安裝作為按上述方法制得的試樣的電子 部件（層疊陶瓷電容器）用的基板。然后，使用金屬掩模在Cu電極表面上印刷千住金屬工 業(yè)公司生產(chǎn)的Sn-3Ag-0. 5Cu焊膏（舊MIL規(guī)格RA Flux)。金屬掩模的厚度為50 μ m。
[0075] 另外，在上述材料（焊膏）的標記中，例如"Sn-3Ag-0. 5Cu"的數(shù)字3表示該成分 (這種情況為Ag)的重量％的值，0. 5表示Cu的重量％的值。
[0076] 接著，在印刷的焊膏上安裝上作為用上述方法制得的試樣的各電子部件（層疊陶 瓷電容器）后，使用回流焊裝置在預(yù)熱150°C、正式加熱250°C的條件下將電子部件的外部 電極和玻璃環(huán)氧基板接合，由此將外部電極和Cu電極電連接和機械連接。
[0077] 將按上述方法所得的接合結(jié)構(gòu)體作為特性評價用試樣，用以下方法評價特性。
[0078] 《焊料爆裂評價》
[0079] 對按上述方法制得的特性評價用試樣在10倍的放大倍數(shù)下進行實體顯微鏡觀 察，檢查有無焊料粒的飛散，將發(fā)現(xiàn)有飛散的試樣評價為不良（X )，未發(fā)現(xiàn)飛散的試樣評價 為良（〇）。
[0080] 《須晶評價》
[0081] 將特性評價用試樣在50°C的恒溫槽中放置60天后，對除了鍍層端部至相距5mm處 的周邊區(qū)域之外的中央?yún)^(qū)域在1000倍下進行SEM觀察，檢查有無須晶，將發(fā)現(xiàn)有須晶的試 樣評價為不良（X)，將未發(fā)現(xiàn)須晶的試樣評價為良（〇）。
[0082] 《高溫強度評價》
[0083] 將使基板的接合有電子部件（層疊陶瓷電容器）的面朝下的特性評價用試樣在 250°C熱風(fēng)強風(fēng)循環(huán)烘箱中放置5分鐘后取出，檢查電子部件有無從基板上脫落，由此評價 高溫時的接合強度（高溫強度）。
[0084] 將此時有電子部件脫落的試樣評價為不良（X)。為了進一步確認電子部件的外部 電極和基板的Cu電極通過金屬間化合物進行接合的狀態(tài)，在對未反應(yīng)的金屬Sn成分進行 蝕刻后，檢查電子部件有無脫落。
[0085] 然后，對此時發(fā)現(xiàn)有電子部件脫落的試樣，鑒于好歹接合在一起而評價為良 (〇），將在蝕刻后電子部件也未脫落的試樣視為通過金屬間化合物而牢固地接合，評價為 優(yōu)（◎)。
[0086] 將特性的評價結(jié)果一并示于表1和表2。
[0087] 表 1
[0088]

【權(quán)利要求】
1. 電子部件，其具有電子部件主體和形成在所述電子部件主體表面的外部電極，其中， 所述外部電極具有選自Cu-Ni合金層和Cu-Mn合金層中的至少一種合金層和形成在所 述合金層外側(cè)的含有Sn的含Sn層。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子部件，其特征在于，所述含Sn層形成在所述外部電極的 最外層。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的電子部件，其特征在于，所述含Sn層與所述合金層接觸。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1?3中任一項所述的電子部件，其特征在于，所述含Sn層為鍍層。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1?4中任一項所述的電子部件，其特征在于，所述合金層為鍍層。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1?4中任一項所述的電子部件，其特征在于，所述合金層為厚膜電 極。
7. 根據(jù)權(quán)利要求1?6中任一項所述的電子部件，其特征在于，所述合金層為以5? 30重量％的比例含有Ni的Cu-Ni合金層和以5?30重量％的比例含有Μη的Cu-Mn合金 層中的任一種。
8. 根據(jù)權(quán)利要求1?7中任一項所述的電子部件，其特征在于，所述合金層為以5? 20重量％的比例含有Ni的Cu-Ni合金層和以5?20重量％的比例含有Μη的Cu-Mn合金 層中的任一種。
9. 根據(jù)權(quán)利要求1?8中任一項所述的電子部件，其特征在于，所述電子部件主體為具 有多個陶瓷層和在所述陶瓷層之間以一部分被導(dǎo)出到端面的方式配設(shè)的內(nèi)部電極層的陶 瓷層疊體， 所述外部電極配置在所述內(nèi)部電極層所導(dǎo)出的端面上，與所述內(nèi)部電極層導(dǎo)通。
【文檔編號】H01G4/228GK104145317SQ201380012399
【公開日】2014年11月12日 申請日期:2013年2月12日 優(yōu)先權(quán)日:2012年3月5日
【發(fā)明者】高岡英清, 中野公介, 太田裕, 川崎健一 申請人:株式會社村田制作所