本發(fā)明涉及集成電路的技術(shù)領(lǐng)域，具體是涉及一種優(yōu)化的散熱式集成電路封裝。

背景技術(shù)：
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電子產(chǎn)業(yè)不斷縮小電子元件的尺寸，并在電子元件上持續(xù)增加功能，使得集成電路的功能及復(fù)雜度不斷提升。而此趨勢亦驅(qū)使集成電路元件的封裝技術(shù)朝向小尺寸、高腳數(shù)且高電/熱效能的方向發(fā)展，并符合預(yù)定的工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。由于高效能集成電路元件產(chǎn)生更高的熱量，且現(xiàn)行的小型封裝技術(shù)僅提供設(shè)計人員少許的散熱機(jī)制，因此需要在其小型的封裝結(jié)構(gòu)上設(shè)計散熱結(jié)構(gòu)以便于實現(xiàn)散熱，延長集成電路的使用壽命，現(xiàn)有的小型封裝結(jié)構(gòu)上的散熱結(jié)構(gòu)的散熱效果不理想。

技術(shù)實現(xiàn)要素：
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本發(fā)明的目的旨在解決現(xiàn)有技術(shù)存在的問題，提供一種封裝方便，有效使集成電路散熱的優(yōu)化的散熱式集成電路封裝。

本發(fā)明涉及一種優(yōu)化的散熱式集成電路封裝，包括基板和芯片，所述基板的兩側(cè)成型有條形的凸臺，所述凸臺的內(nèi)側(cè)邊上成型有凹臺，所述凹臺的底面上固定連接有多個觸點(diǎn)，所述觸點(diǎn)通過導(dǎo)線與針腳電連接，所述針腳固定在基板的下端面上，觸點(diǎn)上的凹臺內(nèi)設(shè)置有所述芯片，凹臺的底面位于基板的上端面的上方，基板的上端面上插接有多個T型的導(dǎo)熱陶瓷柱，所述導(dǎo)熱陶瓷柱的大頭端抵靠在芯片的底面上、小頭端穿過基板的下端面；

所述凸臺的外側(cè)邊上成型有導(dǎo)軌槽，所述導(dǎo)軌槽內(nèi)插接有相對設(shè)置的左合蓋和右合蓋，所述左合蓋和右合蓋均由蓋板和插接在導(dǎo)軌槽內(nèi)的L形支架組成，所述蓋板上成型有多個散熱槽道，所述L形支架包括抵靠在凸臺外側(cè)壁上的豎直部和插接在導(dǎo)軌槽內(nèi)的水平部，基板一側(cè)的左合蓋和右合蓋的水平部上分別成型有左螺紋通孔和右螺紋通孔，所述左螺紋通孔和右螺紋通孔的螺紋方向相反，左螺紋通孔和右螺紋通孔內(nèi)螺接有轉(zhuǎn)動螺桿，所述轉(zhuǎn)動螺桿位于導(dǎo)軌槽內(nèi)，轉(zhuǎn)動螺桿的一端伸出左合蓋或右合蓋；

所述凸臺兩側(cè)的基板上端面上成型有與凸臺平行的導(dǎo)向槽，左合蓋和右合蓋的水平部的底部分別成型有左導(dǎo)向塊和右導(dǎo)向塊，所述左導(dǎo)向塊和右導(dǎo)向塊插接在所述導(dǎo)向槽內(nèi)，左導(dǎo)向塊相對右導(dǎo)向塊的側(cè)壁上成型有鐵制塊，右導(dǎo)向塊相對左導(dǎo)向塊的側(cè)壁上成型有與所述鐵制塊配合的磁鐵塊，當(dāng)鐵制塊吸附在所述磁鐵塊上時，左合蓋和右合蓋緊靠在一起并將整個凸臺覆蓋。

借由上述技術(shù)方案，本發(fā)明在使用時，初始時左合蓋和右合蓋打開未將基板的凸臺和凹臺覆蓋，在凹臺內(nèi)放入芯片，芯片與凹臺內(nèi)的觸點(diǎn)連接，觸點(diǎn)通過導(dǎo)線與基板上的針腳連接，從而使得芯片與針腳連接，芯片抵靠在T型的導(dǎo)熱陶瓷柱上，導(dǎo)熱陶瓷柱對芯片產(chǎn)生的熱量進(jìn)行初步散熱。安裝好芯片后，轉(zhuǎn)動基板一側(cè)的轉(zhuǎn)動螺桿，由于左合蓋的左螺紋通孔和右合蓋的右螺紋通孔的螺紋方向相反且轉(zhuǎn)動螺桿螺接在左螺紋通孔和右螺紋通孔中，因此轉(zhuǎn)動螺桿帶動左合蓋和右合蓋相對移動，左合蓋和右合蓋的L形支架的水平部在凸臺的導(dǎo)軌槽內(nèi)移動，同時左導(dǎo)向塊和右導(dǎo)向塊在基板的導(dǎo)向槽內(nèi)相對移動，左導(dǎo)向塊的鐵制塊和右導(dǎo)向塊上的磁鐵塊之間的吸附力使得左合蓋和右合蓋快速靠近，直至鐵制塊和磁鐵塊吸附在一起，此時左合蓋和右合蓋緊靠在一起并將整個凸臺覆蓋，從而完成芯片的封裝，左合蓋和右合蓋的蓋板上的散熱槽道可對芯片產(chǎn)生的熱量進(jìn)行進(jìn)一步散熱。

通過上述方案，本發(fā)明的散熱式集成電路封裝結(jié)構(gòu)簡單，封裝方便，能實現(xiàn)集成電路芯片的快速散熱，從而延長集成電路芯片的使用壽命。

作為上述方案的一種優(yōu)選，所述左合蓋相對右合蓋的側(cè)壁上成型有插接定位條，右合蓋相對左合蓋的側(cè)壁上成型有與所述插接定位條配合的插接定位槽，當(dāng)插接定位條插接在所述插接定位槽內(nèi)時，左合蓋和右合蓋緊靠在一起且鐵制塊吸附在磁鐵塊上。按上述方案，當(dāng)左合蓋和右合蓋合上時，插接定位條插接在所述插接定位槽內(nèi)對左合蓋和右合蓋的位置進(jìn)行定位。

作為上述方案的一種優(yōu)選，所述插接定位槽位于散熱槽道一側(cè)的右合蓋的蓋板上，插接定位條上成型有多個第一散熱通孔，插接定位槽的上下側(cè)壁上成型有多個與所述第一散熱通孔一一對應(yīng)的第二散熱通孔。按上述方案，當(dāng)左合蓋和右合蓋合上時，芯片產(chǎn)生的部分熱量通過第二散熱通孔和第一散熱通孔散發(fā)出去，更進(jìn)一步對芯片進(jìn)行散熱。

作為上述方案的一種優(yōu)選，所述基板上轉(zhuǎn)動螺桿相對一側(cè)的左合蓋和右合蓋的水平部外壁上成型有石墨潤滑層，所述石墨潤滑層緊貼導(dǎo)軌槽的側(cè)壁。按上述方案，基板一側(cè)的轉(zhuǎn)動螺桿帶動左合蓋和右合蓋的一側(cè)相互靠近時，左合蓋和右合蓋的另一側(cè)的L形支架的水平部上的石墨潤滑層可便于左合蓋和右合蓋的另一側(cè)同步相互靠近。

作為上述方案的一種優(yōu)選，所述基板上均勻成型有多個插接孔，所述導(dǎo)熱陶瓷柱的小頭端插接在所述插接孔內(nèi)且一端伸出插接孔的下端。

作為上述方案的一種優(yōu)選，所述散熱槽道呈多個相互平行的條形狀均勻分布在左合蓋和右合蓋的蓋板上。

作為上述方案的一種優(yōu)選，所述轉(zhuǎn)動螺桿的一端與左合蓋的邊緣持平、另一端伸出右合蓋的側(cè)壁并成型有轉(zhuǎn)動手柄。

作為上述方案的一種優(yōu)選，所述基板上凹臺的深度等于芯片的厚度。

作為上述方案的一種優(yōu)選，所述觸點(diǎn)呈直線均勻分布在凹臺上，所述針腳呈兩排均勻分布在基板的下端面兩側(cè)，觸點(diǎn)與針腳之間的導(dǎo)線嵌置在基板內(nèi)部。

上述說明僅是本發(fā)明技術(shù)方案的概述，為了能夠更清楚了解本發(fā)明的技術(shù)手段，并可依照說明書的內(nèi)容予以實施，以下以本發(fā)明的較佳實施例并配合附圖詳細(xì)說明如后。

附圖說明：

以下附圖僅旨在于對本發(fā)明做示意性說明和解釋，并不限定本發(fā)明的范圍。其中：

圖1為本發(fā)明無芯片時的俯視結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為本發(fā)明芯片封裝完的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3為圖2中A-A線的剖視圖；

圖4為圖2的局部剖視圖；

圖5為本發(fā)明中左合蓋和右合蓋之間的局部結(jié)構(gòu)示意圖；

圖6為本發(fā)明的工作狀態(tài)示意圖；

具體實施方式：

下面結(jié)合附圖和實施例，對本發(fā)明的具體實施方式作進(jìn)一步詳細(xì)描述。以下實施例用于說明本發(fā)明，但不用來限制本發(fā)明的范圍。

參見圖1、圖3，本發(fā)明所述的一種優(yōu)化的散熱式集成電路封裝，包括基板10和芯片1，所述基板10的兩側(cè)成型有條形的凸臺11，所述凸臺的內(nèi)側(cè)邊上成型有凹臺12，所述凹臺的底面上固定連接有多個觸點(diǎn)20，所述觸點(diǎn)通過導(dǎo)線(未圖示)與針腳21電連接，所述觸點(diǎn)20呈直線均勻分布在凹臺12上，所述針腳21呈兩排均勻分布在基板10的下端面兩側(cè)，觸點(diǎn)20與針腳21之間的導(dǎo)線嵌置在基板10內(nèi)部，觸點(diǎn)20上的凹臺12內(nèi)設(shè)置有所述芯片1，凹臺12的深度等于芯片1的厚度，凹臺12的底面位于基板10的上端面的上方，基板10的上端面上插接有多個T型的導(dǎo)熱陶瓷柱30，所述基板10上均勻成型有多個插接孔13，所述導(dǎo)熱陶瓷柱30的大頭端31抵靠在芯片1的底面上、小頭端32插接在所述插接孔13內(nèi)且一端伸出插接孔13的下端。

參見圖1、圖3，所述凸臺11的外側(cè)邊上成型有導(dǎo)軌槽111，所述導(dǎo)軌槽內(nèi)插接有相對設(shè)置的左合蓋40和右合蓋50，所述左合蓋40和右合蓋50均由蓋板61和插接在導(dǎo)軌槽111內(nèi)的L形支架62組成，所述蓋板61上成型有多個散熱槽道611，所述散熱槽道呈多個相互平行的條形狀均勻分布在左合蓋40和右合蓋50的蓋板61上，所述L形支架62包括抵靠在凸臺11外側(cè)壁上的豎直部621和插接在導(dǎo)軌槽111內(nèi)的水平部622，基板10一側(cè)的左合蓋40和右合蓋50的水平部622上分別成型有左螺紋通孔41和右螺紋通孔51，所述左螺紋通孔41和右螺紋通孔51的螺紋方向相反，左螺紋通孔41和右螺紋通孔51內(nèi)螺接有轉(zhuǎn)動螺桿70，所述轉(zhuǎn)動螺桿位于導(dǎo)軌槽111內(nèi)，轉(zhuǎn)動螺桿70的一端與左合蓋40的邊緣持平、另一端伸出右合蓋50的側(cè)壁并成型有轉(zhuǎn)動手柄71，所述基板10上轉(zhuǎn)動螺桿70相對一側(cè)的左合蓋40和右合蓋50的水平部622外壁上成型有石墨潤滑層80，所述石墨潤滑層緊貼導(dǎo)軌槽111的側(cè)壁。

參見圖1至圖4，所述凸臺11兩側(cè)的基板10上端面上成型有與凸臺11平行的導(dǎo)向槽14，左合蓋40和右合蓋50的水平部622的底部分別成型有左導(dǎo)向塊42和右導(dǎo)向塊52，所述左導(dǎo)向塊42和右導(dǎo)向塊52插接在所述導(dǎo)向槽14內(nèi)，左導(dǎo)向塊42相對右導(dǎo)向塊52的側(cè)壁上成型有鐵制塊91，右導(dǎo)向塊52相對左導(dǎo)向塊42的側(cè)壁上成型有與所述鐵制塊91配合的磁鐵塊92，當(dāng)鐵制塊91吸附在所述磁鐵塊92上時，左合蓋40和右合蓋50緊靠在一起并將整個凸臺11覆蓋。

參見圖5，所述左合蓋40相對右合蓋50的側(cè)壁上成型有插接定位條43，右合蓋50相對左合蓋40的側(cè)壁上成型有與所述插接定位條配合43的插接定位槽53，當(dāng)插接定位條43插接在所述插接定位槽53內(nèi)時，左合蓋40和右合蓋50緊靠在一起且鐵制塊91吸附在磁鐵塊92上，所述插接定位槽53位于散熱槽道611一側(cè)的右合蓋50的蓋板61上，插接定位條43上成型有多個第一散熱通孔431，插接定位槽53的上下側(cè)壁上成型有多個與所述第一散熱通孔431一一對應(yīng)的第二散熱通孔531。

參見圖2、圖6，本發(fā)明在具體實施時，初始時左合蓋40和右合蓋50打開未將基板10的凸臺11和凹臺12覆蓋，在凹臺12內(nèi)放入芯片1，芯片1與凹臺12內(nèi)的觸點(diǎn)20連接，觸點(diǎn)20通過導(dǎo)線與基板10上的針腳21連接，從而使得芯片1與針腳21連接，芯片1抵靠在T型的導(dǎo)熱陶瓷柱30上，導(dǎo)熱陶瓷柱30對芯片1產(chǎn)生的熱量進(jìn)行初步散熱。安裝好芯片1后，轉(zhuǎn)動基板10一側(cè)的轉(zhuǎn)動螺桿70，由于左合蓋40的左螺紋通孔41和右合蓋50的右螺紋通51孔的螺紋方向相反且轉(zhuǎn)動螺桿70螺接在左螺紋通孔41和右螺紋通孔51中，因此轉(zhuǎn)動螺桿70帶動左合蓋40和右合蓋50相對移動，左合蓋40和右合蓋50的L形支架62的水平部622在凸臺11的導(dǎo)軌槽111內(nèi)移動，同時左導(dǎo)向塊42和右導(dǎo)向塊52在基板10的導(dǎo)向槽14內(nèi)相對移動，左導(dǎo)向塊42的鐵制塊91和右導(dǎo)向塊52上的磁鐵塊92之間的吸附力使得左合蓋40和右合蓋50快速靠近，直至鐵制塊91和磁鐵塊92吸附在一起，此時左合蓋40和右合蓋50緊靠在一起并將整個凸臺11覆蓋，從而完成芯片1的封裝，左合蓋40和右合蓋50的蓋板61上的散熱槽道611可對芯片1產(chǎn)生的熱量進(jìn)行進(jìn)一步散熱。

綜上所述，本發(fā)明的散熱式集成電路封裝結(jié)構(gòu)簡單，封裝方便，能實現(xiàn)集成電路芯片的快速散熱，從而延長集成電路芯片的使用壽命。

本發(fā)明所提供的優(yōu)化的散熱式集成電路封裝，僅為本發(fā)明的具體實施方式，但本發(fā)明的保護(hù)范圍并不局限于此，任何熟悉本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員在本發(fā)明揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，可輕易想到變化或替換，都應(yīng)涵蓋在本發(fā)明保護(hù)范圍之內(nèi)。因此，本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)以所述權(quán)利要求的保護(hù)范圍為準(zhǔn)。