Oled器件與oled顯示器的制造方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種OLED器件與OLED顯示器。本發(fā)明的OLED器件，通過將兩個或者更多的發(fā)光單元串聯(lián)在一起，可以成倍增加OLED器件的發(fā)光強度，有利于提高OLED顯示器的顯示效果。本發(fā)明的OLED顯示器包含上述OLED器件，通過將兩個或者更多的發(fā)光單元串聯(lián)在一起，成倍增加發(fā)光強度，有利于激發(fā)量子點薄膜發(fā)出紅、綠光，得到高色飽和度的紅綠藍三原色光，提高OLED顯示器的色域；同時由于OLED顯示器中對應紅、綠、藍像素的發(fā)光層均為藍色發(fā)光層，避免使用精密金屬掩膜板，有利于提高OLED顯示器的分辨率。
【專利說明】
OLED器件與OLED顯示器
技術(shù)領(lǐng)域
[0001] 本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種OLED器件與OLED顯示器。
【背景技術(shù)】
[0002] 0LED(0rganic Light-Emitting Diode，有機發(fā)光二極管）顯示器，也稱為有機電 致發(fā)光顯示器，是一種新興的平板顯示裝置，由于其具有制備工藝簡單、成本低、功耗低、發(fā) 光亮度高、工作溫度適應范圍廣、體積輕薄、響應速度快，而且易于實現(xiàn)彩色顯示和大屏幕 顯示、易于實現(xiàn)和集成電路驅(qū)動器相匹配、易于實現(xiàn)柔性顯示等優(yōu)點，因而具有廣闊的應用 前景。
[0003] OLED按照驅(qū)動方式可以分為無源矩陣型0LED(Passive Matrix 0LED，PM0LED)和 有源矩陣型〇LED(Active Matrix 0LED，AM0LED)兩大類，即直接尋址和薄膜晶體管矩陣尋 址兩類。其中，AMOLED具有呈陣列式排布的像素，屬于主動顯示類型，發(fā)光效能高，通常用作 高清晰度的大尺寸顯示裝置。
[0004] 目前小尺寸顯示器（如手機，平板電腦）用到AMOLED顯示器的比例越來越高，其技 術(shù)路線是采用精密金屬掩膜板(Fine Metal Mask，F(xiàn)MM)制備紅、綠、藍發(fā)光層，構(gòu)成紅、綠、 藍子像素，從而得到紅綠藍三個子像素并列（Side by Side)式的AMOLED顯示屏。但是隨著 市場對分辨率要求越來越高，受到精密金屬掩膜板的精度限制，這種技術(shù)路線也顯得越來 越力不從心，不能滿足市場對分辨率的需求。
[0005] 另外，現(xiàn)有的OLED器件的發(fā)光強度較低，同樣不利于提高OLED顯示器的顯示效果， 圖1為一種現(xiàn)有的普通頂發(fā)射藍光OLED器件的結(jié)構(gòu)示意圖，該頂發(fā)射藍光OLED器件包括從 下到上依次設置的全反射陽極100、空穴注入層200、空穴傳輸層300、電子阻擋層400、藍光 發(fā)光層500、電子傳輸層600、及半透明陰極700;所述電子阻擋層400、藍光發(fā)光層500、及電 子傳輸層600構(gòu)成一藍光發(fā)光單元，由于該頂發(fā)射藍光OLED器件只具有一個藍光發(fā)光單元， 因此發(fā)光強度較低，使得OLED顯示器的顯示效果較差。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006] 本發(fā)明的目的在于提供一種OLED器件，可提高發(fā)光強度，有利于提高OLED顯示器 的顯示效果。
[0007] 本發(fā)明的目的還在于提供一種OLED顯示器，包含上述OLED器件，可提高發(fā)光強度， 有利于激發(fā)量子點薄膜發(fā)出紅、綠光，得到高色飽和度的紅綠藍三原色光，提高OLED顯示器 的色域，同時有利于提高OLED顯示器的分辨率。
[0008] 為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明首先提供一種OLED器件，包括從下到上依次設置的陽極、 空穴注入層、空穴傳輸層、第一發(fā)光單元、電荷產(chǎn)生層、第二發(fā)光單元、及陰極；
[0009] 其中，所述第一發(fā)光單元包括從下到上依次設置的第一電子阻擋層、第一發(fā)光層、 及第一電子傳輸層，所述第二發(fā)光單元包括從下到上依次設置的第二電子阻擋層、第二發(fā) 光層、及第二電子傳輸層；
[0010] 所述電荷產(chǎn)生層包括從下到上依次設置的電子產(chǎn)生層和空穴產(chǎn)生層。
[0011] 所述第一發(fā)光層與第二發(fā)光層均為藍光發(fā)光層，所述藍光發(fā)光層的材料包括4， V -二（2,2)-二苯乙烯基-I，1聯(lián)苯;所述第一發(fā)光層的厚度為5nm~40nm;所述第二發(fā)光層 的厚度為5nm~40nm〇
[0012] 所述陽極為全反射陽極，所述陰極為半透明陰極；
[0013] 所述陽極為由兩氧化銦錫層夾合一金屬層構(gòu)成的復合層;所述氧化銦錫層的厚度 為5nm~50nm;所述金屬層的厚度為80nm~1000 nm;
[0014] 所述陰極的材料包括鋰、鋰合金、鎂、鎂合金、鈣、鈣合金、鍶、鍶合金、鑭、鑭合金、 鈰、鈰合金、銪、銪合金、鐿、鐿合金、鋁、鋁合金、銫、銫合金、銣、及銣合金中的一種或多種的 組合;所述陰極的厚度為5nm~30nm 〇
[0015] 所述電子產(chǎn)生層的材料包括六腈六氮雜苯并菲；所述空穴產(chǎn)生層的材料包括N， Y -二苯基-N-(1-萘基)-1，V -聯(lián)苯-4，V -二胺;所述電子產(chǎn)生層的膜厚為5nm~50nm; 所述空穴產(chǎn)生層的膜厚為5nm~50nm〇
[0016] 所述空穴注入層的材料包括六腈六氮雜苯并菲;所述空穴注入層的厚度為5nm~ 50nm；
[0017] 所述空穴傳輸層的材料包括N，Y -二苯基-N，f -(I-萘基）-1，V -聯(lián)苯-4, V -二 胺;所述空穴傳輸層的厚度為5nm~50nm;
[0018] 所述第一電子阻擋層與第二電子阻擋層的材料均包括4,4'，4"_三(咔唑-9-基)三 苯胺;所述第一電子阻擋層與第二電子阻擋層的厚度均為5nm~30nm;
[0019] 所述第一電子傳輸層包括重疊設置的兩結(jié)構(gòu)層，其中一結(jié)構(gòu)層的材料包括4,7_二 苯基-1，10-菲啰啉，另一結(jié)構(gòu)層的材料包括4,7-二苯基-1，10-菲啰啉與鋰的混合物;所述 第一電子傳輸層的厚度為5nm~50nm;
[0020] 所述第二電子傳輸層的材料包括4,7_二苯基-1，10-菲啰啉;所述第二電子傳輸層 的厚度為5nm~50nm〇
[0021] 本發(fā)明還提供一種OLED顯示器，包括TFT基板、設于所述TFT基板上的OLED器件、設 于所述OLED器件上方的封裝蓋板、以及設于所述封裝蓋板與OLED器件之間的封裝膠材；
[0022] 所述OLED器件包括從下到上依次設置的陽極、空穴注入層、空穴傳輸層、第一發(fā)光 單元、電荷產(chǎn)生層、第二發(fā)光單元、及陰極；
[0023]其中，所述第一發(fā)光單元包括從下到上依次設置的第一電子阻擋層、第一發(fā)光層、 及第一電子傳輸層，所述第二發(fā)光單元包括從下到上依次設置的第二電子阻擋層、第二發(fā) 光層、及第二電子傳輸層;所述第一發(fā)光層與第二發(fā)光層均為藍光發(fā)光層;所述電荷產(chǎn)生層 包括從下到上依次設置的電子產(chǎn)生層和空穴產(chǎn)生層；
[0024]所述封裝蓋板包括蓋板以及設于所述蓋板上朝向所述OLED器件一側(cè)的量子點薄 膜；
[0025]所述量子點薄膜包括紅色像素單元、綠色像素單元、及藍色像素單元，所述紅色像 素單元為紅色量子點薄膜，所述綠色像素單元為綠色量子點薄膜，所述藍色像素單元為透 明材料或通孔；
[0026]施加電壓后，所述OLED器件發(fā)出藍光，該藍光激發(fā)構(gòu)成所述紅色像素單元的紅色 量子點薄膜發(fā)出紅光，激發(fā)構(gòu)成所述綠色像素單元的綠色量子點薄膜發(fā)出綠光，穿過所述 藍色像素單元透出藍光，從而實現(xiàn)紅綠藍三原色顯示。
[0027] 所述藍光發(fā)光層的材料包括4，4'-二(2，2)_二苯乙烯基-I，1聯(lián)苯;所述第一發(fā)光 層的厚度為5nm~40nm;所述第二發(fā)光層的厚度為5nm~40nm〇
[0028] 所述陽極為全反射陽極，所述陰極為半透明陰極；
[0029] 所述陽極為由兩氧化銦錫層夾合一金屬層構(gòu)成的復合層;所述氧化銦錫層的厚度 為5nm~50nm;所述金屬層的厚度為80nm~1000 nm;
[0030] 所述陰極的材料包括鋰、鋰合金、鎂、鎂合金、鈣、鈣合金、鍶、鍶合金、鑭、鑭合金、 鈰、鈰合金、銪、銪合金、鐿、鐿合金、鋁、鋁合金、銫、銫合金、銣、及銣合金中的一種或多種的 組合;所述陰極的厚度為5nm~30nm 〇
[0031] 所述電子產(chǎn)生層的材料包括六腈六氮雜苯并菲；所述空穴產(chǎn)生層的材料包括N， Y -二苯基-N-(1-萘基)-1，V -聯(lián)苯-4，V -二胺;所述電子產(chǎn)生層的膜厚為5nm~50nm; 所述空穴產(chǎn)生層的膜厚為5nm~50nm〇
[0032] 所述空穴注入層的材料包括六腈六氮雜苯并菲;所述空穴注入層的厚度為5nm~ 50nm；
[0033] 所述空穴傳輸層的材料包括N，Y -二苯基-N，f -(I-萘基）-1，V -聯(lián)苯-4, V -二 胺;所述空穴傳輸層的厚度為5nm~50nm;
[0034] 所述第一電子阻擋層與第二電子阻擋層的材料均包括4,4'，4"_三(咔唑-9-基)三 苯胺;所述第一電子阻擋層與第二電子阻擋層的厚度均為5nm~30nm;
[0035] 所述第一電子傳輸層包括重疊設置的兩結(jié)構(gòu)層，其中一結(jié)構(gòu)層的材料包括4,7_二 苯基-1，10-菲啰啉，另一結(jié)構(gòu)層的材料包括4,7-二苯基-1，10-菲啰啉與鋰的混合物;所述 第一電子傳輸層的厚度為5nm~50nm;
[0036] 所述第二電子傳輸層的材料包括4,7_二苯基-1，10-菲啰啉;所述第二電子傳輸層 的厚度為5nm~50nm;
[0037]所述紅色量子點包括第一內(nèi)核和第一外殼，所述第一內(nèi)核的材料為CdSe，所述第 一外殼的材料為ZnS;所述綠色量子點包括第二內(nèi)核和第二外殼，所述第二內(nèi)核的材料為 CdSe，所述第二外殼的材料為ZnS;
[0038]所述紅色量子點薄膜的厚度為IOnm~200nm;所述綠色量子點薄膜的厚度為IOnm ~200nm。
[0039] 本發(fā)明的有益效果：本發(fā)明提供的一種OLED器件，通過將兩個或者更多的發(fā)光單 元串聯(lián)在一起，可以成倍增加 OLED器件的發(fā)光強度，有利于提高OLED顯示器的顯示效果。本 發(fā)明提供的一種OLED顯示器包含上述OLED器件，通過將兩個或者更多的發(fā)光單元串聯(lián)在一 起，成倍增加發(fā)光強度，有利于激發(fā)量子點薄膜發(fā)出紅、綠光，得到高色飽和度的紅綠藍三 原色光，提高OLED顯示器的色域；同時由于OLED顯示器中對應紅、綠、藍像素的發(fā)光層均為 藍色發(fā)光層，避免使用精密金屬掩膜板，有利于提高OLED顯示器的分辨率。
[0040] 為了能更進一步了解本發(fā)明的特征以及技術(shù)內(nèi)容，請參閱以下有關(guān)本發(fā)明的詳細 說明與附圖，然而附圖僅提供參考與說明用，并非用來對本發(fā)明加以限制。
【附圖說明】
[0041] 下面結(jié)合附圖，通過對本發(fā)明的【具體實施方式】詳細描述，將使本發(fā)明的技術(shù)方案 及其它有益效果顯而易見。
[0042] 附圖中，
[0043] 圖1為一種現(xiàn)有的普通頂發(fā)射藍光OLED器件的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0044] 圖2為本發(fā)明的OLED器件的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0045]圖3為本發(fā)明的疊層頂發(fā)射藍光OLED器件與現(xiàn)有的普通頂發(fā)射藍光OLED器件的發(fā) 光強度的對比示意圖；
[0046]圖4為本發(fā)明的OLED顯不器的結(jié)構(gòu)不意圖；
[0047]圖5為本發(fā)明的OLED顯示器發(fā)出的紅綠藍三原色光的光譜圖。
【具體實施方式】
[0048]為更進一步闡述本發(fā)明所采取的技術(shù)手段及其效果，以下結(jié)合本發(fā)明的優(yōu)選實施 例及其附圖進行詳細描述。
[0049]請參閱圖2,本發(fā)明首先提供一種OLED器件120,包括從下到上依次設置的陽極10、 空穴注入層20、空穴傳輸層30、第一發(fā)光單元40、電荷產(chǎn)生層50、第二發(fā)光單元60、及陰極 70；
[0050]其中，所述第一發(fā)光單元40包括從下到上依次設置的第一電子阻擋層41、第一發(fā) 光層42、及第一電子傳輸層43;所述第二發(fā)光單元60包括從下到上依次設置的第二電子阻 擋層61、第二發(fā)光層62、及第二電子傳輸層63;所述電荷產(chǎn)生層50包括從下到上依次設置的 電子產(chǎn)生層51和空穴產(chǎn)生層52。
[0051]具體的，所述電荷產(chǎn)生層50用于分別向第一發(fā)光單元40和第二發(fā)光單元60提供其 發(fā)光所需的電子或空穴，使得第一發(fā)光單元40在電荷產(chǎn)生層50和陽極10的作用下發(fā)光，第 二發(fā)光單元60在電荷產(chǎn)生層50和陰極70的作用下發(fā)光。也就是說，電荷產(chǎn)生層50將第一發(fā) 光單元40和第二發(fā)光單元60串聯(lián)在陽極10和陰極70之間，實現(xiàn)串聯(lián)式有機發(fā)光二極管的結(jié) 構(gòu)，可以增大發(fā)光效率。
[0052] 具體的，所述陽極10用于將空穴注入到空穴注入層20中。
[0053]具體的，所述空穴注入層20用于將空穴從陽極10注入到空穴傳輸層30。
[0054] 優(yōu)選的，所述空穴注入層2 0的材料包括六腈六氮雜苯并菲 (Hexanitrilehexaazatriphenylene,HATCN)，所述六腈六氮雜苯并菲的結(jié)構(gòu)式為
[0055]
[0056] 具體的，所述空穴注入層20的厚度為5nm~50nm，優(yōu)選為10nm。
[0057]具體的，所述空穴傳輸層30用于將空穴傳輸?shù)降谝话l(fā)光單元40的第一電子阻擋層 41中。
[0058]優(yōu)選的，所述空穴傳輸層30的材料包括N，Y -二苯基-W -(1-萘基)-1，V -聯(lián)苯-4,4/ -二胺（N，N' -bis(naphthalen_l-yl )_N，N' _bis(phenyl )benzidine，NPB)，所述Ν,Ν'-二苯基-N-(I-萘基)-1，V -聯(lián)苯-K -二胺的結(jié)構(gòu)式為
[0059]
[ΟΟ?Ο]具體的，所述空穴傳輸層30的厚度為5nm~50nm〇
[0061]具體的，所述第一電子阻擋層41與第二電子阻擋層61分別用于將電子限制在第一 發(fā)光層42與第二發(fā)光層62中，并且將空穴傳輸?shù)降谝话l(fā)光層42與第二發(fā)光層62中。
[0062]具體的，所述第一電子阻擋層41與第二電子阻擋層61的材料均包括4,4'，4"_三 (P鐘坐-9-基）三苯胺（4，4/，4〃_tris(N-carbazolyI) triphenyIamine，TCTA)，所述4，4 '，4" - 三(咔唑-9-基)三苯胺的結(jié)構(gòu)式為
[0063] 具體的，所述第一電子阻擋層41的厚度為5nm~30nm，優(yōu)選為IOnm;所述第二電子 阻擋層61的厚度為5nm~30nm，優(yōu)選為IOnm0
[0064]具體的，所述第一發(fā)光層42與第二發(fā)光層62用于使空穴和電子在發(fā)光層中復合發(fā) 光。
[0065]優(yōu)選的，所述第一發(fā)光層42與第二發(fā)光層62均為藍光發(fā)光層，所述藍光發(fā)光層的 材料包括 4,4/-二（2,2)-二苯乙烯基-l，l聯(lián)苯（4,4/-Bis(2,2-diphenylvinyl)-l，10-biphenyl，DPVBi)，所述4,4 /-二（2,2)-二苯乙烯基-l，l聯(lián)苯的結(jié)構(gòu)式為
[0066]具體的，所述第一發(fā)光層42的厚度為5nm~40nm，優(yōu)選為25nm;所述第二發(fā)光層62 的厚度為5nm~40nm，優(yōu)選為25nm〇
[0067] 具體的，所述第一電子傳輸層43用于將從電荷產(chǎn)生層50注入的電子傳輸?shù)降谝话l(fā) 光層42中，所述第二電子傳輸層63用于將從陰極70注入的電子傳輸?shù)降诙l(fā)光層62中。
[0068] 具體的，所述第一電子傳輸層43包括重疊設置的兩結(jié)構(gòu)層，其中一結(jié)構(gòu)層的材料 包括4,7_二苯基-1，10-菲B羅啉(4,7-diphenyl-l，l〇-phenanthroline，Bphen)，另一結(jié)構(gòu)層 的材料包括4,7_二苯基-1，10-菲啰啉(Bphen)與鋰(Li)的混合物，該兩層結(jié)構(gòu)的厚度均優(yōu) 選為10nm。所述4,7-二苯基-1，10-菲P羅啉的結(jié)構(gòu)式為
[0069]
[0070] 具體的，所述第一電子傳輸層43的厚度為5nm~50nm，優(yōu)選為20nm〇
[0071 ]具體的，所述第二電子傳輸層63的材料包括4,7-二苯基-1，10-菲啰啉(Bphen)。
[0072] 具體的，所述第二電子傳輸層63的厚度為5nm~50nm，優(yōu)選為20nm〇
[0073]具體的，所述電子產(chǎn)生層51用于產(chǎn)生電子，并將電子注入到第一發(fā)光單元40的第 一電子傳輸層43中，所述空穴產(chǎn)生層52用于產(chǎn)生空穴，并將空穴注入到第二發(fā)光單元60的 第二電子阻擋層61中。
[0074]具體的，所述電子產(chǎn)生層51的材料包括六腈六氮雜苯并菲(HATCN);所述空穴產(chǎn)生 層52的材料包括N，g -二苯基-W -(1-萘基)-1，V -聯(lián)苯-K -二胺(NPB)。
[0075] 具體的，所述電子產(chǎn)生層51的膜厚為5nm~50nm，優(yōu)選為IOnm;所述空穴產(chǎn)生層52 的膜厚為5]11]1~5〇11111，優(yōu)選為1〇11111〇
[0076]具體的，所述陰極70用于將電子注入到第二電子傳輸層63中。
[0077]優(yōu)選的，所述陽極10為全反射陽極，所述陰極70為半透明陰極，使得本發(fā)明的OLED 器件構(gòu)成頂發(fā)射OLED器件。
[0078] 優(yōu)選的，所述陽極10為由兩氧化銦錫(ITO)層夾合一金屬層構(gòu)成的復合層;所述氧 化銦錫層的厚度為5nm~50nm，優(yōu)選為15nm;所述金屬層的厚度為80nm~lOOOnm，優(yōu)選為 15〇11111 ;所述金屬層的材料可以為銀(48)或錯(厶1)。
[0079] 具體的，所述陰極70的材料通常為低功函金屬材料，如包括鋰(Li)、鋰合金、鎂 (Mg)、鎂合金、|丐(Ca)、|丐合金、鎖(Sr)、鎖合金、鑭(La)、鑭合金、鋪(Ce)、鋪合金、銪(Eu)、銪 合金、鐿(Yb)、鐿合金、鋁(Al)、鋁合金、銫(Cs)、銫合金、銣(Rb)、及銣合金中的一種或多種 的組合。優(yōu)選的，所述陰極70的厚度為5nm~30nm 〇
[0080] 優(yōu)選的，所述陰極70為由鎂層與銀層疊加構(gòu)成的復合薄膜，所述鎂層的厚度優(yōu)選 為2nm，所述銀層的厚度優(yōu)選為15nm 〇
[0081] 優(yōu)選的，所述陰極70采用真空蒸鍍方法成膜。
[0082]當圖2中的第一發(fā)光層42與第二發(fā)光層62均為藍光發(fā)光層，陽極10為全反射陽極， 陰極70為半透明陰極時，本發(fā)明的OLED器件即構(gòu)成疊層頂發(fā)射藍光OLED器件，在相同電流 密度下，將本發(fā)明的疊層頂發(fā)射藍光OLED器件與圖1所示的普通頂發(fā)射藍光OLED器件的發(fā) 光強度進行對比，得到的結(jié)果如圖3所示，從圖3中可以看出，本發(fā)明的疊層頂發(fā)射藍光OLED 器件的發(fā)光強度高于現(xiàn)有的普通頂發(fā)射藍光OLED器件的發(fā)光強度的1倍以上。
[0083]上述OLED器件，通過將兩個或者更多的發(fā)光單元串聯(lián)在一起，可以成倍增加 OLED 器件的發(fā)光強度，有利于提高OLED顯示器的顯示效果。
[0084] 請參閱圖4及圖2，本發(fā)明還提供一種OLED顯示器，包括TFT基板110、設于所述TFT 基板110上的OLED器件120、設于所述OLED器件120上方的封裝蓋板130、以及設于所述封裝 蓋板130與OLED器件120之間的封裝膠材150;
[0085] 如圖2所示，所述OLED器件120包括從下到上依次設置的陽極10、空穴注入層20、空 穴傳輸層30、第一發(fā)光單元40、電荷產(chǎn)生層50、第二發(fā)光單元60、及陰極70;
[0086]其中，所述第一發(fā)光單元40包括從下到上依次設置的第一電子阻擋層41、第一發(fā) 光層42、及第一電子傳輸層43,所述第二發(fā)光單元60包括從下到上依次設置的第二電子阻 擋層61、第二發(fā)光層62、及第二電子傳輸層63;所述第一發(fā)光層42與第二發(fā)光層62均為藍光 發(fā)光層;所述電荷產(chǎn)生層50包括從下到上依次設置的電子產(chǎn)生層51和空穴產(chǎn)生層52;
[0087] 所述封裝蓋板130包括蓋板131以及設于所述蓋板131上朝向所述OLED器件120- 側(cè)的量子點薄膜140;
[0088]所述量子點薄膜140包括紅色像素單元141、綠色像素單元142、及藍色像素單元 143,所述紅色像素單元141為紅色量子點薄膜，所述綠色像素單元142為綠色量子點薄膜， 所述藍色像素單元143為透明材料或通孔；
[0089]施加電壓后，所述OLED器件120發(fā)出藍光，該藍光激發(fā)構(gòu)成所述紅色像素單元141 的紅色量子點薄膜發(fā)出紅光，激發(fā)構(gòu)成所述綠色像素單元142的綠色量子點薄膜發(fā)出綠光， 穿過所述藍色像素單元143透出藍光，從而實現(xiàn)紅綠藍三原色顯示。
[0090] 具體的，所述封裝膠材150用于粘接封裝蓋板130與OLED器件120,使封裝蓋板130 對OLED器件120形成密封保護，阻隔水和氧對OLED器件120的侵蝕。
[0091] 具體的，所述紅色量子點包括第一內(nèi)核和第一外殼，所述第一內(nèi)核的材料為硒化 鎘(CdSe)，所述第一外殼的材料為硫化鋅(ZnS);所述綠色量子點包括第二內(nèi)核和第二外 殼，所述第二內(nèi)核的材料為CdSe，所述第二外殼的材料為ZnS。
[0092]具體的，所述紅色量子點薄膜的厚度為IOnm~200nm，優(yōu)選為30nm〇 [0093]具體的，所述綠色量子點薄膜的厚度為IOnm~200nm，優(yōu)選為30nm〇 [0094] 具體的，所述空穴注入層20的厚度為5nm~50nm，優(yōu)選為10nm。
[0095]優(yōu)選的，所述空穴注入層20的材料包括六腈六氮雜苯并菲(HATCN)。
[0096]具體的，所述空穴傳輸層30的厚度為5nm~50nm〇
[0097]優(yōu)選的，所述空穴傳輸層30的材料包括N，Y -二苯基-W -(I-萘基)-1，V _聯(lián)苯_ 4 ,V-=K(NPB)0
[0098] 具體的，所述第一電子阻擋層41的厚度為5nm~30nm，優(yōu)選為IOnm;所述第二電子 阻擋層61的厚度為5nm~30nm，優(yōu)選為IOnm0
[0099]具體的，所述第一電子阻擋層41與第二電子阻擋層61的材料均包括4,4'，4"_三 (咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)。
[0?00]具體的，所述第一發(fā)光層42的厚度為5nm~40nm，優(yōu)選為25nm;所述第二發(fā)光層62 的厚度為5nm~40nm，優(yōu)選為25nm〇
[0101]具體的，所述藍光發(fā)光層的材料包括4,4'-二（2,2)_二苯乙烯基-1，1聯(lián)苯 (DPVBi)。
[0102] 具體的，所述第一電子傳輸層43的厚度為5nm~50nm，優(yōu)選為20nm〇
[0103]具體的，所述第一電子傳輸層43包括重疊設置的兩結(jié)構(gòu)層，其中一結(jié)構(gòu)層的材料 包括4，7-二苯基-1，10-菲啰啉，另一結(jié)構(gòu)層的材料包括4，7-二苯基-1，10-菲啰啉(Bphen) 與鋰(L i)的混合物，該兩層結(jié)構(gòu)的厚度均優(yōu)選為10 nm。
[0104] 具體的，所述第二電子傳輸層63的厚度為5nm~50nm，優(yōu)選為20nm〇
[0105]具體的，所述第二電子傳輸層63的材料包括4,7-二苯基-1，10-菲啰啉(Bphen)。
[0106] 具體的，所述電子產(chǎn)生層51的膜厚為5nm~50nm，所述空穴產(chǎn)生層52的膜厚為5nm ~50nm〇
[0107] 具體的，所述電子產(chǎn)生層51的材料包括六腈六氮雜苯并菲(HATCN);所述空穴產(chǎn)生 層52的材料包括N，g -二苯基-W -(1-萘基)-1，V -聯(lián)苯-K -二胺(NPB)。
[0108] 具體的，所述陽極10為全反射陽極，所述陰極70為半透明陰極，使得OLED器件構(gòu)成 頂發(fā)射OLED器件。
[0109] 優(yōu)選的，所述陽極10為由兩氧化銦錫層夾合一金屬層構(gòu)成的復合層;所述氧化銦 錫層的厚度為5nm~50nm，優(yōu)選為15nm;所述金屬層的厚度為80nm~100〇11111，優(yōu)選為15〇11111; 所述金屬層的材料可以為銀或鋁。
[0110] 具體的，所述陰極70的材料通常為低功函金屬材料，如包括鋰、鋰合金、鎂、鎂合 金、媽、1丐合金、鎖、鎖合金、鑭、鑭合金、鋪、鋪合金、銪、銪合金、鐿、鐿合金、錯、錯合金、銫、 銫合金、銣、及銣合金中的一種或多種的組合。優(yōu)選的，所述陰極70的厚度為5nm~30nm〇
[0111] 優(yōu)選的，所述陰極70為由鎂層與銀層疊加構(gòu)成的復合薄膜，所述鎂層的厚度優(yōu)選 為2nm，所述銀層的厚度優(yōu)選為15nm 〇
[0112] 優(yōu)選的，所述陰極70采用真空蒸鍍方法成膜。
[0113] 如圖5所示，為本發(fā)明的OLED顯示器發(fā)出的紅綠藍三原色光的光譜圖，在色坐標體 系中，該紅、綠、藍三原色光的色坐標分別為紅光（0.70，0.30 )，綠光（0.15,0.76)，藍光 (0.12,0.08)，可以看出，本發(fā)明的OLED顯示器發(fā)出的紅、綠、藍三原色光均具有較高的色飽 和度，并使得本發(fā)明的OLED顯示器的色域高達122.6%。
[0114] 上述OLED顯示器，其中的OLED器件通過將兩個或者更多的發(fā)光單元串聯(lián)在一起， 可以成倍增加 OLED器件的發(fā)光強度，有利于激發(fā)量子點薄膜發(fā)出紅、及綠光，得到高色飽和 度的紅綠藍三原色光，同時提高了 OLED顯示器的色域。
[0115] 綜上所述，本發(fā)明提供一種OLED器件與OLED顯示器。本發(fā)明的OLED器件，通過將兩 個或者更多的發(fā)光單元串聯(lián)在一起，可以成倍增加 OLED器件的發(fā)光強度，有利于提高OLED 顯示器的顯示效果。本發(fā)明的OLED顯示器包含上述OLED器件，通過將兩個或者更多的發(fā)光 單元串聯(lián)在一起，成倍增加發(fā)光強度，有利于激發(fā)量子點薄膜發(fā)出紅、綠光，得到高色飽和 度的紅綠藍三原色光，提高OLED顯示器的色域；同時由于OLED顯示器中對應紅、綠、藍像素 的發(fā)光層均為藍色發(fā)光層，避免使用精密金屬掩膜板，有利于提高OLED顯示器的分辨率。
[0116] 以上所述，對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，可以根據(jù)本發(fā)明的技術(shù)方案和技術(shù) 構(gòu)思作出其他各種相應的改變和變形，而所有這些改變和變形都應屬于本發(fā)明權(quán)利要求的 保護范圍。
【主權(quán)項】
1. 一種OLED器件，其特征在于，包括從下到上依次設置的陽極（10)、空穴注入層（20)、 空穴傳輸層(30)、第一發(fā)光單元(40)、電荷產(chǎn)生層(50)、第二發(fā)光單元(60)、及陰極(70); 其中，所述第一發(fā)光單元(40)包括從下到上依次設置的第一電子阻擋層(41)、第一發(fā) 光層(42)、及第一電子傳輸層(43)，所述第二發(fā)光單元(60)包括從下到上依次設置的第二 電子阻擋層(61 )、第二發(fā)光層(62)、及第二電子傳輸層(63); 所述電荷產(chǎn)生層(50)包括從下到上依次設置的電子產(chǎn)生層(51)和空穴產(chǎn)生層(52)。2. 如權(quán)利要求1所述的OLED器件，其特征在于，所述第一發(fā)光層(42)與第二發(fā)光層(62) 均為藍光發(fā)光層，所述藍光發(fā)光層的材料包括4,4'_二(2,2)_二苯乙烯基_1，1聯(lián)苯;所述第 一發(fā)光層(42)的厚度為5nm~40nm;所述第二發(fā)光層(62)的厚度為5nm~40nm〇3. 如權(quán)利要求1所述的OLED器件，其特征在于，所述陽極（10)為全反射陽極，所述陰極 (70)為半透明陰極； 所述陽極（10)為由兩氧化銦錫層夾合一金屬層構(gòu)成的復合層;所述氧化銦錫層的厚度 為5nm~50nm;所述金屬層的厚度為80nm~1000 nm; 所述陰極（70)的材料包括鋰、鋰合金、鎂、鎂合金、鈣、鈣合金、鍶、鍶合金、鑭、鑭合金、 鈰、鈰合金、銪、銪合金、鐿、鐿合金、鋁、鋁合金、銫、銫合金、銣、及銣合金中的一種或多種的 組合;所述陰極（70)的厚度為5nm~30nm 〇4. 如權(quán)利要求1所述的OLED器件，其特征在于，所述電子產(chǎn)生層(51)的材料包括六腈六 氮雜苯并菲;所述空穴產(chǎn)生層(52)的材料包括N，f -二苯基-W -(1-萘基)-1，V -聯(lián)苯-4， V -二胺;所述電子產(chǎn)生層（51)的膜厚為5nm~50nm;所述空穴產(chǎn)生層（52)的膜厚為5nm~ 50nm〇5. 如權(quán)利要求1所述的OLED器件，其特征在于，所述空穴注入層(20)的材料包括六腈六 氮雜苯并菲;所述空穴注入層(20)的厚度為5nm~50nm; 所述空穴傳輸層(30)的材料包括N，Y -二苯基-N，f -(I-萘基)-1，V -聯(lián)苯-4, V -二 胺;所述空穴傳輸層(30)的厚度為5nm~50nm; 所述第一電子阻擋層(41)與第二電子阻擋層(61)的材料均包括4,4'，4" -三(咔唑-9-基)三苯胺;所述第一電子阻擋層(41)與第二電子阻擋層(61)的厚度均為5nm~30nm; 所述第一電子傳輸層(43)包括重疊設置的兩結(jié)構(gòu)層，其中一結(jié)構(gòu)層的材料包括4,7_二 苯基-1，10-菲啰啉，另一結(jié)構(gòu)層的材料包括4,7-二苯基-1，10-菲啰啉與鋰的混合物;所述 第一電子傳輸層(43)的厚度為5nm~50nm; 所述第二電子傳輸層(63)的材料包括4,7_二苯基-1，10-菲啰啉;所述第二電子傳輸層 (63)的厚度為5nm~50nm。6. -種OLED顯示器，其特征在于，包括TFT基板（110 )、設于所述TFT基板（110)上的OLED 器件（120)、設于所述OLED器件（120)上方的封裝蓋板（130)、以及設于所述封裝蓋板（130) 與OLED器件（120)之間的封裝膠材(150); 所述OLED器件（120)包括從下到上依次設置的陽極（10)、空穴注入層(20)、空穴傳輸層 (30)、第一發(fā)光單元(40)、電荷產(chǎn)生層(50)、第二發(fā)光單元(60)、及陰極(70); 其中，所述第一發(fā)光單元(40)包括從下到上依次設置的第一電子阻擋層(41)、第一發(fā) 光層(42)、及第一電子傳輸層(43)，所述第二發(fā)光單元(60)包括從下到上依次設置的第二 電子阻擋層(61)、第二發(fā)光層(62)、及第二電子傳輸層(63);所述第一發(fā)光層(42)與第二發(fā) 光層(62)均為藍光發(fā)光層;所述電荷產(chǎn)生層(50)包括從下到上依次設置的電子產(chǎn)生層(51) 和空穴產(chǎn)生層(52); 所述封裝蓋板（130)包括蓋板（131)以及設于所述蓋板（131)上朝向所述OLED器件 (120)-側(cè)的量子點薄膜(140); 所述量子點薄膜（140)包括紅色像素單元（141)、綠色像素單元單元（142)、及藍色像素 單元（143)，所述紅色像素單元（141)為紅色量子點薄膜，所述綠色像素單元（142)為綠色量 子點薄膜，所述藍色像素單元(143)為透明材料或通孔； 施加電壓后，所述OLED器件（120)發(fā)出藍光，該藍光激發(fā)構(gòu)成所述紅色像素單元（141) 的紅色量子點薄膜發(fā)出紅光，激發(fā)構(gòu)成所述綠色像素單元（142)的綠色量子點薄膜發(fā)出綠 光，穿過所述藍色像素單元(143)透出藍光，從而實現(xiàn)紅綠藍三原色顯示。7. 如權(quán)利要求6所述的OLED顯示器，其特征在于，所述藍光發(fā)光層的材料包括4，V -二 (2，2)_二苯乙烯基-I，1聯(lián)苯;所述第一發(fā)光層(42)的厚度為5nm~40nm;所述第二發(fā)光層 (62) 的厚度為5nm~40nm。8. 如權(quán)利要求6所述的OLED顯示器，其特征在于，所述陽極（10)為全反射陽極，所述陰 極(70)為半透明陰極； 所述陽極（10)為由兩氧化銦錫層夾合一金屬層構(gòu)成的復合層;所述氧化銦錫層的厚度 為5nm~50nm;所述金屬層的厚度為80nm~1000 nm; 所述陰極（70)的材料包括鋰、鋰合金、鎂、鎂合金、鈣、鈣合金、鍶、鍶合金、鑭、鑭合金、 鈰、鈰合金、銪、銪合金、鐿、鐿合金、鋁、鋁合金、銫、銫合金、銣、及銣合金中的一種或多種的 組合;所述陰極（70)的厚度為5nm~30nm 〇9. 如權(quán)利要求6所述的OLED顯示器，其特征在于，所述電子產(chǎn)生層(51)的材料包括六腈 六氮雜苯并菲;所述空穴產(chǎn)生層(52)的材料包括N，M -二苯基-N，M -(1-萘基)-1，V _聯(lián)苯_ 4，f -二胺;所述電子產(chǎn)生層(51)的膜厚為5nm~50nm;所述空穴產(chǎn)生層(52)的膜厚為5nm~ 50nm〇10. 如權(quán)利要求6所述的OLED顯示器，其特征在于，所述空穴注入層（20)的材料包括六 腈六氮雜苯并菲;所述空穴注入層(20)的厚度為5nm~50nm; 所述空穴傳輸層(30)的材料包括N，Y -二苯基-N，f -(I-萘基)-1，V -聯(lián)苯-4, V -二 胺;所述空穴傳輸層(30)的厚度為5nm~50nm; 所述第一電子阻擋層(41)與第二電子阻擋層(61)的材料均包括4,4'，4" -三(咔唑-9-基)三苯胺;所述第一電子阻擋層(41)與第二電子阻擋層(61)的厚度均為5nm~30nm; 所述第一電子傳輸層(43)包括重疊設置的兩結(jié)構(gòu)層，其中一結(jié)構(gòu)層的材料包括4,7_二 苯基-1，10-菲啰啉，另一結(jié)構(gòu)層的材料包括4,7-二苯基-1，10-菲啰啉與鋰的混合物;所述 第一電子傳輸層(43)的厚度為5nm~50nm; 所述第二電子傳輸層(63)的材料包括4,7_二苯基-1，10-菲啰啉;所述第二電子傳輸層 (63) 的厚度為5nm~50nm; 所述紅色量子點包括第一內(nèi)核和第一外殼，所述第一內(nèi)核的材料為CMSe，所述第一外 殼的材料為ZnS;所述綠色量子點包括第二內(nèi)核和第二外殼，所述第二內(nèi)核的材料為CdSe， 所述第二外殼的材料為ZnS; 所述紅色量子點薄膜的厚度為IOnm~200nm;所述綠色量子點薄膜的厚度為IOnm~ 200nm〇
【文檔編號】H01L27/32GK105914228SQ201610390681
【公開日】2016年8月31日
【申請日】2016年6月2日
【發(fā)明人】李先杰
【申請人】深圳市華星光電技術(shù)有限公司