太陽能晶片靜電卡盤的制作方法
【專利摘要】公開了一種靜電卡盤，其尤其適合于以高的生產(chǎn)量制作基片。所公開的卡盤可以被用于制作大的基片或同時(shí)制作若干較小的基片。例如，公開的實(shí)施方式可被用于同時(shí)制作多個(gè)太陽能電池，因而提供高的生產(chǎn)量。使用具有足以控制卡盤溫升的熱質(zhì)量的鋁本體、并且陽極化處理所述本體的頂面，靜電卡盤本體被構(gòu)造成。陶瓷框架被設(shè)置在所述卡盤的本體的周圍以保護(hù)其免受等離子體侵蝕。如有需要，設(shè)置導(dǎo)電性觸點(diǎn)以便施加電壓偏壓至所述晶片。所述觸點(diǎn)透過所述陽極化處理而被暴露。
【專利說明】太陽能晶片靜電卡盤
[0001] 相關(guān)申請
[0002] 本申請要求享有2011年11月1日提交的，序列號為61/554, 457的美國臨時(shí)申請 的優(yōu)先權(quán)益，該申請的內(nèi)容以其整體通過引用被合并于此。
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0003] 本發(fā)明涉及太陽能電池的處理，并且特別地涉及在太陽能電池處理室內(nèi)部支撐晶 片的靜電卡盤。
【背景技術(shù)】
[0004] 用來制作太陽能電池的處理室，諸如等離子室，與用來制作集成電路（1C)的處理 室具有相同的基礎(chǔ)元件，但具有不同的工程和經(jīng)濟(jì)要求。例如，雖然用來制作集成電路的室 具有每小時(shí)大約幾十個(gè)晶片的生產(chǎn)量，用來制作太陽能電池的室卻被要求具有每小時(shí)大約 幾千個(gè)晶片的生產(chǎn)量。另一方面，購買和運(yùn)行太陽能電池處理系統(tǒng)的成本必須非常低。
[0005] 用于制作1C和太陽能電池兩者的處理系統(tǒng)在處理期間都利用靜電卡盤來支撐晶 片。然而，用于太陽能電池系統(tǒng)的靜電卡盤必須只花費(fèi)用于1C制造的靜電卡盤的一小部 分，但由于太陽能電池制作系統(tǒng)的高得多的生產(chǎn)量其必須忍受高得多的利用率。此外，盡管 在1C系統(tǒng)中靜電卡盤是靜止的，但在某些太陽能電池制作系統(tǒng)中卡盤是可移動(dòng)的。因此， 不能形成用于冷卻流體的連接，使得對卡盤的主動(dòng)熱控制是不可能的。
[0006] 包含在太陽能電池制作中的各步驟要求晶片暴露至等離子體。在某些處理步驟期 間，等離子體是利用腐蝕性氣體形成的，其轟擊支撐晶片的卡盤的任何暴露部分。因此，對 該卡盤的另一要求是能夠經(jīng)受住等離子體的這種腐蝕性轟擊。
[0007] 因此，該【技術(shù)領(lǐng)域】中所需要的是制造廉價(jià)、能在沒有主動(dòng)冷卻的情況下忍受高利 用率、并且能經(jīng)受住等離子體的腐蝕性作用的靜電卡盤。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0008] 本發(fā)明的下列概要被包含于此以便提供對本發(fā)明的一些方面和特征的基本理解。 此概要不是本發(fā)明的寬泛概述并且因而并不意圖特別地識別本發(fā)明的重要或關(guān)鍵要素或 描述本發(fā)明的范圍。其唯一的目的是作為下面呈現(xiàn)的更詳細(xì)說明的序言而以簡化的形式呈 現(xiàn)本發(fā)明的一些觀念。
[0009] 公開了一種靜電卡盤，其尤其適合于以高的生產(chǎn)量制作基片。所公開的卡盤可以 被用于一次制作一個(gè)基片或同時(shí)制作定位在若干卡盤上的若干基片。例如，公開的實(shí)施方 式可被用于同時(shí)制作多個(gè)太陽能電池，從而提供高的生產(chǎn)量。
[0010] 各個(gè)實(shí)施方式提供了一種靜電卡盤，其被設(shè)計(jì)成忍受高生產(chǎn)量的處理，諸如在太 陽能電池制作系統(tǒng)中使用的那些，并且能夠經(jīng)受住腐蝕性等離子體。公開的實(shí)施方式利用 靜止質(zhì)量和處理循環(huán)來熱控制所述卡盤，并免除了主動(dòng)流體冷卻。
[0011] 根據(jù)公開的實(shí)施方式，靜電卡盤本體利用具有足以控制卡盤溫升的熱質(zhì)量的鋁而 被構(gòu)造。所述鋁本體的頂面被陽極化處理以提供對高利用率的耐久性。陶瓷框架被設(shè)置在 所述卡盤的本體周圍以保護(hù)其免受等離子體侵蝕。如有需要，設(shè)置導(dǎo)電的觸點(diǎn)來施加電壓 偏壓至所述晶片。所述觸點(diǎn)透過所述陽極化處理而被暴露。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0012] 被合并于本說明書中并構(gòu)成本說明書的一部分的各附圖，舉例說明了本發(fā)明的各 實(shí)施方式，并且與說明書一起，用來解釋和說明本發(fā)明的原理。這些圖意在以概略的方式說 明各示例性實(shí)施方式的主要特征。這些圖并不意欲描繪各實(shí)際實(shí)施方式的每個(gè)特征或所描 繪的元件的相對尺寸，并且沒有按比例繪制。
[0013] 圖1A為示出了根據(jù)一個(gè)實(shí)施方式的靜電卡盤的主要零件的示意圖，而圖1B示出 了沿圖1A的線A-A的局部橫截面。
[0014] 圖1C為示出了用于制作圖1A和1B中所示的卡盤的處理流程的流程圖。
[0015] 圖2示出了用于利用根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方式的卡盤處理基片的等離子室的實(shí)例。
[0016] 圖3A為示出了根據(jù)另一實(shí)施方式的靜電卡盤的主要零件的示意圖，而圖3B示出 了沿圖3A的線A-A的局部橫截面。
[0017] 圖4A為示出了根據(jù)又另一實(shí)施方式的靜電卡盤的主要零件的示意圖，而圖4B示 出了沿圖4A的線A-A的局部橫截面。
[0018] 圖5A為示出了根據(jù)再另一實(shí)施方式的靜電卡盤的主要零件的示意圖，而圖5B示 出了沿圖5A的線A-A的局部橫截面。
[0019] 圖6為示出了根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施方式的靜電卡盤和承載器的主要零件的示意 圖。
【具體實(shí)施方式】
[0020] 根據(jù)本發(fā)明各實(shí)施方式的靜電卡盤的各個(gè)特征現(xiàn)在將參照附圖進(jìn)行描述。本說明 將包括靜電卡盤的、包含該靜電卡盤的處理系統(tǒng)的、和用于制作例如太陽能電池的該靜電 卡盤的制造方法的實(shí)例。
[0021] 圖1A為示出了根據(jù)一個(gè)實(shí)施方式的靜電卡盤的主要零件的示意圖，而圖1B示出 了沿圖1A的線A-A的局部橫截面。卡盤本體105由鋁板制成并且被構(gòu)造成具有足夠的熱 質(zhì)量（thermal mass)以在等離子處理期間控制卡盤的加熱。本體105的頂面被陽極化處 理，由此形成電絕緣的陽極化處理過的鋁層110?？ūP的側(cè)面被陶瓷層或框架115包圍。陶 瓷層115可以是施加至鋁本體的所有四個(gè)側(cè)面的陶瓷涂層，例如，利用標(biāo)準(zhǔn)的等離子濺射 涂敷或其它常規(guī)方法施加的。在圖1A和1B中所示的實(shí)施方式中，鋁本體105被放置在陶 瓷"盆，，內(nèi)部，從而鋁本體105的全部四個(gè)側(cè)面和底部被陶瓷框架115覆蓋。本體105被粘 接至陶瓷框架115。陶瓷框架115的頂部與陽極化處理過的鋁層110的頂部齊平。而且，卡 盤被確定尺寸使得被夾持的晶片延伸到各陶瓷側(cè)面115以外，以便覆蓋陶瓷側(cè)面115的頂 部。這在圖1A中通過晶片150的虛線輪廓示出。
[0022] 卡盤被附裝至基座120,該基座可以由絕緣的或?qū)щ姷牟牧现瞥伞４┻^基座120形 成孔口，并且絕緣套筒142被定位在其中。導(dǎo)體接觸桿144被穿過絕緣套筒142以便形成 至鋁本體105的電接觸。導(dǎo)體桿144被用來傳導(dǎo)高壓電位以形成夾緊力來夾緊晶片。
[0023] 在某些處理室中，有必要加偏壓到被處理的晶片以便從等離子體中朝向晶片吸引 離子。為了這種處理，卡盤設(shè)有接觸點(diǎn)130來將電壓偏壓遞送到晶片。每個(gè)接觸點(diǎn)130由 絕緣套筒132形成，該絕緣套筒穿過基座120并穿過本體105。接觸桿134穿過絕緣套筒 132,該接觸桿可以是被彈簧加壓的或者可縮回的（未示出）。
[0024] 保護(hù)性陶瓷框架115可以由諸如氧化鋁（鋁氧化物），SiC(碳化硅），氮化硅 (Si 3N4)，等的材料制成。陶瓷材料的選擇取決于等離子體內(nèi)部的氣體和被處理的晶片的潛 在污染。
[0025] 圖1A和1B中所示的裝置提供了優(yōu)于現(xiàn)有技術(shù)卡盤的某些優(yōu)點(diǎn)。例如，由于其簡 單的設(shè)計(jì)，其制造便宜。而且，陽極化處理過的表面可以忍受反復(fù)的處理，同時(shí)陶瓷框架保 護(hù)該陽極化和卡盤的本體免受等離子體侵蝕。由于陶瓷框架被設(shè)計(jì)成稍微小于被夾持的晶 片，陶瓷框架由被夾持的晶片密封，由此防止等離子體轟擊卡盤/陶瓷框架的邊緣。
[0026] 圖1C為示出了用于制作圖1A和1B中所示的卡盤的處理流程的流程圖。在步驟 161中鋁塊被機(jī)加工以便形成卡盤的本體105。在步驟162中鋁本體的頂面被使用標(biāo)準(zhǔn)的 陽極化處理工藝進(jìn)行陽極化處理。在步驟163中陶瓷框架115被制作并且在步驟164中鋁 本體105被粘接至陶瓷框架115。在步驟165中本體和框架的組件被粘接至基座120。在 步驟166中各個(gè)電觸點(diǎn)和絕緣套筒被附裝至卡盤。
[0027] 圖2示出了利用圖1A和1B中所示卡盤的等離子系統(tǒng)的一個(gè)實(shí)例的示意性橫截 面。由于圖2是為了提供使用該可傳輸?shù)撵o電卡盤的實(shí)例而被提供，因而與該功能不相 關(guān)的各個(gè)元件被省略。在圖2中所示的處理室230可以是任何等離子處理室，諸如蝕刻、 PECVD、PVD、等。
[0028] 下列為使用圖2的實(shí)施方式的工藝順序的實(shí)例。晶片258在輸入傳送機(jī)202上被 遞送至該系統(tǒng)。在本實(shí)例中，若干晶片258在與傳送機(jī)的行進(jìn)方向正交的方向上并排地被 放置。例如，三個(gè)晶片258可以被平行地布置，如在標(biāo)注中所示，該標(biāo)注為傳送機(jī)上的各基 片的俯視圖，具有示出了行進(jìn)方向的箭頭。
[0029] 晶片輸送機(jī)構(gòu)204被用來將晶片258從傳送機(jī)202輸送到處理卡盤215上。在 本實(shí)例中，輸送機(jī)構(gòu)204采用靜電拾取卡盤205,該靜電拾取卡盤是可沿軌道210移動(dòng)的并 且使用靜電力來拾取一個(gè)或多個(gè)晶片，例如，一排三個(gè)晶片，并將這些晶片傳遞至處理卡盤 215。在本實(shí)例中，三個(gè)處理卡盤215被用來接收由拾取卡盤205保持的三個(gè)基片。如在圖 2中所示，將晶片裝載到處理卡盤215上是在裝載站點(diǎn)C處完成的。處理卡盤215被附裝至 承載器217,該承載器經(jīng)開閉器208輸送至第一處理室230中。
[0030] 該處理室由開閉器208從裝載站點(diǎn)和其它的室隔離。開閉器208大大減少了至相 鄰室的電導(dǎo)，在沒有真空閥和〇形環(huán)密封的情況下允許在這些處理室內(nèi)部的單獨(dú)的壓力和 氣體控制。在本實(shí)例中僅有單一處理室230被使用。然而，如可以被理解的，另外的室可以 逐次地被增加，使得這些基片將經(jīng)由置于每兩個(gè)室（未示出）之間的隔離開閉器208從一 個(gè)室直接移動(dòng)到下一個(gè)。
[0031] 一旦卡盤215被定位在處理室230的內(nèi)部，到接觸桿134和144的電接觸就通過觸 點(diǎn)252和254被形成，以遞送所需的電壓電位。然后等離子處理開始并且基片被處理。一 旦在一系列室中的最后的室完成了處理，最后的開閉器208就被打開并且卡盤215在承載 器217上被輸送到卸載站點(diǎn)H。
[0032] 在卸載站點(diǎn)Η處，晶片輸送機(jī)構(gòu)203被用來從卡盤215卸載晶片并將晶片輸送到 卸載傳送機(jī)201上。輸送機(jī)構(gòu)203采用類似于拾取卡盤205的靜電晶片拾取頭225,該拾 取頭騎跨在軌道220上。拾取頭225使用靜電力將晶片從處理卡盤215傳遞到輸出傳送機(jī) 201。輸出晶片傳送機(jī)201接收來自拾取頭225的晶片并傳送它們以便在下游進(jìn)一步處理。
[0033] 然后各卡盤215由升降機(jī)250降低并且由卡盤返回模塊240輸送到升降機(jī)255,升 降機(jī)255將各卡盤返回到站點(diǎn)C以用于接收另一批晶片。如可以被理解的，若干處理卡盤 被使用，使得每個(gè)站點(diǎn)都是被裝載的并且處理室總是被占用并在處理晶片。就是說，當(dāng)一組 卡盤離開處理室進(jìn)入站點(diǎn)Η時(shí)，來自站點(diǎn)C的另一組被移動(dòng)至該室中并且來自升降機(jī)255 的一組被移動(dòng)至站點(diǎn)C中。而且，在本實(shí)施方式中，當(dāng)升降機(jī)250和255在處理高度和返回 高度之間移動(dòng)卡盤時(shí)，它們例如使用散熱器主動(dòng)地冷卻該處理卡盤215。替代地，或另外地， 冷卻站點(diǎn)J被用來通過用散熱器接觸卡盤而冷卻卡盤。處理卡盤215從卸載站點(diǎn)Η經(jīng)由返 回通道240被返回到裝載站點(diǎn)C，該返回通道被定位在處理高度之下。
[0034] 至卡盤的電觸點(diǎn)252位于每個(gè)升降機(jī)上和位于每個(gè)處理室中以用于靜電夾持晶 片。也就是說，如上面所解釋的，因?yàn)檫@些卡盤是可移動(dòng)的，沒有永久連接可以被形成至這 些卡盤。因此，在本實(shí)施方式中，站點(diǎn)C和Η及每個(gè)處理室230包括電觸點(diǎn)252以便經(jīng)由接 觸桿144傳遞電位至卡盤，并使得能夠靜電夾持。另外，DC偏壓觸點(diǎn)254位于每個(gè)處理室 230中以用于如需要的話對晶片的DC偏壓。也就是說，對于某些處理而言，DC偏壓除了等 離子RF功率之外被使用，以便控制由等離子體對晶片的離子轟擊。DC電位通過觸點(diǎn)134連 接至晶片，觸點(diǎn)134從觸點(diǎn)254接收DC偏壓。
[0035] 因此，如由上面所看出的，圖2中所示的系統(tǒng)可以利用若干處理卡盤215,這些處 理卡盤從裝載位置C、經(jīng)過一系列處理室230、到卸載位置Η連續(xù)地移動(dòng)。各處理室230被單 獨(dú)泵吸并且由各開閉器208從彼此及從裝載和卸載區(qū)域隔離。這些開閉器為每個(gè)室提供真 空和等離子區(qū)域隔離。這允許在每個(gè)區(qū)域中個(gè)性化的氣體種類和壓力控制。為簡單起見， 僅有一個(gè)處理室230被示于圖2中，但一系列的室可以逐次地被連接，使得離開一個(gè)室的卡 盤直接進(jìn)入第二個(gè)室。
[0036] 各卡盤從卸載站點(diǎn)Η經(jīng)由位于處理室230下方的真空通道240返回到裝載站點(diǎn) C。這些卡盤再循環(huán)穿過該系統(tǒng)，因而它們不能具有任何固定的連接諸如線、氣體管線或冷 卻管線。用于偏壓和夾持的觸點(diǎn)被形成在卡盤停于其中的每個(gè)位置處。卡盤冷卻通過分別 在卸載和裝載升降機(jī)250和255上的主動(dòng)冷卻、和/或冷卻站點(diǎn)J而實(shí)現(xiàn)。在本實(shí)例中，當(dāng) 卡盤被冷卻時(shí)，其抵靠著受冷卻的散熱器而被機(jī)械地夾緊。
[0037] 在圖2的實(shí)例中，在處理期間若干卡盤215被提供在每個(gè)處理室中，使得多個(gè)基片 同時(shí)被等離子處理。在本實(shí)施方式中，這些晶片通過被支撐在并排設(shè)置的若干單獨(dú)的卡盤 上，例如三個(gè)卡盤，而同時(shí)被處理。在一個(gè)特定的實(shí)例中，每個(gè)室被制作成保持一排三個(gè)單 獨(dú)的卡盤，以便同時(shí)處理三個(gè)晶片。當(dāng)然，也可以使用其它布置，例如，二乘三陣列的卡盤， 等等。
[0038] 圖3Α為示出了根據(jù)另一實(shí)施方式的靜電卡盤的主要零件的示意圖，而圖3Β示出 了沿圖3Α的線Α-Α的局部橫截面。圖3Α和3Β中與圖1Α和1Β中類似的元件利用相同的 附圖標(biāo)記指出，除了它們的百位數(shù)不同以外。如在圖3Α中所見，沒有形成用于直接向晶片 350施加偏壓的觸點(diǎn)。代替的是，依靠從等離子體到卡盤的電容耦合來提供RF通路至卡盤 和提供偏壓至晶片。
[0039] 靜電卡盤的結(jié)構(gòu)現(xiàn)在將參考圖3B進(jìn)行描述。本實(shí)施方式的卡盤通過機(jī)加工鋁本 體305而被制作。本體305的全部表面隨后被陽極化處理，以便提供硬的絕緣表面，作為 頂部陽極化處理層310、底部陽極化處理層311、和側(cè)部陽極化處理層312被示出。陽極化 處理過的鋁本體被粘接至陶瓷盆315上，該陶瓷盆由例如氧化鋁制成，并充當(dāng)絕緣體且保 護(hù)陽極化處理過的鋁本體的側(cè)面免受等離子體侵蝕。陶瓷盆被粘接到由例如聚酰亞胺、 Kapton?、等等制成的絕緣板322上。該絕緣板322的厚度根據(jù)該板的材料的介電常數(shù)而 確定，以便提供RF功率至基板320所需要的電容耦合?；?20由鋁制成并且也被陽極化 處理，并被用來電容耦合來自等離子體的RF。耦合的量部分地取決于絕緣板322的性質(zhì)，諸 如厚度和介電常數(shù)。而且，替代地，不是使用絕緣板，而是盆315的底板可以被制造得更厚 以提供相同的絕緣性質(zhì)。而且，設(shè)置帶螺紋的孔370以便將卡盤附裝至承載器，該承載器在 下面進(jìn)行描述。
[0040] 如上面提到的，鋁本體305在所有側(cè)上被陽極化處理。因此，為利用接觸桿344形 成電接觸，陽極化處理被從鋁本體底部上的接觸區(qū)域去除。另外，去除了陽極化處理的區(qū)域 鍍有導(dǎo)電層，諸如，鎳，鉻等等。當(dāng)接觸桿344插入絕緣套筒342中時(shí)，其接觸所鍍的導(dǎo)電層 并且于是良好的電接觸得以維持。
[0041] 如可以根據(jù)上面而被理解的，為使卡盤簡單、便宜、和可輸送，沒有提供用于至晶 片的偏壓功率的連接且沒有提供冷卻。而且，和其中被夾持的晶片為圓形的半導(dǎo)體卡盤不 同，此處該晶片是方形的以符合太陽能電池處理。因此，晶片上方的等離子體可能是非常不 均勻的，導(dǎo)致對晶片的不均勻處理。圖4A和4B中所示的實(shí)施方式被設(shè)計(jì)成克服該等離子 體不均勻性。
[0042] 圖4A和4B中所示的卡盤的結(jié)構(gòu)類似于圖3A和3B的卡盤結(jié)構(gòu)，并且圖4A和4B中 與圖3A和3B中類似的元件利用相同的附圖標(biāo)記指出，除了它們的百位數(shù)不同以夕卜。然而， 為克服等離子體不均勻性，在圖4A和4B的實(shí)施方式中，絕緣板422具有不平坦的底表面， 并且基板的頂面具有匹配的表面。在圖4A和4B的實(shí)施方式中，絕緣板422的底面是凸的， 而基板420的頂面具有匹配的凹形狀。也就是說，絕緣板在其邊緣處比其中間薄。因此，在 本體405和基板420之間在卡盤的邊緣處提供了更少的絕緣，使得更好的RF耦合在這些邊 緣處得以實(shí)現(xiàn)，導(dǎo)致更好的等離子體均勻性。
[0043] 等離子體不均勻性可以通過其它的手段進(jìn)行處理。例如，絕緣板可以被制成具有 可變的介電常數(shù)，使得其在板的中心處比在邊緣處高。例如，絕緣板可以由一系列的環(huán)制 成，每個(gè)環(huán)由不同介電常數(shù)的材料制成。替代的配置在圖5A和5B中示出。圖5A和5B中 與圖3A和3B中類似的元件利用相同的附圖標(biāo)記指出，除了它們的百位數(shù)不同以外。如在 圖5B中所示的，一系列溝槽580形成在絕緣板522的一個(gè)表面上。這些溝槽減少了絕緣板 522的介電絕緣并且，取決于所需要的絕緣，可以填充更低介電性的材料或?qū)w。例如，這些 溝槽可以填充被用來將絕緣板522粘接至基板520的同一粘合劑，諸如Kapton?或?qū)щ娦?粘合劑。
[0044] 圖6示出了在等離子處理系統(tǒng)中利用上述任一種卡盤的配置，諸如圖2中所示的 卡盤。一般地，卡盤被連接至承載器685,例如，通過將基座620螺合至承載器685。承載器 685具有一組堅(jiān)直定向的輪子690和一組水平定向的輪子695,它們被安裝成騎跨在軌道 692上。在本實(shí)施方式中，原動(dòng)力由直線電機(jī)提供，該直線電機(jī)被部分地定位在真空中的承 載器上并且部分地超出真空隔板698定位在真空的外側(cè)。例如，一系列永磁鐵694可被設(shè) 置在承載器的底部上，同時(shí)一系列線圈696被定位在隔板壁698外側(cè)的大氣環(huán)境中。
[0045] 應(yīng)被理解的是，在此所描述的工藝和技術(shù)并不與任何特定的裝置固有地相關(guān)，并 且可以由構(gòu)件的任何合適的組合實(shí)現(xiàn)。此外，各種類型的一般目的的裝置可以根據(jù)在此所 描述的教導(dǎo)而被使用。本發(fā)明已經(jīng)關(guān)于特定的實(shí)例而被描述，這些實(shí)例在各方面都意在是 說明性的而不是限制性的。本領(lǐng)域的技術(shù)人員將意識到很多不同的組合將適合于實(shí)現(xiàn)本發(fā) 明。
[0046] 此外，根據(jù)對此處所公開的本發(fā)明的說明和實(shí)踐的考慮，本發(fā)明的其它實(shí)現(xiàn)方式 對于本領(lǐng)域的技術(shù)人員來說將是明顯的。所描述的實(shí)施方式的各方面和/或構(gòu)件可以單獨(dú) 地或以任何組合地被使用。意圖的是，這些說明和實(shí)例僅被視為示例性的，同時(shí)本發(fā)明的真 實(shí)范圍和主旨由所列的權(quán)利要求指定。
【權(quán)利要求】
1. 用于等離子處理室的靜電卡盤，包括： 鋁卡盤本體，其具有陽極化處理過的頂面； 陶瓷框架，其被設(shè)置在所述鋁本體周圍并被粘接至所述鋁本體； 電連接至所述鋁本體的高壓電觸點(diǎn)。
2. 如權(quán)利要求1所述的靜電卡盤，還包括粘接至所述鋁本體底面的陶瓷板。
3. 如權(quán)利要求2所述的靜電卡盤，其中所述陶瓷板被與所述陶瓷框架制成一體，由此 形成盆，并且其中所述鋁本體被粘接在所述盆的內(nèi)側(cè)。
4. 如權(quán)利要求3所述的靜電卡盤，其中所述框架的頂面與所述陽極化處理過的頂面齊 平。
5. 如權(quán)利要求2所述的靜電卡盤，還包括附裝至所述陶瓷板底面的基座。
6. 如權(quán)利要求2所述的靜電卡盤，還包括附裝至所述陶瓷板底面的絕緣板，和附裝至 所述絕緣板底面的基座。
7. 如權(quán)利要求6所述的靜電卡盤，其中所述絕緣板被構(gòu)造成改變RF功率至所述基座的 電容耦合。
8. 如權(quán)利要求6所述的靜電卡盤，其中所述絕緣板具有不均勻的厚度。
9. 如權(quán)利要求6所述的靜電卡盤，其中所述絕緣板在其各邊緣處比在其中心處薄。
10. 如權(quán)利要求6所述的靜電卡盤，其中所述絕緣板具有在其一個(gè)表面上的多個(gè)溝槽。
11. 如權(quán)利要求1所述的靜電卡盤，其中所述框架被構(gòu)造成稍微小于欲在所述靜電卡 盤上被處理的晶片。
12. 如權(quán)利要求1所述的靜電卡盤，還包括從所述鋁本體隔離的并延伸穿過所述陽極 化處理過的頂面的夾持觸點(diǎn)。
13. 如權(quán)利要求1所述的靜電卡盤，其中所述陶瓷框架包括氧化鋁。
14. 等離子處理室，包括： 室外殼，其被構(gòu)造成維持真空環(huán)境和在其中維持等離子體、并且具有裝載端口和卸載 端口； 輸送機(jī)構(gòu)，用于將至少一個(gè)承載器經(jīng)過所述裝載端口輸送至處理外殼中和經(jīng)過所述卸 載端口輸送到所述處理外殼外； 可由所述輸送機(jī)構(gòu)輸送的承載器，所述承載器具有附裝到其上的靜電卡盤，所述卡盤 包括鋁本體和粘接至所述鋁本體的陶瓷框架。
15. 如權(quán)利要求14所述的等離子處理室，還包括高壓電觸點(diǎn)，其被設(shè)置在所述室內(nèi)部 并且將DC電壓耦合至所述鋁本體。
16. 如權(quán)利要求15所述的等離子處理室，其中所述鋁本體包括陽極化處理過的頂面。
17. 如權(quán)利要求16所述的等離子處理室，其中所述卡盤還包括從所述鋁本體電絕緣的 并且延伸穿過所述陽極化處理過的表面的夾持觸點(diǎn)。
18. 如權(quán)利要求14所述的等離子處理室，其中所述輸送機(jī)構(gòu)被構(gòu)造用于將具有靜電卡 盤的多個(gè)承載器同時(shí)地輸送至所述室外殼中，并且其中所述室外殼被構(gòu)造用于同時(shí)地等離 子處理定位在多個(gè)靜電卡盤上的多個(gè)基片。
19. 靜電卡盤的制作方法，包括： 機(jī)加工具有用于接收基片的頂面的鋁卡盤本體； 陽極化處理至少所述鋁卡盤本體的所述頂面； 在所述鋁卡盤本體的所有側(cè)面上形成陶瓷層；以及， 形成連至所述鋁本體的電觸點(diǎn)。
20. 如權(quán)利要求19所述的方法，其中所述形成陶瓷層的步驟包括用陶瓷材料涂覆所述 鋁卡盤本體的所述側(cè)面。
21. 如權(quán)利要求19所述的方法，其中所述形成陶瓷層的步驟包括制作陶瓷框架并將所 述鋁卡盤本體粘接至所述陶瓷框架。
22. 如權(quán)利要求21所述的方法，其中所述陶瓷框架被與陶瓷板整體地制作以便由此形 成盆，并且其中所述鋁本體被粘接在所述盆的內(nèi)側(cè)，并且還包括形成絕緣板并將所述絕緣 板粘接至所述盆的底面。
23. 如權(quán)利要求22所述的方法，還包括形成基座并將所述基座附裝至所述絕緣板的底 面。
【文檔編號】H02N13/00GK104221272SQ201280059895
【公開日】2014年12月17日 申請日期:2012年11月1日 優(yōu)先權(quán)日:2011年11月1日
【發(fā)明者】Y·K·趙, K·賈納吉拉曼, T·布盧克, D·克達(dá)拉亞 申請人:因特瓦克公司