本申請要求于2016年3月14日在韓國知識產權局提交的第10-2016-0030279號韓國專利申請的優(yōu)先權和權益，該申請的所有內容通過引用包含于此。

本公開的示例實施例的一個或更多個方面涉及一種顯示裝置。例如，本公開的實施例的各方面涉及一種包括顯示面板的顯示裝置，該顯示面板的一部分可以折疊。

背景技術：

顯示裝置(諸如液晶顯示器(lcd)和/或有機發(fā)光二極管(oled)顯示器)包括包含顯示圖像的多個像素的顯示面板。每個像素包括可被提供有數據信號的像素電極，并且像素電極可以連接到傳輸數據信號的至少一個晶體管。

晶體管包括控制(例如，柵)電極、輸入(例如，源)電極、輸出(例如，漏)電極以及連接到輸入電極和輸出電極的半導體層。晶體管可以連接到將被提供有信號的多條信號線。多條信號線可以包括用于接收柵極信號的柵極線和用于接收數據電壓的數據線。

代替重且具有單一固定狀態(tài)(例如，形狀)的基底，最近已經開發(fā)了包括質輕且具有可改變(例如，經由彎折)的形狀的柔性基底的顯示裝置。柔性基底可以包括諸如聚酰亞胺的塑料材料。

包括柔性基底并具有至少一部分是可彎折或可折疊的柔性區(qū)域的顯示裝置可以被稱作柔性顯示裝置。顯示面板的部分可彎折的顯示裝置可以被稱作可彎折的顯示裝置。

提供該背景技術部分中公開的上述信息，僅用來增強對本公開的背景的理解，因此該上述信息可包含不形成對本領域普通技術人員而言在本國已知的現(xiàn)有技術的信息。

技術實現(xiàn)要素：

本公開的一個或更多個示例實施例涉及在減小柔性顯示裝置的柔性區(qū)域的曲率半徑的同時防止或減少在柔性顯示裝置的柔性區(qū)域中產生缺陷(諸如裂紋)，并同時提高顯示裝置的制造工藝的良率。另外，當根據本公開的實施例的柔性顯示裝置包括柔性區(qū)域以及比柔性區(qū)域的柔性低的低柔性區(qū)域時，柔性顯示裝置可以具有相對更大的曲率半徑和/或可以基本上不變形，并且可以減小柔性區(qū)域與低柔性區(qū)域之間的邊界附近的圖像亮度的變化。

本公開的一個或更多個示例實施例提供了一種顯示裝置，所述顯示裝置包括：顯示面板，包括柔性區(qū)域和具有比柔性區(qū)域的柔性低的柔性的低柔性區(qū)域，其中，柔性區(qū)域包括第一晶體管，第一晶體管包括第一半導體層和第一柵電極；第一導體，連接到第一半導體層；第一層間絕緣層，位于第一晶體管與第一導體之間。低柔性區(qū)域可以包括第二晶體管，第二晶體管包括第二半導體層和第二柵電極，第二導體連接到第二半導體層，并且第二層間絕緣層設置在第二晶體管與第二導體之間。第一層間絕緣層可以包括有機絕緣材料，第二層間絕緣層可以包括無機絕緣材料，第一晶體管的溝道寬度與溝道長度的比可以不同于第二晶體管的溝道寬度與溝道長度的比。

在一些實施例中，第一晶體管的溝道寬度與溝道長度的比可以大于第二晶體管的溝道寬度與溝道長度的比或比第二晶體管的溝道寬度與溝道長度的比大。

第一層間絕緣層的側表面可以在柔性區(qū)域與低柔性區(qū)域之間的邊界處接觸第二層間絕緣層的側表面。

第一層間絕緣層可以僅位于第一柵電極與第一導體之間，第二層間絕緣層可以僅位于第二柵電極與第二導體之間。

第一晶體管可以包括位于第一柵電極與第一半導體層之間的第一柵極絕緣層，第二晶體管可以包括位于第二柵電極與第二半導體層之間的第二柵極絕緣層。

第一柵極絕緣層可以包括有機絕緣材料。

第一柵極絕緣層可以僅位于第一柵電極與第一半導體層之間，并可以不與第一半導體層的另一部分疊置。

第一層間絕緣層與第二層間絕緣層之間的界面可以在柔性區(qū)域與低柔性區(qū)域之間的邊界處相對于第一層間絕緣層或第二層間絕緣層的上表面傾斜或偏斜。

第一層間絕緣層與第二層間絕緣層之間的界面可以沿著柔性區(qū)域與低柔性區(qū)域之間的邊界具有臺階形狀(例如，臺階輪廓)或突起和凹陷形狀(例如，包括一個或更多個突起和凹陷的表面)。

柔性區(qū)域還可以包括位于第一層間絕緣層與第一晶體管之間的第一無機絕緣層。

第一無機絕緣層可以包括多個島狀區(qū)域，每個島狀區(qū)域可以僅設置在與第一晶體管的位置對應的區(qū)域中。

包括在第一無機絕緣層中的多個島狀區(qū)域的平面分布密度可以隨著至低柔性區(qū)域的接近度增加而增大。

低柔性區(qū)域可以包括與柔性區(qū)域相鄰的多個有機島狀區(qū)域。有機島狀區(qū)域可以包括包含第三半導體層和第三柵電極的第三晶體管，第三導體連接到第三半導體層，第三層間絕緣層位于第三晶體管與第三導體之間，第三層間絕緣層可以包括有機絕緣材料。

多個有機島狀區(qū)域的平面分布密度可以隨著至柔性區(qū)域的接近度減小而減小。

柔性區(qū)域與低柔性區(qū)域之間的邊界可以形成直線(如平面圖中觀看)。

柔性區(qū)域與低柔性區(qū)域之間的邊界可以是蜿蜒的，可以包括突起和凹陷，或者可以以鋸齒線(如平面圖中觀看)延伸。

柔性區(qū)域可以包括彼此分離的多個無機島狀區(qū)域，這些無機島狀區(qū)域可以包括位于第一晶體管與第一層間絕緣層之間的第一無機絕緣層。

顯示裝置可以是包括有機發(fā)射層的有機發(fā)光二極管顯示器。

根據本公開的示例實施例的顯示裝置可以包括顯示面板，顯示面板包括柔性區(qū)域和具有比柔性區(qū)域的柔性低的柔性的低柔性區(qū)域，其中，柔性區(qū)域包括包含第一半導體層和第一柵電極的第一晶體管，第一導體連接到第一半導體層，第一層間絕緣層位于第一晶體管與第一導體之間。低柔性區(qū)域可以包括包含第二半導體層和第二柵電極的第二晶體管，第二導體連接到第二半導體層，第二層間絕緣層位于第二晶體管與第二導體之間。第一層間絕緣層可以包括有機絕緣材料并且可以接觸第一柵電極，第二層間絕緣層可以包括無機絕緣材料。

根據本公開的示例實施例的顯示裝置可以包括顯示面板，顯示面板包括柔性區(qū)域和具有比柔性區(qū)域的柔性低的柔性的低柔性區(qū)域，其中，柔性區(qū)域包括包含第一半導體層和第一柵電極的第一晶體管，第一導體連接到第一半導體層，第一層間絕緣層位于第一晶體管與第一導體之間。低柔性區(qū)域可以包括包含第二半導體層和第二柵電極的第二晶體管，第二導體連接到第二半導體層，第二層間絕緣層位于第二晶體管與第二導體之間。第一層間絕緣層包括有機絕緣材料，第二層間絕緣層可以包括無機絕緣材料，第一層間絕緣層的側表面和第二層間絕緣層的側表面可以在柔性區(qū)域與低柔性區(qū)域之間的邊界處接觸。

根據示例實施例，即使當柔性顯示裝置的柔性區(qū)域的曲率半徑減小時也可以防止或減少柔性區(qū)域中的缺陷(諸如裂紋)，并可以提高顯示裝置的制造工藝中的良率。

另外，在包括柔性區(qū)域(柔性顯示裝置可以在其中被彎折)和低柔性區(qū)域(其柔性低于柔性區(qū)域的柔性)的顯示裝置中，可以減少在柔性區(qū)域與低柔性區(qū)域之間的邊界附近的圖像亮度的變化。

附圖說明

附圖與說明書一起示出了本公開的主題的實施例，并與描述一起用來解釋本公開的主題的實施例的原理。

圖1是根據本公開的示例實施例的顯示裝置的示意性透視圖。

圖2是示出顯示裝置的一部分被彎折成折疊的構造的圖1中所示的顯示裝置的示意性透視圖。

圖3至圖5分別是沿線a-aii截取的圖1中所示的顯示裝置的剖視圖。

圖6是設置在根據本公開的示例實施例的顯示裝置的柔性區(qū)域中的一個像素的布局視圖。

圖7是設置在根據本公開的示例實施例的顯示裝置的低柔性區(qū)域中的一個像素的布局視圖。

圖8是根據本公開的示例實施例的顯示裝置的一個像素的等效電路圖。

圖9至圖17是根據本公開的示例實施例的沿線a-aii截取的圖1中所示的顯示裝置的剖視圖。

圖18至圖24是根據本公開的示例實施例的顯示裝置的俯視平面圖。

圖25至圖27是根據本公開的示例實施例的沿線b-bii截取的圖24中所示的顯示裝置的剖視圖。

圖28至圖30是根據本公開的示例實施例的顯示裝置的俯視平面圖。

圖31至圖33是根據本公開的示例實施例的沿線a-aii截取的圖1中所示的顯示裝置的剖視圖。

圖34是根據本公開的示例實施例的顯示裝置的一個像素的布局視圖。

圖35是根據本公開的示例實施例的沿線a-aii截取的圖1中所示的顯示裝置的剖視圖。

圖36是示出根據本公開的示例實施例的用于車輛內部的顯示裝置的示例的示意性視圖。

圖37是示出根據本公開的示例實施例的用于車輛內部的圖36中所示的顯示裝置的一部分被彎折的顯示裝置的示例的示意性視圖。

具體實施方式

在下文中，將參照附圖更加充分地描述本公開，在附圖中示出本公開的示例實施例。如本領域技術人員將認識到的，在不脫離本公開的精神或范圍的情況下，可以以各種不同的方式修改所描述的實施例。

附圖和描述被認為本質上是示出性的而非限制性的。貫穿說明書，同樣的附圖標記表示同樣的元件，可以不對其提供重復的描述。

在附圖中，為了便于描述，可任意示出每個元件的尺寸和厚度，本公開不必限于附圖中示出的尺寸和厚度。在附圖中，為了清楚和便于描述，可以夸大層、膜、面板、區(qū)域等的厚度。

將理解的是，當諸如層、膜、區(qū)域或基底的元件被稱作“在”另一元件上時，該元件可以直接在另一元件上，或者也可以存在中間元件。相反，當元件被稱作“直接在”另一元件“上”時，不存在中間元件。另外，在說明書中，表述“在……上”可以指位于目標部分上方或下方，但不是必然指在目標的上側上(基于重力的方向)。

除非明確描述為相反，否則詞語“包括”和諸如“包括”或“包含”的變型將被理解為表示包括所陳述的元件，但不排除任何其它元件。

圖1是根據本公開的示例實施例的顯示裝置的示意性透視圖，圖2是示出圖1中所示的顯示裝置的一部分被彎折成折疊的構造的示意性透視圖。

參照圖1和圖2，根據本公開的示例實施例的顯示裝置包括包含顯示圖像的多個像素px的顯示面板1。顯示面板1可以變形(例如，折疊)，使得顯示面板1的至少一部分被彎折。

當顯示面板1處于完全平坦狀態(tài)(例如，如圖1中)時，顯示面板1主要在與第一方向d1和第二方向d2(基本垂直于第一方向d1)基本平行的方向上延伸。顯示面板1的上表面和下表面也可以主要在基本平行于第一方向d1和第二方向d2的方向上延伸。顯示面板1的顯示表面可以形成在圖1中的上表面和下表面中的至少一個上。在本公開中，術語“平面結構”指如在基本平行于第三方向d3的方向上(例如，從第三方向d3)觀看的顯示面板1的結構，術語“剖面結構”指如在垂直于第三方向d3的方向上觀看的顯示面板1的剖面的結構。

當從第三方向d3觀看平坦狀態(tài)下的顯示面板1時，顯示面板1可以包括可彎折的至少一個柔性區(qū)域fa以及均具有比柔性區(qū)域fa的柔性低的柔性的至少一個低柔性區(qū)域pa和/或pb。

當顯示面板1包括多個低柔性區(qū)域pa和pb時，低柔性區(qū)域pa與pb之間可以是一個柔性區(qū)域fa。圖1示出顯示面板1包括位于柔性區(qū)域fa的相對側(例如，沿第一方向d1)上的一對低柔性區(qū)域pa和pb的示例。

在一些實施例中，低柔性區(qū)域pa和pb的柔性比柔性區(qū)域fa的柔性低并且可以以比柔性區(qū)域fa的曲率半徑大的曲率半徑進行彎折。在一些實施例中，低柔性區(qū)域pa和pb幾乎不彎折或者基本上保持不彎折(例如，基本上是不可彎折的)，并可以保持平坦狀態(tài)。

如圖1中所示，柔性區(qū)域fa可以從顯示面板1的一個邊緣側延伸到相對的邊緣側，可以以直線延伸，或者其至少一部分可以以曲線延伸。圖1示出柔性區(qū)域fa主要沿第二方向d2延伸的示例。然而，本公開的實施例不限于此，柔性區(qū)域fa可以在與第二方向d2不同的方向上延伸。

當顯示面板1在柔性區(qū)域fa中彎折成折疊時，虛擬中心線cl可以位于柔性區(qū)域fa內。虛擬中心線cl可以沿柔性區(qū)域fa延伸并可以基本上處于柔性區(qū)域fa的中心。

柔性區(qū)域fa沿第一方向d1的寬度可以為大約500μm至5mm；然而，本公開的實施例不限于此。

多個像素px可以橫跨所有的低柔性區(qū)域pa和pb以及柔性區(qū)域fa進行分布，從而全部顯示圖像。多個像素px可以以矩陣形狀或基本上菱形形狀布置在整個顯示面板1上；然而，本公開的實施例不限于此。每個像素px可以根據輸入到顯示裝置的輸入圖像信號而顯示圖像亮度(例如，以亮度級發(fā)光)，并可以表示諸如紅色、綠色和/或藍色的特定顏色。這里，由一個像素px顯示的圖像的亮度灰度級依賴于輸入圖像信號。

參照圖2，顯示面板1可以基本上在柔性區(qū)域fa中彎折，從而形成完全變形(例如，彎折)狀態(tài)1'。在一些實施例中，顯示面板1可以在與圖2中示出的方向相反的方向上彎折(例如，使得在顯示面板1被彎折之后，圖1中的顯示面板1的平面圖中可見的低柔性區(qū)域pa和pb的表面基本上是面朝外的彼此背對的表面)。當顯示面板1能夠在任意方向上彎折時，顯示面板1的顯示表面可以形成在顯示面板1的上表面和下表面兩者上。

接著，將參照圖3至圖5以及圖1和圖2描述根據本公開的示例實施例的顯示裝置的剖面結構。

圖3至圖5均是沿線a-aii(具有中點ai)截取并示出與兩個像素px對應的剖面結構的圖1中示出的顯示裝置的示例實施例的剖視圖。

根據本公開的示例實施例的顯示裝置包括基底110、位于基底110的一個表面上的緩沖層111和位于緩沖層111上的多個晶體管qd。

基底110可包括無機絕緣材料和/或有機絕緣材料(諸如聚酰亞胺)。基底110可以是具有柔性的柔性基底或具有低柔性的非柔性基底(諸如玻璃基底)。當基底110是非柔性基底時，與圖3至圖5中示出的基底相反，基底110可以不包括在柔性區(qū)域fa中。

緩沖層111位于基底110與晶體管qd之間。緩沖層111可以防止或減少雜質從基底110流到晶體管qd中，從而防止或減少晶體管qd的劣化。緩沖層111可以包括諸如氧化硅(siox)、氮化硅(sinx)、氧化鋁(al2o3)、氧化鉿(hfo3)和/或氧化釔(y2o3)的無機絕緣材料和/或有機絕緣材料。在一些實施例中，緩沖層111的位于顯示面板1的柔性區(qū)域fa中的部分可以包括有機絕緣材料，緩沖層111的位于低柔性區(qū)域pa和pb中的部分可以包括無機絕緣材料，但是本公開的實施例不限于此。

如示出的那樣，緩沖層111可以形成為單層或多層，并可以形成在基底110的整個區(qū)域上或者可以僅形成在晶體管qd下方?？梢愿鶕@示面板1的設計而省略緩沖層111。

晶體管qd可以包括半導體層152、柵電極124和位于半導體層152與柵電極124之間的柵極絕緣層(140和/或140s)。

半導體層152可以包括其中形成晶體管qd的溝道的溝道區(qū)154以及位于溝道區(qū)154的任一側上的源區(qū)153和漏區(qū)155。源區(qū)153和漏區(qū)155可以與溝道區(qū)154形成在同一層中并可以連接到溝道區(qū)154。

源區(qū)153、漏區(qū)155和溝道區(qū)154可以均由相同的材料形成，例如，金屬氧化物、多晶硅或非晶硅。當源區(qū)153、漏區(qū)155和溝道區(qū)154均包括金屬氧化物時，所述金屬氧化物的非限制性示例可以包括氧化鋅(zno)、氧化鋅錫(zto)、氧化鋅銦(zio)、氧化銦(ino)、氧化鈦(tio)、氧化銦鎵鋅(igzo)和/或氧化銦鋅錫(izto)。

源區(qū)153和漏區(qū)155中的載流子濃度可以大于溝道區(qū)154中的載流子濃度，源區(qū)153和漏區(qū)155可以是導電的?？梢栽谠磪^(qū)153與溝道區(qū)154之間和漏區(qū)155與溝道區(qū)154之間形成梯度區(qū)域，在該梯度區(qū)域中，載流子濃度在空間上逐漸改變。

可以通過使用諸如等離子體處理的方法使半導體材料(例如，在基底110上形成半導體層152的材料)的一部分導電來形成源區(qū)153和漏區(qū)155。例如，在基底110上沉積金屬氧化物半導體材料之后，可以使用從腔室中的氟氣(f2)、氫氣(h2)、硫氣(s2)中選擇的至少一種來選擇性地摻雜金屬氧化物半導體材料以形成源區(qū)153和漏區(qū)155。在此情況下，未摻雜的部分保留作為溝道區(qū)154。

柵電極124可以經由(例如，通過)柵極絕緣層(140和/或140s)與溝道區(qū)154疊置。柵電極124可以包括導電材料(諸如金屬)。圖3至圖5示出柵電極124在溝道區(qū)154上的示例實施例。

柵極絕緣層(140和/或140s)可以包括諸如氧化硅(siox)、氮化硅(sinx)和/或氮氧化硅(sion)的無機絕緣材料和/或有機絕緣材料。在一些實施例中，柵極絕緣層(140和/或140s)的位于柔性區(qū)域fa內的部分可以包括有機絕緣材料，柵極絕緣層(140和/或140s)的位于低柔性區(qū)域pa和pb內的部分可以包括無機絕緣材料，但是本公開的實施例不限于此。

圖3至圖5中示出的示例實施例在柵極絕緣層(140和/或140s)的結構上有所不同。

根據圖3中示出的示例實施例，在柔性區(qū)域fa以及低柔性區(qū)域pa和pb的所有像素px中，柵極絕緣層140包括柵電極124與溝道區(qū)154之間的部分以及不與柵電極124疊置的部分。因此，柵極絕緣層140可以包括接觸半導體層152的源區(qū)153和漏區(qū)155的部分以及接觸緩沖層111的部分。

根據圖4中示出的示例實施例，在柔性區(qū)域fa以及低柔性區(qū)域pa和pb的所有像素px中，柵極絕緣層140s主要位于柵電極124與溝道區(qū)154之間，從而形成島形狀。如這里使用的，術語“島形狀”或“島狀的”指由與周圍區(qū)域的材料不同的材料形成并且面積比由相同的材料形成的更大區(qū)域的面積小的區(qū)域。柵極絕緣層140s的平面形狀可以與柵電極124的平面形狀的基本上相同(例如，具有大致或大約相同的覆蓋區(qū)(footprint))。換言之，柵極絕緣層140s的邊緣側可以基本上與柵電極124的對應邊緣側平行，并可以大致或基本上與柵電極124的對應邊緣側對準。這可以通過在顯示面板1的制造工藝中使用同一光掩模形成柵電極124和柵極絕緣層140s來實現(xiàn)。柵極絕緣層140s可以覆蓋半導體層152的溝道區(qū)154的大部分。

根據圖5中示出的示例實施例，柔性區(qū)域fa中的每個像素px的柵極絕緣層140s可以具有與低柔性區(qū)域pa和pb中的每個像素px的柵極絕緣層140的結構不同的結構。柔性區(qū)域fa中的每個像素px的柵極絕緣層140s可以具有與根據圖4中示出的示例實施例的柵極絕緣層140s基本上相同的島形狀，低柔性區(qū)域pa和pb中的每個像素px的柵極絕緣層140可以基本上與根據圖3中示出的示例實施例的柵極絕緣層140相同。

在一些實施例中，當柵極絕緣層140和140s包括無機絕緣材料時，如圖5中所示，柔性區(qū)域fa內的每個像素px的柵極絕緣層140s可以形成為島形狀使得柵極絕緣層140s僅位于柵電極124與溝道區(qū)154之間。因此，當顯示面板1在柔性區(qū)域fa中彎折時，因為柔性區(qū)域fa內的每個像素px的柵極絕緣層140s的面積受到限制，所以可以防止或減少缺陷(諸如柵極絕緣層140s中的裂紋)。

半導體層152中的溝道區(qū)154的平面形狀可以與柵電極124的平面形狀基本上相同(例如，具有大致或基本上相同的覆蓋區(qū))。換言之，溝道區(qū)154的每個邊緣側可以基本上與柵電極124的每個對應邊緣側平行，并可以大致或基本上與柵電極124的每個對應邊緣側對準。例如，溝道區(qū)154與源區(qū)153之間的邊界和溝道區(qū)154與漏區(qū)155之間的邊界可以均基本上與柵電極124的相對邊緣平行，或者與柵電極124的相對邊緣對準。

晶體管qd的溝道區(qū)154的溝道長度lp和ln(例如，圖3中描繪的柔性區(qū)域fa和低柔性區(qū)域pb中的)可以為大約3μm至200μm，每個晶體管qd的溝道寬度可以為大約3μm至200μm，但是本公開的實施例不限于此。

層間絕緣層160n和160p可以位于晶體管qd上。層間絕緣層160n和160p可以包括柔性區(qū)域fa中的層間絕緣層160p以及低柔性區(qū)域pa和pb中的層間絕緣層160n。層間絕緣層160p和層間絕緣層160n可以由不同的材料形成和/或具有不同的結構。

柔性區(qū)域fa中的層間絕緣層160p可以包括有機絕緣材料并可以不包括無機絕緣材料。因此，當顯示面板1在柔性區(qū)域fa中彎折時，即使曲率半徑非常小，也可以防止或減少在層間絕緣層160p中產生缺陷(諸如裂紋)。在此情況下，層間絕緣層160p可以直接接觸晶體管qd的柵電極124。

相反，低柔性區(qū)域pa和pb中的每個像素px的層間絕緣層160n可以包括無機絕緣材料，并可以不包括有機絕緣材料。由于低柔性區(qū)域pa和pb不是基本上彎折的區(qū)域(例如，不是參與彎曲的區(qū)域)，因此，即使當層間絕緣層160n由無機絕緣材料制成時，在該區(qū)域中將產生缺陷(諸如裂紋)的可能性也較低。

當整個顯示面板1的層間絕緣層160n和160p由有機絕緣材料形成時，顯示面板1的制造工藝的良率會低于層間絕緣層160n和160p由無機絕緣材料形成時的顯示面板1的制造工藝的良率。隨著包括有機絕緣材料的層間絕緣層160n和160p所占用的面積增大(例如，隨著層間絕緣層160n和160p中使用的有機絕緣材料的比例增加)，制造工藝的良率降低。然而，如本示例實施例中那樣，當僅頻繁彎折的柔性區(qū)域fa的層間絕緣層160p包括有機絕緣材料時，可以最小化或減小包括有機絕緣材料的層間絕緣層160n和160p的面積，使得可以最大化或提高顯示面板1的制造工藝的良率，同時降低柔性區(qū)域fa中產生缺陷的比率或可能性。

在低柔性區(qū)域pa和pb中的每個像素px的層間絕緣層160n中包括的無機絕緣材料的非限制性示例可以包括氧化硅(siox)、氮化硅(sinx)、氮氧化硅(sion)和/或氟氧化硅(siof)。

如上面所述，當柔性區(qū)域fa以及低柔性區(qū)域pa和pb中的層間絕緣層160n和160p的材料彼此不同時，如果每個晶體管qd的尺寸基本上恒定(例如，相同)，則柔性區(qū)域fa中的晶體管qd的半導體層152的特性(諸如遷移率、導通/截止比和截止時的漏電流)會不同于低柔性區(qū)域pa和pb中的晶體管qd的半導體層152的特性。然而，可以適當地控制或選擇兩個晶體管qd的溝道區(qū)154的尺寸(諸如大小和/或形狀)，使得柔性區(qū)域fa中的晶體管qd的特性以及低柔性區(qū)域pa和pb中的晶體管qd的特性基本上彼此是相同的。例如，為了具有基本上相同的性能特性，可以將柔性區(qū)域fa中的晶體管qd的溝道區(qū)154的溝道寬度與溝道長度lp的比以及低柔性區(qū)域pa和pb中的晶體管qd的溝道區(qū)154的溝道寬度與溝道長度ln的比控制或選擇為彼此不相同。

在柔性區(qū)域fa中的晶體管qd的情況下，層間絕緣層160p包括有機材料，摻雜到半導體層152中的雜質的量會低于在低柔性區(qū)域pa和pb中的晶體管qd的情況下?lián)诫s到半導體層152中的雜質的量。在一些實施例中，與低柔性區(qū)域pa和pb的晶體管qd的特性(諸如遷移率、導通/截止比和截止時的漏電流)相比，柔性區(qū)域fa中的晶體管qd的特性(諸如遷移率、導通/截止比和截止時的漏電流)在退火期間會劣化。因此，為使柔性區(qū)域fa中的晶體管qd的特性與低柔性區(qū)域pa和pb中的晶體管qd的特性相同，可以將柔性區(qū)域fa中的晶體管qd的溝道區(qū)154的溝道寬度與溝道長度lp的比設計(例如，適當地選擇)為大于低柔性區(qū)域pa和pb中的晶體管qd的溝道區(qū)154的溝道寬度與溝道長度ln的比。

因此，當柔性區(qū)域fa中的晶體管qd的特性和低柔性區(qū)域pa和pb中的晶體管qd的特性基本上彼此相同時，可以最小化或減小由于對應晶體管qd的特性的差異而導致的位于柔性區(qū)域fa與低柔性區(qū)域pa和pb之間的邊界附近的圖像的亮度的差異，從而提高顯示品質。

柔性區(qū)域fa中的層間絕緣層160p的剖面厚度w1可以等于或不同于低柔性區(qū)域pa和pb中的層間絕緣層160n的剖面厚度w2。為了控制柔性區(qū)域fa中的晶體管qd的特性和低柔性區(qū)域pa和pb中的晶體管qd的特性，柔性區(qū)域fa中的層間絕緣層160p的剖面厚度w1和低柔性區(qū)域pa和pb中的層間絕緣層160n的剖面厚度w2可以被控制或選擇為彼此不同。

為了克服柔性區(qū)域fa與低柔性區(qū)域pa和pb之間的晶體管qd的特性差異，可以如以上描述地控制晶體管qd的尺寸。然而，在通過該方法或其它方法很難克服柔性區(qū)域fa與低柔性區(qū)域pa和pb之間的晶體管qd的特性差異的情況下，可以通過使用來自柔性區(qū)域fa以及低柔性區(qū)域pa和pb中顯示的圖像的亮度的反饋來控制(例如，調制)施加到像素px的數據信號的值以使亮度的差異減小或最小化。根據柔性區(qū)域fa與低柔性區(qū)域pa和pb之間的亮度差異的對每個數據信號的補償值可以單獨存儲在存儲器中。

層間絕緣層160p的側表面和層間絕緣層160n的側表面可以在柔性區(qū)域fa與低柔性區(qū)域pa和pb之間的邊界處彼此接觸，從而形成界面。

如圖3至圖5所示(例如，沿ai上方的虛線)，層間絕緣層160n與層間絕緣層160p之間的界面可以基本平行于第三方向d3并基本垂直于第一方向d1。從剖面透視圖來看，層間絕緣層160n與層間絕緣層160p之間的界面可以基本垂直于基底110的表面，但是本公開的實施例不限于此。

層間絕緣層160n和160p可以均獨立地形成為單層或多層。

層間絕緣層160n和160p以及柵極絕緣層140可以包括接觸孔163和接觸孔165，其中，接觸孔163位于半導體層152的源區(qū)153上并與源區(qū)153疊置，接觸孔165位于漏區(qū)155上并與漏區(qū)155疊置。

包括源電極173和漏電極175的數據導體可以位于層間絕緣層160n和160p上。源電極173可以通過接觸孔163電連接到晶體管qd的源區(qū)153并且漏電極175可以通過接觸孔165電連接到晶體管qd的漏區(qū)155。

鈍化層180可以位于層間絕緣層160n和160p以及數據導體上。鈍化層180可以包括無機絕緣材料和有機絕緣材料中的至少一種，并可以形成為單層或形成為多層。鈍化層180的上表面可以是基本上平坦的。

鈍化層180可以包括位于漏電極175上并與漏電極175疊置的接觸孔185。

像素電極191可以位于鈍化層180上。像素電極191可以通過鈍化層180的接觸孔185電連接到漏電極175，從而從晶體管qd接收數據電壓。

根據本示例實施例的顯示裝置可具有一種或更多種合適結構。例如，在有機發(fā)光裝置中，像素限定層360可位于像素電極191和鈍化層180上。像素限定層360可以包括像素電極191上的開口365。在像素限定層360的開口365中，發(fā)射層370可以位于像素電極191上，共電極270可以位于發(fā)射層370上。共電壓可以施加到共電極270。像素電極191、發(fā)射層370和共電極270可以共同形成有機發(fā)光二極管(oled)。像素電極191可以是有機發(fā)光二極管(oled)的陽極，共電極270可以是有機發(fā)光二極管(oled)的陰極，反之亦然。

從發(fā)射層370發(fā)射的光可以穿過基底110以通過基底110的下側進行發(fā)射或者可以在裝置的上側(例如，不通過基底110)發(fā)射。

像素電極191上的層的結構不限于這些示例實施例，可以根據顯示裝置的類型或種類而進行適當地改變。

將參照圖3至圖5描述用于制造具有包括不同材料的層間絕緣層160n和層間絕緣層160p的顯示面板1的方法。

形成緩沖層111之后，在基底110或單獨基底上形成半導體層152、柵極絕緣層(140和140s)和柵電極124，可以在基底110的整個表面上沉積無機絕緣材料以形成無機絕緣材料層。

接著，可以使用圖案化方法(諸如光刻工藝)去除柔性區(qū)域fa中的無機絕緣材料層以在低柔性區(qū)域pa和pb中形成層間絕緣層160n。在此情況下，通過將無機絕緣材料層圖案化，可以在層間絕緣層160n和柵極絕緣層140中一起(例如，同時)形成低柔性區(qū)域pa和pb中的接觸孔163和165。

接著，可以在基底110的整個表面上沉積有機絕緣材料層，可以在整個表面上使用表面曝光、表面蝕刻和/或化學機械拋光(cmp)來去除有機絕緣材料層的上部，以去除低柔性區(qū)域pa和pb中的大部分有機絕緣材料層，從而僅在柔性區(qū)域fa中留下層間絕緣層160p。

接著，可以通過將柔性區(qū)域fa中的層間絕緣層160p圖案化以在層間絕緣層160p和柵極絕緣層140中形成接觸孔163和165。在一些實施例中，當沒有在先前的工藝中形成位于低柔性區(qū)域pa和pb中的層間絕緣層160n和柵極絕緣層140的接觸孔163和165時，可以在形成位于柔性區(qū)域fa中的層間絕緣層160p和柵極絕緣層140的接觸孔163和165期間、之后或之前形成位于低柔性區(qū)域pa和pb中的層間絕緣層160n和柵極絕緣層140的接觸孔163和165。

接著，可以在層間絕緣層160n和160p上沉積導電材料并將該導電材料圖案化以形成源電極173和漏電極175，可以沉積鈍化層180并將其圖案化以形成接觸孔185。

接著，可以在鈍化層180上形成像素電極191。

將參照圖6至圖8和圖1至圖5來描述根據本公開的示例實施例的顯示裝置的詳細結構。

圖6是來自根據本公開的示例實施例的顯示裝置的柔性區(qū)域的一個像素的布局視圖。圖7是來自根據本公開的示例實施例的顯示裝置的低柔性區(qū)域的一個像素的布局視圖。圖8是根據本公開的示例實施例的顯示裝置的一個像素的等效電路圖。

圖3至圖5中示出的每個剖視圖與沿圖6中示出的線a-ai和圖7中示出的線ai-aii截取的剖視圖對應，這將在下文中更加詳細地描述。線a-ai-aii與圖1中示出的線a-aii對應。

參照圖6和圖7以及圖3至圖5，信號線(諸如傳輸柵極信號的柵極線121、傳輸數據信號的數據線171和/或傳輸驅動電壓的驅動電壓線172)以及包括開關半導體層152s、開關柵電極124s、開關源電極173s和開關漏電極175s的開關晶體管qs還可以設置在基底110上。

柵極線121可以包括基本沿第一方向d1延伸的部分，數據線171和驅動電壓線172可以包括基本沿第二方向d2延伸的部分。

開關半導體層152s可以包括溝道區(qū)154s，在溝道區(qū)154s中形成有開關晶體管qs的溝道，以及位于溝道區(qū)154s的任一側上的開關源區(qū)153s和開關漏區(qū)155s。開關半導體層152s可以包括例如金屬氧化物、多晶硅和/或非晶硅，并可以與晶體管qd的半導體層152處于同一層中，但是本公開的實施例不限于此。

開關源區(qū)153s和開關漏區(qū)155s中的載流子濃度可以大于開關溝道區(qū)154s中的載流子濃度。開關源區(qū)153s和開關漏區(qū)155s可以是導電的。

開關柵電極124s可以通過柵極絕緣層(140和140s)與開關半導體層152s的溝道區(qū)154s疊置。開關柵電極124s可以與晶體管qd的柵電極124位于同一層中。開關柵電極124s可以與柵極線121連接，從而接收柵極信號。柵極線121可以與開關柵電極124s位于同一層中，但是本公開的實施例不限于此。

層間絕緣層160n和160p還可以包括位于開關半導體層152s的開關源區(qū)153s上的接觸孔163s和位于開關漏區(qū)155s上的接觸孔165s。

開關源電極173s和開關漏電極175s可以與以上描述的數據導體位于同一層中。開關源電極173s可以通過接觸孔163s電連接到開關晶體管qs的開關源區(qū)153s，開關漏電極175s可以通過接觸孔165s電連接到開關晶體管qs的開關漏區(qū)155s。

開關源電極173s可以與數據線171連接，從而接收將要被傳輸到開關晶體管qs的數據信號。數據線171可以與開關源電極173s位于同一層中，但是本公開的實施例不限于此。

層間絕緣層(160n和160p)還可以包括位于以上描述的晶體管qd的柵電極124上的接觸孔164。開關漏電極175s可以通過接觸孔164電連接到柵電極124。因此，從開關晶體管qs的開關漏區(qū)155s傳輸的電壓可以被施加到晶體管qd的柵電極124。

晶體管qd的源電極173可以與驅動電壓線172連接，并可以由此接收驅動電壓。驅動電壓線172可以與源電極173位于同一層中，但是本公開的實施例不限于此。

如上所述，可以將柔性區(qū)域fa中的圖6的晶體管qd的溝道區(qū)154的溝道寬度wp/溝道長度lp的比和低柔性區(qū)域pa和pb中的圖7的晶體管qd的溝道區(qū)154的溝道寬度wn/溝道長度ln的比控制或選擇為彼此不同。參照圖6和圖7，位于柔性區(qū)域fa中的晶體管qd的溝道寬度wp/溝道長度lp的值(例如，比)可以大于位于低柔性區(qū)域pa和pb中的晶體管qd的溝道寬度wn/溝道長度ln的值(例如，比)。如果溝道長度ln和lp是恒定的(例如，相同的)，如圖6和圖7中所示，則柔性區(qū)域fa中的晶體管qd的溝道區(qū)154的溝道寬度wp可以大于低柔性區(qū)域pa和pb中的晶體管qd的溝道區(qū)154的溝道寬度wn。

根據圖6和圖7中示出的示例實施例的顯示裝置的一個像素px的等效電路圖示出在圖8中。參照圖8，一個像素px可以包括開關晶體管qs、晶體管qd、電容器cst和有機發(fā)光二極管oled。

開關晶體管qs可以包括連接到柵極線121的控制端子、連接到數據線171的輸入端子和連接到晶體管qd的控制端子的輸出端子。開關晶體管qs響應于通過柵極線121傳輸的柵極信號而將從數據線171傳輸的數據信號傳輸到晶體管qd的控制端子。

晶體管qd可以包括連接到驅動電壓線172的輸入端子、連接到有機發(fā)光二極管oled的輸出端子以及連接到開關晶體管qs的輸出端子的控制端子。晶體管qd可以是驅動晶體管，其基于控制端子與輸出端子之間的電壓差而放大和/或輸出具有一定大小的輸出電流id。

電容器cst可以連接在晶體管qd的控制端子與輸入端子之間。電容器cst可以通過施加到晶體管qd的控制端子的數據信號來進行充電，并即使在開關晶體管qs截止之后也可以保持數據信號。

有機發(fā)光二極管(oled)通過發(fā)射根據輸出電流id變化強度的光來顯示圖像。

開關晶體管qs和晶體管qd均可以獨立為p型晶體管(諸如pmos)或n型晶體管(諸如nmos)，如圖所示。開關晶體管qs和晶體管qd的溝道類型可以彼此相同或彼此不同。晶體管qs和qd、電容器cst以及有機發(fā)光二極管oled的連接性可以根據開關晶體管qs和晶體管qd的溝道類型(例如，p溝道或n溝道)而改變。

接著，將參照圖9至圖17連同以上描述的附圖來描述根據本公開的示例實施例的顯示裝置的一種或更多種剖面結構。

圖9至圖17均是沿線a-aii截取的圖1中示出的顯示裝置的示例實施例的剖視圖。

圖9至圖11的示例的顯示裝置與圖3至圖5中示出的示例實施例大多相似；然而，位于柔性區(qū)域fa與低柔性區(qū)域pa和pb之間的界面處的層間絕緣層160n與層間絕緣層160p之間的界面可以基本上不平行于第三方向d3并且也可以基本上不垂直于第一方向d1。從剖面透視圖來看，層間絕緣層160n與層間絕緣層160p之間的界面可以相對于基底110的表面和/或層間絕緣層160n和160p的上表面斜著地傾斜或偏斜。因此，可以增大層間絕緣層160n與層間絕緣層160p之間的界面的表面積，使得即使顯示面板1的柔性區(qū)域fa反復變形，也可以減少層間絕緣層160n與層間絕緣層160p在界面處的分離。

圖12至圖14的顯示裝置與圖9至圖11中示出的以上描述的示例實施例大多相似，下列特征除外：層間絕緣層160n與層間絕緣層160p之間的界面不是平坦的(例如，沒有內角)，而是在至少一部分中彎折，從而形成臺階的表面或形狀。例如，如圖12至圖14中所示，層間絕緣層160n與層間絕緣層160p之間的界面可以包括基本上垂直于第三方向d3的至少一部分以及與之相連的大致或基本上平行于第三方向d3的多個部分。

在一些實施例中，層間絕緣層160n與層間絕緣層160p之間的界面可以包括一個或更多個突起、凹陷和/或其它形狀。

因此，可以增大層間絕緣層160n與層間絕緣層160p之間的界面的面積并且即使顯示面板1的柔性區(qū)域fa反復變形，也可以減少層間絕緣層160n與層間絕緣層160p在界面處的分離。

根據本示例實施例的圖15至圖17的顯示裝置可以與圖9至圖11中示出的以上描述的示例實施例大多相似，下列特征除外：還可以包括在柔性區(qū)域fa中位于層間絕緣層160p與晶體管qd之間的絕緣層160nb。絕緣層160nb可以包括無機絕緣材料。

因此，在柔性區(qū)域fa中，如在低柔性區(qū)域pa和pb中那樣，由無機絕緣材料制成的絕緣層160nb可以直接位于晶體管qd上。因此，在顯示裝置的制造工藝中，由于在所有的柔性區(qū)域fa以及低柔性區(qū)域pa和pb處(例如，上)形成晶體管qd之后直接沉積無機絕緣材料層，因此在沉積無機絕緣材料層之后摻雜或擴散到半導體層152中的雜質的量可以遍布所有的柔性區(qū)域fa以及低柔性區(qū)域pa和pb基本上相似。另外，由于在所有柔性區(qū)域fa以及低柔性區(qū)域pa和pb中沉積絕緣層160nb和層間絕緣層160n之后易于執(zhí)行退火，因此在退火之后，可以同等地(例如，基本上同樣地)改善柔性區(qū)域fa以及低柔性區(qū)域pa和pb的晶體管qd的特性。因此，可以降低柔性區(qū)域fa中的晶體管qd的特性與低柔性區(qū)域pa和pb中的晶體管qd的特性之間的差異，并可以提高晶體管qd的可靠性。

柔性區(qū)域fa的絕緣層160nb的剖面厚度可以小于低柔性區(qū)域pa和pb的層間絕緣層160n的剖面厚度?？梢栽谝粋€工藝中使用單個的光掩模來形成柔性區(qū)域fa的絕緣層160nb和低柔性區(qū)域pa和pb的層間絕緣層160n。例如，在基底110上涂覆無機絕緣材料層之后，通過在無機絕緣材料層上設置光掩模(在光掩模中，與柔性區(qū)域fa以及低柔性區(qū)域pa和pb對應的透射率彼此不同)并執(zhí)行曝光，可以形成柔性區(qū)域fa的絕緣層160nb和低柔性區(qū)域pa和pb的層間絕緣層160n。

將參照圖18至圖23連同以上描述的附圖來更加詳細地描述根據本公開的示例實施例的顯示裝置的平面結構。

圖18至圖23均是根據本公開的示例實施例的顯示裝置的俯視平面圖。

首先，參照圖18，除了柔性區(qū)域fa與低柔性區(qū)域pa和pb之間的邊界附近的結構可以不同之外，包括在根據本示例實施例的顯示裝置中的顯示面板1a可以與根據以上描述的示例實施例的顯示面板1大多相似。例如，低柔性區(qū)域pa和pb可以包括設置在柔性區(qū)域fa附近的多個有機的島狀區(qū)域fai。

多個有機島狀區(qū)域fai可以位于低柔性區(qū)域pa和pb中；然而，每個有機島狀區(qū)域fai的剖面結構可以與柔性區(qū)域fa的剖面結構基本上相同。例如，有機島狀區(qū)域fai的剖面結構可以與圖3至圖5和圖9至圖17中示出的包括用于柔性區(qū)域fa的層間絕緣層160p的左像素px的剖面結構基本上相同。

每個有機島狀區(qū)域fai可以與至少一個像素px對應。圖18示出一個有機島狀區(qū)域fai是與一個像素px對應的區(qū)域的示例。

如圖18中所示，多個有機島狀區(qū)域fai可以彼此分離，或者可以至少在某些部分中彼此接觸。如圖18中所示，多個有機島狀區(qū)域fai可以規(guī)則地布置或者可以不規(guī)則地布置。

如圖18中所示，最接近于柔性區(qū)域fa的有機島狀區(qū)域fai可以與柔性區(qū)域fa的邊緣邊界分離，或者可以與柔性區(qū)域fa連接。

如圖18中所示，多個有機島狀區(qū)域fai的平面分布密度可以距柔性區(qū)域fa越遠而逐漸變得越稀疏(例如，更低)。如這里使用的，術語“平面分布”可以指在顯示器的平面中的空間分布。

如上所述，因為包括層間絕緣層160p的柔性區(qū)域fa中的晶體管qd的特性與包括層間絕緣層160n的低柔性區(qū)域pa和pb中的晶體管qd的特性之間的差異，所以在柔性區(qū)域fa與低柔性區(qū)域pa和pb之間的邊界處會產生圖像亮度的變化。然而，在本示例實施例中，當多個有機島狀區(qū)域fai的分布密度在柔性區(qū)域fa與低柔性區(qū)域pa和pb之間的邊界處逐漸改變時，可以防止或減少由設置在晶體管qd上的層間絕緣層160n和160p的材料差異而導致的圖像亮度的變化的可見性。

接著，參照圖19，包括在根據本示例實施例的顯示裝置中的顯示面板1b與根據以上描述的示例實施例的圖18中示出的顯示面板1a大多相似；但是多個有機島狀區(qū)域fai的平面分布可以不同。最接近于柔性區(qū)域fa的有機島狀區(qū)域fai可以與柔性區(qū)域fa連接(例如，基本上與其相鄰)。多個有機島狀區(qū)域fai可以被布置為在第二方向d2(例如，與柔性區(qū)域fa的側邊基本上平行的方向)上形成一個或更多個列，并且有機島狀區(qū)域fai的兩個相鄰的列的相鄰邊緣可以基本上彼此一致(例如，可以基本上相鄰)，或者可以彼此分離。

在圖18和圖19中示出的示例實施例中，位于柔性區(qū)域fa兩側上的多個有機島狀區(qū)域fai的布置可以相對于虛擬中心線cl彼此對稱。

接著，參照圖20，包括在根據本示例實施例的顯示裝置中的顯示面板1c可以與根據上述示例實施例(例如，圖1中)的顯示面板1大多相似；但是柔性區(qū)域fa與低柔性區(qū)域pa和pb之間的邊界可以形成蜿蜒的曲線而不是直線(相對于平面結構)。

接著，參照圖21，包括在根據本示例實施例的顯示裝置中的顯示面板1d可以與根據圖20中示出的示例實施例的顯示面板1c大多相似；但是，柔性區(qū)域fa與低柔性區(qū)域pa和pb之間的邊界可以形成平面鋸齒(例如，三角波)線。柔性區(qū)域fa與低柔性區(qū)域pa和pb之間的邊界可以相對于第一方向d1和第二方向d2在傾斜方向上延伸。

接著，參照圖22或圖23，包括在根據本示例實施例的顯示裝置中的顯示面板1e或1f可以與根據圖21中示出的示例實施例的顯示面板1d大多相似；但是柔性區(qū)域fa與低柔性區(qū)域pa和pb之間的邊界可以包括平面突起和凹陷。例如，柔性區(qū)域fa與低柔性區(qū)域pa和pb之間的邊界線可以包括交替設置的基本上平行于第一方向d1的部分和基本上平行于第二方向d2的部分。柔性區(qū)域fa的相對邊緣邊界(例如，基本上平行于d2的邊界)可以具有基本上相同的形狀或行跡(trace)(如圖22中所示)，或者可以相對于虛擬中心線cl基本上彼此對稱(如圖23中所示)。

在圖20至圖23中示出的示例實施例中，柔性區(qū)域fa與低柔性區(qū)域pa和pb之間的邊界的形狀沿第二方向d2變化或改變的空間周期或范圍可以與至少一個像素px沿第二方向d2的長度大致或基本上相同，但是本公開的實施例不限于此。

根據圖20至圖23中示出的示例實施例，與柔性區(qū)域fa以及低柔性區(qū)域pa和pb之間的邊界是直線的情況相比，可以減少柔性區(qū)域fa與低柔性區(qū)域pa和pb之間的邊界附近的圖像亮度的變化的可見性。

接著，將參照圖24至圖28描述根據本公開的示例實施例的顯示裝置。

圖24是根據本公開的示例實施例的顯示裝置的俯視平面圖。圖25至圖27是沿線b-bii(具有中點bi)截取的圖24中示出的顯示裝置的示例實施例的剖視圖。圖28是根據本公開的示例實施例的顯示裝置的俯視平面圖。

首先，參照圖24至圖27，包括在根據本示例實施例的顯示裝置中的顯示面板1g可以與根據以上描述的示例實施例的顯示面板1大多相似；但是柔性區(qū)域fa的結構可以不同。更詳細地，例如，柔性區(qū)域fa可以包括多個無機島狀區(qū)域pba。

參照圖25至圖27，包括在根據本示例實施例的顯示裝置中的顯示面板1g可以與圖15至圖17中示出的以上描述的示例實施例大多相似，但是包括無機絕緣材料的額外的絕緣層160na可以位于柔性區(qū)域fa中的層間絕緣層160p與晶體管qd之間，由絕緣層160na形成的區(qū)域可以與無機島狀區(qū)域pba對應。

絕緣層160na不形成在柔性區(qū)域fa的整個表面上，而是包括僅形成在形成晶體管qd的區(qū)域上的多個島狀區(qū)域。例如，形成有島狀絕緣層160na的每個區(qū)域可以與無機島狀區(qū)域pba的區(qū)域基本上相同。因此，層間絕緣層160p可以包括與緩沖層111或柵極絕緣層140直接接觸的部分。

以這種方式，通過在柔性區(qū)域fa中的晶體管qd上直接設置包括無機絕緣材料的絕緣層160na，使得晶體管qd不與有機材料絕緣層的層間絕緣層160p相鄰，可以將柔性區(qū)域fa中的晶體管qd的特性改善至與低柔性區(qū)域pa和pb中的晶體管qd的特性基本上處于同一水平。因此，可以減小柔性區(qū)域fa中的晶體管qd的特性與低柔性區(qū)域pa和pb中的晶體管qd的特性之間的差異，并且可以提高晶體管qd的可靠性。另外，因為柔性區(qū)域fa的大部分(除了包括晶體管qd的區(qū)域之外)包括位于緩沖層111與鈍化層180之間或柵極絕緣層(140和140s)與鈍化層180之間的僅由有機絕緣材料制成的層間絕緣層160p，所以即使當彎曲柔性區(qū)域fa時曲率半徑減小，也可以防止或減少缺陷(諸如裂紋)的產生。

無機島狀區(qū)域pba的形狀可以是如圖所示的圓形，但是本公開的實施例不限于此。

接著，參照圖28，包括在根據本示例實施例的顯示裝置中的顯示面板1h可以與圖24中示出的根據上述的示例實施例的顯示面板1g大多相似；但是無機島狀區(qū)域pba的布置可以不同。更詳細地，例如，無機島狀區(qū)域pba的布置密度可以隨著至低柔性區(qū)域pa和pb的距離增加而減小，反過來可以隨著越接近于低柔性區(qū)域pa和pb而增大。根據本示例實施例，絕緣層160na可以包括在位于柔性區(qū)域fa中的晶體管qd的一部分中，絕緣層160na可以不包括在其它部分中。

無機島狀區(qū)域pba的形狀可以是如圖所示的四邊形(例如，正方形或矩形)，但是本公開的實施例不限于此.

將參照圖29和圖30更加詳細地描述根據本公開的示例實施例的顯示裝置。

圖29和圖30均是根據本公開的示例實施例的顯示裝置的俯視平面圖。

首先，參照圖29，包括在根據本公開的示例實施例的顯示裝置中的顯示面板1i可以與圖1中示出的根據以上描述的示例實施例的顯示面板1大多相似；但是可以包括在不同方向上延伸的多個柔性區(qū)域fc和fd以及多個低柔性區(qū)域pd、pe、pf和pg。

圖29示出顯示面板1i包括在基本不同的(例如，基本上垂直的)方向上延伸的兩個柔性區(qū)域fc和fd的示例。一個柔性區(qū)域fc在大致或基本上平行于第二方向d2的方向上延伸，另一個柔性區(qū)域fd在大致或基本上平行于第一方向d1的方向上延伸，但是本公開的實施例不限于此。這兩個柔性區(qū)域fc和fd可以彼此交叉。顯示面板1i可以分別在柔性區(qū)域fc和fd中彎折，從而完全折疊兩次或更多次。

根據本示例實施例的顯示面板1i的柔性區(qū)域fc和fd的剖面結構可以均與根據以上描述的一些示例實施例的柔性區(qū)域fa的剖面結構相同，低柔性區(qū)域pd、pe、pf和pg的剖面結構可以均與以上描述的一些示例實施例的低柔性區(qū)域pa和pb的剖面結構基本上相同。

接著，參照圖30，包括在根據本公開的示例實施例的顯示裝置中的顯示面板1j可以與圖1中示出的根據以上描述的示例實施例的顯示面板1大多相似；但是可以包括多個柔性區(qū)域fa和fb。如圖所示，多個柔性區(qū)域fa和fb可以延伸為基本上彼此平行，但是本公開的實施例不限于此。低柔性區(qū)域pa、pb和pc可以設置在相鄰的柔性區(qū)域fa與fb之間。

現(xiàn)在，將參照圖31至圖34描述根據本公開的示例實施例的顯示裝置。

圖31至圖33是分別沿線a-aii截取的圖1中示出的顯示裝置的剖視圖，圖34是根據本公開的示例實施例的顯示裝置的一個像素的布局視圖。

參照圖31至圖33，根據本示例實施例的顯示裝置可以是液晶顯示器并可以具有與圖3至圖5中示出的以上描述的示例實施例的顯示裝置大多相似的結構。然而，像素電極191上的分層結構可以不同。

根據本示例實施例，包括多個液晶分子的液晶層3可以位于像素電極191上，面對像素電極191的上層200可以位于液晶層3上。上層200可以包括與基底110不同的單獨的基底或絕緣層。另外，上層200可以包括與像素電極191一起向液晶層3產生電場的共電極。可選擇地，共電極可以位于液晶層3與晶體管qd之間。

與圖31至圖33的每個像素px對應的剖視圖對應于沿圖34中示出的線c-c'截取的剖視圖，圖31至圖33中示出的線a-ai-aii與圖1中示出的線a-aii對應。

參照圖34和圖31至圖33，信號線(諸如傳輸柵極信號的柵極線121l和/或傳輸數據信號的數據線171l)也可以位于基底110上。

包括溝道區(qū)154、源區(qū)153和漏區(qū)155的半導體層152與柵電極124一起形成晶體管ql。柵極信號可以經由柵極線121l施加到柵電極124。柵極線121l可以與柵電極124位于同一層中，或者可以位于不同層中。

數據信號可以經由數據線171l被施加到與晶體管ql的源區(qū)153連接的源電極173。數據線171l可以與源電極173位于同一層中，或者可以位于不同層中。當數據線171l與源電極173位于不同層中時，層間絕緣層160n和160p可以包括與數據線171l疊置的接觸孔162。

在根據本示例實施例的液晶顯示器中，晶體管ql可以根據來自柵極線121l的柵極信號而導通/截止，當晶體管ql處于“導通”狀態(tài)時，來自數據線171l的電壓數據信號可以傳輸到像素電極191。被施加到像素電極191的數據信號電壓在液晶層3中產生電場，使得可以適當地控制液晶層3的液晶分子的布置，從而控制穿過液晶層3的光的光學特性。

柔性區(qū)域fa中的晶體管ql的溝道寬度w/溝道長度l的值(例如，比)可以不同于低柔性區(qū)域pa和pb中的晶體管ql的溝道寬度w/溝道長度l的值(例如，比)。因此，柔性區(qū)域fa中的晶體管ql的特性以及低柔性區(qū)域pa和pb中的晶體管ql的特性可以被適當地控制或選擇為彼此相同或基本上彼此相同。另外，可以通過控制施加到像素px的數據信號來防止識別到(例如，減小)在柔性區(qū)域fa與低柔性區(qū)域pa和pb之間的邊界附近的圖像亮度的變化。

圖35是沿著線a-aii截取的在圖1中示出的顯示裝置的剖視圖的另一個示例實施例。

參照圖35，包括在根據本公開的示例實施例的顯示裝置中的顯示面板的基底110可以包括與柔性區(qū)域fa對應的開口110a。例如，當基底110是非柔性的并且在柔性區(qū)域fa中去除了基底110時，顯示面板可以在柔性區(qū)域fa中自由地彎折。

接著，將參照圖35和圖36描述根據本公開的示例實施例的顯示裝置用于車輛中的示例。

圖36是示出根據本公開的示例實施例的顯示裝置用于車輛內部的示例的示意性視圖，圖37是示出圖36中示出的顯示裝置的一部分被彎折的示例的示意性視圖。

參照圖35，根據本公開的示例實施例的顯示裝置的顯示面板1可以與根據圖18至圖34中示出的示例實施例和圖1至圖17中示出的以上描述的示例實施例的顯示面板基本上相同。

顯示面板1可以安裝在既可從車輛的駕駛員座椅看到又可從車輛的乘客座椅看到的位置處(例如，儀表板的頂部上和/或中央儀表盤(fascia)、儀表板(dashboard)或控制臺前面)。如圖36中所示，當顯示面板1在基本平行于第一方向d1的狀態(tài)下展開時，坐在駕駛員座椅和乘客座椅中的用戶可以觀看到相同的圖像imc。這可以是駕駛員座椅中的用戶未駕駛時的情況。因此，坐在駕駛員座椅和乘客座椅中的用戶可以一起享受寬屏幕的圖像。

參照圖37，顯示面板1可以在虛擬中心線cl處彎折。在此情況下，可以通過驅動裝置pp來改變顯示面板1的形狀。變化狀態(tài)1'的屏幕可以劃分成多個部分，從而顯示單獨的圖像。這可以是駕駛員座椅中的用戶正在駕駛時的情況。

如圖37中所示，屏幕的面對駕駛員座椅的部分可以對駕駛員顯示圖像ima，屏幕的面對乘客座椅的部分可以對乘客顯示圖像imb。圖像ima和imb可以彼此不同。例如，駕駛員圖像ima可以是與駕駛相關的圖像(諸如導航圖像)，乘客圖像imb可以是與駕駛無關的圖像。

如上面所述并根據本公開的實施例，當把可彎折的顯示裝置應用到車輛的時候，可以使車輛顯示裝置的值增加或最大化。

如這里使用的，諸如“……中的至少一個(種/者)”、“……中的一個(種/者)”和“選自于……”的表述用在一列元件之前或之后時，修飾整列元件而不是修飾該列的個別元件。另外，在描述本公開的實施例時“可以”的使用指“本公開的一個或更多個實施例”。

另外，如這里使用的，可認為術語“使用”與術語“利用”同義。

如這里使用的，術語“基本上”、“大約”或相似術語用作近似術語而不是用作程度術語，并且意圖解釋可以被本領域普通技術人員識別的測量值或計算值中的固有偏差。

另外，這里陳述的任何數值范圍意圖包括所陳述的范圍內包含的相同數值精度的所有子范圍。例如，“1.0至10.0”的范圍意圖包括所陳述的最小值1.0與所陳述的最大值10.0之間(包括所陳述的最小值1.0和所陳述的最大值10.0)的所有子范圍，即，具有等于或大于1.0的最小值和等于或小于10.0的最大值，諸如以2.4至7.6為例。這里陳述的任何最大數值上限意圖包括其中包含的所有較小數值上限，在本說明書中陳述的任何最小數值下限意圖包括其中包含的所有較大數值下限。因此，申請人保留修改包括權利要求的本說明書的權利，以明確陳述在這里明確陳述的范圍內包含的任何子范圍。

盡管已經結合目前被認為是實用的示例實施例描述了本公開，但是將理解的是，本公開不限于公開的實施例，相反，而是意圖覆蓋包括在所附權利要求極其等同物的精神和范圍內的各種修改和等同布置。

一些符號的描述

110：基底111：緩沖層

121：柵極線124：柵電極

140、140s：柵極絕緣層152：半導體層

160n、160p：層間絕緣層162、163、165：接觸孔

173：源電極175：漏電極

180：鈍化層191：像素電極