技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明涉及一種低溫多晶硅膜的制備方法、薄膜晶體管的制備方法與薄膜晶體管，上述低溫多晶硅膜的制備方法中，在玻璃基板的預(yù)定區(qū)域內(nèi)形成導(dǎo)熱層，采用準(zhǔn)分子激光退火工藝對所述非晶硅層進(jìn)行激光晶化的過程中，對所述導(dǎo)熱層進(jìn)行加熱，使得非晶硅層內(nèi)部存在溫度差異，在由非晶硅層形成的低溫多晶硅層中，多晶硅晶粒沿橫向方向生長且晶粒更大，具有更少的晶界，增大了制得的低溫多晶硅膜的載流子遷移率，降低了制得的低溫多晶硅膜應(yīng)用于TFT的有源層時產(chǎn)生的漏電流，提高了TFT的閾值電壓的穩(wěn)定性，使得含有上述低溫多晶硅膜的TFT具有更優(yōu)良的電性能。

技術(shù)研發(fā)人員：陳卓;馬春華;陳建榮;任思雨;蘇君海;李建華
受保護(hù)的技術(shù)使用者：信利（惠州）智能顯示有限公司
文檔號碼：201611120989
技術(shù)研發(fā)日：2016.12.07
技術(shù)公布日：2017.05.31