本發(fā)明實施例涉及半導體封裝技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種芯片封裝結(jié)構(gòu)及其制備方法。

背景技術(shù)：

隨著半導體技術(shù)的發(fā)展以及消費電子市場的驅(qū)動，封裝技術(shù)向更輕、更薄、體積更小、電熱性能更優(yōu)良的方向發(fā)展。芯片封裝工藝由逐個芯片封裝向晶圓級封裝轉(zhuǎn)變，而晶圓片級芯片規(guī)模封裝(Wafer Level Chip Scale Packaging，WLCSP)，簡稱晶圓級芯片封裝因具有高密度、體積小、可靠性高、電熱性能優(yōu)良等優(yōu)點而正好滿足封裝工藝的要求而逐漸成為目前最先進也是最重要的封裝形式之一。

但是，現(xiàn)有技術(shù)中，WLCSP存在封裝效果較差的技術(shù)問題，封裝造成的晶粒崩角現(xiàn)象比較嚴重，影響WLCSP的后續(xù)測試及使用。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

有鑒于此，本發(fā)明實施例提供一種芯片封裝結(jié)構(gòu)及其制備方法，以解決現(xiàn)有技術(shù)中WLCSP封裝效果較差的技術(shù)問題。

第一方面，本發(fā)明實施例提供了一種芯片封裝結(jié)構(gòu)，包括：

芯片，所述芯片包括有源面、與所述有源面對向設(shè)置的非有源面以及連接所述有源面與所述非有源面的側(cè)面，連接所述側(cè)面上下兩個邊沿的平面與所述有源面不垂直；

焊盤，位于所述芯片的所述有源面上；

焊球，位于所述焊盤上，通過所述焊盤與所述芯片電連接；

封裝層，位于所述芯片上遠離所述焊盤的一側(cè)，且所述封裝層包覆所述芯片的非有源面和側(cè)面。

可選的，所述芯片的所述側(cè)面的截面形狀為直線形、階梯形或者弧形。

可選的，當所述芯片的所述側(cè)面的截面形狀為階梯形時，所述側(cè)面包括第一側(cè)面和第二側(cè)面，所述第一側(cè)面靠近所述有源面，所述第二側(cè)面遠離所述有源面，所述第一側(cè)面的垂直高度為200-400μm。

可選的，所述芯片封裝結(jié)構(gòu)還包括焊盤擴展層，位于所述芯片的所述有源面上且與所述焊盤電連接；所述焊球位于所述焊盤和所述焊盤擴展層上，通過所述焊盤和所述焊盤擴展層與所述芯片電連接。

可選的，所述焊盤包括邊緣焊盤和中心焊盤，所述邊緣焊盤位于所述有源面的邊緣區(qū)域，所述中心焊盤位于所述有源面的中心區(qū)域；

所述焊盤擴展層包括邊緣焊盤擴展層和中心焊盤擴展層，所述邊緣焊盤擴展層位于所述邊緣焊盤遠離所述有源面的中心位置的一側(cè)，所述中心焊盤擴展層包圍所述中心焊盤且與所述中心焊盤中心對準。

可選的，所述邊緣焊盤擴展層的長度范圍為150μm-250μm。

第二方面，本發(fā)明實施例還提供了一種芯片封裝結(jié)構(gòu)的制備方法，包括：

提供一晶圓基板，并在所述晶圓基板上制備焊盤；

在所述晶圓基板的切割位置制備開口，并在所述開口位置對所述晶圓基板進行切割，得到多個芯片；每個所述芯片包括有源面、與所述有源面對向設(shè)置的非有源面以及連接所述有源面與所述非有源面的側(cè)面，連接所述側(cè)面上下兩個邊沿的平面與所述有源面不垂直；

將多個所述芯片以所述有源面朝下的方式貼裝在襯底上；

在所述襯底上制備封裝層，所述封裝層包覆多個所述芯片的非有源面和側(cè)面；

拆除所述襯底，露出所述芯片的所述有源面及所述焊盤；

在對應所述焊盤的位置制備焊球，所述焊球通過所述焊盤與所述芯片電連接，得到所述晶圓基板的封裝結(jié)構(gòu)；

將所述晶圓基板的封裝結(jié)構(gòu)進行切割，得到所述芯片的封裝結(jié)構(gòu)。

可選的，所述開口的截面形狀為三角形、矩形、梯形或者圓弧形。

可選的，所述開口的深度為200-400μm。

可選的，所述在對應所述焊盤的位置制備焊球，所述焊球通過所述焊盤與所述芯片電連接，包括：

在每個所述芯片的有源面上制備焊盤擴展層，所述焊盤擴展層與所述焊盤電連接；

在對應所述焊盤和所述焊盤擴展層的位置制備焊球，所述焊球通過所述焊盤和所述焊盤擴展層與所述芯片電連接。

可選的，所述焊盤包括邊緣焊盤和中心焊盤，所述邊緣焊盤位于所述有源面的邊緣區(qū)域，所述中心焊盤位于所述有源面的中心區(qū)域；

在每個所述芯片的有源面上制備焊盤擴展層，包括：

在所述邊緣焊盤遠離所述有源面中心位置的一側(cè)制備邊緣焊盤擴展層，所述邊緣焊盤擴展層與所述邊緣焊盤電連接；

在所述中心焊盤的四周制備中心焊盤擴展層，所述中心焊盤擴展層與所述中心焊盤電連接且與所述中心焊盤中心對準。

可選的，所述邊緣焊盤擴展區(qū)的長度范圍為150μm-250μm。

本發(fā)明實施例提供的芯片封裝結(jié)構(gòu)及其制備方法，芯片封裝結(jié)構(gòu)包括芯片、焊盤、焊球以及封裝層，芯片包括有源面、與有源面對向設(shè)置的非有源面以及連接有源面與非有源面的側(cè)面，封裝層包覆芯片的非有源面和側(cè)面，設(shè)置連接側(cè)面上下兩個邊沿的平面與有源面不垂直以及封裝層包覆芯片的非有源面和側(cè)面，可以增加芯片的側(cè)面的表面積，保證芯片的側(cè)面與封裝層保持較大的接觸面積，提高芯片與封裝層的粘接強度，提升封裝效果，解決現(xiàn)有技術(shù)中WLCSP封裝效果較差的技術(shù)問題。

附圖說明

為了更加清楚地說明本發(fā)明示例性實施例的技術(shù)方案，下面對描述實施例中所需要用到的附圖做一簡單介紹。顯然，所介紹的附圖只是本發(fā)明所要描述的一部分實施例的附圖，而不是全部的附圖，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖得到其他的附圖。

圖1是本發(fā)明實施例一提供的一種芯片封裝結(jié)構(gòu)的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2是本發(fā)明實施例二提供的一種芯片封裝結(jié)構(gòu)的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3是本發(fā)明實施例二提供的一種芯片封裝結(jié)構(gòu)的俯視結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4是本發(fā)明實施例三提供的一種芯片封裝結(jié)構(gòu)的制備方法的流程示意圖；

圖5是本發(fā)明實施例三提供的在晶圓基板上制備焊盤的剖面示意圖；

圖6是本發(fā)明實施例三提供的在晶圓基板的切割位置制備開口的剖面示意圖；

圖7是本發(fā)明實施例三提供的在開口位置對晶圓基板進行切割，得到多個芯片的剖面示意圖；

圖8是本發(fā)明實施例三提供的將芯片貼裝在襯底上的剖面示意圖；

圖9是本發(fā)明實施例三提供的在襯底上制備封裝層的剖面示意圖；

圖10是本發(fā)明實施例三提供的拆除襯底的剖面示意圖；

圖11是本發(fā)明實施例三提供的在對應焊盤的位置制備焊球的剖面示意圖；

圖12是本發(fā)明實施例三提供的切割晶圓基板的封裝結(jié)構(gòu)，得到芯片的封裝結(jié)構(gòu)的剖面示意圖；

圖13是本發(fā)明實施例四提供的一種芯片封裝結(jié)構(gòu)的制備方法的流程示意圖；

圖14是本發(fā)明實施例四提供的在芯片的有源面上制備焊盤擴展區(qū)的剖面示意圖；

圖15是本發(fā)明實施例四提供的在焊盤和焊盤擴展層的位置制備焊球的剖面示意圖。

具體實施方式

為使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點更加清楚，以下將結(jié)合本發(fā)明實施例中的附圖，通過具體實施方式，完整地描述本發(fā)明的技術(shù)方案。顯然，所描述的實施例是本發(fā)明的一部分實施例，而不是全部的實施例，基于本發(fā)明的實施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動的前提下獲得的所有其他實施例，均落入本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。

實施例一

圖1是本發(fā)明實施例一提供的一種芯片封裝結(jié)構(gòu)的剖面結(jié)構(gòu)示意圖，具體的，本發(fā)明實施例一提供一種芯片封裝結(jié)構(gòu)，如圖1所示，本發(fā)明實施例提供的芯片封裝結(jié)構(gòu)可以包括：

芯片10，芯片10包括有源面101、與有源面101對向設(shè)置的非有源面102以及連接有源面101與非有源面102的側(cè)面103，連接側(cè)面103上下兩個邊沿的平面與有源面101不垂直；

焊盤20，位于芯片10的有源面101上；

焊球30，位于焊盤20上，通過焊盤20與芯片10電連接；

封裝層40，位于芯片10上遠離焊盤20的一側(cè)，封裝層40包覆芯片10的非有源面102和側(cè)面103。

示例性的，芯片10包括有源面101、與有源面101對向設(shè)置的非有源面102以及連接有源面101和非有源面102的側(cè)面103，有源面101和非有源面102可以是沿水平方向延伸；側(cè)面103可以為平面，也可以為曲面，還可以為由多個平面組成的階梯形曲面，連接側(cè)面103的上下兩個邊沿的平面與有源面101不垂直。

可選的，如圖1所示，側(cè)面103的截面形狀可以為直線形、階梯形或者弧形中的任意一種，圖1以側(cè)面103的截面形狀為階梯形為例進行說明。連接側(cè)面103上下兩個邊沿的平面與有源面101不垂直，反應在圖1所示的剖面結(jié)構(gòu)示意圖中可以理解為連接側(cè)面103上下兩個端點的直線與有源面101不垂直。由于有源面101可以沿水平方向延伸，連接側(cè)面103上下兩個邊沿的平面與有源面101不垂直，因此連接側(cè)面103上下兩個邊沿的平面不是沿豎直方向延伸的，無論側(cè)面103的截面形狀為直線形、階梯形或者弧形中的哪一種，其表示側(cè)面103的表面積均比連接側(cè)面103上下兩個邊沿且沿豎直方向延伸的平面的表面積要大，因此設(shè)置連接側(cè)面103上下兩個邊沿的平面與有源面101不垂直，可以增加側(cè)面103的表面積。

可選的，繼續(xù)參考圖1，當芯片10的側(cè)面103的截面形狀為階梯形時，側(cè)面103可以包括第一側(cè)面1031和第二側(cè)面1032，第一側(cè)面1031靠近有源面101，第二側(cè)面1032遠離有源面101，靠近非有源面102，第一側(cè)面1031的垂直高度H1可以為200-400μm。

可選的，焊盤20位于芯片10的有源面101上，芯片10的有源面101上設(shè)置有多個焊盤20，通過設(shè)置焊盤20，芯片10可以與外部器件進行電連接。可選的，焊盤20可為單層或多層金屬，其材料可以為Ti，W，Al，Cu，Ni，Pt，Ag以及Au中的任意一種或者多種的合金。

可選的，焊球30位于焊盤20上，通過焊盤20與芯片10電連接。可選的，焊球30的材料可以為焊料金屬，例如Sn、Ag、Cu、Pb、Au、Ni、Zn、Mo、Ta、Bi、In及其合金。

可選的，封裝層40位于芯片10上且遠離焊盤20的一側(cè)，封裝層40包覆了芯片10的非有源面102的側(cè)面103，露出有源面101及焊盤20。可選的，封裝層40的材料可以為有機材料，例如ABF、FR-4、BT樹脂或者聚丙烯。

綜上，本發(fā)明實施例一提供的芯片封裝結(jié)構(gòu)，芯片封裝結(jié)構(gòu)包括芯片、焊盤、焊球以及封裝層，芯片包括有源面、與有源面對向設(shè)置的非有源面以及連接有源面與非有源面的側(cè)面，封裝層包覆芯片的非有源面和側(cè)面，設(shè)置連接側(cè)面上下兩個邊沿的平面與有源面不垂直以及封裝層包覆芯片的側(cè)面，可以保證芯片的側(cè)面具有較大的表面積，保證芯片的側(cè)面與封裝層保持較大的接觸面積，提高芯片與封裝層的粘接強度，提升封裝效果，解決現(xiàn)有技術(shù)中WLCSP封裝效果較差的技術(shù)問題。

實施例二

圖2是本發(fā)明實施例二提供的一種芯片封裝結(jié)構(gòu)的剖面結(jié)構(gòu)示意圖，具體的，本發(fā)明實施例二提供一種芯片封裝結(jié)構(gòu)，本發(fā)明實施例二提供的芯片封裝結(jié)構(gòu)以上述實施例一提供的芯片封裝結(jié)構(gòu)為基礎(chǔ)，在上述芯片封裝結(jié)構(gòu)上進行優(yōu)化，具體為本發(fā)明實施例二提供的芯片封裝結(jié)構(gòu)還可以包括焊盤擴展層，如圖2所示，本發(fā)明實施例二提供的芯片封裝結(jié)構(gòu)可以包括：

芯片10，芯片10包括有源面101、與有源面101對向設(shè)置的非有源面102以及連接有源面101與非有源面102的側(cè)面103，連接側(cè)面103上下兩個邊沿的平面與有源面101不垂直；

焊盤20，位于芯片10的有源面101上；

焊盤擴展層50，位于芯片10的有源面101上且與焊盤20電連接；

焊球30，位于焊盤20和焊盤擴展層50上，通過焊盤20和焊盤擴展層50與芯片10電連接；

封裝層40，位于芯片10上遠離焊盤20的一側(cè)，封裝層40包覆芯片10的非有源面102和側(cè)面103。

示例性的，由于焊盤20的面積較小，例如為60*60μm，而焊球30的接觸面積較大，例如焊球30的接觸表面的直徑可以為250μm，因此，直接將焊盤20單獨與焊球30電連接，接觸面積較小，可能造成接觸不良的技術(shù)問題。因此，本發(fā)明實施例所述的芯片封裝結(jié)構(gòu)，還可以包括焊盤擴展層50，如圖2所示。通過焊盤擴展層50擴大焊球30與焊盤20的接觸面積，提高芯片封裝結(jié)構(gòu)的電傳導性能，避免因接觸不良造成芯片封裝結(jié)構(gòu)不能正常使用。

可選的，焊盤擴展層50的材料可以為焊盤30的材料相同，例如Ti，W，Al，Cu，Ni，Pt，Ag以及Au中的任意一種或者多種的合金。

可選的，焊盤20可以包括邊緣焊盤201和中心焊盤202，邊緣焊盤201位于有源面101的邊緣區(qū)域，中心焊盤202位于有源面101的中心區(qū)域；

相應的，焊盤擴展層50可以包括邊緣焊盤擴展層501和中心焊盤擴展層502，邊緣焊盤擴展層501位于邊緣焊盤201遠離有源面101的中心位置的一側(cè)，中心焊盤擴展層502包圍中心焊盤202且與中心焊盤202中心對準。

可選的，圖3是本發(fā)明實施例二提供的一種芯片封裝結(jié)構(gòu)的俯視結(jié)構(gòu)示意圖，如圖3所示，邊緣焊盤擴展層501位于邊緣焊盤201遠離有源層101中心位置的一側(cè)，如此可以將焊盤20向著遠離有源層101中心位置的方向擴展，再在邊緣焊盤201和邊緣焊盤擴展層501上設(shè)置焊球30，在保證芯片10面積不變的情況下，可以釋放芯片10的有源面101中心位置附近的面積，在焊球30的節(jié)距固定不變的情況下，通過設(shè)置邊緣焊盤擴展層501，在芯片10的有源面101中心位置附近可以布局更多的焊球30，提供更多芯片或者電源通路，增加設(shè)計的靈活性。

可選的，邊緣焊盤擴展層501的長度范圍可以為150μm-250μm。

可選的，繼續(xù)參考圖3，中心焊盤擴展層502可以位于中心焊盤202的任意一側(cè)或者中心焊盤擴展層502包圍中心焊盤202且與中心焊盤202中心對準，中心焊盤擴展層502與中心焊盤202中心對準可以理解為中心焊盤擴展層502的中心與中心焊盤202的中心重合。圖3僅以中心焊盤擴展層502包圍中心焊盤202且與中心焊盤202中心對準為例進行了說明。通過在中心焊盤202兩側(cè)或者四周設(shè)置中心焊盤擴展層502，可以增大中心焊盤202與焊球30的接觸面積，提高芯片封裝結(jié)構(gòu)的電傳導性能。

綜上，本發(fā)明實施例二提供的芯片封裝結(jié)構(gòu)，芯片封裝結(jié)構(gòu)包括芯片、焊盤、焊盤擴展層、焊球以及封裝層，不但通過設(shè)置連接側(cè)面上下兩個邊沿的平面與有源面不垂直可以保證芯片的側(cè)面與封裝層保持較大的接觸面積，提高芯片與封裝層的粘接強度，提升封裝效果；還通過設(shè)置芯片擴展層，焊球通過焊盤和焊盤擴展層與芯片電連接，擴大了焊球與焊盤的接觸面積，提高芯片封裝結(jié)構(gòu)的電傳導性能；同時，通過設(shè)置邊緣芯片擴展層，將焊盤向著遠離有源層中心位置的方向擴展，在保證芯片面積不變的情況下，可以釋放芯片中心位置附近的面積，在焊球的節(jié)距固定不變的情況下，通過設(shè)置邊緣焊盤擴展層，在芯片中心位置附近可以布局更多的焊球，提供更多芯片或者電源通路，增加設(shè)計靈活性。

實施例三

圖4是本發(fā)明實施例三提供的一種芯片封裝結(jié)構(gòu)的制備方法的流程示意圖，具體的，本發(fā)明實施例三提供一種芯片封裝結(jié)構(gòu)的制備方法，如圖4所示，本發(fā)明實施例三提供的制備方法可以包括：

S110、提供一晶圓基板，并在所述晶圓基板上制備焊盤。

示例性的，晶圓基板100可以理解為未切割的較大面積的芯片，晶圓基板100即為WLCSP封裝技術(shù)中的晶圓級芯片，因此，晶圓基板100的材料即可以為晶圓。

圖5是本發(fā)明實施例三提供的在晶圓基板上制備焊盤的剖面示意圖，如圖5所示，焊盤20位于晶圓基板100的有源面上，可選的，可以通過焊接的方式在晶圓基板100的有源面上制備焊盤20，晶圓基板100上包含多個焊盤20?？蛇x的，焊盤20可為單層或多層金屬，其材料可以為Ti，W，Al，Cu，Ni，Pt，Ag以及Au中的任意一種或者多種的合金。

S120、在所述晶圓基板的切割位置制備開口，并在所述開口位置對所述晶圓基板進行切割，得到多個芯片；每個所述芯片包括有源面、與所述有源面對向設(shè)置的非有源面以及連接所述有源面與所述非有源面的側(cè)面，連接所述側(cè)面上下兩個邊沿的平面與所述有源面不垂直。

可選的，晶圓基板100中包括切割線，通過所述切割線可以確定晶圓基板100中的切割位置，進而可以將晶圓基板100切割為若干芯片10。圖6是本發(fā)明實施例三提供的在晶圓基板的切割位置制備開口的剖面示意圖，如圖6所示，在所述切割位置制備開口200?？蛇x的，在所述切割位置制備開口200，可以通過工業(yè)刻刀在切割位置制備開口200，還可以通過刻蝕的方式刻蝕得到開口200，例如光刻蝕，這里不對如何制備得到開口200進行限定。

可選的，開口200的截面形狀可以為三角形、矩形、梯形或者圓弧形。

可選的，開口200的深度H2可以為200-400μm。

圖7是本發(fā)明實施例三提供的在開口位置對晶圓基板進行切割，得到多個芯片的剖面示意圖，如圖7所示，在開口200的位置處對晶圓基板100進行切割，得到多個芯片10，每個芯片10包括有源面101、與有源面101對向設(shè)置的非有源面102以及連接有源面101與非有源面102的側(cè)面103，連接側(cè)面103上下兩個邊沿的平面與有源面101不垂直。

示例性的，在開口200位置對晶圓基板100進行切割，得到多個芯片10，當開口200完全貫穿晶圓基板100時，開口200的側(cè)面可以作為芯片10的側(cè)面103；當開口200部分貫穿晶圓基板100時，開口200的側(cè)面以及切割面共同作為芯片10的側(cè)面103，如圖7所示，無論哪種方式得到的芯片10，連接側(cè)面103上下兩個邊沿的平面與有源面101不垂直。由于有源面101可以沿水平方向延伸，連接側(cè)面103上下兩個邊沿的平面與有源面101不垂直，因此連接側(cè)面103上下兩個邊沿的平面不是沿豎直方向延伸的，無論側(cè)面103的截面形狀為直線形、階梯形或者弧形中的哪一種，其表示的側(cè)面103的表面積均比連接側(cè)面103上下兩個邊沿且沿豎直方向延伸的平面的面積要大，因此設(shè)置連接側(cè)面103上下兩個邊沿的平面與有源面101不垂直，可以增加側(cè)面103的表面積。

S130、將多個所述芯片以所述有源面朝下的方式貼裝在襯底上。

圖8是本發(fā)明實施例三提供的將芯片貼裝在襯底上的剖面示意圖，如圖8所示，將每個芯片10以有源面101朝下的方式貼裝在襯底300上?？蛇x的，可以是采用粘貼的方式將芯片10貼裝在襯底300上，如此便需要在襯底300上預先涂覆一層粘結(jié)層(圖中未示出)，通過所述粘結(jié)層將芯片10貼裝在襯底300上。可選的，粘結(jié)層的涂覆可使用旋涂、噴涂、滾壓、印刷、非旋轉(zhuǎn)涂覆、熱壓、真空壓合以及壓力貼合等方式，粘結(jié)層可以為有機材料或者復合材料。需要說明的是，本發(fā)明實施例不對如何將芯片10貼裝在襯底300上進行限定，只是通過粘結(jié)層貼裝進行舉例說明，還可以是其他貼裝方法，這里不進行限定。

S140、在所述襯底上制備封裝層，所述封裝層包覆多個所述芯片的非有源面和側(cè)面。

圖9是本發(fā)明實施例三提供的在襯底上制備封裝層的剖面示意圖，如圖9所示，在襯底300上制備封裝層40，封裝層40包覆芯片10的非有源面102和側(cè)面103?？蛇x的，在襯底300上制備封裝層40，可以通過在襯底300上填涂封裝材料的方式制備得到封裝層40，還可以是其他方式，這里不進行限定?？蛇x的，封裝層40的材料可以為有機材料，例如ABF、FR-4、BT樹脂或者聚丙烯。

S150、拆除所述襯底，露出所述芯片的所述有源面及所述焊盤。

圖10是本發(fā)明實施例三提供的拆除襯底的剖面示意圖，如圖10所示，拆除襯底300可以通過機械、加熱、化學、激光等方式去除。優(yōu)選的，由于可以通過粘結(jié)層將芯片10粘貼在襯底300上，因此可以使用紫外線加熱或者激光的方式照射粘結(jié)層，使粘結(jié)層發(fā)生老化，粘結(jié)性能下降，從而可以比較容易地將襯底300進行拆除。

S160、在對應所述焊盤的位置制備焊球，所述焊球通過所述焊盤與所述芯片電連接，得到所述晶圓基板的封裝結(jié)構(gòu)。

圖11是本發(fā)明實施例三提供的在對應焊盤的位置制備焊球的剖面示意圖，如圖11所示，在對應焊盤20的位置制備焊球30，具體可以是通過電鍍、印刷、植球、放球等工藝，然后進行回流工藝，制備得到焊球30?？蛇x的，焊球30的材料主要為焊料金屬，如Sn、Ag、Cu、Pb、Au、Ni、Zn、Mo、Ta、Bi、In、等及其合金。

S170、將所述晶圓基板的封裝結(jié)構(gòu)進行切割，得到所述芯片的封裝結(jié)構(gòu)。

圖12是本發(fā)明實施例三提供的切割晶圓基板的封裝結(jié)構(gòu)，得到芯片的封裝結(jié)構(gòu)的剖面示意圖，如圖12所示，將晶圓基板100的封裝結(jié)構(gòu)切割得到芯片10的封裝結(jié)構(gòu)?？蛇x的，可以使用切割工具對晶圓基板100的封裝結(jié)構(gòu)進行切割，得到多個芯片10的封裝結(jié)構(gòu)，例如可以使用玻璃切割刀對包含多個芯片10的封裝結(jié)構(gòu)進行切割，得到芯片10的封裝結(jié)構(gòu)，也可以使用激光切割的方法對包含多個芯片10的封裝結(jié)構(gòu)進行切割，得到芯片10的封裝結(jié)構(gòu)，優(yōu)選的，可以使用激光切割的方法得到芯片10的封裝結(jié)構(gòu)，使用激光對包含多個芯片10的封裝結(jié)構(gòu)進行切割，可以保證切割精準度。

綜上，本發(fā)明實施例提供的芯片封裝結(jié)構(gòu)的制備方法，通過首先在晶圓基板的切割位置制備開口，在開口位置對晶圓基板進行切割，得到多個芯片，連接芯片的側(cè)面上下兩個邊沿的平面與芯片的有源面不垂直，保證可以增大芯片的側(cè)面的表面積，當封裝層包覆芯片時，封裝層與芯片的側(cè)面的接觸面積較大，提高芯片與封裝層的粘接強度，提升封裝效果，解決現(xiàn)有技術(shù)中WLCSP封裝效果較差的技術(shù)問題。

實施例四

圖13是本發(fā)明實施例四提供的一種芯片封裝結(jié)構(gòu)的制備方法的流程示意圖，本發(fā)明實施例提供一種芯片封裝結(jié)構(gòu)的制備方法，本發(fā)明實施例以上述實施例三為基礎(chǔ)，在實施例三的基礎(chǔ)上進行優(yōu)化，具體為提供一種包含焊盤擴展層的芯片封裝結(jié)構(gòu)的制備方法，如圖13所示，本發(fā)明實施例提供的芯片封裝結(jié)構(gòu)的制備方法可以包括：

S210、提供一晶圓基板，并在所述晶圓基板上制備焊盤。

S220、在所述晶圓基板的切割位置制備開口，并在所述開口位置對所述晶圓基板進行切割，得到多個芯片；每個所述芯片包括有源面、與所述有源面對向設(shè)置的非有源面以及連接所述有源面與所述非有源面的側(cè)面，連接所述側(cè)面上下兩個邊沿的平面與所述有源面不垂直。

S230、將多個所述芯片以所述有源面朝下的方式貼裝在襯底上。

S240、在所述襯底上制備封裝層，所述封裝層包覆多個所述芯片的非有源面和側(cè)面。

S250、拆除所述襯底，露出所述芯片的所述有源面及所述焊盤。

S260、在每個所述芯片的有源面上制備焊盤擴展層，所述焊盤擴展層與所述焊盤電連接。

圖14是本發(fā)明實施例四提供的在芯片的有源面上制備焊盤擴展區(qū)的剖面示意圖，如圖14所示，在芯片10的有源面101上制備焊盤擴展層50，焊盤擴展層50與焊盤20電連接?？蛇x的，在芯片10的有源面101上制備焊盤擴展層50可以與制備焊盤20的方向相同，例如通過焊接的方式在芯片10的有源面101上制備焊盤擴展層50?？蛇x的，焊盤擴展層50的材料可以為焊盤30的材料相同，例如Ti，W，Al，Cu，Ni，Pt，Ag以及Au中的任意一種或者多種的合金。通過焊盤擴展層50擴大焊盤20的表面積，提高芯片封裝結(jié)構(gòu)的電傳導性能。

可選的，焊盤20可以包括邊緣焊盤201和中心焊盤202，邊緣焊盤201位于有源面101的邊緣區(qū)域，中心焊盤202位于有源面101的中心區(qū)域；

在每個芯片10的有源面101上制備焊盤擴展層50，可以包括：

在邊緣焊盤201遠離有源面101中心位置的一側(cè)制備邊緣焊盤擴展層501，邊緣焊盤擴展層501與邊緣焊盤201電連接；

在中心焊盤202的四周制備中心焊盤擴展層502，中心焊盤擴展層502與中心焊盤202電連接且與中心焊盤202中心對準。

可選的，如圖14所示，在邊緣焊盤201遠離有源面101中心位置的一側(cè)制備邊緣焊盤擴展層501，如此可以將焊盤20向著遠離有源層101中心位置的方向擴展，提高芯片10的有源面101的容納面積?？蛇x的，邊緣焊盤擴展層501的長度范圍可以為150μm-250μm。

可選的，繼續(xù)參考圖14，在中心焊盤202的四周或者任意一側(cè)制備中心焊盤擴展層502，圖14僅以在中心焊盤202的四周制備中心焊盤擴展層502為例進行了說明?？蛇x的，中心焊盤擴展層502與中心焊盤202中心對準可以理解為中心焊盤擴展層502的中心與中心焊盤202的中心重合。通過在中心焊盤202兩側(cè)或者四周設(shè)置中心焊盤擴展層502，可以增大中心焊盤202的接觸面積，提高芯片封裝結(jié)構(gòu)的電傳導性能。

S270、在對應所述焊盤和所述焊盤擴展層的位置制備焊球，所述焊球通過所述焊盤和所述焊盤擴展層與所述芯片電連接，得到所述晶圓基板的封裝結(jié)構(gòu)。

圖15是本發(fā)明實施例四提供的在焊盤和焊盤擴展層的位置制備焊球的剖面示意圖，如圖15所示，在焊盤20和焊盤擴展層50的位置制備焊球30，通過焊盤擴展區(qū)50提高了焊球30與焊盤20的接觸面積，提高芯片封裝結(jié)構(gòu)的電傳導性能。

可選的，如圖15所示，邊緣焊盤201和邊緣焊盤擴展區(qū)501與焊球30電連接，可以在保證芯片10面積不變的情況下，可以釋放芯片10中心位置附近的面積，在焊球30的節(jié)距固定不變的情況下，通過設(shè)置邊緣焊盤擴展層501，在芯片10中心位置附近可以布局更多的焊球30，提供更多芯片或者電源通路，增加設(shè)計的靈活性。中心焊盤202和中心焊盤擴展區(qū)502與焊球30電連接，以增大中心焊盤202與焊球30的接觸面積，提高芯片封裝結(jié)構(gòu)的電傳導性能。

S280、將所述晶圓基板的封裝結(jié)構(gòu)進行切割，得到所述芯片的封裝結(jié)構(gòu)。

綜上，本發(fā)明實施例提供的芯片封裝結(jié)構(gòu)的制備方法，首先通過首先在晶圓基板的切割位置制備開口，在開口位置對晶圓基板進行切割，得到多個芯片，連接芯片的側(cè)面上下兩個邊沿的平面與芯片的有源面不垂直，保證可以增大芯片的側(cè)面的表面積，當封裝層包覆芯片時，封裝層與芯片的側(cè)面的接觸面積較大，提高芯片與封裝層的粘接強度，提升封裝效果；其次通過制備焊盤擴展區(qū)，焊球通過焊盤和焊盤擴展層與芯片電連接，擴大了焊球與焊盤的接觸面積，提高芯片封裝結(jié)構(gòu)的電傳導性能；同時，通過制備邊緣芯片擴展層，將焊盤向著遠離有源層中心位置的方向擴展，在保證芯片面積不變的情況下，可以釋放芯片中心位置附近的面積，在焊球的節(jié)距固定不變的情況下，通過設(shè)置邊緣焊盤擴展層，在芯片中心位置附近可以布局更多的焊球，提供更多芯片或者電源通路，增加設(shè)計靈活性。

注意，上述僅為本發(fā)明的較佳實施例及所運用技術(shù)原理。本領(lǐng)域技術(shù)人員會理解，本發(fā)明不限于這里所述的特定實施例，對本領(lǐng)域技術(shù)人員來說能夠進行各種明顯的變化、重新調(diào)整和替代而不會脫離本發(fā)明的保護范圍。因此，雖然通過以上實施例對本發(fā)明進行了較為詳細的說明，但是本發(fā)明不僅僅限于以上實施例，在不脫離本發(fā)明構(gòu)思的情況下，還可以包括更多其他等效實施例，而本發(fā)明的范圍由所附的權(quán)利要求范圍決定。