本發(fā)明涉及一種陶瓷線路板。

背景技術(shù)：

申請(qǐng)?zhí)枮?01310238637.X的專利公開了一種多陶瓷層印刷線路板，如圖1所示，包括金屬基體，并且在所述金屬基體上依次形成有耐壓陶瓷層、高導(dǎo)熱陶瓷層和熒光陶瓷層，并且在所述熒光陶瓷層上形成有金屬電路層。印刷線路板具有多個(gè)功能陶瓷層，能夠?qū)崿F(xiàn)導(dǎo)熱、耐高壓擊穿和提高光效的目的。

但是，金屬基體層和耐壓陶瓷層之間，熱膨脹系數(shù)不同，在線路板加工過程中及后續(xù)焊接過程中，均需要在高溫環(huán)境下操作，容易導(dǎo)致層與層之間開裂，影響陶瓷線路板的穩(wěn)定性能。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

針對(duì)上述問題，本發(fā)明提供一種陶瓷線路板，對(duì)現(xiàn)有的陶瓷線路板結(jié)構(gòu)進(jìn)行改進(jìn)，避免金屬基體層和耐壓陶瓷層之間開裂，提高陶瓷線路板的穩(wěn)定性能。

為實(shí)現(xiàn)上述技術(shù)目的，達(dá)到上述技術(shù)效果，本發(fā)明通過以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)：

一種陶瓷線路板，包括金屬基體層，在所述金屬基體層上依次形成有耐壓陶瓷層、導(dǎo)熱陶瓷層和熒光陶瓷層，在所述熒光陶瓷層上形成有金屬電路層，還包括設(shè)置在金屬基體層和耐壓陶瓷層之間的、用于防止金屬基體層和耐壓陶瓷層之間開裂的多孔過渡層。

優(yōu)選，所述多孔過渡層的厚度為10-30微米之間。

優(yōu)選，所述多孔過渡層由多孔材料燒結(jié)而成。

優(yōu)選，所述金屬基體層為Al、Cu、Ag 或Ni 金屬基體層或者它們的合金基體層。

優(yōu)選，所述耐壓陶瓷層的厚度為15-200微米之間。

優(yōu)選，所述導(dǎo)熱陶瓷層的厚度為15-200微米之間。

優(yōu)選，所述熒光陶瓷層的厚度為15-200微米之間。

本發(fā)明的有益效果是：陶瓷線路板的整體結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，通過在金屬基體層和耐壓陶瓷層之間設(shè)置多孔過渡層，可以調(diào)節(jié)金屬基體層和耐壓陶瓷層之間因?yàn)闊崤蛎浂鴮?dǎo)致的層間應(yīng)力，進(jìn)而防止金屬基體層和耐壓陶瓷層之間開裂，保證了陶瓷線路板的穩(wěn)定性能。

附圖說明

圖1是現(xiàn)有設(shè)計(jì)的一種多陶瓷層印刷線路板的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2是本發(fā)明一種陶瓷線路板的結(jié)構(gòu)示意圖；

附圖的標(biāo)記含義如下：

1：金屬基體層；2：耐壓陶瓷層；3：導(dǎo)熱陶瓷層；4：熒光陶瓷層；5：金屬電路層；6：多孔過渡層。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合附圖和具體的實(shí)施例對(duì)本發(fā)明技術(shù)方案作進(jìn)一步的詳細(xì)描述，以使本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以更好的理解本發(fā)明并能予以實(shí)施，但所舉實(shí)施例不作為對(duì)本發(fā)明的限定。

如圖2所示，一種陶瓷線路板，包括金屬基體層，在所述金屬基體層上依次形成有耐壓陶瓷層、導(dǎo)熱陶瓷層和熒光陶瓷層，在所述熒光陶瓷層上形成有金屬電路層，還包括設(shè)置在金屬基體層和耐壓陶瓷層之間的、用于防止金屬基體層和耐壓陶瓷層之間開裂的多孔過渡層。

其中，金屬基體層為可以為Al、Cu、Ag 或Ni 金屬基體層，或者它們的合金基體層。耐壓陶瓷層可以為Al2O3、AlON 或SiC。導(dǎo)熱陶瓷層可以為AlN或AlON。熒光陶瓷層可以為稀土摻雜的陶瓷層。

對(duì)于陶瓷線路板，各層之間的厚度也是一個(gè)非常重要的參數(shù)，既要保持結(jié)構(gòu)小巧，又要保持結(jié)構(gòu)穩(wěn)定，優(yōu)選各層的厚度如下：

多孔過渡層的厚度為10-30微米之間，所述多孔過渡層由多孔材料燒結(jié)而成。

所述耐壓陶瓷層的厚度為15-200微米之間。

所述導(dǎo)熱陶瓷層的厚度為15-200微米之間。

所述熒光陶瓷層的厚度為15-200微米之間。

陶瓷線路板的整體結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，通過在金屬基體層和耐壓陶瓷層之間設(shè)置多孔過渡層，可以調(diào)節(jié)金屬基體層和耐壓陶瓷層之間因?yàn)闊崤蛎浂鴮?dǎo)致的層間應(yīng)力，進(jìn)而防止金屬基體層和耐壓陶瓷層之間開裂，保證了陶瓷線路板的穩(wěn)定性能。

以上僅為本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例，并非因此限制本發(fā)明的專利范圍，凡是利用本發(fā)明說明書及附圖內(nèi)容所作的等效結(jié)構(gòu)或者等效流程變換，或者直接或間接運(yùn)用在其他相關(guān)的技術(shù)領(lǐng)域，均同理包括在本發(fā)明的專利保護(hù)范圍內(nèi)。