本發(fā)明涉及一種電池正極漿料的技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種太陽(yáng)能電池正極漿料。

背景技術(shù)：

目前，提高太陽(yáng)能電池效率是競(jìng)爭(zhēng)激烈的光伏產(chǎn)業(yè)追求的目標(biāo)。商業(yè)化提高效率的主流思路是淺結(jié)密柵即提高電池片的擴(kuò)散方阻同時(shí)增加印刷柵電極的數(shù)量。

為了能夠?qū)⒕w硅太陽(yáng)能電池片內(nèi)部產(chǎn)生的光生電內(nèi)部產(chǎn)生的光生電流引出到外部負(fù)載中，需要在硅片P-N結(jié)的兩面分別制作金屬電極建立金屬連接，電極的制作是一個(gè)至關(guān)重要的環(huán)節(jié)。

硅太陽(yáng)能電池表面的電極主要有背面電極和正面銀電極，這些電極通常由導(dǎo)電銀漿采用絲網(wǎng)印刷的方式印刷在硅片表面形成。

正面銀漿經(jīng)高分辨率的絲網(wǎng)印刷后，印刷出具有更好高寬比的柵線，減少太陽(yáng)能電池表面的遮光面積，而且可以降低電池內(nèi)部的串聯(lián)電阻，減少光生電流的內(nèi)部功率損耗，最終能有效的提高太陽(yáng)能電池的光電轉(zhuǎn)換效率；這對(duì)正面銀漿的印刷性要求越來(lái)越高。

另外，正面銀漿具有穿透SiNx減反射膜的能力，燒結(jié)后能否與Si片形成良好的歐姆接觸是提高太陽(yáng)能電池效率的關(guān)鍵。

通常，降低柵線的線寬、提高高寬比是當(dāng)前研究比較多的方向，也將要印刷的線型提升到瓶頸階段；以此同時(shí)，對(duì)于添加劑的研究，國(guó)內(nèi)還研究的非常少。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的是為了克服上述現(xiàn)有技術(shù)的缺點(diǎn)，提供一種太陽(yáng)能電池正極漿料，該太陽(yáng)能電池正極漿料通過(guò)高溫?zé)Y(jié)，穿透硅片SiNx鈍化層，形成良好歐姆接觸的正面銀漿，降低了銀與硅接觸電阻及線電阻、提高光電轉(zhuǎn)換效率，本發(fā)明的正極銀漿市場(chǎng)前景廣闊提高太陽(yáng)能電池效率。

本發(fā)明解決其技術(shù)問(wèn)題所采用的技術(shù)方案是：一種太陽(yáng)能電池正極漿料，由以下質(zhì)量百分比的原料配方組分組成:3-5份微晶石墨烯、10-12份納米銀粉、10-15份納米銅粉、5-8份納米鋅粉、8-10份納米鎳粉、5-10份聚乙烯丙綸、3-5份二氧化鈦、4-6份聚氯乙烯、8-10份硅藻泥、2-5份玻璃纖維粉、2-5份石棉粉、6-8份磷酸鐵鋰、8-10份鎳鈷錳酸鋰、30-35份去離子水。

進(jìn)一步的，由以下質(zhì)量百分比的原料配方組分組成: 3份微晶石墨烯、10份納米銀粉、10份納米銅粉、5份納米鋅粉、8份納米鎳粉、5份聚乙烯丙綸、3份二氧化鈦、4份聚氯乙烯、8份硅藻泥、2份玻璃纖維粉、2份石棉粉、6份磷酸鐵鋰、8份鎳鈷錳酸鋰、30份去離子水。

或者是，由以下質(zhì)量百分比的原料配方組分組成: 5份微晶石墨烯、12份納米銀粉、15份納米銅粉、8份納米鋅粉、10份納米鎳粉、10份聚乙烯丙綸、5份二氧化鈦、6份聚氯乙烯、10份硅藻泥、5份玻璃纖維粉、5份石棉粉、8份磷酸鐵鋰、10份鎳鈷錳酸鋰、35份去離子水。

綜上所述，本發(fā)明的有益效果是：本發(fā)明的太陽(yáng)能電池正極漿料通過(guò)高溫?zé)Y(jié)，穿透硅片SiNx鈍化層，形成良好歐姆接觸的正面銀漿，降低了銀與硅接觸電阻及線電阻、提高光電轉(zhuǎn)換效率，本發(fā)明的正極銀漿市場(chǎng)前景廣闊提高太陽(yáng)能電池效率。

具體實(shí)施方式

實(shí)施例1

本實(shí)施例1所描述的一種太陽(yáng)能電池正極漿料，由以下質(zhì)量百分比的原料配方組分組成: 3份微晶石墨烯、10份納米銀粉、10份納米銅粉、5份納米鋅粉、8份納米鎳粉、5份聚乙烯丙綸、3份二氧化鈦、4份聚氯乙烯、8份硅藻泥、2份玻璃纖維粉、2份石棉粉、6份磷酸鐵鋰、8份鎳鈷錳酸鋰、30份去離子水。

實(shí)施例2

本實(shí)施例2所描述的一種太陽(yáng)能電池正極漿料，由以下質(zhì)量百分比的原料配方組分組成: 5份微晶石墨烯、12份納米銀粉、15份納米銅粉、8份納米鋅粉、10份納米鎳粉、10份聚乙烯丙綸、5份二氧化鈦、6份聚氯乙烯、10份硅藻泥、5份玻璃纖維粉、5份石棉粉、8份磷酸鐵鋰、10份鎳鈷錳酸鋰、35份去離子水。

以上所述，僅是本發(fā)明的較佳實(shí)施例而已，并非對(duì)本發(fā)明的原理和框架作任何形式上的限制。凡是依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實(shí)質(zhì)對(duì)以上實(shí)施例所作的任何簡(jiǎn)單修改、等同變化與修飾，均仍屬于本發(fā)明的技術(shù)方案的范圍內(nèi)。