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      一種芯片封裝結(jié)構(gòu)及其制備方法與流程

      文檔序號(hào):11964475閱讀:來(lái)源:國(guó)知局

      技術(shù)特征:

      1.一種芯片封裝結(jié)構(gòu),其特征在于,包括:

      芯片,所述芯片包括有源面、與所述有源面對(duì)向設(shè)置的非有源面以及連接所述有源面與所述非有源面的側(cè)面,連接所述側(cè)面上下兩個(gè)邊沿的平面與所述有源面不垂直;

      焊盤,位于所述芯片的所述有源面上;

      焊球,位于所述焊盤上,通過(guò)所述焊盤與所述芯片電連接;

      封裝層,位于所述芯片上遠(yuǎn)離所述焊盤的一側(cè),且所述封裝層包覆所述芯片的非有源面和側(cè)面。

      2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片封裝結(jié)構(gòu),其特征在于,所述芯片的所述側(cè)面的截面形狀為直線形、階梯形或者弧形。

      3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的芯片封裝結(jié)構(gòu),其特征在于,當(dāng)所述芯片的所述側(cè)面的截面形狀為階梯形時(shí),所述側(cè)面包括第一側(cè)面和第二側(cè)面,所述第一側(cè)面靠近所述有源面,所述第二側(cè)面遠(yuǎn)離所述有源面,所述第一側(cè)面的垂直高度為200-400μm。

      4.根據(jù)權(quán)利要去1所述的封裝結(jié)構(gòu),其特征在于,還包括:

      焊盤擴(kuò)展層,位于所述芯片的所述有源面上且與所述焊盤電連接;所述焊球位于所述焊盤和所述焊盤擴(kuò)展層上,通過(guò)所述焊盤和所述焊盤擴(kuò)展層與所述芯片電連接。

      5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的芯片封裝結(jié)構(gòu),其特征在于,所述焊盤包括邊緣焊盤和中心焊盤,所述邊緣焊盤位于所述有源面的邊緣區(qū)域,所述中心焊盤位于所述有源面的中心區(qū)域;

      所述焊盤擴(kuò)展層包括邊緣焊盤擴(kuò)展層和中心焊盤擴(kuò)展層,所述邊緣焊盤擴(kuò)展層位于所述邊緣焊盤遠(yuǎn)離所述有源面的中心位置的一側(cè),所述中心焊盤擴(kuò)展層包圍所述中心焊盤且與所述中心焊盤中心對(duì)準(zhǔn)。

      6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的芯片封裝結(jié)構(gòu),其特征在于,所述邊緣焊盤擴(kuò)展層的長(zhǎng)度范圍為150μm-250μm。

      7.一種芯片封裝結(jié)構(gòu)的制備方法,其特征在于,包括:

      提供一晶圓基板,并在所述晶圓基板上制備焊盤;

      在所述晶圓基板的切割位置制備開口,并在所述開口位置對(duì)所述晶圓基板進(jìn)行切割,得到多個(gè)芯片;每個(gè)所述芯片包括有源面、與所述有源面對(duì)向設(shè)置的非有源面以及連接所述有源面與所述非有源面的側(cè)面,連接所述側(cè)面上下兩個(gè)邊沿的平面與所述有源面不垂直;

      將多個(gè)所述芯片以所述有源面朝下的方式貼裝在襯底上;

      在所述襯底上制備封裝層,所述封裝層包覆多個(gè)所述芯片的非有源面和側(cè)面;

      拆除所述襯底,露出所述芯片的所述有源面及所述焊盤;

      在對(duì)應(yīng)所述焊盤的位置制備焊球,所述焊球通過(guò)所述焊盤與所述芯片電連接,得到所述晶圓基板的封裝結(jié)構(gòu);

      將所述晶圓基板的封裝結(jié)構(gòu)進(jìn)行切割,得到所述芯片的封裝結(jié)構(gòu)。

      8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的制備方法,其特征在于,所述開口的截面形狀為三角形、矩形、梯形或者圓弧形。

      9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的制備方法,其特征在于,所述開口的深度為200-400μm。

      10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的制備方法,其特征在于,所述在對(duì)應(yīng)所述焊盤的位置制備焊球,所述焊球通過(guò)所述焊盤與所述芯片電連接,包括:

      在每個(gè)所述芯片的有源面上制備焊盤擴(kuò)展層,所述焊盤擴(kuò)展層與所述焊盤電連接;

      在對(duì)應(yīng)所述焊盤和所述焊盤擴(kuò)展層的位置制備焊球,所述焊球通過(guò)所述焊盤和所述焊盤擴(kuò)展層與所述芯片電連接。

      11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的制備方法,其特征在于,所述焊盤包括邊緣焊盤和中心焊盤,所述邊緣焊盤位于所述有源面的邊緣區(qū)域,所述中心焊盤位于所述有源面的中心區(qū)域;

      在每個(gè)所述芯片的有源面上制備焊盤擴(kuò)展層,包括:

      在所述邊緣焊盤遠(yuǎn)離所述有源面中心位置的一側(cè)制備邊緣焊盤擴(kuò)展層,所述邊緣焊盤擴(kuò)展層與所述邊緣焊盤電連接;

      在所述中心焊盤的四周制備中心焊盤擴(kuò)展層,所述中心焊盤擴(kuò)展層與所述中心焊盤電連接且與所述中心焊盤中心對(duì)準(zhǔn)。

      12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的制備方法,其特征在于,所述邊緣焊盤擴(kuò)展區(qū)的長(zhǎng)度范圍為150μm-250μm。

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